模拟电子技术基础及应用

模拟电子技术基础及应用模拟电子电路1、常用电子器件2、晶体管放大电路3、集成运算放大器电路4、集成功率放大电路5、波形发生电路第2页,共116页，星期六，2024年，5月1、常用电子器件1.1晶体二极管1.2双极型晶体管1.3场效应晶体管1.4光电器件第3页,共116页，星期六，2024年，5月1.1晶体二极管本征半导体完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。它具有共价键结构。单晶硅中的共价键结构硅原子价电子第4页,共116页，星期六，2024年，5月N型半导体和P型半导体N型半导体在硅或锗中掺入少量的五价元素，如磷或砷、锑，则形成N型半导体。P自由电子磷原子正离子P+

少子多子正离子在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子第5页,共116页，星期六，2024年，5月N型半导体和P型半导体P型半导体在硅或锗中掺入三价元素，如硼或铝、镓，则形成P型半导体。BB-

硼原子负离子空穴填补空位多子少子负离子在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。第6页,共116页，星期六，2024年，5月PN结用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结

。P区N区P区的空穴向N区扩散并与电子复合N区的电子向P区扩散并与空穴复合空间电荷区内电场方向第7页,共116页，星期六，2024年，5月

即在PN结上加正向电压时，PN结电阻很低，正向电流较大。（PN结处于导通状态）——正向导通

加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小。（PN结处于截止状态）——反向截止PN结具有单向导电性第8页,共116页，星期六，2024年，5月面接触型点接触型引线触丝外壳N型锗片N型硅阳极引线PN结阴极引线金锑合金底座铝合金小球阴极阳极D表示符号

二极管的结构与符号第9页,共116页，星期六，2024年，5月几种二极管外观图大功率二极管小功率二极管第10页,共116页，星期六，2024年，5月二极管的伏安特性硅管的伏安特性U/V-500.8反向击穿电压U(BR)-40-20OI/mA604020-250.4正向死区电压I/μA锗管的伏安特性-20-40-250.40.2-5010O155I/mAU/VI/μA死区电压死区电压：硅管约为：0.5V,锗管约为：0.1V。导通时的正向压降：硅管约为:0.6V～0.8V,锗管约为:0.2V～0.3V。常温下，反向饱和电流很小.当PN结温度升高时，反向电流明显增加。注意:第11页,共116页，星期六，2024年，5月二极管的主要参数最大整流电流IOM最大反向工作电压UDR一般取反向电流IDRU/V-500.8反向击穿电压UDBR-40-20OI/mA604020-250.4正向死区电压I/μA第12页,共116页，星期六，2024年，5月稳压二极管稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。符号DZ阴极阳极特点:(1)反向特性曲线比较陡(2)工作在反向击穿区I/mAU/V0UZIZ稳压二极管伏安特性第13页,共116页，星期六，2024年，5月稳压二极管主要参数稳定电压UZ稳定电流IZ动态电阻rZrz=△UZ/△IZ电压温度系数αUZ

一般情况:高于6V的αUZ为负,低于6V的αUZ为正。最大允许耗散功率PZMI/mAU/V0UZIZminIZmax∆i∆u第14页,共116页，星期六，2024年，5月1.2双极型晶体管1.基本结构、符号2.电流分配与放大作用3.特性曲线4.主要参数5.小信号模型第15页,共116页，星期六，2024年，5月1.基本结构、符号BETCNPNBETCPNPPNP型NPPEB基区发射结集电结集电区发射区集电极C发射极基极NPN型CPNNEB发射区集电区基区基极发射极集电结发射结集电极第16页,共116页，星期六，2024年，5月2.电流分配与放大作用IBRBUBBICUCC输入电路输出电路公共端晶体管具有电流放大作用的外部条件：发射结正向偏置集电结反向偏置NPN

管：

UBE>0

UBC<0即VC>VB>VERCBCE共发射极放大电路PNP

管：

UBE<0

UBC>0即VC<VB<VECEBIE第17页,共116页，星期六，2024年，5月3.特性曲线IBRBUBBICUCCRCIE＋UBE--＋UCE输入特性曲线UCE≥1VUBE/VIB/µAO第18页,共116页，星期六，2024年，5月IBRBUBBICUCCRCIE＋UBE--＋UCE晶体管输出特性曲线IB

