【MOOC】模拟电子技术基础-武汉理工大学 中国大学慕课MOOC答案

【MOOC】模拟电子技术基础-武汉理工大学中国大学慕课MOOC答案随堂测验_放大电路的基本模型1、【单选题】放大电路的互阻放大基本模型中受控源的类型是（）。本题答案：【受电流控制电压源】2、【单选题】我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时，宜选用（）模型进行等效分析。本题答案：【互导放大】3、【多选题】放大电路的基本模型包括以下要素：本题答案：【放大电路的输入与输出电阻#放大电路的增益】4、【判断题】电压放大电路也可以有电流放大能力。本题答案：【正确】5、【判断题】放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。本题答案：【错误】6、【填空题】放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（），输出端口则等效为带有信号源内阻的信号源。本题答案：【电阻】随堂小测验_放大电路性能指标1、【单选题】研究放大电路的电压放大能力时，宜采用（）模型。本题答案：【电压放大】2、【单选题】以下关于电流放大电路性能正确的说法是（）。本题答案：【放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】3、【多选题】以下各项指标参数中，（）是放大电路本身的性能指标。本题答案：【放大电路的增益#放大电路的频带宽度#放大电路的非线性失真】4、【判断题】互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为电压信号稳定输出。本题答案：【错误】5、【填空题】互导放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电流与输入电压的比。本题答案：【短】6、【填空题】互阻放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电压与输入电流的比。本题答案：【开##%_YZPRLFH_%##断】随堂测验_半导体基础知识1、【单选题】具有纯净的无缺陷的晶体结构的半导体称为（）。本题答案：【本征半导体】2、【单选题】为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。本题答案：【掺入特定杂质元素】3、【多选题】向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（）。本题答案：【内部多数载流子类型为空穴#整体呈电中性】4、【多选题】向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。本题答案：【内部多数载流子类型为自由电子#外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致】5、【多选题】在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（）有很大关系。本题答案：【光照#温度#热辐射】6、【判断题】杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。本题答案：【错误】7、【判断题】本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。本题答案：【错误】8、【判断题】由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。本题答案：【错误】9、【判断题】本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。本题答案：【错误】10、【填空题】外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（）逆电场漂移运动。本题答案：【束缚电子##%_YZPRLFH_%##价电子】11、【填空题】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。本题答案：【掺杂浓度##%_YZPRLFH_%##掺杂度##%_YZPRLFH_%##掺入杂质的数量】随堂测验_PN结的形成与特性1、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。本题答案：【使空间电荷区变厚】2、【多选题】平衡的PN结又称为（）。本题答案：【空间电荷区#势垒区#耗尽层】3、【多选题】PN结的特性主要有（）。本题答案：【单向导电性#反向击穿特性#电容特性#低电压稳压特性】4、【判断题】温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。本题答案：【错误】5、【判断题】平衡的PN结在无外加电场时，结电流为0。本题答案：【正确】6、【判断题】扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。本题答案：【错误】7、【判断题】PN结外加正向电压时，空间电荷区将变宽。本题答案：【错误】8、【填空题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加正偏电压时，（）电容起主要作用。本题答案：【扩散】9、【填空题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，（）电容起主要作用。本题答案：【势垒】随堂测验_半导体二极管1、【单选题】PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（）。本题答案：【其反向电流基本不变】2、【单选题】二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。本题答案：【多数载流子扩散形成】3、【多选题】以下关于半导体二极管说法正确的有（）。本题答案：【半导体二极管正偏时，势垒区变窄#半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致】4、【多选题】在电路中使用时，PN结反向应用的特殊二极管有（）。本题答案：【光电二极管#稳压二极管#变容二极管】5、【判断题】因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。本题答案：【错误】6、【判断题】有A、B两个二极管，它们的反向饱和电流分别为5毫安和0.2微安，在外加相同正向电压时的电流分别为20毫安和8毫安。