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文档简介

TFT-LCDARRAY

制程工艺工程PRcoatingThinFilmGlass曝光ExpousePhotoMask剥膜ThinFilmGlass成膜PRcoating显影蚀刻TFT各层名称玻璃基板(Glass)Gate电极GI-SINxGIN-SINxGIN–a-SiGIN–N+a-SiS电极D电极ITO电极P-SINx第二层第一层第三层第三层第四层第五层Array5Mask制程简述Mask-1:Gate电极与Cs(common)线Mask-2:a-Si岛(Island)Mask-3:源/漏(S/D)电极Mask-4:钝化保护层P-SiNxMask-5:像素电极ITOMask-1俯视图与剖面图Gate线Common线玻璃基板Gate线金属膜材料：AL-Nd/Mo成膜方式：溅射(PVD)刻蚀方式：湿蚀刻作用：扫描电极，控制“开关”的导通或断开。PVD：物理气象沉积，即非化学反应成膜。Mask-2俯视图与剖面图CVD：化学气象沉积，即化学反应方式成膜GI-SiNxGIN-SiNxGIN-a-SiGIN–N+a-Si非金属膜:栅绝缘膜SiNx；半导体层a-Si；

欧姆接触层N+a-Si成膜方式:等离子CVD(PECVD)刻蚀方式：干蚀刻作用：TFT的工作层（有源层）等效电路中的“开关”Mask-3俯视图与剖面图信号线、源电极(source极)漏电极(drain极)沟道金属膜材料：Mo/Al/Mo成膜方式：溅射（PVD）刻蚀方式：湿蚀刻M2干蚀刻沟道(N+a-Si)作用：数据电极（提供信号，对液晶电容进行充电）Mask-4俯视图与剖面图过孔钝化保护层过孔的作用导通D极（Mask3）和象素电极ITO（Mask5）非金属膜：钝化层P-SiNx成膜方式：等离子CVD（PECVD）刻蚀方式：干蚀刻作用：阻隔从TFT外部来的不純物，保护TFT器件，并起到绝缘的作用。Mask-5俯视图与剖面图像素电极(ITO层)金属膜材料:氧化铟和氧化锡的混合物(In2O3、SnO2)成膜方式:溅射刻蚀方式:湿蚀刻Array5Mask完整制作过程模拟Mask-1形成Gate线与Common线成膜⇒剥离⇒涂光刻胶

⇒刻蚀⇒曝光⇒显影Mask-2a-si有源岛(Island)成膜⇒剥离⇒涂光刻胶

⇒刻蚀

⇒曝光⇒显影TFT的主要工作层（起到“开关”的作用）Mask-3源/漏(S/D)电极(Source/Drain)（S线）成膜⇒剥离⇒涂光刻胶

⇒刻蚀

⇒曝光⇒显影Mask-4钝化保护层P-SiNx（绝缘层）成膜

⇒剥离⇒涂光刻胶

⇒刻蚀

⇒曝光⇒显影Mask-5像素电极ITO成膜

⇒剥

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