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文档简介

易错点17晶体结构与性质

易错题10。等离子体、液晶和离子液体的比较

等离子体液晶离子液体

构成电子、阳离子和电中性苯甲酸胆缶酯体积很大的阴离子、

粒子(分子或原子)阳离子

特性具有良好的导电性和具有液体的流动性、黏度、形难挥发、良好导电

流动性变性等,具有晶体的各向异性性、作溶剂

易错题【02】“均摊法”与晶胞计算

(1)长方体(包括立方体)晶胞中不同位置粒子数的计算:

f1位于顶点If同为8个晶胞所共有,:粒子属于该晶胞

O

网f|位于棱上|f同为4个晶胞所共有,:粒子属于该晶胞

,-----1------------------------

f|位于面上|f同为2个晶胞所共有,万粒子属于该晶胞

f|位于内部|f|整个粒子都属于该晶胞|

(2)“三棱柱”和“六棱柱”中不同位置粒子数的计算:

1

1-

棱上顶点上哈

-4&9—顶点上]

4

1面1

-棱上4-

22一J一・二、----棱上]

1底

1

--六'、'内部:1

2内部:12

三棱柱

六棱柱

(3)确定晶体的化学式

[分析晶]确之[晶胞中同种粒子]利用“均摊法''计算一晶胞中各种确定(各种粒子〕确定盅体的

[胞结词[的位置及个薮粒子的个数一的个数比一二化学式

(4)计算晶体的密度

—*■晶体密度

(5)原子空间利用率计算

易错题【03】四种晶体类型的比较

分子晶体共价晶体金属晶体离子晶体

金属阳离子

构成粒子分子原子阴、阳离子

和自由电子

粒子间的相

分子间作用力共价键金属键离子键

互作用力

有的很大,

硬度较小很大较大

有的很小

有的很高,

熔、沸点较低很高较高

有的很低

难溶于任何溶常见溶剂难大多易溶于水等极

溶解性相似相溶

剂溶性溶剂

一般不导电,

一般不具有导电和热的晶体不导电,水溶液

导电、传热性溶于水后有的

电性良导体或熔融态导电

导电

易错题【04】晶体类型判断

(1)依据构成晶体的微粒和微粒间作用力判断

由阴、阳离子形成离子键构成的晶体为离子晶体;由原子形成的共价键构成的晶体为共价晶

体;由分子依靠分子间作用力形成的晶体为分子晶体;由金属阳离子、自由电子以金属键形

成的晶体为金属晶体。

(2)依据晶体的熔点判断

不同类型晶体熔点的一般规律:共价晶体〉离子晶体〉分子晶体。金属晶体的熔点差别很大,

如鸨、钳等熔点很高,葩等熔点很低。

易错题【05】晶体熔、沸点高低的比较

(1)看物质所属晶体类型,一般情况下,晶体的熔点:共价晶体〉离子晶体〉分子晶体。

(2)同类晶体熔、沸点判断思路:

共价晶体一共价键键能一键长一原子半径

四种晶

空笛睡一分子间作用力一相对分子质量(考虑分子间是否存在氢键)

体熔点

的比较离子晶体I-离子键强弱一离子所带电荷数、离子半径

金属晶体上金属键一价电子数、离子半径

易错题[06]晶胞投影图的分析

(1)分析晶胞沿X轴方向(yz)、y轴方向(xz)、z轴方向(xy)的投影图,确定晶胞中各

粒子的具体位置。

(2)结合晶胞参数,利用“均摊法”计算晶体的密度、原子的空间利用率等。

(3)结合三维坐标系及晶胞中原子的位置,确定相关原子的坐标参数(或分数坐标)。

易错题【07】

典例分析

例题1、理论计算预测,由汞(Hg)、褚(Ge)、睇(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓

扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取

代后形成。

(1)图b为Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一种单元结构,它不是晶胞

单元,理由是o

(2)图c为X的晶胞,X的晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为;该晶胞中粒

子个数比Hg:Ge:Sb=o

(3)设X的最简式的式量为跖,则X晶体的密度为g/cnP(列出算式)。

【解析】(1)对比图b和图c可知,X晶体的晶胞中上下两个单元内的原子位置不完全相同,

不符合晶胞晶胞是晶体的最小重复单位要求,可能还有其他形式。

(2)以晶胞上方立方体中右侧面心中Hg原子为例,同一晶胞中与Hg距离最近的Sb的数

目为2,右侧晶胞中有2个Sb原子与Hg原子距离最近,因此X的晶体中与Hg距离最近的

Sb的数目为4。该晶胞中Sb原子均位于晶胞内,因此1个晶胞中含有Sb原子数为8,Ge

原子位于晶胞顶点、面心、体心,则1个晶胞中含有Ge原子数为1+8义:+4义;=4;Hg原子

位于棱边、面心,则1个晶胞中含有Hg原子数为6xg+4xg=4,则该晶胞中粒子个数比Hg:

Ge:Sb=4:4:8=1:1:2。

(3)1个晶胞的质量片生如g,l个晶胞的体积V=(xxl0-7cm)2x(yxl0-7cm)=jt3xio—21cm3,

则X晶体的密度为?=23=要9<1021-3。

22,32

Vxyxl0-cmxyxNA0

【答案】(1)图b不具有“无隙并置”的特点

(2)41:1:2(3)年与'KF

xzyxN^

例题2、在金属材料中添加AlCn颗粒,可以增强材料的耐腐蚀性、硬度和机械性能。AlCr2

具有体心四方结构,如图所示。

(1)处于顶角位置的是原子。

(2)设Cr和A1原子半径分别为rcr和小,则金属原子空间占有率为%(列出计算表

达式)。

【解析】(1)AlCn具有体心四方结构,黑球个数为8X:+1=2,白球个数为8X;+2=4,结合

化学式A1C"推知,白球为Cr,黑球为Al,即处于顶角位置的是Al原子。

(2)设Cr和A1原子半径分别为2和小,则金属原子的总体积为铮x4+苧x2=219,

8兀(2r1r+r;i)ROOirfr3)

故金属原子空间占有率二一3—xlooy_8。。,匚2.%。

ac

800n(r1i+2r:r)

【答案】(1)A1(2)3aze

例题3、(1)OF2的熔、沸点(填“高于”或“低于”)CbO,原因是o

(2)硅、错(Ge)及其化合物广泛应用于光电材料领域,晶体硅和碳化硅熔点较高的是

(填化学式)。

(3)H2S,CH4、H2O的沸点由高到低顺序为o

【解析】(1)OF2和CbO都是分子晶体,范德华力影响其熔、沸点,而相对分子质量越大,

范德华力越强,其熔、沸点越高。

(2)晶体硅和碳化硅都是共价晶体,Si原子半径大于C,则键长:Si—Si>Si—C,键能:

Si—Si<Si—C,而键能越大,共价晶体的熔点越高,故熔点较高的是Sic。

(3)H2S,CH4>H2O都形成分子晶体,氏0形成氢键,H2S,CH4只存在范德华力,且H2s

的相对分子质量大,范德华力大,其沸点高于CH4,故沸点:H2O>H2S>CH4O

【答案】(1)OF2和CbO都是分子晶体,结构相似,C12O的相对分子质量大,C12O的熔、

沸点高

(2)SiC

(3)H2O>H2S>CH4

例题4、(1)XeF2晶体属四方晶系,晶胞参数如图所示,晶胞棱边夹角均为90。,该晶胞中

有个XeF2分子。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位

置,称为原子的分数坐标,如A点原子的分数坐标为(;,;,;)。已知Xe—F键长为rpm,

乙LL

则B点原子的分数坐标为;晶胞中A、B间距离d=—pm。

(2)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子的分数

坐标。四方晶系CdSnAsz的晶胞结构如图所示,晶胞棱边夹角均为90。,晶胞中部分原子的

分数坐标如下表所示。

一个晶胞中有个Sn,找出距离Cd(0,0,0)最近的Sn(用分数坐标表

示)。CdSnAsz晶体中与单个Sn键合的As有个。

【解析】(2)坐标原点是黑球Cd(0,0,0),又知晶体的化学式为CdSnAsz,结合晶胞结构推

知,Sn是白球,As是灰球。有4个Sn位于棱上(折合为1个),另外有6个Sn位于面上(折

合为3个),共4个Sn。距离Cd(0,0,0)最近的Sn有两个,分数坐标分别为(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)。