可见B管的性能较好。本题答案：【正确】7、【填空题】温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，主要时因为（）浓度受温度影响较大。本题答案：【少子##%_YZPRLFH_%##少数载流子】8、【填空题】二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。本题答案：【40】随堂测验_二极管基本电路及其分析方法1、【单选题】二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。本题答案：【单向导电性】2、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。本题答案：【理想模型#折线模型#恒压降模型】3、【多选题】普通二极管可用于（）。本题答案：【整流#限幅#低电压稳压#继电器续流】4、【判断题】正向导通的二极管交流电阻大于直流电阻。本题答案：【错误】5、【判断题】二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。本题答案：【错误】6、【填空题】对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（）原则。本题答案：【先静后动##%_YZPRLFH_%##先“静”后“动”】7、【填空题】在已知电路静态工作点的前提下，二极管的小信号模型可用于对二极管电路做（）分析，本题答案：【动态##%_YZPRLFH_%##交流】随堂测验_稳压二极管1、【单选题】稳压二极管是利用PN结的（）。本题答案：【反向击穿特性】2、【单选题】以下说法错误的是（）。本题答案：【稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。】3、【多选题】以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。本题答案：【最大反向工作电流#额定功耗或最大耗散功率#标称稳定电压】4、【多选题】有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V.若将它们串联相接，稳压值（）得不到。本题答案：【4.3V、7.3V#5.3V、8.7V】5、【多选题】有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V。若将它们并联相接，可得到（）几种稳压值。本题答案：【5V#0.7V】6、【判断题】稳压二极管只有在反向偏置时才能起到稳压作用。本题答案：【错误】7、【判断题】在正常工作范围内，稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。本题答案：【正确】8、【填空题】反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（）的比。本题答案：【变化量##%_YZPRLFH_%##变化##%_YZPRLFH_%##变化值】第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验1、【单选题】为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。本题答案：【掺入特定杂质元素#以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素】2、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。本题答案：【使空间电荷区变厚#使势垒变高#只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变#抑制扩散，促进漂移】3、【单选题】二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（）。本题答案：【多数载流子扩散形成】4、【单选题】二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。H、开关特性本题答案：【单向导电性#正向导通、反向截止的特性#开关特性】5、【单选题】以下说法错误的是（）。本题答案：【稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。】6、【单选题】二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。本题答案：【40】7、【单选题】反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与（）的比。本题答案：【反向电压在一定范围内变化量】8、【多选题】向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。本题答案：【内部多数载流子类型为自由电子#外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致#若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子】9、【多选题】PN结的特性主要有（）。本题答案：【单向导电性#反向击穿特性#电容特性#低电压稳压特性】10、【多选题】以下关于半导体二极管说法正确的有（）。本题答案：【半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄#半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致#常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V#常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V】11、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。H、互导放大模型本题答案：【理想模型#折线模型#恒压降模型】12、【多选题】以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。本题答案：【最大反向工作电流#额定功耗或最大耗散功率#标称稳定电压#最小反向工作电流#反向击穿时的动态电阻】13、【多选题】平衡的PN结又称（）。