知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集-信息技术产业分册

知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集信息技术产业分册2024年1本报告集由国家知识产权局公共服务司组织编写。相果报告由各省知识产权局收集和推荐。经项目组发布报告。报告集分为信息技术、新能源、新材料、生物医药、化学、创新研究6个分册，共14项成果报告。报告集充分考虑了信息的安全性与适宜性，主要内容为缩编后的精简成果，并对部分章节内容进行了必要的删减本次成果汇集和发布，旨在推广知识产权信息利用成战略价值，进一步强化知识产权信息服务对科技创新和产业优化升级的支撑作用。衷加强知识产权公共服务机构之间专业交流与互鉴，能够有力化、协同化，促进知识产权信息利用和服务规范化发展，编辑组2半导体光刻胶专利分析研究报告 1集成电路产业碳化硅技术专利分析研究报告 陕西省传感器产业专利导航报告 半导体光刻胶专利分析研究报告江苏省知识产权保护中心(江苏省专利信息服务中心)南京工业大学原报告定稿时间：2024年4月12王亚利江苏省知识产权保护中心主任正高工程师赵乃瑄南京工业大学馆长研究馆员鲍志彦南京工业大学科长副研究馆员李杉杉南京工业大学副研究馆员许思娴南京工业大学馆员沈玲玲南京工业大学馆员程琳南京工业大学馆员王凯南京工业大学馆员龚跃鹏江苏省知识产权保护中心知识产权高级工程师孟彦娟江苏省知识产权保护中心知识产权高级工程师张静文江苏省知识产权保护中心341.1半导体光刻胶产业发展现状g线)、深紫外光刻胶(ArF,193nm、KrF,248nm)、极紫外光刻胶(EUV,1.2国内半导体光刻胶产业政策5日期发改委指出要发展高端专用化学品，包括KrF(248纳米)光刻胶和ArF光刻胶(193纳米),为大型技术领域科技创新专项规划》明确将深紫外光刻胶列为极大规模集成电路制造技术创新生态体系建设与发展。规划(2016-2020工信部指出要发展集成电路用电子化学品，重点发展KrF(248纳米)和ArF(193纳米)光刻胶，推进中国电子化学品行业发展。明确将高分辨率光刻胶及配套化学品列入“精细国务院发光刻胶、大尺寸硅片等关键材料，加强集成电元器件“十一五”专项规划》工信部指出要重点支持国内6英寸及以上集成电路生产所有的248纳米及以下光刻胶、引线框架等1.3半导体光刻胶产业链构成(1)上游分析67中游图1-1中国光刻胶行业的产业链1.4半导体光刻胶技术发展现状与趋势技术热点。目前，193nm浸没式光刻与多重图形曝光技术已经被证明可用于89第2章半导体光刻胶全球专利宏观分析年进行统计，梳理从1947年至今全球半导体光刻胶专利技术的申请年度变化趋势 第一阶段(1947年-1979年)为萌芽期。该阶段属于半导体光刻胶技术积累阶第二阶段(1980年-1994年)为成长期。在全球集成电路行业集成度不断提高线光刻技术进入开发期，并逐步取代了g线光刻胶。此外，随着KrF(248nm)、ArF(193nm)等稀有气体卤化物准分子激发态激光光源技术的发展，20世纪80年年间专利申请回落的主要原因。第三阶段(1995年至今)为快速发展期。随着21世纪的到来，集成电路产业提高，迫切需要新一代替代技术的出现。2010年来，以极紫外(EUV)光刻胶为代动全球光刻胶技术专利申请又出现了进一步的回升。0图2-1半导体光刻胶全球专利申请趋势(1947-2024)2.1.1.2全球专利申请区域分析对半导体光刻胶全球专利申请区域进行分析(如表2-1),排名前10的国家/地交的专利申请总量的97.35%。专利申请数(件)1日本2美国3韩国4中国56中国台湾7德国8英国9法国其他国家和地区2.1.2半导体光刻胶全球专利技术来源国与目标市场分析 (4751件),韩国申请量为1345项(2225件),分别占全球总申请量的18.51%和10.13%。中国专利申请为570项(617件),排名第四，占全球总申请量的法国0.47%_荷兰0.32%_其他国家和地区中国台湾1.48%英国126%法国0.47%_荷兰0.32%_其他国家和地区中国4.30%韩国10.13%日本57.86%美国18.51%2.1.2.2技术目标市场分析关联分析图2-3为半导体光刻胶技术来源排名前5的国家/地区，即日本、美国、韩国、中国和德国在全球十大主要技术目标国的专利分布气泡图。可以看出，日本作为该领域专利申请第一的国家，非常重视在本土的布局，本土布局数量达到5967件。除本土以外，依次在韩国、美国、中国台湾、欧洲、中国都有相当数量的布局，专利布局数量分别为1665件、1311件、930件、651件和608件。这说明，日本的专利申请人在扎根于本土的专利布局外，也相当重视对于全球其他区域的技术占领。美国作为第二大技术来源国，主要在美国本土和日本进行布局，布局数量分别为693件和797件，其次是韩国(514件)、欧洲(557件)和中国(346件)。相对于日本和美国，韩国、中国、德国则更加侧重于本土的专利布局。韩国除了在本土申请的1108件专利外，在美国、日本和中国均进行了一定程度的布局，布局数量分比为254件、249件和219件，这说明美国、日本和中国是韩国企业的主要海外技术目标市场。中国在本土的专利公开数量为564件，而与此相对的是来源于中国的专利在美国公开数量仅为17件，在其他国家该数量则更低，这一方面说明中国的专利申请人更加侧重于在本国布局，对于海外市场的重要性的认识偏低，另一方面也说明目前中国的专利申请人在该领域的技术相对落后，暂时不具备向发达国家辐射技术影响力的能力。因此，在半导体产业创新日益白热化的浪潮中，中国的专利申请人一方面要提高全球布局的意识，另一方面更要增强自身的技术实力，缩小与全球领主要技术来源国图2-3半导体光刻胶领域主要技术来源国/技术目标国专利申请数量分布2.1.3半导体光刻胶全球专利技术分析图2-4展示了全球半导体光刻胶各主要技术分支的专利申请占比，如图所示，产业成熟技术的专利申请7386件，占全球半导体光刻胶专利集合的33.78%,由于成熟技术研发历程较长，专利积累数量较多，所以专利占比较多。产业主流技术的专利申请6760件，占全球半导体光刻胶领域专利集合的30.91%,主要包括KrF、ArF等深紫外光刻胶技术。