半导体物理与器件（第2版） 习题参考答案 第七章习题答案_第1页
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第七章习题答案1.解答：金属费米能级与真空能级的差为金属的功函数；半导体的功函数为半导体的费米能级与真空能级之差。半导体功函数与材料、掺杂和温度等有关。2.解答：N型阻挡和反阻挡分别为图1（a）(b),P型阻挡和反阻挡分别为图2（a）(b)所示。（b）图1金属和n型半导体的接触（a）Wm>Ws;(b)Wm<Ws图图2金属和p型半导体的接触（a）Wm<Ws;(b)Wm>Ws3.解答：欧姆接触是区别于整流接触的，正向反向接触电阻都很小。当的金属与n型半导体的接触和的金属与p型半导体的接触可以形成欧姆接触。但在实际中，由于表面态的存在很难通过金属材料功函数的选择来获得欧姆接触。为了保证低阻抗的欧姆接触，在实际中可以将半导体进行重掺杂。在pn结的讨论中，我们知道，一侧半导体掺杂浓度的增加会导致势垒区宽度的减小。在金属半导体接触中也有类似的规律，随着半导体掺杂浓度的不断增加，势垒区宽度即能带弯曲的部分变得非常窄，很容易发生隧道效应。电子可以在金属和半导体之间流动。此时虽然势垒仍然存在，但由于重掺杂导致的隧道效应，并不影响电子的流动。4.解答：按照已知的条件，结合前面对肖特基势垒的定义，可得对于n型半导体而言内建电势差为空间电荷区宽度为最大电场强度为5．解答：根据题目要求，先要算出半导体的功函数，再用该值去与金和铝的功函数相比，根据结果进行判断。根据公式故功函数等于4.03+0.205=4.235ev与Al的功函数4.28ev相比由于Wm>Ws,故形成N型阻挡层。与Au的功函数5.1ev相比由于Wm>Ws,故形成N型阻挡层N型阻挡层的能带示意图见习题2的答案6.解答：空间电荷区宽度为7.解答：异质结是不同材料构成的结；同型异质结是不同材料同导电类型构成的结.反型异质结是不同材料不同导电类型构成的结.8.解答：令电势最小处即处电势为零，将上面中得到的代回后，得到在上式中令得到p区一侧电势差的表达式：异质结的总内建电势差为在处电势是连续的，故有根据处的电势为，确定将代回得根据电势在处电势是连续的条件，得到故有可得又由于，得到

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