本题答案：【阻挡层#耗尽层#空间电荷区#势垒】14、【判断题】本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。本题答案：【错误】15、【判断题】扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。本题答案：【错误】16、【判断题】根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏方向接到二极管两端，就可以让管子正常工作。本题答案：【错误】17、【判断题】二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。本题答案：【错误】18、【判断题】稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。本题答案：【正确】19、【判断题】外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。本题答案：【正确】20、【判断题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，扩散电容起主要作用。本题答案：【错误】21、【判断题】对二极管电路的静态分析与动态分析遵循先“静”后“动”原则。本题答案：【正确】随堂测验_MOSFET及其特性1、【多选题】与BJT相比，场效应管（）。本题答案：【输入电阻大#噪声低#温度稳定性好】2、【判断题】场效应管与BJT均属于电压控制型器件，其中场效应管是单极型器件，BJT是双极型器件。本题答案：【错误】3、【判断题】跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力，其单位为mS（毫西门子）。本题答案：【正确】4、【判断题】P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。本题答案：【错误】5、【判断题】对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或零。本题答案：【正确】6、【判断题】场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。本题答案：【正确】3_单元测验_MOSFET及其特性1、【单选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位，，，其开启电压。试分析管子的工作状态。本题答案：【截止区】2、【单选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=6V，VG=0V，VD=5V，其开启电压VGS(th)=﹣4V。试分析管子的工作状态。本题答案：【可变电阻区】3、【单选题】当工作于饱和区的场效应管，漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将本题答案：【增大】4、【单选题】场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。本题答案：【增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V】5、【单选题】场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。本题答案：【耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V】6、【多选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。本题答案：【恒流区#饱和区#线性工作区】7、【多选题】已知放大电路中一只MOS三个极S、G、D的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子本题答案：【增强型NMOS管#耗尽型NMOS管】8、【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。本题答案：【错误】9、【判断题】MOSFET输出特性曲线如图，它是P沟耗尽型MOSFET。本题答案：【错误】3_单元测验_JFET及其特性1、【单选题】一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压以及饱和漏电流。本题答案：【N-JFET，夹断电压Vp是-4.5V，饱和漏电流IDSS是5.4mA】2、【单选题】场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。本题答案：【耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V】3、【多选题】时，能够工作在恒流区的场效应管有本题答案：【N-JFET#P-JFET#耗尽型NMOS管#耗尽型PMOS管】4、【多选题】如图所示各电路中，有可能工作在恒流区场效应管有本题答案：【（a）#（d）】5、【判断题】结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。本题答案：【正确】6、【判断题】一个场效应管转移特性如图所示，它是N沟JFET。本题答案：【错误】3_单元测试_基本共源极放大电路组成1、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。本题答案：【饱和区（恒流区、放大工作区）】2、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。本题答案：【预夹断临界点】3、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。本题答案：【截止区】4、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。本题答案：【恒流区（饱和区、放大工作区）】5、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。本题答案：【恒流区（饱和区、放大工作区）】6、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态本题答案：【截止】7、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。本题答案：【截止区】3_单元测试_放大电路的重要概念1、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。