减小IB增加UCEICIB

=60µAIB

=40µAIB

=20µA0第19页,共116页，星期六，2024年，5月晶体管输出特性曲线分三个工作区UCE

/VIC

/mA806040

0IB=20µAO24681234截止区放大区饱和区发射结正偏,集电结反偏IC=βIB发射结、集电结处于反偏IC≈0发射结、集电结处于正偏UCE≈0第20页,共116页，星期六，2024年，5月4.主要参数电流放大系数β极间反向电流集电极、基极反向饱和电流ICBO穿透电流ICEOµAICBOCEBICEOCBEµA第21页,共116页，星期六，2024年，5月极限参数集电极最大允许电流ICM

反向击穿电压U(BR)CEO

集电极最大允许功耗PCMUCE

/VIC

/mAOICMU(BR)CEOPCM曲线过损耗区安全工作区第22页,共116页，星期六，2024年，5月5.小信号模型在小信号情况下，工作点附近的输入特性以直线取代输出特性只受ib控制，而与uce大小无关ibCBEicT+ube-+uce-C+uce-βibibicrbe+ube-EB第23页,共116页，星期六，2024年，5月1.3场效应晶体管场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOS）。按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型和增强型两种。第24页,共116页，星期六，2024年，5月1.绝缘栅型场效应管的结构和符号BG栅极D漏极SiO2S源极N沟道增强型结构示意图图形符号P型硅衬底N+N+BDGSBDGS耗尽型增强型第25页,共116页，星期六，2024年，5月BG栅极D漏极SiO2S源极P沟道增强型结构示意图N型硅衬底P+P+图形符号BDGSBDGS耗尽型增强型第26页,共116页，星期六，2024年，5月

0UDS/v10201234ID/mAUGS

=0VUGS

=-1VUGS

=-2VUGS

=1V可变电阻区线性放大区MOS管的特性曲线

N沟道耗尽型ID/mA0UGS/V-212UDS

=10VIDSS输出特性转移特性UGS(off)第27页,共116页，星期六，2024年，5月增强型MOS管的转移特性NMOS管PMOS管UGS

0IDUGS（th）UGS

0IDUGS(th)第28页,共116页，星期六，2024年，5月3.

场效应管主要参数夹断电压UGS(off)：是耗尽型场效应管当ID为一微小电流时的栅源电压。开启电压UGS(th)：是增强型场效应管当漏源之间出现导电沟道时的栅源电压。栅源直流输入电阻RGS：栅源电压和栅极电流的比值。绝缘栅型一般>109Ω低频跨导gm：在UDS为某一固定值时，漏极电流的微小变化和相应的栅源输入电压变化量之比。第29页,共116页，星期六，2024年，5月极限参数最大漏极电流IDM：管子工作时允许的最大漏极电流最大漏源击穿电压U(BR)DS:漏极和源极之间的击穿电压。最大耗散功率PDM

：管子最高温升决定的参数第30页,共116页，星期六，2024年，5月1.5光电器件1.发光二极管2.光敏二极管3.光敏晶体管4.光电耦合器第31页,共116页，星期六，2024年，5月1.发光二极管发光二极管是一种能将电能转换成光能的器件，简称LED发光二极管的PN结多采用磷（Ｐ）砷（As）化镓（Ga）制成，根据所用材料不同，能发出不同颜色的光发光二极管也具有单向导电性，但其正向工作电压要高于普通二极管，通常在1.4V以上第32页,共116页，星期六，2024年，5月

发光二极管发光二极管的外形及符号发光二极管具有寿命长、抗冲击和抗振动性能好、可靠性高等优点，应用十分广泛，其外形众多发光二极管电路符号第33页,共116页，星期六，2024年，5月2.光敏二极管光敏二极管是一种将光能转换成电流的器件，其PN结封装在具有透明聚光窗的管壳内。下图为光敏二极管实物第34页,共116页，星期六，2024年，5月光敏二极管结构与符号结构图入射光玻璃透镜管芯管壳陶瓷管座引线上电极下电极P＋N＋N管芯示意图AK电路符号第35页,共116页，星期六，2024年，5月光敏二极管伏安特性光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。I/μAU/V无光照射电流很小（暗电流）受到光照，反向电流增大（光电流）正向特性类同于普通二极管第36页,共116页，星期六，2024年，5月3.光敏晶体管光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏三极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通三极管。其结构及符号如下图所示。第37页,共116页，星期六，2024年，5月光敏三极管等效电路及符号ceec等效电路符号光敏三极管外形第38页,共116页，星期六，2024年，5月放大原理与特性曲线入射光子形成光生电压，产生光生电流，由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了β倍的电流。因此，光敏三极管是一种相当干将基极、集电极光敏二极管的电流加以放大的普通晶体管。其特性曲线如图所示uCE

