现代半导体器件及先进制造知到智慧树章节测试课后答案2024年秋浙江大学

现代半导体器件及先进制造知到智慧树章节测试课后答案2024年秋浙江大学第一章单元测试

本征硅的费米能级位于：（）

A:略偏向

B:略偏向

C:

D:

答案:略偏向

硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）

A:与磷掺杂硅的导电类型一致

B:硅的晶体结构将发生改变

C:电子浓度大于空穴浓度

D:空穴浓度大于电子浓度

答案:空穴浓度大于电子浓度

抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。

A:降低离子注入能量

B:升高衬底温度

C:衬底表面沉积非晶薄膜

D:倾斜衬底

答案:升高衬底温度

；衬底表面沉积非晶薄膜

；倾斜衬底

制造单晶硅衬底的方法包括（）。

A:直拉法

B:氧化还原法

C:区域熔融法

D:外延生长法

答案:直拉法

；区域熔融法

当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（）

A:对B:错

答案:对

第二章单元测试

对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（）。

A:Vg≥Vd+Vth

B:Vg继续增加，Id不会继续增大

C:

D:沟道中漏极一侧的电位为0

答案:Vg≥Vd+Vth

；Vg继续增加，Id不会继续增大

；沟道中漏极一侧的电位为0

沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（）。

A:器件的集成度增加

B:阈值电压增大

C:器件的漏极电流增大

D:器件的可靠性劣化

答案:器件的集成度增加

；器件的漏极电流增大

；器件的可靠性劣化

有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（）

A:温度升高，亚阈值摆幅增大

B:亚阈值摆幅的单位是mV

C:

D:

答案:亚阈值摆幅的单位是mV

有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（）

A:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小

B:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小

C:与器件的沟道长度呈正比

D:仅与器件的结构参数有关

答案:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小

MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（）

A:错B:对

答案:对

第三章单元测试

下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（）

A:能够减小光的波长

B:由台积电的工程师林本坚发明

C:在目镜和衬底间填充水

D:能够增大物镜的数值孔径

答案:能够减小光的波长

；由台积电的工程师林本坚发明

；能够增大物镜的数值孔径

相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（）

A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器

B:减小未沉积铬区域的石英板厚度

C:利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度

D:改变石英掩膜板的倾斜角

答案:在掩膜板上的透光区域中添加移相器

；减小未沉积铬区域的石英板厚度

；利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度

根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（）

A:

B:

C:

D:

答案:

正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（）

A:交联催化剂，提供自由基

B:提供自由基，交联催化剂

C:交联催化剂，交联催化剂

D:提供自由基，提供自由基

答案:提供自由基，交联催化剂

光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。（）

A:错B:对

答案:对

第四章单元测试

有关半导体中载流子有效质量的说法正确的是（）

A:与载流子的惯性质量在数值上相等

B:电子和空穴可能具有不同的有效质量

C:具有一定的概率分布

D:受到半导体晶格周期性势场的影响

答案:电子和空穴可能具有不同的有效质量

；受到半导体晶格周期性势场的影响

张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（）

A:减小MOS界面粗糙度

B:抑制界面态的库伦散射作用

C:增加能级分裂，抑制能谷散射

D:减小载流子有效质量

答案:增加能级分裂，抑制能谷散射

；减小载流子有效质量

在硅沟道场效应晶体管器件中，埋入式源漏技术能够产生何种应变（）

A:仅能产生张应变

B:其余选项说法都不对

C:仅能产生压应变

D:既有可能产生张应变，又有可能产生压应变

答案:既有可能产生张应变，又有可能产生压应变

对于高集成密度的n型沟道的SiFinFET器件，合适的产生应变的技术是（）

A:SiGe埋入式源漏技术

B:接触式刻蚀中止层技术

C:应力记忆技术

D:SiGe虚拟衬底技术

答案:SiGe虚拟衬底技术

应变硅技术从90纳米技术节点开始进入量产。（）

A:错B:对

答案:对

第五章单元测试

有关High-k/metalgate技术的说法正确的是（）

A:能够提升沟道中的载流子迁移率

B:栅氧化层k值越大越好

C:从45纳米技术节点开始进入量产

D:能够减小栅氧化层中的电场强度

答案:从45纳米技术节点开始进入量产

；能够减小栅氧化层中的电场强度

作为High-k栅氧化层的材料，需要具备下面哪些特点（）

A:需要具有较好的稳定性

B:需要是常见材料

C:需要具有合适的能带结构

D:需要具有较高的k值

答案:需要具有较好的稳定性

；需要具有合适的能带结构

；需要具有较高的k值

下面哪种方法能够减小Si栅极堆垛的EOT（）

A:减薄栅绝缘层的厚度

B:利用high-k材料替代二氧化硅栅绝缘层

C:应用Scavenging技术

D:利用金属栅替代多晶硅栅

答案:减薄栅绝缘层的厚度

；利用high-k材料替代二氧化硅栅绝缘层

；应用Scavenging技术

；利用金属栅替代多晶硅栅

几种薄膜沉积方法中，三维表面包覆能力由强到弱依次为：ALD、PECVD、电子束蒸镀。（）

A:错B:对

答案:对Scavenging技术实质上是氧化还原反应。（）

A:对B:错

答案:对

第六章单元测试

根据传输线模型，有关场效应晶体管器件源漏接触电阻的说法正确的是（）

A:与金属的功函数无关

B:分为长接触极限和短接触极限两种特例

C:源漏接触电极越大，接触电阻一定越小

D:源漏接触金属下方的电流密度不均匀

答案:分为长接触极限和短接触极限两种特例

；源漏接触金属下方的电流密度不均匀

当互联的最小特征尺寸减小时，下面说法错误的是（）

A:互联延时减小

B:互联寄生电阻增大

C:互联寄生电容不变

D:互联延时增大

答案:互联寄生电阻增大

；互联延时增大

Al互联中不包含下面那个结构（）

A:Al配线

B:Li