本题答案：【无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。】2、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。本题答案：【有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。】3、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。本题答案：【无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。】4、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。本题答案：【有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。】5、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。本题答案：【无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。】3_单元测试_共源电路的图解分析法1、【单选题】场效应管的静态工作点由哪些参数决定本题答案：【VGSVDSID】2、【单选题】图解法求解静态工作点时，将电路分为两个部分如图所示。本题答案：【电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程。】3、【单选题】运用图解法，求解左图电路的Q点，该场效应管的输出特性曲线如右图所示本题答案：【在输出特性曲线中，直线EF是直流负载线，Q点为：VGSQ=2.0V，VDSQ=7.2V，IDQ=0.5mA。】4、【单选题】图左为场效应管放大电路，图右为该管子的输出特性曲线。下面说法正确的是本题答案：【在输出特性中，直线A为直流负载线，斜率为；直线B为交流负载线，斜率为；交流负载线是动态工作的轨迹，因此它用来绘制工作波形。】5、【多选题】下面说法正确的是本题答案：【对于增强型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中是指的。#为了求解放大电路的静态工作点，画直流通路，然后可用估算法或者图解分析法求解。】6、【多选题】如图所示，下列说法正确的是：H、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。本题答案：【这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。#这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。#这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。】7、【多选题】下面说法正确的有H、对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了饱和区和截止区。本题答案：【对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。#对于NMOS管共源放大电路，vo波形顶部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了截止区。#对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了可变电阻区和截止区。】8、【判断题】场效应管的特性曲线有输入特性和输出特性本题答案：【错误】9、【判断题】静态工作点的求解方法有图解分析法和小信号模型分析法。本题答案：【错误】3_单元测试_场效应管的小信号模型1、【单选题】下面说法正确的有：本题答案：【场效应管小信号模型中研究的电流和电压都是幅度较小的交流量；#小信号模型法是将放大电路转化为线性电路来处理。】2、【多选题】下面说法正确的有：本题答案：【估算法，可以用于求静态工作点。#估算法，不能用于大信号工作情况。#小信号等效电路法，不能用于求某时刻的电压、电流总值。#小信号等效电路法，不能用于大信号工作情况。】3、【多选题】下面说法正确的有：本题答案：【图解分析法，可以用于求静态工作点。#图解分析法，能用小大信号工作情况。】4、【多选题】下面说法正确的有：本题答案：【场效应管小信号模型参数由静态工作点决定。#场效应管小信号模型参数可以通过转移特性曲线求解。】3_单元测试_共源放大电路的小信号模型分析法1、【单选题】本题答案：【】2、【单选题】本题答案：【电路采用自偏压】3、【单选题】本题答案：【】4、【单选题】本题答案：【】5、【单选题】本题答案：【】6、【单选题】本题答案：【】7、【单选题】H、I、J、K、本题答案：【##】8、【单选题】本题答案：【】9、【单选题】本题答案：【】10、【单选题】本题答案：【#】11、【多选题】已知电路如图，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，连接在源极的电阻Rs=1kΩ,负载电阻RL=1kΩ,VDD＝20V，场效应管的开启电压VT等于2V，IDO=4mA。以下说法正确的有：本题答案：【该场效应管为增强型NMOS管。#电路组态是共漏放大电路。】12、【多选题】H、I、J、K、L、本题答案：【##】13、【多选题】H、I、J、本题答案：【#】3_单元测试_共漏和共栅放大电路1、【单选题】本题答案：【】2、【单选题】本题答案：【】3、【单选题】本题答案：【】4、【单选题】本题答案：【】5、【单选题】本题答案：【】6、【单选题】本题答案：【】7、【单选题】本题答案：【】8、【单选题】本题答案：【】9、【单选题】本题答案：【】10、【多选题】H、I、J、本题答案：【##】11、【多选题】本题答案：【N沟增强型MOSFET#共栅放大电路】4_单元测验_BJT及其特性1、【单选题】BJT的三个区，（）的掺杂浓度最低本题答案：【基区】2、【单选题】发射区与（）区是同种类型的半导体。本题答案：【集电区】3、【单选题】三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（）极的电流实际方向相同。本题答案：【发射极电流与其他电流方向都不同】4、【单选题】三个引脚电流中有效值最大的是（）本题答案：【发射极电流】5、【单选题】BJT正常放大时，发射结一定是（）本题答案：【正偏】6、【多选题】正常工作的BJT，输出特性曲线分三个区域，它们是（）。