电力电子技术(第二版)第1章答案

应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。要关断晶闸管,必须使其阳极电流减小到一定数值以下,或在阳极和阴极加反向电压。答:因为晶闸管在导通瞬间,电流集中在门极附近,随着时间的推移,导通区才逐渐扩大,直到全部结面导通为止。在刚导通时,如果电流上升率di/dt较大,会引起门极附近过热,造成晶闸管损坏，所以电流上升率应限制在通态电流临界上升率以内。应限制在断态电压临界上升率以内。4.额定电流为100A的晶闸管流过单相全波电流时，允许其最大平均晶闸管在流过全波电流的时候，其有效值和正弦交流幅值的关系为：其平均值与和正弦交流幅值的关系为：则波形系数为：则晶闸管在流过全波电流的时候，其平均值为：均值、波形系数及晶闸管额定电流。闸管的回路增益α1+α2常为1.15左右，而GTO得α1+α2略大于GTO处于临界饱和状态时用抽走阳极电流的方法破坏临界饱和状态，能使器件关断，又GTO得门极和阴极是多元并联结构，故也能从门极抽走更大的电流使GTO关断。而晶闸管导通之后处于深度压减小到零或反向的方法来关断的。可靠性。缓冲电路的作用是在电力电子器件开通和关断的过程中减应力。电路、母线吸收式缓冲电路、开通缓冲电路、复合缓冲电路。关状态。小功率晶体管用于信息处理，注重单管电流放大系数，线性度，频率响应以及噪声和温漂等性能参数。9.导致BJT二次击穿的因素有哪些？可采取何种措施抑制二次电极电压、电流、负载性质、导通脉冲宽度、基极电路的配置，以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。为防止BJT二次击穿，尽量避免采用电抗成分过大的负载，并合理选择工作点及工作状态，使之不超过BJT的安全工作区。扩散MOS结构,利用两次扩散形成的P型区和N+型区,在硅片表面处的结深之差形成沟道,电流在沟道内沿表面流动,然后垂直被漏极接收,具有正温度系数，故没有热点反馈引起的二次击穿,输入阻抗高,跨导的线性度好和工作频率高。答：功率MOSFET是电压控制器件，不需要栅极驱动电流。但由于有栅源电容，还是需要很小的一点电流的。答：功率MOSFET可采取3个方面的静电保护措施：引线。接时电烙铁功率应不超过25W，最好是用内热式烙铁，先焊漏且前端作为接地点。全部接入测试仪器或电路前，不要施加电压，改换测试范围时，电压和电流都必须先恢复到零。13.IGBT在何种情况下会出现擎住效应？使用中如何避免出现晶体管的基极与发射极之间存在一个体区短路电阻,P型区的横电压,当输出集电极电流ic大到一定程度时,该正偏置电压使NPN晶体管导通,进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态,于是寄生晶闸管导通,栅极失去控制作用,这就是所谓的擎住效应。所以，IGBT在使用中,应注意防止过高的du/dt和过大的过载电流。相同的端电压，因而通过并联器件的电流是不等的。为了使并联器件的电流均匀分配，除了选用特性比较一致的器件进行并联外，还可采用串联电阻法和串联电感等均流措施。答：引起过电压的原因：（1）操作过电压。由断路器的拉闸、合闸、变压器的通电、断电等经常性操作中的电磁过程引起的过电压。（2）浪涌过电压。由雷击等偶然原因引起，从电网进入变换器的过电压，其幅值远远高于工作电压。路电感在电力电子器件上产生的过电压。（4）过电压和过电流保护动作引起的过电压。某处过电流过电压动作时所产生的电路的过电流过电压抑制过程，可能引起电路其他部分产生过电流过电压。（5）泵升过电压。在电力电子变换器—电动机调速系统中，由于电动机回馈制动造成直流侧过电压。对不同的过电压可采取的保护措施有：（1）雷击过电压可在变压器初级接避雷器加以保护。（2）二次电压很高或变压比很大的变压器，一次侧合闸时，由于一次、二次绕组间存在分布电容，高电压可能通过分布电容耦合到二次侧而出现瞬时过电压。对此可采取变压器附加屏蔽层接地或变压器星形中点通过电容接地的方法来减小电压。（3）阻容保护电路是变换器中用得最多的过电压保护措施。（4）泵升电压应该采用泄放回路或者将能量回馈电网。答：产生过电流的原因：的过电流。过电流。起的误动作引起的过电流。（4）配线等人为的错误引起的过电流。对不同的过电流可采取的保护措施有：（1）交流进线电抗器。加入进线电抗器或采用漏抗大的整流变压器，利用电感限制短路电流。（2）电流检测装置和直流过流继电器。在交流侧设置电流检测装置，利用过电流信号控制触发电路，使触发脉冲后移或使晶闸管关断，使输出直流电压下降，从而抑制过电流。加过流继电器也能实现过流保护，但动作时间大（3）快速熔断器。它是防止变换器过电流损坏的最后一道防线。（4）直流快速开关。它