观察图中白球和灰球的关系,可知与单个Sn结合的As有4个。

【答案】(1)2(0,0,-)Xj-r)2

C

(2)4(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)4

例题5、(1)以Zn为顶点的ZnGePz晶胞结构如图所示。

①Zn的配位数为o

②以Ge为顶点的晶胞中,Zn原子位于o

(2)氮、铜形成的一种化合物,为立方晶系晶体,晶胞参数为apm,沿面对角线投影如

图所示。已知该晶胞中原子的分数坐标为:Cu/o,O,|j;[o,1,OjJ1,O,OjN:(0,0,0)则

该晶胞中,与Cu原子等距且最近的Cu原子有个。

【解析】(1)①以体心的Zn为例,距离其最近且距离相等的原子有4个,所以配位数为4;

②结合晶胞结构示意图可知,若以以Ge为顶点的晶胞中,Zn原子位于棱心、面心。

(2)结合投影以及部分Cu、N原子的坐标可知N原子位于立方体的顶点,Cu原子位于棱

心,距离Cu原子相等且最近的Cu原子位于相邻的棱上,所以个数为8。

【答案】(1)①4②棱心、面心

(2)8

易错题通关

1.(2022・广东.佛山市南海区九江中学高三阶段练习)我国科学家以碳60为原料,制造出一

种单层碳60聚合物单晶新材料(局部结构如图)。下列有关说法不正确的是

A.单层聚合C6o与金刚石互为同素异形体

B.C60中的12c中子数为6

C.C60和石墨均为分子晶体

D.单层聚合碳60中有非极性共价键

2.(2022•江苏省包场高级中学高三开学考试)乙醛与新制氢氧化铜悬浊液反应的实验如下:

步骤1:向试管中加入2mLi0%NaOH溶液,边振荡边滴加4〜6滴2%CuSO,溶液,观察到

有蓝色絮状沉淀产生。

步骤2:再向试管中加入0.5mL乙醛溶液,加热,观察到有红色沉淀产生。

下列说法不走确的是

A.乙醛分子中元素的电负性:O>C>H

B.步骤1中可用过量的氨水代替NaOH溶液

C.上述实验说明新制氢氧化铜能被乙醛还原

D.上图所示的Cu2O晶胞中铜原子的配位数为2

3.(2022•辽宁朝阳・高三阶段练习)磷化硼是一种耐磨涂料,可用作金属的表面保护层。磷

化硼晶体晶胞(立方体)如图所示。已知原子坐标R为(0Q。),P?为(1』』),晶胞的密度为

pg-cm3,阿伏加德罗常数的值用NA表示。下列说法中正确的是

A.磷原子的配位数为12

B.图中a原子的坐标是停梳梳

C.磷化硼晶体的晶胞边长为

D.电负性:B>P

4.(2022•北京•高三开学考试)钠的一种氧化物的正方体晶胞如图所示(“・”或“。”均表示一个

简单离子)。下列说法正确的是

A.该氧化物的化学式为NazCh

B.晶胞中连接“。”与“•”的线段表示共价键

C.晶胞中与“。”最近且等距的“•”的数目为4

D.该晶体中“。”与“•”的核外电子排布相同

5.(2022・湖北•高三开学考试)金刚砂与金刚石具有相似的晶体结构,硬度为9.5,熔点为

2700℃,其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是

A.该晶体属于共价晶体,熔点比金刚石高

B.C位于Si构成的正四面体空隙中

C.C—Si的键长为apm,则晶胞边长为2&apm

D.金刚砂中C原子周围等距且最近的C原子数为6

6.(2022•湖南•长郡中学高三阶段练习)通过反应4BI(g)+As4(g)T^4BAs(s,晶体)+6L(g)

可制备具有超高热导率半导体材料——BAs晶体。下列说法错误的是

图(a)图(b)图(c)

A.图(a)表示AS4结构,AS4分子中成键电子对数与孤对电子数之比为3:1

B.图(b)表示单质硼晶体52的基本结构单元,该基本单元为正二十面体

C.图(b)所示单质硼晶体的熔点为2180C,它属于共价晶体

D.图(c)表示BAs的晶胞结构,距离As原子最近且相等的B原子有4个

7.(2022.四川.盐亭中学一模)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子

的位置,称作原子的分数坐标。四方晶系CdSnAsz的晶胞结构如图所示,晶胞棱边夹角均

为90。,晶胞中部分原子的分数坐标如表所示。下列说法不正确的是

apm

XYZ

Cd000

Sn000.5

As0.250.250.25

A.灰色大球代表As

B.一个晶胞中有4个Sn

C.CdSnAsz晶体中与单个Sn键合的As有2个

D.距离Cd(O,0,0)最近的Sn的分数坐标是(0.5,0,0.25)和(0.5,0.5,0)