主流技术是目前半导体光刻胶中市场需求最为旺盛的，但发展历程较成熟技术短，因此专利占比略低于成熟技术占比。前沿替代技术专利申请7722件，占全球半导体光刻胶领域专利集合的35.31%,主要涉及EUV光刻胶、电子束光刻胶等前沿技术，这些前沿技术是未来尖端光刻胶的发展趋势，近年来的研究热度急剧上升，三者的专利申请总和甚至超越了成熟技术和主流技术，需要引起足够的重视。2.1.4半导体光刻胶全球主要创新主体分析对全球半导体光刻胶领域的前10位申请人进行了专利族申请统计(图2-5),专利族申请量排前10的依次是富士胶片、信越化学、东京应化、住友化学、JSR、三菱公司、日立公司、三星电子、IBM和陶氏化学。申请量排名前10公司的申请量总和占全球总申请量的42.51%,在该领域呈现明显的巨头化态势。其中，全球专利申请量排名前7的巨头富士胶片、信越化学、东京应化、住友化学和JSR、三菱公司、日立公司均为日本企业，日本在该领域的垄断地位可见一斑。富士胶片是该领域专利申请数量最多的公司，达到了1244项(1963件),其次为信越化学、东京应化、住友(1063件)、577项(891件)、485项(698件)。值得注意的是，美国的陶氏化日立2.97%东京应化468%信越化学585%2.2.1半导体光刻胶中国专利申请态势分析截止2024年4月30日，半导体光刻胶领域中国专利申请总量为2037件，其中中国本土专利申请705件，占比34.61%,国外来华专利1332件，占比第一阶段为萌芽期(1990年-1996年):这一阶段专利申请总量为15件，年申第三阶段为波动发展期(2007年-2015年):进入21世纪，半导体光刻胶的目 图2-7半导体光刻胶中国专利申请趋势北京专利申请量为100项，居于全国首位，占国内专利申请980总量北京江苏广东上海浙江山东安徽四川河南湖北2.2.3半导体光刻胶中国技术分析前沿替代技术相关的专利申请量在半导体光刻胶领域占的比例最小，产业成熟技术占比最大，说明我国生产能力主要集中于g线、i线光刻胶等中低端产品。虽然EUV光刻、嵌段聚合物大分子自组装及电子束等高端光刻胶2.2.4半导体光刻胶中国专利主要创新主体分析由图2-10可见，中国本土专利申请量的前5名分别为京东方、中科院化学所、苏州瑞红、常州强力、华星光电。国内本土专利前10的申请人中，有7家来自企业，这表明国内半导体光刻胶企业在国内具有一定的研发实力和技术储备，且目前我国半在中国本土申请人方面，随着国家对半导体产业的大力投入，国内企业也开始加大对半导体光刻胶技术的研发并取得了一些成果，尤其涌现了一批优秀的光刻胶公司及科研院所，旨在突破国内高端光刻胶受制于人的局面，使光刻胶国产化由低端走向高端。中国本土专利申请人中，排名第一的是京东方，近年来京东方大力发展光刻胶有限公司作为京东方全资子公司，是国内较早涉足光刻胶的企业，实力强劲，国内面板用光刻胶的主要供应商之一。排名第二的是中科院化学所，中国科学院化学研究所是以基础研究为主，有重点地开展国家急需的、有重大战略目标的高新技术创新研究，其参与了(02专项)“极的主营光刻胶产品及其配套试剂的公司，生产光刻胶20多年。于2013年验收了公司，并且在2019年成为TCL的子公司，华星光电拥有LCD和AMOLED等产业，北师大(14项)、中科院理化所(14项)、北京科华(14项)、西迪光电(13项)、南大光电(11项),排名相对靠后，申请量相差较小。可以第3章半导体光刻胶产业成熟技术——近紫外光刻胶专利分析3.1g线光刻胶全球专利态势分析3.1.1g线光刻胶全球专利申请趋势及区域分析趋势。1952年-1983年间，g线光刻胶技术共有316件专利申请，1952年至70图3-1g线光刻胶全球专利申请趋势来，集成电路产业获得快速发展，g线光刻胶技术开发已较为成熟，技术创新空间已十分狭小，更先进的i线、ArF、KrF以及EU对g线光刻胶全球专利申请的目标国/地区进行分析(图3-2),排名前5的国家/地区依次为日本、美国、韩国、中国、欧洲专利局(EPO),占全球专利申请总量的90.38%。其中在日本布局的专利为1520件，占全球专利申请总量的比例38.87%,排名第二和第三的国家分别为美国和韩国，布局在美国的专利数为704件，占比为18.01%,布局韩国的专利数为575件，占比为14.71%。在中国布局的专利数为371件，占比为9.5%。在欧洲布局的专利数为364件，占比为9.31%。3.1.2g线光刻胶全球专利技术来源国及目标市场分析主要技术目标国主要技术目标国从技术来源国的角度进行分析(图3-3),来源于日本的专利申请最多，申请专利达为17.91%,韩国申请专利数为217项，占比为7.59%。中国专利申请为125项，中国德国欧洲英国日本韩国中国台湾美国日本美国韩国中国美国作为全球第二大技术来源国，非常重视海外专利市场，除了在美国本土申请了和美国的IBM。而前10名的申请人中，没有来自中国的企业，可见中国本土企业与国别专利族(项)专利申请数(件)1日本2东京应化日本3日立公司日本4富士胶片日本5富士通日本国别专利族(项)专利申请数(件)韩国7日本8日本9日本美国利，占比28.57%,其余均为国外来华申请专利。对371件中国g线光刻内专利申请总量的13.21%,苏州瑞红申请专利6项，占比5.66%,中科院化学所申请专利5项，占比4.72%,北京科华申请专利4项，占比3.77%,华星光电申图3-8为g线光刻胶领域国内排名前5的申请人2004年至2024年的年度申但在2011年之后没有专利申请；京东方于2007年开始进入该领域，并在2015甲请量/件甲请量/件1952年至今全球i线光刻胶技术的专利申请趋势图(图3-9)。件专利，于1987年突破100件，1990年出现第一个申请高峰，高达191件。在性组织提交的申请专利量共计4090件，占到全球范围内提交的专利申请总量的比为17.41%;布局韩国的专利为687件，占比为17.33%;在中国布局的专利为465件，占比为9.70%;布局欧专局的专利有419件，占比为8.74%。专利申请数(件)1日本2美国3韩国4中国5欧专利局6中国台湾7德国8英国93.2.2i线光刻胶全球技术来源及目标市场分析从技术来源国的角度进行分析(表3-3)可以看出，日本在全球占据了绝对的地位，来源于日本的专利申请最多，申请量达1966项专利，占全球申请总量的公司，包括东京应化、JSR、富士胶片、信越化学等光刻胶龙头企业。