本题答案：【饱和区#放大区#截止区】7、【多选题】BJT正常放大时，其两个PN结（）本题答案：【发射结正偏#集电结反偏】8、【多选题】下列说法中，错误的有（）本题答案：【集电区的掺杂浓度最高#发射区的体积最大#集电区的类型与其他区不同】4_单元测验_在线测量法1、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则1脚是（）本题答案：【集电极】2、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则2脚是（）本题答案：【基极】3、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则3脚是（）本题答案：【发射极】4、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的材料是（）本题答案：【锗】5、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的类型是（）本题答案：【NPN】6、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则1脚是（）本题答案：【集电极】7、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则2脚是（）本题答案：【发射极】8、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则3脚是（）本题答案：【基极】9、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的类型是（）本题答案：【PNP】10、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的β约为（）本题答案：【150】4_单元测验_基本共发射极放大电路1、【单选题】共射组态的放大电路结构特点是：本题答案：【基极输入，集电极输出】2、【单选题】实验测得基本共射极放大电路的ICQ较大，需减小到某值，应如何调整电路？本题答案：【增大Rb】3、【单选题】实验测得基本共射极放大电路的IBQ较大，需减小到某值，应调整：本题答案：【增大Rb】4、【多选题】基本共射电路中，换一个BJT，使得其β增大（电路中其它元件参数不变），则本题答案：【IBQ不变#ICQ增大#VCEQ减小】5、【多选题】对阻容耦合的放大电路，下列说法中正确的有：本题答案：【改变负载的大小，不会改变静态工作点#作直流通路时，Vcc保持不变#作交流通路时，Vcc应改为地】6、【多选题】作放大电路的交流通路时，应该：本题答案：【电路中的较大电容看作交流短路#Vcc视作交流地处理】7、【判断题】增大Rc，并不能改变基本共射电路的基极偏置电流IBQ。本题答案：【正确】8、【判断题】增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ增大。本题答案：【错误】9、【判断题】增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ减小。本题答案：【正确】10、【判断题】增大Rc，基本共射电路的BJT的IBQ将减小。本题答案：【错误】4_单元测验_图解分析法1、【单选题】交流负载线的作图方法采用（）比较便利。本题答案：【点斜式】2、【单选题】基本共射极放大电路中，直流负载线的斜率与（）有关。本题答案：【Rc】3、【单选题】下列说法中错误的是本题答案：【vi、vo、ib和ic的相位一定是一致的】4、【判断题】阻容耦合放大电路的直流负载线的斜率与负载电阻无关。本题答案：【正确】5、【判断题】交流负载线的斜率与负载电阻无关。本题答案：【错误】6、【判断题】直流负载线和交流负载线的交点就是静态工作点。本题答案：【正确】7、【判断题】直流负载线和交流负载线的交点是（Vcc，0）本题答案：【错误】8、【判断题】直流负载线的斜率比交流负载线更陡峭。本题答案：【错误】4_单元测验_小信号模型分析法1、【单选题】共射极放大电路中，下列哪一组信号是反相的本题答案：【vo与vi】2、【单选题】下列说法中错误的是本题答案：【共射电路的电压增益为正值】3、【单选题】共射电路的结构特点是本题答案：【B入C出E接地】4、【多选题】当基本共射电路的Rb增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有本题答案：【Av的大小将减小#Ri将增大】5、【多选题】当共射电路的Rc增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有本题答案：【rbe将不变#Av的大小将增大#Ro将增大】6、【判断题】rbe是动态电阻，与BJT的静态工作点无关。本题答案：【错误】7、【判断题】当输入电压幅值很大时，BJT的微变等效模型就不再适用了。本题答案：【正确】4_单元测验_射极偏置放大电路1、【单选题】射极偏置电路的结构特点是本题答案：【B入C出E经电阻接地】2、【单选题】下列说法中错误的是本题答案：【射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小】3、【单选题】环境温度升高（射极偏置电路的其他参数不变）时，下列说法中正确的是本题答案：【电路的Ri随之增大】4、【多选题】下列说法中正确的有本题答案：【射极偏置电路的vo与vi反相#引入旁路电容将使得射极偏置电路的电压增益大小增大。#引入旁路电容不会改变射极偏置电路的Ro。】5、【多选题】增大Re（其余参数不变，电路中不存在旁路电容）时，哪些指标的大小将减小本题答案：【IBQ#Av】6、【多选题】增大Re（其余参数不变，电路中存在旁路电容）时，下列说法中（）是错误的。本题答案：【rbe不变#Ri不变】7、【判断题】射极偏置电路属于固定偏流式。本题答案：【错误】8、【判断题】Re的存在能够稳定BJT的静态工作点。本题答案：【正确】9、【判断题】若Re在交流通路中存在，将使得Av的大小增大。本题答案：【错误】4_单元测验_共集电极放大电路1、【单选题】共集电极放大电路的结构特点是本题答案：【B入E出C直接或通过电阻接地】2、【单选题】基本共集电极放大电路中增大Re（其他参数不变）时，则本题答案：【若，Av大小基本不变】3、【单选题】基本共集电极放大电路的Ri与（）差不多大小。