/ViC

/mAOICEOPCM曲线入射光照度增加E=0E1E2E3E4第39页,共116页，星期六，2024年，5月*4.光电耦合器光电耦合器是把发光二极管和光敏二极管或光敏晶体管合二为一的器件，输入端接收电信号，中间以光耦合的形式控制输出端的电信号。由于输入输出没有电气的直接联系，故又称为光电隔离器。光电耦合器及符号第40页,共116页，星期六，2024年，5月光电耦合器的优点及应用光电耦合器因输入和输出相互绝缘，可以承受很高的电压；同时还具有抗干扰能力极强、响应速度快等有点。因此广泛用于信号隔离转换、脉冲系统的电平匹配、数模转换和计算机接口等方面。第41页,共116页，星期六，2024年，5月2、晶体管放大电路2.1阻容耦合的共发射极电路2.2工作点稳定的放大电路2.3共集电极放大电路第42页,共116页，星期六，2024年，5月晶体管放大电路是利用晶体管将微弱的电信号进行放大的电子电路的总称放大电路的一个基本要求就是在对电信号进行放大的同时，输出信号的变化规律与输入信号变化规律一致，即不失真放大电路按照晶体管公共接地端的不同分为共发射极、共集电极和共基极三种类型按照信号传递方式不同，分阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种类型第43页,共116页，星期六，2024年，5月2.1阻容耦合的共发射极电路直流电源基极电阻

输入电容集电极电阻

三极管：电流放大输出电容电路组成RBRCUCEUBE+－－++UCC++C1C2+－ui+－u0RL负载电阻第44页,共116页，星期六，2024年，5月耦合电容的作用负载信号源+UCCRBRCUCEUBE+－－+++C1C2+－ui+－u0RLC1

用来隔断放大电路与信号源之间的直流通路。C2用来隔断放大电路与负载之间的直流通路。C1、

C2

同时又起到耦合交流的作用，其电容值应足够大，以保证在一定的频率范围内，耦合电容上的交流压降达到可以忽略不计，即对交流信号可视为短路。第45页,共116页，星期六，2024年，5月+UCCRBRCUCEUBE+－－+++C1C2+－ui+－u0RL各种符号关系：IB，IC，UBE，UCE

直流分量ib，ic，ube，uce

交流分量iB，iC，uBE，uCE

总量Ib，Ic，Ube，Uce

交流分量有效值符号含义：iBIBIbmib0t第46页,共116页，星期六，2024年，5月静态分析+UCCRBRCUBE+－－+++C1C2+－ui+－u0RLIBQICQUCEUCEQ静态分析就是在无输入信号情况下求电路的静态值IBQ、ICQ和UCEQ通常，为了使放大器有较大的输出范围，以及较小的噪声，UCEQ值在1/2~1/3UCC左右。2.2工作点稳定的放大电路第47页,共116页，星期六，2024年，5月动态分析动态分析主要了解放大器的放大能力（电压放大倍数Au）、信号接收能力（输入电阻ri）以及信号输出能力（输出电阻ro）共发射极电路的电压放大倍数为放大电路较小信号较大信号uiuo第48页,共116页，星期六，2024年，5月输入电阻与输出电阻放大电路riRSuS+-+-ui+-u’oRLro+-uo信号源负载共射极电路的输入电阻为ri