美国申请了601项专利，韩国申请了235项专利，分别占全球申请总量的18.5%和7.24%,美、韩存在较大差距。德国申请了103项专利，占全球申请的3.18%,位列第五。专利族数(项)专利申请数(件)1日本2美国3韩国4中国5德国67英国8英属维尔京群岛9中国台湾卢森堡7请以外，在美国、韩国、中国、欧专局和中国台湾等国家和地区的专利布局均超过局之外，在欧专局、日本、韩国和中国分别布局了163件、151件、106件和64具备向发达国家辐射技术影响力的能力。中国台湾主要目标市场主要技术来源国图3-10i线光刻胶主要技术来源国/地区技术目标国的专利布局对全球i线光刻胶领域的前10位申请人进行了专利族申请统计(表3-4),专利国别专利族数(项)专利申请数(件)日本2日本东京应化3日本日立公司4日本富士胶片5日本6日本富士通7科莱恩8日本瑞翁9韩国美国业1家，韩国企业1家，瑞士企业1家，说明日本企业该领域占据主导地位。全球为198项、174项、157项和96项。来源于瑞士的科莱恩申请了78项专利，来3.2.4i线光刻胶中国专利态势分析北京是我国i线光刻胶专利申请量最多的省份，共申请了30项专利，占国内本申请量项申请量项对106件中国本土专利申请进行申请人分析(图3-13),专利申请量排名前5知识产权公共服务机构信息服务成果共享报图3-14显示了i线光刻胶中国专利本土申请排名前5位的国内申请人从2004年至今的专利申请趋势。从图中看出，中科院理化所是最早开始研发i线光刻胶技术的机构，但目前其技术研发主要方向是针对极紫外光刻胶的研发，在i线光刻胶技术领域只有零星申请，且不连贯。北京科华和苏州瑞红几乎于同期开始涉足该领域，两家企业的专利申请趋势较为一致，这两家企业都是国内领先光刻胶企业，特别是在中高端光刻胶技术领域同样具备较强的研发实力。常州强力进入该领域较晚，2018年开始出现专利申请。第4章半导体光刻胶产业主流技术一深紫外光刻胶专利分析由于i线光刻胶的主要成分酚醛树脂在248nm的曝光光源处不透明，与产酸剂存在竞争吸收关系，光敏性较差，无法应用于248nm光刻工艺中，人们开始了适用于248nmKrF光源光刻胶的相关研究。经检索，KrF光刻胶全球专利申请共计3239件，其中日本专利申请883件，占比27.26%,排名第一；韩国、美国专利申请分别为752件(占比23.22%)和604件(占比18.65%),分列第二和第三(如图4-1所示),中国专利申请302件，中国台湾专利申请291件，分列第四第五，与日本、韩国和美国相比，还是存在较大的差距。对检索到的3239件专利申请按照申请年进行统计，梳理从1983年至今KrF光刻胶全球专利申请年度变化趋势(见图4-2)、中、美、日、韩四国专利申请趋势 (见图4-3),大致分为四个阶段：第一阶段(1983年-1986年)为萌芽期，KrF光刻胶行业起步于1983年，从1983年起到1986年属于零星申请阶段，年均申请量不超过5件且申请不连贯，说明该时期的KrF技术尚处于前期探索、积累阶段，整体技术发展速度缓慢。结合图美国IBM公司是KrF光刻胶的开创者，于1983年首先研发出使用KrF激光器产生第二阶段(1987年-1997年)为初步发展期，光刻胶作为半导体制造环节中的上涨。但由于该时期半导体行业龙头英特尔公司的制程仅仅从3μm深入到了第三阶段(1998年-2006年)为快速发展期，随着半导体工艺制程进入请量几乎全部在150件以上，在2003年更是达到了巅峰的225件。从图4-3中第四阶段(2007年至今)为成熟期，这个阶段KrF光刻胶相关专利年度申请量04.1.2KrF光刻胶技术来源国及目标市场分析于日本的专利申请最多，达到了1992件申请(985项专利族),占全球总申请量的四，与日韩美还存在着相当的差距。中国台湾申请的专利族为27项，排名第五。此专利族数(项)(件)1日本2韩国3美国4中国5中国台湾6德国7卢森堡58英国799日本作为该领域专利申请第一大国，其第一专利布局目标国是日本本土，数量达到目标市场目标市场技术来源国/地区对全球KrF光刻胶领域的前10位申请人进行了专利族统计(表4-2),专利族韩国企业2家，美国企业1家。全球专利族申请量排名前5的公司中SK海力士来松下电器，分别为213项、138项、102项和89项，仅这五大公司的专利族申请应化以及韩国的三星电子，均超过40项。前10名的申请人中没有来自中国的申请国别(项)(件)1日本2韩国3富士胶片日本4陶氏化学美国5日本6日本7三菱公司日本8日本9韩国东京应化日本4.1.4KrF光刻胶核心专利分析公开号12フォトレジスト下層膜形成材料おょびパターン形成方法3Resistcompositionwithpol4A遠紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン56Maleimideoralicyclicolefin-bamonomersandphotore78Chemicallyamplifiedpositiveresist91Monomersforphotoresist,polymersthereof,andphotoresistフォトレジスト単量体、フォトレジスト共重び、半導体素子0品化的248nm光刻胶中普遍使用的光致产酸剂为碘盐和硫盐。248nm光刻胶成不溶的表皮层或出现剖面为T型的图形(俗称T-top图形公开号被引1スルホニウム塩化合物富士胶片2polymercompound,and锦湖石化3信越化学4スルホ二ウム塩及びその用途住友化学5ランク、並びにパターン形成方法信越化学6陶氏化学7信越化学8AMPLIFIEDRESISTCOMPOSITI信越化学9スルホニウム塢住友化学酸発生剤用の塩及びレジスト組成物住友化学4.2ArF光刻胶专利全球态势分析4.2.1ArF光刻胶全球专利申请趋势分析及区域分析和818件(占比18.50%),分列第二和第三(如图4-7所示)。