8.(2022.重庆市育才中学高三开学考试)已知,图甲为金属钠的晶胞,晶胞边长为apm,

图乙为金属钠的晶胞截面,图丙为Li2s晶胞截面(已知Li2s的晶体结构与CaFz相似)。假设

OS2'

OL『

图丙

A.每个晶胞中含有的S2-数目为4

B.与Li+距离最近且相等的S2一有4个

C.与Li+距离最近且相等的Li+有12个

D.该晶胞中两个距离最近的Li+和S2-的核间距的计算表达式为

9.(2022•江苏南通.高三开学考试)NO?能与悬浮在大气中的海盐粒子作用,反应为

2NO2+NaCl=NaNO3+ClNO(CINO各原子均达到8电子稳定结构)。下列说法正确的是

A.NaNOs晶体属于分子晶体B.C1NO的结构式为C1-N=O

C.NaCl晶胞中Na+的配位数为12D.NO?是由极性键构成的非极性分子

10.(2022•山西・大同市第二中学校高三开学考试)某Ba-Ti-O晶体具有良好的电学性能,其

晶胞为立方晶胞(如图),晶胞参数为apm。设阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法错误的

A.化学式为BaTiOsB.Ba?+的配位数为6

933x1032

C.「4+位于-的八面体空隙D.晶体的密度为;、g-m-3

11.(2022•浙江•高三开学考试)已知非金属元素A、B、C、D是原子序数依次增大的4种

短周期元素,其中A是元素周期表中原子半径最小的元素,D是地壳中含量最多的元素,B

原子核外电子数是未成对电子数的3倍,E原子核外电子层数为4,其基态原子的内层轨道

全部排满电子,且最外层电子数与A相同。下列有关说法正确的是

A.元素B、C、D的第一电离能由大到小的顺序为:D>OB

B.由A与C以个数比1:1组成的化合物中不可能含有离子键

C.A与B、A与C、A与D均能形成18电子的分子

D.如图为D和E两种元素组成的化合物的晶胞,则E离子的配位数为4

12.(2022•山东日照•高三开学考试)LiFePO,的晶胞结构示意图如(a)所示。其中。围绕Fe

和P分别形成正八面体和正四面体。电池充电时,LiFePO,脱出讨+转化如图,下列说法正

确的是

(a)LiFePO4(b)Li]JePO4(c)FePO4

A.每个Li|JePC)4晶胞中Li+个数为1-x

B.ImolLiFeO,晶胞完全转化为L~FePO4晶胞,转移电子数为0」875NA

C.ImolLi/ePO’晶胞中+2价Fe原子个数为3.25$

D.当FePC>4转化为LijePO'时,每转移(1-x)mol电子,消耗4(l-x)molLi+

13.我国科学家发明了高选择性的二氧化碳加氢合成甲醇的催化剂,其组成为ZnO/ZrCh固

溶体,四方ZrCh晶胞如图所示。

(1)Zr4+离子在晶胞中的配位数是o晶胞参数为apm、apm、cpm,该晶体密度

为g-cm-3(写出表达式)。

(2)在ZrO2中掺杂少量ZrO后形成的催化剂,化学式可表示为ZnxZri-xOy,则y=

14.GaAs的熔点为1238℃,密度为0g9四二,其晶胞结构如图所示。

①该晶体的类型为,Ga与As以键键合。

②Ga和As的摩尔质量分别为Afcag-mo「和MAsg-morI原子半径分别为rGapm和小pm,

阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为。

15.AS与C。形成的某种化合物的晶胞如图(a)所示,其中部分晶胞中As的位置如图(b)所示。

(1)该化合物的化学式为O

(2)若化合物的摩尔质量为Mg-mol1,密度为pg-cm-3oCo和As原子半径分别为npm和

r2pm,阿伏加德罗常数的值为NA,则晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为

(列出表达式即可)。

16.(1)Fe、Co、Ni是三种重要的金属元素。三种元素二价氧化物的晶胞类型相同,其熔

点由高到低的顺序为O

(2)Ti的四卤化物熔点如下表所示,TiF4熔点高于其他三种卤化物,自TiCL至丁山熔点依

次升高,原因是。

化合物TiF4TiCl4Til4

熔点/℃377-24.12155

(3)一些氧化物的熔点如下表所示:

氧化物

Li2OMgOP4O6SO2

熔点/℃1570280023.8-75.5

解释表中氧化物之间熔点差异的原因:。

17.氮化钱是一种半导体

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