＝RB//rbe输出电阻ro≈RC

ri反映放大器接收信号的能力，ro反映的是带负载能力对于信号源来说，放大器相当于负载，可以用一个输入电阻ri来表示对于负载来说，放大器相当于一个有内阻的信号源，其内阻值ro，即为放大器的输出电阻第49页,共116页，星期六，2024年，5月2.3共集电极放大电路典型的共集电极放大电路如右图所示。又因为该电路的输出信号取自晶体管的发射极，故该电路又称为射极输出器uS+－RLTC2C1++RBRE+UCCRS+－uO第50页,共116页，星期六，2024年，5月射极输出器的电压放大倍数为放大倍数为正数，说明输出信号与输入信号同相；显然Au小于1，但是接近于1第51页,共116页，星期六，2024年，5月放大器输入电阻放大器输出电阻较大的输入电阻减小信号源内阻上的压降，常用于多级放大的第一级较小的输出电阻可提高电路的带负载能力，常用于多级放大的最后一级射极输出器可作为小功率放大器使用第52页,共116页，星期六，2024年，5月3、集成运算放大器及其电路3.1集成运算放大器3.2比例运算电路3.3加减运算电路3.4积分、微分运算电路*3.5精密整流电路*3.6电压比较器第53页,共116页，星期六，2024年，5月3.1集成运算放大器集成运放是具有高开环放大倍数并带有深度负反馈的多级直接耦合放大电路。u-u0中间级输出级置路

偏电u+ui输入级

集成运放的组成框图第54页,共116页，星期六，2024年，5月LM348uA741外形、符号与主要参数

集成运放的管脚DIP封装SOP封装LM348引脚排列uA741引脚定义-+第55页,共116页，星期六，2024年，5月集成运放的符号－＋＋反相输入端u－u＋同相输入端信号传输方向ui输出端ou实际运放开环电压放大倍数AO第56页,共116页，星期六，2024年，5月集成运放的主要参数输入失调电压UI0输入失调电流II0开环（差模）电压放大倍数Aod差模输入电阻rid差模输出电阻rod共模抑制比KCMR越小越好越大越好第57页,共116页，星期六，2024年，5月理想运算放大器

满足下列参数指标的运算放大器可以视为理想运算放大器。1.差模电压放大倍数Avd=

，实际上Avd≥80dB即可。2.差模输入电阻Rid=

，实际上Rid比输入端外电路的电阻大2～3个量级即可。3.输出电阻Ro=0，实际上Ro比输入端外电路的电阻小1～2个量级即可。4.带宽足够宽。5.共模抑制比足够大。实际上在做一般原理性分析时，产品运算放大器都可以视为理想的。只要实际的运用条件不使运算放大器的某个技术指标明显下降即可。第58页,共116页，星期六，2024年，5月集成运放的理想电压传输特性0uouiUO+理想运放uo0uiUo+U0

-Uim–Uim实际运放UO-第59页,共116页，星期六，2024年，5月比例运算电路1、反相输入比例运算电路第60页,共116页，星期六，2024年，5月图1第61页,共116页，星期六，2024年，5月下图所示电路既能提高输入电阻，也能满足一定放大倍数的要求。根据运放工作在线性区的虚短和虚断两条分析依据，可以推出电路的闭环电压放大倍数为：图2第62页,共116页，星期六，2024年，5月例在下图所示电路中，已知R1=100kΩ，Rf1=200kΩ，Rf2=200kΩ，Rf3=1kΩ，求：（1）闭环电压放大倍数Auf、输入电阻ri及平衡电阻R2；（2）如果改用图1的电路，要想保持闭环电压放大倍数和输入电阻不变，反馈电阻Rf应该多大？解（1）闭环电压放大倍数为：第63页,共116页，星期六，2024年，5月第64页,共116页，星期六，2024年，5月同相输入比例运算电路第65页,共116页，星期六，2024年，5月电压跟随器第66页,共116页，星期六，2024年，5月例在图示电路中，已知R1=100kΩ，Rf=200kΩ，ui=1V，求输出电压uo，并说明输入级的作用。第67页,共116页，星期六，2024年，5月例在图示电路中，已知R1=100kΩ，Rf=200kΩ，R2=100kΩ，R3=200kΩ，ui=1V，求输出电压uo。第68页,共116页，星期六，2024年，5月加法和减法运算电路1、加法运算电路第69页,共116页，星期六，2024年，5月2、减法运算电路第70页,共116页，星期六，2024年，5月第71页,共116页，星期六，2024年，5月例：求图示电路中uo与ui1、ui2的关系。解：电路由第一级的反相器和第二级的加法运算电路级联而成。第72页,共116页，星期六，2024年，5月例：求图示电路中uo与ui1、ui2的关系。解：电路由第一级的同相比例运算电路和第二级的减法运算电路级联而成。第73页,共116页，星期六，2024年，5月例试用两级运算放大器设计一个加减运算电路，实现以下运算关系：解