中国专利申请395其他570B00光刻胶全球专利申请年度变化趋势(见图4-8)、中、美、日、韩四国专利申请趋势 第一阶段(1982年-1994年)为萌芽期，ArF光刻胶起步于1982年，从1982年到1994年属于ArF光刻胶技术积累阶段，申请零星年IBM设计出甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸丁酯(TBMA)和甲基丙烯酸 半导体工业制程尚未进入KrF光刻领域，较之更先进的ArF光刻胶自然也没有用武第二阶段(1995年-1997年)为初步发展期。随着集成电路的发展，这一时期第三阶段(1998年-2006年)为快速发展期，这一时期半导体行业飞速发展，1.5倍以上，足可见光刻胶行业对于ArF光刻胶技术的重视程度。尤其是2002年第四阶段(2007年至今)为成熟期，这个阶段ArF光刻胶专利年度申请量维持0初展期达到了2594件(1305项专利族),占全球总申请量的58.25%,再次证实了日本四，中国台湾申请的专利族为31项，排名第五。此外瑞士、英国、德国等国家在专利族数(项)专利申请数(件)1日本2韩国3美国4中国5中国台湾67英国8德国9目标市场目标市场对全球ArF光刻胶领域的前10位申请人进行了专利族统计(表4-6),专利族片、陶氏化学和三星电子，分别为236项、227项、144项和102项，仅这五大公国别专利族数(项)专利申请数(件)1信越化学日本2SK海力士韩国3富士胶片日本4陶氏化学美国5韩国6日本7日本8美国9日本电气日本日本和美国在该领域具有较高的技术认可度，相比KrF光刻胶成膜树脂的研发更加多头化，业内公司都在积极开发成膜树脂材料。这些专利的申请时间主要集中在初步发展期和快速发展期，横向上比KrF光刻胶成膜树脂研发的平均时间晚两年，但从被引证次数来看，ArF光刻胶的关注度远超KrF光刻胶。目前ArF光刻胶主要的成膜树脂有三种，分别是聚(甲基)丙烯酸酯类、脂环聚合物(聚环烯烃)以及环烯烃-马来酸酐共聚物(COMA)体系。公开号1ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及び日本电气2energy-sensitiveresistmaterial美国电报3フッ素含有重合体及び精製方法並びに感放射45ポジ型感光性組成物富士胶片6レジスト材料及びレジストパターンの形成方法富士通7Photoresistcross-linkerandphotoresistSK海力士8新規なポリマー及びそれらを含有してなるフオトレジスト組成物陶氏化学9ネガ型レジスト組成物东京应化Chemicalamplificationtype1.聚(甲基)丙烯酸酯类聚(甲基)丙烯酸酯相对于聚羟基苯乙烯在193nm高度透明因而成为首选材料，但由于其线型结构、抗刻蚀能力很差，无法实用化。直到1992年，人们发现含有多脂环的聚合物如带有双环或者三环的脂肪环类聚甲基丙烯酸酯可以像芳香族聚合物一样耐等离子蚀刻。之后，带有酸敏脂环侧链基团的聚(甲基)丙烯酸酯成了193nm光刻胶的设计基础，常见结构如图4-11所示。一般而言，聚甲基丙烯酸酯的支链至少有三种类型，分别是酸致脱基团-离去基团、内脂基团和极化基团，其中，193nm2.脂环聚合物(聚环烯烃)告了一种用在聚合物长链(包括聚冰片烯)的光刻胶，成为环烯烃，该聚合物与常规图4-12环烯烃-马来酸酐共聚物体系光刻胶中，PAG的产酸效率比248nm低。193nm光刻胶需要具有高光敏性的PAG,公开号1剂並びにこれを用いたレジスト材料及びパタ信越化学2スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン信越化学3スルホニウム塩化合物富士胶片4剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパタ信越化学5日本电气6compositions,andpatterningpr信越化学7Photosensitiveresincompositionuseful日本电气8スルホニウム塩化合物、フォトレジスト組成日本电气9Fluorine-ContainingSulfonatesPolymerizableAnionsFluorine-ContainingCompositions,andPatternMethodUsingSame中央硝子compound,chemicallyamplifiedcompound,andmethod第5章半导体光刻胶前沿替代技术专利分析5.1EUV光刻胶全球专利态势分析5.1.1EUV光刻胶全球专利申请趋势分析及区域分析0图5-1EUV光刻胶全球专利申请趋势146件，2011年后专利申请增幅进一步增大，突破230件，2012年专利申请达到布局美国的专利为907件，占比为22.65%。在中国台湾布局的专利为577件，占比为14.41%。布局中国大陆的专利有279件，占比为6.97%。专利申请数(件)日本2韩国3美国4中国台湾5中国6欧专局7德国8英国专利申请数(件)9法国从技术来源国的角度进行分析(申请人国别分析，表5-2)可以看出，EUV光刻专利族数(项)专利申请数(件)1日本2美国3韩国4中国台湾5中国6德国7英国89芬兰3卢森堡3主要目标国/地区主要目标国/地区了148件专利，在日本、韩国、中国台湾和中国大陆分别布局了92件、80件、57韩国作为第三大技术来源国，在韩国本土布局了232件专利，占总申请量的分别布局了1件专利。这一方面说明中国专利申请人在EUV光刻胶技术发展初期非日本韩国美国中国台湾中国德国英国法国新加坡主要技术来源国/地区图5-2EUV光刻胶主要技术来源国/地区技术目标国的专利数量分布5.1.3EUV光刻胶全球主要创新主体分析来看，申请量排名前10位的申请人中有5家日本企业、2家美国企业、2家韩国企学排名第二，申请了392项(997件)专利；JSR排名第三，申请了110项(173件)专利；东京应化排名第四，申请了90项(203件)专利；韩国的SK海力士排名第五，申请了76项(100件)专利。可以看出，排名前5的巨头企业的同族专利排名六到十位的企业依次为台积电92项(70件)、陶氏化学61项(156件)、三菱公司56项(164件)、IBM27项(41件)和三星电子25项(28件),其中陶国别专利族数(项)专利申请数(件)1日本富士胶片2日本信越化学3日本4日本东京应化5韩国SK海力士6中国台湾台积电国别专利族数(项)专利申请数(件)7美国陶氏化学8日本三菱公司9美国韩国图5-3专利CN103304385A中苯多中溶解，具有较高的熔点和玻璃化转变温度(熔点均高于100℃),能够满足光刻技 于2009年、2010年申请的US20090004596A1和2009申请的专利US20090286180A1中提出一种抗蚀剂组合物，包含至少一个稠合的多环部分、至少一个用酸不稳定保护基团保护的碱可溶性官能团的分子玻璃基底以及光敏产酸剂，该组合物对氧化物反应离子刻蚀(RIE)工艺的刻蚀剂(例如CF₄)具有高耐刻蚀性。