本题答案：【射极偏置电路（不带旁路电容）】4、【多选题】基本共集电极放大电路的别名有本题答案：【射极输出器#电压跟随器】5、【多选题】下列说法中错误的有本题答案：【共集电极放大电路一定属于固定偏流式#共集电极放大电路一定属于固定偏压式#共集电极放大电路的vi与vo是反相的】6、【判断题】共集电极放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小本题答案：【正确】7、【判断题】共集电极放大电路的输出电压比输入电压大。本题答案：【错误】8、【判断题】共集电极放大电路的输出电流比输入电流大。本题答案：【正确】4_单元测验_共基极放大电路1、【单选题】共基极放大电路的结构特点是本题答案：【E入C出B接地】2、【单选题】基本共基极放大电路与基本共射放大电路的（）相同。本题答案：【Ro】3、【单选题】下列关于共基极放大电路的说法错误的是（）。本题答案：【其直流通路与基本共射放大电路相同。】4、【判断题】共基极放大电路的输入电阻很大本题答案：【错误】5、【判断题】共基极放大电路的输出电阻很小本题答案：【错误】6、【判断题】共基极放大电路的vi与vo反相本题答案：【错误】4_单元测验_三种组态电路的性能比较+复合管1、【单选题】共射组态（）本题答案：【既能放大电压，也能放大电流】2、【单选题】共集电极组态（）本题答案：【不能放大电压，只能放大电流】3、【单选题】共基极组态（）本题答案：【只能放大电压，不能放大电流】4、【单选题】输入电阻最小的电路是本题答案：【基本共基极放大电路】5、【单选题】下列电路中，（）的电压增益大小可能最小。本题答案：【射极偏置放大电路】6、【多选题】下列电路中，（）的vi与vo反相。本题答案：【基本共射放大电路#射极偏置放大电路】7、【多选题】下列电路中，（）的输入电阻比较大。本题答案：【射极偏置放大电路（不带旁路电容）#基本共集电极放大电路】8、【多选题】下列电路中，（）的输出电阻约等于集电极偏置电阻Rc。本题答案：【基本共射放大电路#射极偏置放大电路#基本共基极放大电路】9、【判断题】不能使用两种不同类型的BJT组合成复合管。本题答案：【错误】10、【判断题】复合管的β是其组成成员的β之累加。本题答案：【错误】11、【判断题】三种组态电路中，共集电极放大电路的输出电阻最小，故其带负载能力最弱。本题答案：【错误】12、【判断题】三种组态电路均具备功率放大能力。本题答案：【正确】13、【判断题】集电极一定不能作为放大电路的输入端。本题答案：【正确】4_单元测验_多级放大电路1、【单选题】第k级的输入电阻相当于第（）级的负载。本题答案：【k-1】2、【单选题】第k级的输出电阻相当于第（）级的信号源内阻。本题答案：【k+1】3、【单选题】（）适用于集成电路。本题答案：【直接耦合方式】4、【单选题】下列说法中正确的是本题答案：【所有级的输入电阻和输出电阻都必须计算。】5、【单选题】在传递信号的同时还能进行阻抗变换的是本题答案：【变压器耦合方式】6、【多选题】多级放大电路的级间耦合方式有本题答案：【阻容耦合方式#直接耦合方式#变压器耦合方式#光电耦合方式】7、【多选题】下列耦合方式中，（）的各级静态工作点相对独立本题答案：【阻容耦合方式#变压器耦合方式】8、【多选题】下列关于多级放大电路的说法中错误的有本题答案：【电路的总电压增益是各级电压增益的累加#电路的总输入电阻是各级输入电阻的算术平均值#电路的总输出电阻是各级输出电阻的算术平均值】9、【判断题】第5级的输入电阻相当于第6级的负载。本题答案：【错误】10、【判断题】第4级的输出电阻相当于第5级的信号源内阻。本题答案：【正确】11、【判断题】改变多级放大电路的各级组成顺序不会影响整体的电压增益。本题答案：【错误】12、【判断题】如果第一级是基本共射放大电路，则：无论其他各级的数量和组态如何改变，电路的总输入电阻不变。本题答案：【正确】13、【判断题】如果最后一级不是基本共集电极放大电路，则：无论其他各级的数量和组态如何改变，电路的总输出电阻不变。本题答案：【正确】14、【判断题】k+1级放大电路的总电压增益一定大于k级放大电路本题答案：【错误】5_单元测验_放大电路的频率响应基本概念1、【单选题】RC高通电路在信号频率等于下限截止频率时，相角为（）度。本题答案：【45】2、【单选题】根据相频特性，利用三段折线对RC高通电路进行工程近似时，最大相位误差（）。本题答案：【发生在信号频率等于0.1以及10倍于RC高通电路的下限截止频率处】3、【单选题】产生频率失真的原因是（）。本题答案：【放大电路对信号中不同频率成分的增益不同】4、【单选题】RC低通电路在信号频率等于上限截止频率时，相角为（）度。本题答案：【-45】5、【单选题】放大电路有两种不同性质的失真，分别是线性失真与非线性失真。其中线性失真又称（）失真。本题答案：【频率失真】6、【多选题】频率响应的主要指标有（）。本题答案：【通频带#上、下限截止频率#带宽#中频增益】7、【多选题】以下关于折线波特图的说法中（）是正确的。H、折线波特图是合理的工程近似，其幅频特性的最大误差发生在截止频率上，与精确值相差约3dB。I、折线波特图是合理的工程近似，其相频特性的最大误差发生在截止频率上，与精确值相差约45度。本题答案：【放大电路的频响折线波特图包括幅频响应波特图和相频响应波特图两部分。#在放大电路的对数幅频响应波特图中，频率坐标采用对数分度，幅值则采用分贝值。#在放大电路的对数幅频响应波特图中，频率坐标采用对数分度，幅值则用dB表示。#在放大电路的相频响应波特图中，频率坐标仍然是对数分度，相角则采用线性分度。#折线波特图是合理的工程近似，其幅频特性的最大误差发生在截止频率上，与精确值相差约3dB。】8、【多选题】以下关于单时间常数RC电路的说法正确的有（）。本题答案：【单时间常数RC电路包括RC高通电路和RC低通电路两种类型，可分别用于模拟放大电路的低频响应特性与高频响应特性。#RC高通电路的频响指标为下限截止频率，信号中低于下限截止频率的频率成分在通过RC高通电路时会被不同程度地衰减。#RC低通电路的频响指标为上限截止频率，信号中高于上限截止频率的频率成分在通过RC低通电路时会被不同程度地衰减。】9、【判断题】信号在通过RC低通电路时，频率高于其上限截止频率的部分会发生超前的附加相移。本题答案：【错误】10、【判断题】幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为截止频率。本题答案：【正确】11、【判断题】频率响应指放大电路对输入的不同频率正弦信号的稳态响应。本题答案：【正确】12、【判断题】频率响应指放大电路对输入的不同频率正弦信号的瞬态响应。本题答案：【错误】13、【判断题】信号在通过RC高通电路时，频率低于其下限截止频率的部分会发生滞后的附加相移。本题答案：【错误】14、【判断题】信号在通过放大电路后发生了线性失真，意味着在输出信号中生成了输入信号中没有的频率成分，所以又被称为频率失真。