由题中给出的运算关系可知ui3与uo反相，而ui1和ui2与uo同相，故可用反相加法运算电路将ui1和ui2相加后，其和再与ui3反相相加，从而可使ui3反相一次，而ui1和ui2反相两次。根据以上分析，可画出实现加减运算的电路图，如图所示。第74页,共116页，星期六，2024年，5月由图可得：第75页,共116页，星期六，2024年，5月例：求图示电路中uo与ui的关系。第76页,共116页，星期六，2024年，5月第77页,共116页，星期六，2024年，5月积分和微分运算电路1、积分运算电路第78页,共116页，星期六，2024年，5月积分电路波形积分电路用于方波－三角波转换第79页,共116页，星期六，2024年，5月例在图示的电路中。（1）写出输出电压uo与输入电压ui的运算关系。（2）若输入电压ui=1V，电容器两端的初始电压uC=0V，求输出电压uo变为0V所需要的时间。第80页,共116页，星期六，2024年，5月第81页,共116页，星期六，2024年，5月2、微分运算电路第82页,共116页，星期六，2024年，5月信号处理电路有源滤波器滤波器：选出所需要的频率范围内的信号，使其顺利通过；而对于频率超出此范围的信号，使其不易通过。不同的滤波器具有不同的频率特性，大致可分为低通、高通、带通和带阻四种。无源滤波器：仅由无源元件R、C构成的滤波器。无源滤波器的带负载能力较差，这是因为无源滤波器与负载间没有隔离，当在输出端接上负载时，负载也将成为滤波器的一部分，这必然导致滤波器频率特性的改变。此外，由于无源滤波器仅由无源元件构成，无放大能力，所以对输入信号总是衰减的。有源滤波器：由无源元件R、C和放大电路构成的滤波器。放大电路广泛采用带有深度负反馈的集成运算放大器。由于集成运算放大器具有高输入阻抗、低输出阻抗的特性，使滤波器输出和输入间有良好的隔离，便于级联，以构成滤波特性好或频率特性有特殊要求的滤波器。第83页,共116页，星期六，2024年，5月1、低通滤波器RCjUUCjRCjUUiiCwww+=+==+111RCjURRURRUiw+×÷÷øöççèæ+=÷÷øöççèæ+=+1111F1Fo第84页,共116页，星期六，2024年，5月截止角频率：第85页,共116页，星期六，2024年，5月第86页,共116页，星期六，2024年，5月2、高通滤波器截止角频率：第87页,共116页，星期六，2024年，5月2.2采样保持电路采样阶段：控制信号uG出现时，电子开关接通，输入模拟信号ui经电子开关使保持电容C迅速充电，电容电压即输出电压uo跟随输入模拟信号电压ui的变化而变化。保持阶段：uG=0，电子开关断开，保持电容C上的电压因为没有放电回路而得以保持。一直到下一次控制信号的到来，开始新的采样保持周期。第88页,共116页，星期六，2024年，5月第89页,共116页，星期六，2024年，5月电压比较器运算放大器处在开环状态，由于电压放大倍数极高，因而输入端之间只要有微小电压，运算放大器便进入非线性工作区域，输出电压uo达到最大值UOM。1、简单比较器第90页,共116页，星期六，2024年，5月基准电压UR=0时，输入电压ui与零电位比较，称为过零比较器。输出端接稳压管限幅。设稳压管的稳定电压为UZ，忽略正向导通电压，则ui>UR时，稳压管正向导通，uo=0；ui<UR时，稳压管反向击穿，uo=UZ时。第91页,共116页，星期六，2024年，5月输出端接双向稳压管进行双向限幅。设稳压管的稳定电压为UZ，忽略正向导通电压，则ui>UR时，稳压管正向导通，uo=－UZ；ui<UR时，稳压管反向击穿，uo=＋UZ时。电压比较器广泛应用在模-数接口、电平检测及波形变换等领域。如图所示为用过零比较器把正弦波变换为矩形波的例子。第92页,共116页，星期六，2024年，5月2、滞回比较器设比较器初始状态uo=+UOM，此时同相输入端的电压为：当ui由低向高变化直至ui>uH1时，比较器的输出电压uo由＋UOM跳变至－UOM，此时同相输入端的电压为：第93页,共116页，星期六，2024年，5月当ui由高向低变化直至ui<uH2时，比较器的输出电压uo由－UOM跳变至＋UOM，此时同相输入端的电压又变为uH1。uH1称为上门限电压，uH2称为下门限电压，两者的差值称为回差电压，用uH表示，即：与简单比较器相比，滞回比较器具有以下两个优点：（1）引入正反馈后能加速输出电压的转变过程，改善输出电压在跳变时的波形。（2）提高了电路的抗干扰能力。由于回差电压的存在，输出电压uo一旦转变为＋UOM或－UOM后，运算放大器同相输入端的电压u+随即自动变化，因此，输入电压ui必须有较大的反向变化才能使输出电压uo转变。第94页,共116页，星期六，2024年，5月使用运算放大器应注意的几个问题选用元件通常是根据实际要求来选用运算放大器。如测量放大器的输人信号微弱它的第一级应选用高输入电阻、高共模抑制比、高开环电压放，大倍数、低失调电压及低温度漂移的运算放大器。选好后，根据管脚图和符号图联接外部电路，包括电源、外接偏置电阻、消振电路及调零电路等。消振通常是外接RC消振电路或消振电容，用它来破坏产生自激振荡的条件。是否已消振，可将输入端接地，用示波器观察输出端有无自激振荡。目前由于集成工艺水平的提高，运算放大器内部已有消振元件，毋须外部消振。第95页,共116页，星期六，2024年，5月调零保护调零时应将电路接成闭环。调零分两种，一种是在无输入时调零，即将两个输入端接地，调节调零电位器，使输出电压为零。另一种是在有输入时调零，即按已知输入信号电压计算输出电压，而后将实际值调整到计算值。1、输入端保护第96页,共116页，星期六，2024年，5月3、电源保护2、输出端保护