为获得同时满足灵敏度、分辨率和线边缘粗糙度要求的EUV光刻胶，锦湖石化在2009年申请的专利KR1020110040143A中，提出了聚缩醛树脂基底的光刻胶组合物，该组合物具有高灵敏度、高分辨率、高抗蚀刻性和低脱气特性等优点，并且可公开号1三菱公司2其制备方法和应用中科院3康奈尔大学4CalixareneBlendedMolecularGlassPhotoresistsandProces56photoresistcompositioncomp陶氏化学7性光刻胶、正性光刻胶涂层及其应用中科院8Calixareneandphotores陶氏化学9正色调有机溶剂显像的化学增强抗蚀剂Calixareneandphotores陶氏化学85.2电子束光刻胶专利技术分析5.2.1电子束光刻胶全球专利申请趋势分析及区域分析(见图5-5)。及高分子抗蚀剂化合物来刻蚀图案的方法，1967年IBM公司在其申请专利申请量/件申请量/件对电子束光刻胶全球专利申请区域进行分析(如表5-5),排名前10的国家/地专利申请数(件)1日本2美国3韩国45中国6德国7英国8中国台湾9法国其他国家和地区5.2.2电子束光刻胶全球专利技术来源国及目标市场分析从技术来源的角度进行分析(表5-6),日本在全球占据了绝对领先的地位，来源于日本的专利族数量达1533项(2021件专利),占全球专利申请总量的76.12%。专利族数(项)专利申请数(件)1日本2美国3德国4韩国5中国6英国7法国889其它9越化学等。美国申请了262项专利族(575件专利),德国申请了62项专利族 (116件),韩国申请了61项专利族(100件专利),分别占全球专利族申请总量的13.01%、3.08%和3.03%,列居第二、三、四位。中国申请的专利族为39项 知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集——信息技术产业分册美国德国韩国中国英国法国瑞士日本美国EPO中国主要技术目标国日本主要技术来源国综上所述，日本、美国作为两大电子束光刻胶技术大国，其专利布局在立足本土对全球电子束光刻胶领域的前10位申请人进行了专利族统计(表5-7),专利族球申请总量的52.68%,可见在该领域呈现明显的巨头化态势。从申请人的国别来看，在专利族申请量排名前10位的申请人中，日本企业9家，束光刻胶领域的垄断地位。富士胶片是该领域专利申请数量最多的公司，达到了250项(349件),其次为富士通、信越化学、日立公司和三菱公司，分别为170项(192件)、159项(267件)、97项(104件)和83项(112件),五大公司的下集团，美国的IBM、日本的东京应化和日本信话，均超过40项。前10名的申请国别专利族数(项)专利申请数(件)1富士胶片日本2富士通日本3日本4日立公司日本5三菱公司日本6日本7松下集团日本8美国9东京应化日本日本信话日本5.2.4电子束光刻技术核心专利分析表5-8展示了电子束光刻技术领域的高被引专利(按年均被引频次进行排序),发剂如芳基重氮，二芳基碘或三芳基铳金属卤化物混合，制备对电子束辐射敏感与树脂基材结合，可提升电子束辐射的灵敏度。信越化学于1999年申请的专利JP2000159758A公开了一种含内酯化合物，该化合物由重均分子量为1000-热点主要是解决以下几个问题：(1)绝缘衬底电子束曝光的电荷积累问题；(2)高宽公开号年均被引122Ahighpolymericcompou信越化学93A三菱公司54A三菱公司65Aormultipledevelopmentpat富士胶片06Chemicalamplificationtype87Agenerator,resistcom中央硝子88Electricallyconductivepo99Basiccompound,resistmateriala信越化学AA富士胶片6.1主要分析结论6.1.1半导体光刻胶的全球专利概况度持续上升。截止2024年4月30日，共检索到半导体光刻胶相关专利申请22062件(专利族14704项),其中发明专利授权14794件，其中，从1980年- 6.1.4半导体光刻胶产业主流技术的发展情况当集成电路制造工艺发展到90nm节点时，ArF光刻技术(193nm)逐步发展1982年ArF光刻胶同样是被美国IBM公司发明，日本的东京应化也在2001年推出了ArF光刻胶产品，1995年开始至1997年间ArF光刻作为可预见的下一代光刻技术，相关研发的热度也是持续上升，随后ArF光刻胶进入应化，技术高峰期和布局策略并不相同。1995年后日、韩、美逐步将研发重心从KrF转移至ArF,三分天下齐头并进。2004年后日本率先攻克浸没式ArF光刻，美6.1.5半导体光刻胶前沿替代技术的发展情况 (1984年-2007年)后快速增长趋势(2008年至今),专利申请原创国家/地区以及专利申请人也呈现出较为集中的状态，主要来自富士胶本)、SK海力士(韩国)、JSR(日本)、东京应化(日本)、台积电(中国台湾)、陶氏化学(美国)、三菱公司(日本)、IBM(美国)和三星电子(韩国)等，日本仍在高3057件，自1996年以来快速发展，尤其是在2001年专利申请达到峰值146件，6.2产业发展建议6.2.1对国家政策的建议6.2.2对半导体光刻胶行业的建议2.