本题答案：【错误】电流源测验题1、【单选题】1、电流源电路中的MOSFET应该工作在_____状态本题答案：【饱和区】2、【单选题】2、由于电流源中流过的电流恒定，因此等效的交流电阻_____本题答案：【很大】3、【单选题】4、有关MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的关系说法不正确的是_____本题答案：【只要MOSFET镜像电流源中的MOSFET承受相同的栅源电压，输出电流就与参考电流呈现镜像关系】4、【单选题】5、BJT微电流源是通过_____实现的本题答案：【在发射结构成的回路中串入电阻】5、【单选题】7、BJT在电流源电路中工作在______。本题答案：【放大区】6、【多选题】3、电流源常用于放大电路，作为_____本题答案：【偏置电流#有源负载】7、【判断题】6、电流源电路包含MOSFET或BJT，因此它也能用来放大信号本题答案：【错误】差放初步1、【单选题】2、差分放大电路的作用是_____本题答案：【克服零漂】2、【单选题】6、差分放大电路的两个输入端信号分别是3mV和5mV，则共模输入信号为_______V。本题答案：【4】3、【判断题】1、差分放大电路的两个输入端信号分别是3mV和5mV，则差模输入信号为4mV本题答案：【错误】4、【判断题】3、零漂引起的放大电路输出可以视为共模输出本题答案：【正确】5、【填空题】4、差模电压增益Ad是指_____与_____之比值本题答案：【差模输出电压，差模输入电压】6、【填空题】5、差分放大电路结构的特点是_____本题答案：【电路两侧的结构和参数对称】测验1、【单选题】6、在如下电路图中，差模输入电阻是_______本题答案：【2*(rbe+Rb),其中（Rb=Rb1=Rb2,rbe=rbe1=rbe2）】2、【判断题】1、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路的差模输入电阻是2*rbe本题答案：【正确】3、【判断题】2、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路的共模输入电阻是2*[rbe+2(1+β)ro]本题答案：【错误】4、【判断题】3、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路在共模输入双端输出条件下，负载电阻的中点交流电位是零本题答案：【错误】5、【判断题】4、教材图7.2.9所示的BJT差分放大电路，不论是单输入还是双输入，它的差模性能指标不变本题答案：【正确】6、【判断题】5、无论是MOS管还是BJT，它们构成的差分放大电路在双端输出时，共模抑制比都非常大本题答案：【正确】集成运放测验1、【单选题】1、采取电流源作为有源负载的好处在于______本题答案：【增大电压增益】2、【多选题】4、BJT型LM741集成运算放大器电路中，输入级采取共集-共基差放的目的是本题答案：【提高输入阻抗#改善频率响应】3、【多选题】5、为了提高电压增益，BJT型LM741集成运算放大器电路采取的错施有本题答案：【采取有源负载#中间级采用共射放大电路#输入级采用共集差放#中间级和输出级用共集电路来耦合】4、【多选题】6、为了提高集成运放的输入电阻，可以采用的方法有_______本题答案：【采用共集组态#采用共源组态】5、【判断题】2、一个集成运放芯片里面只能封装一个集成运算放大器本题答案：【错误】6、【判断题】3、镜像电流源作为有源负载，能够获得无源负载情况下的双倍电流输出本题答案：【正确】集成运放参数1、【单选题】1、输入失调电压是指：本题答案：【输出端为零时输入端的等效补偿电压】2、【单选题】2、越大表示集成运放：本题答案：【输入差放级的不对称程度越严重】3、【多选题】4、对于一个集成运放，使用者期望：本题答案：【差模开环电压增益越大越好#差模输入电阻越大越好#输出电阻越小越好#开环带宽BW越大越好】4、【判断题】3、MOSFET型集成运放与BJT型集成运放相比，具有更大的输入电阻本题答案：【正确】5、【判断题】6、一个集成运放的共模抑制比是固定不变的本题答案：【错误】6、【填空题】5、一个集成运放的输入信号为零时，有0.1V的输出电压，该运放的开环差模电压增益为100，则该运放的=_______mV。本题答案：【-1】随堂测验1、【单选题】差分放大电路抑制零漂是通过_____来实现的。本题答案：【利用电路左右结构和参数对称的特点】2、【单选题】从输入和输出关系来看，差分放大电路可由_____种连接方式本题答案：【4】3、【判断题】工作在差分放大电路中的MOSFET放大管也要工作在饱和区本题答案：【正确】4、【判断题】理想情况下，双输入双输出的差分放大电路的差模输出为零本题答案：【错误】5、【判断题】静态分析差分放大电路时，需要把信号输入端断开本题答案：【错误】6、【判断题】双端输出的差分放大电路，静态输出为0本题答案：【正确】7、【判断题】FET差放电路（教材图7.2.2）中，源极S点的直流电位不为零，而差模输入时交流电位为零本题答案：【正确】8、【判断题】差分放大电路的负载RL的中点在交流通路中总是等效接地本题答案：【错误】9、【判断题】差分放大电路以双倍的元器件换取抑制零漂的能力本题答案：【正确】10、【判断题】单端输出的差分放大电路电压增益的正负号与输出端的位置有关本题答案：【正确】11、【判断题】理想情况下，MOSFET差放电路（教材图7.2.2）中，无论是单输入还是双输入，差模和共模输入电阻都是无穷大本题答案：【正确】12、【判断题】差分放大电路在共模输入信号作用下，双端输入和单端输入的性能是不相同的本题答案：【错误】13、【判断题】FET差放电路（教材图7.2.2）中电流源的内阻在共模输入时可以视为短路，与差模输入时相同本题答案：【错误】14、【判断题】双端输入共模信号时，双端输出为零，单端输出不为零本题答案：【正确】15、【判断题】FET差放单端的共模输出大小与偏置电流源内阻有关本题答案：【正确】16、【判断题】一个差放的差模电压增益越大，它的共模抑制能力越强本题答案：【错误】17、【判断题】共模输入时，差放的输入输出也有4种不同的方式本题答案：【错误】单元测验-第6章1、【单选题】有关MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的关系，说法不正确的是_____本题答案：【只要MOSFET镜像电流源中的MOSFET承受相同的栅源电压，输出电流就与参考电流呈现镜像关系】2、【单选题】差分放大电路抑制零漂是通过_____来实现的。