扩大输出电流第97页,共116页，星期六，2024年，5月4、集成功率放大电路功率放大电路的基本要求输出功率尽可能大非线性失真尽可能小效率要高第98页,共116页，星期六，2024年，5月中间级启动偏置电路短路过热保护短路过热保护输出级输入级+_24351TDA2030集成音频功率放大器同相输入反相输入负电压正电压输出实物引脚排列图电路结构图12345第99页,共116页，星期六，2024年，5月由TDA2030构成的OCL电路R41ΩR3680ΩR2+UCC－UCCRLTDA203012345R1D1D2C1C2C4C3C5ui22kΩ22kΩ第100页,共116页，星期六，2024年，5月由TDA2030构成的OTL电路+UCCD1D20.22μFTDA203012345ui第101页,共116页，星期六，2024年，5月5、波形发生电路5.1RC正弦波振荡电路5.2集成运放组成的多谐振荡器5.3555集成定时器构成的多谐振荡器第102页,共116页，星期六，2024年，5月5.1RC正弦波振荡电路正弦波发生电路起振过程：在无输入信号（xi=0）时，电路中的噪扰电压（如元件的热噪声、电路参数波动引起的电压、电流的变化、电源接通时引起的瞬变过程等）使放大器产生瞬间输出x'o，经反馈网络反馈到输入端，得到瞬间输入xd，再经基本放大器放大，又在输出端产生新的输出信号x'o，如此反复。在无反馈或负反馈情况下，输出x'o会逐渐减小，直到消失。但在正反馈情况下，x'o会很快增大，最后由于饱和等原因输出稳定在xo，并靠反馈永久保持下去。1、自激振荡条件第103页,共116页，星期六，2024年，5月起振时必须满足：AF>1。第104页,共116页，星期六，2024年，5月正弦波振荡器的基本组成部分：①基本放大电路②正反馈网络③选频网络正弦波振荡器的分类：①RC正弦波振荡器②LC正弦波振荡器文氏电桥振荡器2、RC正弦波振荡器选频网络稳幅环节第105页,共116页，星期六，2024年，5月放大器的电压放大倍数为：反馈网络具有选频作用。RC反馈网络的反馈系数为：第106页,共116页，星期六，2024年，5月第107页,共116页，星期六，2024年，5月第108页,共116页，星期六，2024年，5月5.2集成运放组成的多谐振荡器1、方波发