集智攻关，布局核心技术“专利池”集成电路产业碳化硅技术专利分析研究报告江苏省知识产权保护中心(江苏省专利信息服务中心)中国专利技术开发公司原报告定稿时间：2024年6月王亚利江苏省知识产权保护中心主任正高工程师于家伶中国专利技术开发有限公司室主任副研究员龚跃鹏江苏省知识产权保护中心知识产权高级工程师邓博远江苏省知识产权保护中心安宇中国专利技术开发有限公司分类员副研究员呼海春中国专利技术开发有限公司分类员副研究员刘华中国专利技术开发有限公司分类员助理知识产权师宋晓中国专利技术开发有限公司分类员助理知识产权师第1章碳化硅产业发展概述536OM5■电动汽车充电基础设施M■铁路(包括辅助电源)■风力发电■其他(石油和天然气、国防、研发)启动第三代半导体衬底及器件的多个发展计划和研发项目，推动本国(地区)第三代年就制订了“国防与科学计划”,确立了发展宽禁带半导体的目标；随后美国又在2002年启动和实施了宽禁带半导体技术计划(WBGSTI),成为加速提升SiC等宽禁带半导体特性的重要“催化剂”;2014年初美国成立了以SiC为代表的第三代半导体产业联盟，并宣布将全力支持以SiC为代表的第三代半导体技术的发展，计划主要针对下一代电子电力制造业。2022年8月，美国《芯片和科学法案》正式成法生效，该法案提出采取给美本土芯片行业提供巨额补贴、给半导体和设备制造提供投资税收发展计划计划美国能源部艺，提高能量密度，加快开关频率，增强温度控制，使电力电子技术成本更低，效率更高，降低电NEXT计划研究项目局研发能够同时实现极高速度和电压的氮化镓器件制欧盟委员会突破碳化硅器件技术，发展下一代碳化硅基电力电耐压目标1.7kV和10kV以上镓材料项目欧盟委员会突破高可靠性且高成本效益的技术，使欧洲成为世界高能效功率芯片研究并商业化应用的最前沿欧洲防务局联合德国、法国、意大利、瑞典和英国，强化欧洲碳化硅衬底和氮化镓外延片区域内供应能力，降低对欧洲以外国家的依赖性，形成服务于国防工业的实现低碳社会的新一代功率电子项目日本新能源产业技术开发机构研发低成本碳化硅电力电子器件和功率模组，应用于新能源汽车、铁路列车等领域SiC开关器件德国联邦研究部技部863计划2002年启动的“碳化硅单晶衬底制备”项目、2006年启动的“2英知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集——信息技术产业分册中超芯星当5K外延衬底加工器件设计模块封装应用CETcCETcInatftute2and55andshantrstemic器写原科天润BASic会NIO⑩Loape在器件层面，我国企业相对较晚进入市场。鉴于市场需求强劲，我国多个关于SiC器件厂的项目正在推进，主要以首先生产650VSiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为目标，以满足新能源汽车等领域需求。据集邦化合物半导体不完全统计，2023年国内共有近40项SiC相关扩产项目启动，其中不乏天科合达、晶盛机电、同光股份、科友半导体天域半导体、中车时代半导体、比亚迪半导体等国内头部厂商的身影。从扩产内容来在碳化硅衬底方面，碳化硅衬底供应一直紧缺，为此龙头企业大多与其供应商签上世纪90年代末，美国CREE公司(Wolfspeed公司前身)已成功研制出4英寸碳化硅晶片，并于2001年成功研制首个商用碳化硅SBD产品。随着碳化硅衬底和器件制备技术的成熟和不断完善，以及下游应用的需求增长，国际碳化硅龙头企业在保持技术和市场占有率的情况下，不断加强产业布局，主要措施包括：(1)继续扩大产能。如美国Wolfspeed公司斥资10亿美元扩大碳化硅晶片生产能力；(2)加强与上下游产业链的联合，通过合同、联盟或其他造企业的部分产品在核心参数上已经达到国际先进水平，与海外Wolfspeed、表1-4展示了全球主要N型SiC晶片厂商2021年和(估算)2022年收入情化硅衬底制造商，2021年市场占有率高达47.9%;其次是SiCrystal和Coherent1.2.2碳化硅器件市场概况一定垄断地位。市场份额由海外巨头意法半导体(STMicroelectronics)、英飞凌表1-5全球主要SiC功率器件厂商2021年和(估算)2022年收入情况RankCompany20212022123456789第2章产业专利数据分析2.1全球专利态势分析专利出现，在1975年达到11项，1996年达到81项。这段时期共产出755项业的年专利申请量由90年代末期的114余项跃升到2011年的486项。在技术发展期，日本专利申请总量达到2511项，占比61.0%,占据绝对的技术主导地位；2012年全球专利申请量为602项，2016年增至811项，2019年突破1000达到1003项，2023年跃升至1919项，2012-2023年平均增长率高达11.1%。在2.2中国专利态势分析分布来看，大部分专利集中在2-9年这个区间，共计2818件，占有效专利总量的65.4%。而超过15年的长寿命专利占比相对较少，仅91件，占比2.1%。展期(2012-2019年)和快速发展期(2020-2023年)。其中，中国碳化硅利申请量由90年代初的1件增至2011年的82件，2012年突破百件，达到194件，2023年达到历史峰值1958件。中国碳化硅产业专利授权数量，从1992年的2件增至2012年的99件，2013年突破百件达到125件，2023年再创新一一专利授权数量专利申请199019921994199619982000200220042006200820102012201420请量为7067件，占中国专利申请总量的79.2%;国外申请人在华专利申请量为1854件，占中国专利申请总量的20.8%。其中，日本在华专利申请量居首位，达德国，146,8%2.3专利区域分布分析碳化硅产业全球专利申请来源于共计52个国家或地区，主要来源于中国、日本、美国、韩国、德国。由中日美韩德五个国家申请的专利总量达到16648项，约占全球总申请量的96.0%。其中，中国以7039项专利申请排在第一位，占全球申请总量的40.1%。日本作为碳化硅产业的技术强国，其专利申请量达到6755项，占比达到38.5%。美国以1552项排名第三，占比为8.9%。韩国以809项排名第四，占比为4.6%。德国专利申请量为493项，占比为2.8%。整体来看，碳化硅产业全球专利申请国地域分布较为集中，主要来自中国和日本，由中、日两国申请人提出的专利申请量占全球专利申请总量的78.7%,其他主要专利申请来源国基本都是现代工业强国，如美国、韩国、德国等。图2-展示了碳化硅产业全球专利主要申请国一中国、日本、美国、韩国、德国的专利申请趋势。总体来看，各国专利申请量均在稳步增长。1952195619601964196819721976198019841988199219962000200420041113095图2-5全球专利主要申请国/地区二级技术分布大的差距。2.4专利技术主题分析碳化硅器件技术分支下的绝缘栅场效应晶体管技术分表2-6碳化硅产业全球专利技术分布一级专利申请量二级专利申请量三级专利申请量四级专利申请量硅产业衬底晶体生长高温化学气相沉积法其他生长工艺及设备衬底加工衬底切割衬底研磨衬底外延化学气相沉积外延分子束外延液相法外延其他外延工艺及设备肖特基二极管PIN二极管绝缘栅场效应晶体管绝缘栅双极性晶体管高电子迁移率晶体管关键工艺离子注入刻蚀金属化应用电力变压器功率放大器7件、肖特基二极管和高电子迁移率晶体管分别以1283件、899件、759件、696件354项、276项、172项，依次位列全球第7、第13和第19。这三家中国企业近申请人申请量排名所在国申请量近五年申请量占比碳化硅衬底应用住友公司1日本6三菱公司2日本电装公司3日本5富士电机4日本5丰田公司5日本0西安电子科技大学6中国3中国电科7中国3昭工电工8日本0中国科学院9中国2日立公司日本4日本制铁公司日本10Wolfspeed公司美国中国30东芝公司日本德国5日本2罗姆公司日本7松下集团日本01中国0迪斯科公司日本0值得注意的是，有7位日本申请人近五年申请量占比低于20%,显示出较低的3.1物理气相传输法技术路线分析生成SiC(US20020020342A1),之后美国的Cree公司利用硅源和烃反应生成改进。山东天岳将其发展为从原料角度增大生长区，将原料承载装置设置为可升降为籽晶的生长面(DE3915053C2)。1997年，丰田中央研究所将与c轴的夹角为2005年，Cree公司进一步研究晶体的c轴与热梯度的方向形成0°-2°夹角的同时，将生长方向与热梯度方向形成70°-89.5°的夹角以提高晶体的质量和尺寸北同光利用小尺寸籽晶进行拼接后黏贴到籽晶托上，最终能够生长得到直径为的反应气体的浓度以控制螺旋位错的产生区域，由此实现螺旋位错区域的控制生长变，调控第一阶段和第三阶段的压力为0.13kPa-2.6kPa,第二阶段的压力为粉料坩埚结构籽晶设置生长参数生产碳化硅的单晶生产碳化硅的单晶单晶的制造方法用于相控升华的升碳化硅粉末及制造碳化硅单晶的方法一种碳化硅单晶的4H制造方法碳化硅单晶生产方法制备碳化硅单晶用高纯度碳化硅粉末的方法和单晶碳化硅单晶制备碳化硅单晶用高纯度碳化硅粉末的方法和单晶碳化硅单晶碳化硅单晶生产方法一种高纯碳化硅单晶的生长方法碳化硅单晶的制造方法和装置碳化硅单晶的制造方法和装置物理气相传输生长碳化硅单晶的方法和装置碳化硅单晶生产缘碳化硅单晶的生长装置一种长晶装置及其应用一种高质量碳化硅晶体生长的方法生长单晶的方法和碳化硅单晶生产方法碳化硅单晶制造方法和装置大直径高品质的SiC单晶、方法和设备碳化硅单晶锭，碳化硅单晶的制造方法SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法单晶碳化硅的生长单晶的制造方法碳化硅单晶生长用籽晶、单晶锭及制法用于生长高质量碳化硅单晶的籽晶和夹持器碳化硅单晶生产方法籽晶、碳化硅单晶的生产方法和碳化硅单晶锭一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法低缺陷密度碳化硅的生长方法碳化硅单晶锭的制造方法位错控制籽晶制备碳化硅单晶的方法碳化硅单晶基板及其制法碳化硅单晶的制备方法一种抑制碳化硅单晶中碳包裹体缺陷的生长方法3.2MOSFET器件技术路线分析SiCMOSFET的发展历史相当长远，全球SiC产业龙头Wolfspeed的前身上生成MOS电容器结构的专利(US4875083A),这项专利后来被视为促成提交的专利申请US5170231A,描述了一种具有不对称源/漏电导率的SiC2004年，Cree公司申请了涉及垂直碳化硅MO其栅绝缘膜位于4H型SiC的{03-38}晶面上，其相对于{03-38}晶面的偏离角范围在10°以内，相比于传统的SiC功率器件所采用的{0001}晶面，{03-38}晶面上绝缘膜位于SiC相对于{11-20}晶面具有偏向{000-1}晶面约10-20°范围的晶面上，2003年，S.H.Ryu申请的专利US20040119076A1中介绍了一种SiC垂直2009年，三菱公司申请了专利JP2011049267A,其在基区和漂移层之间形成SiC功率器件在实际运用中由于SiC材料的宽禁带特性，会使得SiCMO同年2016,香港科技大学JinWei等人在专利GB254成垂直沟道与水平沟道的双沟道MOSFET结构(TP-MOS),相比于传统的VDMOSFET结构，由于沟道密度的增加，其导通电阻从3.13mQ·cm²降低到了MOS具有比VDMOSFET与UMOSFET都要低的栅漏电容，其高频优值(high-2018年，美国电力学会KijeongHan,B.JayantBaliga等人在专利US10355132B2中披露了一种缓冲栅VDMOSFET,该结构将传统结构中的栅极减分的击穿电压。在具有内置肖特基二极管的Si11图3-2绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)技术路线图3.3未来技术发展预测对碳化硅产业各级技术分支，从整体申请趋势、国家/地区申请热点、重点申请人研发热点、协同创新热点、专利运营热点(专利诉讼、专利许可、专利转让、专利质押)等方面进行进一步分析，综合评价各个技术分支的发展趋势，如表3-3所示。地区热点重点协同热点专利诉讼专利许可专利转让专利质押底晶体★★★★★★★√高温化学气★★★★√其他生长工艺及设备★5衬底衬底切割★5衬底研磨★★★★★衬底外延积外延★★★★★5分子束外延★液相法外延★★★√其他外延工艺及设备★肖特基二极管★级技术分支地区热点重点协同热点结论专利诉讼专利许可专利转让专利质押件★★√★√★√★件★关键工艺离子注入★★★★√★★5★★应用器★电力器★★功率器★器★器★整体申请趋势，反映的是该分支近五年(2019-2023年)全球专利申请量的年增国家/地区申请热点，反映的是近十年(2014-2023年)中美欧日韩五局在某分第4章发展建议术攻关，提高大尺寸衬底的量产效率和良率，加快推进进度，持续提升6英寸衬底的量产能力，为中下游企业自主创新夯实基础。参考表热点/重点技术方向晶体生长昭工电工、电装公司、山东天岳、三安光电、同光半导体、晶元、通威微电子有限公司、北京晶格领域半导体有限公司衬底外延液相法外延高厚度均匀性日本制铁公司、东洋炭素、日本关西学院4.3企业培育招商路径建议陕西省传感器产业专利导航报告西安市市场监督管理局高新区分局原报告定稿时间：2023年6月乐华西安市市场监督管理局高新区分局知识产权管理科科长康凯西安亿诺专利代理有限公司执行董事余芳西安亿诺专利代理有限公司项目部经理张青青西安亿诺专利代理有限公司专利代理师知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集——信息技术产业分册第1章传感器产业整体发展现状传感器作为现代科技的前沿技术，是现代信息技术的三大支柱之一，也是国内外公认的最具发展前途的高技术产业。自动化专家指出，传感器技术直接关系到我国自动化产业的发展，“传感器技术强，则自动化产业强”,其对推动国民经济发展具有十分重要的意义。截至2022年2月25日，全球传感器领域专利申请达600万以上。其中下游传感器应用数据达579万，通过统计主要应用领域专利占比概况，目前传感器的应用以工业电子(占下游应用的26%)、消费电子(占下游应用的11%)、通讯电子(占下游应用的9%)、汽车电子(占下游应用的8%)、医疗(占下游应用的4%)应用比重较大。传感器产业相关专利技术的布局自1918年开始，产业的发展为技术研发和专利申请起到巨大的推动作用，全球传感器产业历经104年的发展，目前处于快速发展的阶段，并将保持其增长态势，图1-1为全球传感器产业上中下游的专利申请趋势，从专利申请量来看，下游应用涉及产业范围广泛，下游应用相关专利申请占据霸主地位，并带动传感器制造、上游材料的研发投入，促进中上游的发展。医疗医疗针对上述情况，本项目检索边界为产业链上游、中游以及下游汽车电子领域应用进行分析，不对下游其他应用领域分析，其原因有两方面，具体为：第一、由于传感1.1传感器产业迅速发展，专利上升趋势明显其中发明专利共计506506,占比85.5%,含授权专利211829件，授权率达到第一阶段(1918-1958年):萌芽期：这一时期长达40年，该时期的专利申请第四个阶段(2009-至今):二次发展期，在该时期中，中国开始走入了人们的视实用新型0图1-2全球/中国专利申请趋势图我国仍保持正向快速增长。知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集信息技术产业分册对传感器产业的技术来源国和目标市场国进行分析，了解传感器产业关键技术的图1-4显示了传感器产业全球前十技术来源国和市场国，由图中可以看出，传感器产业前十的技术来源国依次为日本、中国、美国、德国、韩国、法国、英国、俄罗斯、瑞典和瑞士，日本作为主要的技术来源国，主要在于日本拥有佳能、丰田、欧姆和利用传感器技术相当重视并列为国家重点发展6大核心技术之一，20世纪90年代重点科研项目70个课题中有18项是与传感器密切相关，且研发方面日本约有方面始终处于领先地位，材料领域、传感器制造领域技术领跑于全球；而日本早在子和汽车电子领域对传感器的需求也刺激了其在传感器产业各个领域的全面发展；中国德国材料敏感元件制造测试封装汽车电子图1-5传感器产业强国发展特色本(9家)、德国(7家)、美国(2家)、韩国(2家)。德国的博世集团申请量位居全席位，占比45%,日本申请人中，丰田以8830件专利申请位居首位，电装公司、日本-丰田日本-电装公司日本-日产公司日本-本田德国-大陆公司德国-大众公司全球前30申请人吉利北汽日本-丰田日本-电装公司东风台积电上汽制造/汽车电子长安日本-日产公司制造/汽车电子安徽江淮汽车集团股份有限公司电子中国电子科技集团公司日本-本田德淮半导体有限公司中航工业德国-大陆公司制造/汽车电子德国-大众公司制造/汽车电子制造/汽车电子广汽制造/汽车电子制造/汽车电子京东方科技集团股份有限公司比亚迪制造/汽车电子潍柴动力公司制造/汽车电子中国重汽北京万集科技股份有限公司制造/汽车电子百度公司歌尔微电子有限公司制造/汽车电子江苏多维科技有限公司韩国-万都公司制造/汽车电子国机集团中芯国际陕汽制造/汽车电子万向集团制造/汽车电子孝感华工高理电子有限公司制造/汽车电子武汉飞恩微电子有限公司1.5传感器从全球分工向产业链整合趋势发展1918-19381939-19591960-19801■材料■数感元件■制造■封装■测试■汽车电子■材料■敏感元件■制造■封装■测试■汽车电子敏感元件敏感元件1918-19381939-19591960-1980材料材料■美国■德国■日本■韩国■中国1918-19381939-19591960-19801918-19381939-19591960-1980测试1918-19381939-1959196图1-7传感器产业主要国家二级技术分支转移趋势02.1集群化成为产业发展主趋势2.2传感器产业发展呈区域聚集趋势表2-1全国各省市区二级分支专利申请数量及排名专利专利专利专利专利江苏1211161广东412322633833北京354434上海245245山东56967安徽97756湖北78778四川989陕西68611天津999专利专利专利排名专利专利555辽宁893457广西1江西9山西657云南贵州8984211223614澳门213汽车电子领域的企业数量前4均被江苏、广东、浙江和上海省市名江苏1251111广东21223225433633上海4334245北京3745754安徽7677566湖北338987山东6936878四川88597天津79重庆19陕西959河南41辽宁3吉林942河北94湖南33江西88广西21台湾46黑龙江4山西7贵州77云南4香港2321内蒙古2914515宁夏111222澳门1半导体材料金属材料敏感材料陶瓷材料有机材料光数元件辐射敏元件气敏元件力数元件热敏元件温数元件结型传感薄膜类传感器厚膜类传感器传陶瓷类传國器电极类传系统封装晶园级封装倒装封装注塑封裝机械测试电气测试热力学测试75873899843223343山东228112562814948陕西348454四川856233355234251214228265335582555422553332116783222383925山西6台湾32