本题答案：【利用电路左右结构和参数对称的特点】3、【单选题】从输入和输出关系来看，差分放大电路可由_____种连接方式本题答案：【4】4、【单选题】在如下电路图中，,其中（Rb=Rb1=Rb2,rbe=rbe1=rbe2），则差模输入电阻是_______本题答案：【2*(rbe+Rb)】5、【多选题】电流源常用于放大电路，作为_____本题答案：【偏置电流#有源负载】6、【多选题】为了提高集成运放的输入电阻，在输入级采用的方法有_______本题答案：【采用共集组态#采用共源组态】7、【判断题】零漂引起的放大电路输出可以视为共模输出本题答案：【正确】8、【判断题】差分放大电路在静态分析时，需要把信号输入端断开本题答案：【错误】9、【判断题】差分放大电路的负载RL的中点在交流通路中总是等效接地本题答案：【错误】10、【判断题】差分放大电路以双倍的元器件换取抑制零漂的能力本题答案：【正确】11、【判断题】FET差放电路（教材图7.2.2）中电流源的内阻在共模输入时可以视为短路，与差模输入时相同本题答案：【错误】12、【判断题】FET差放单端的共模输出大小与偏置电流源内阻有关本题答案：【正确】13、【判断题】BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路在共模输入双端输出条件下，负载电阻的中点交流电位是零本题答案：【错误】14、【判断题】无论是MOS管还是BJT，它们构成的差分放大电路在双端输出时，共模抑制比都非常大本题答案：【正确】15、【填空题】一个集成运放的输入信号为零时，有0.1V的输出电压，该运放的开环差模电压增益为100dB，则该运放的输入失调电压=_______mV。本题答案：【-0.001】16、【填空题】差分放大电路结构的特点是_____本题答案：【对称】随堂测试1、【判断题】当甲类功放的输出功率为0时，管子消耗的功率最大。本题答案：【正确】2、【判断题】共集电极组态放大电路没有电压放大能力，不属于功率放大电路。本题答案：【错误】3、【判断题】功率放大电路处理的是小信号，一般用小信号模型法进行分析。本题答案：【错误】4、【填空题】甲类功放电路三极管的导通角等于（）度。本题答案：【360】5、【填空题】乙类功放电路中三极管的导通角等于（）度。本题答案：【180】6、【填空题】在输出特性曲线上，甲乙类功放电路中三极管的静态工作点比乙类功放的（）（高/低？）。本题答案：【高】随堂测试1、【判断题】单管乙类功放效率高，失真小。本题答案：【错误】2、【判断题】电源供给的最大功率就是电路的最大输出功率。本题答案：【错误】3、【填空题】OCL电路是（）（单/双）电源供电，以实现推挽式工作。本题答案：【双】随堂测试1、【单选题】交越失真的原因是三极管产生了（）本题答案：【截止失真】2、【判断题】单电源OTL电路的实际工作电源电压为Vcc/2，所以其输出电压幅值最大只可以达到Vcc/2。本题答案：【正确】3、【判断题】在输入电压为0时，甲乙类推挽功放电路中的电源所消耗的功率是两个管子的静态电流与电源电压的乘积。本题答案：【正确】4、【填空题】OTL电路采用（）（单/双）电源供电。本题答案：【单】5、【填空题】BTL电路采用（）（单/双）电源供电本题答案：【单】单元测验_功率放大电路1、【单选题】功率放大电路与电压放大电路说法正确的是：本题答案：【都能实现功率放大】2、【单选题】与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是本题答案：【能量效率高】3、【单选题】甲类功放效率低是因为本题答案：【管子静态电流过大】4、【单选题】交越失真是一种本题答案：【非线性失真】5、【单选题】乙类双电源互补对称功率放大电路的效率最高可达本题答案：【78.5%】6、【单选题】本题答案：【乙，0，Vcc的平方除以2倍RL,0.2】7、【单选题】为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（）状态。本题答案：【甲乙类】8、【单选题】单电源Vcc互补推挽功率放大电路，忽略管压降时电路的最大输出电压为（）本题答案：【Vcc/2】9、【单选题】图示电路中晶体管饱和管压降的数值为│UCES│，则最大输出功率POM＝()本题答案：【】10、【单选题】功率放大电路的转换效率是指()本题答案：【最大输出功率与电源提供的平均功率之比。】11、【单选题】如图所示电路在出现下列故障时，分别产生什么现象。R1开路（）；R1短路（）；R2开路（）；D1开路（）；D1短路（）。1.仅有正半周.2.仅有负半周;3.T1、T2将因功耗过大而损坏4.T1因功耗过大而损坏5.出现交越失真6.uO＝VCC－UBE1≈14.3V本题答案：【2，6，1，3，5】12、【单选题】设计一个乙类互补对称功率放大电路，若电源电压Vcc=12V，则每只管子的耐压U(BR)CEO至少应为()V本题答案：【24】13、【单选题】在单管乙类功率放大电路中，放大管的导通角等于()度本题答案：【180】14、【单选题】设计一个输出功率为20W的功放电路，若用乙类互补对称功率放大，则每只功放管的最大允许功耗PCM至少应有()W本题答案：【4】15、【多选题】功率放大电路与电压放大电路的区别是：本题答案：【前者比后者效率高#在相同电源电压前提下，前者的最大不失真输出电压比后者大】16、【多选题】功率放大电路与电流放大电路的区别是本题答案：【前者比后者效率高#在相同的电源电压时，前者比后者输出功率大】17、【多选题】在选择功放电路中的晶体管时，特别需要注意这三个极限参数本题答案：【ICM#PCM#V（BR)CEO】18、【判断题】在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗就越大；本题答案：【错误】19、【判断题】任何放大电路都有功率放大的作用。本题答案：【正确】20、【判断题】功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真的情况下，负载上可能获得的最大交流功率。本题答案：【正确】21、【判断题】功率放大电路的主要任务就是向负载提供足够大的不失真功率信号本题答案：【正确】22、【判断题】与电流放大电路相比，功率放大电路的电流放大倍数更大。本题答案：【错误】23、【判断题】与功率放大电路相比，电压放大电路的电源电压低。本题答案：【错误】第7章_反馈放大电路_单元测验1、【单选题】按反馈的工作环境可将反馈分成（）种。本题答案：【3】2、【单选题】（）称为反馈深度。本题答案：【1+AF】3、【单选题】深度负反馈时，闭环增益的相对误差等于开环增益的相对误差（）反馈深度。本题答案：【除以】4、【单选题】反馈电路的1+AF=3时，下列说法中（）是正确的。本题答案：【是负反馈，但不是深度负反馈】5、【单选题】在Rf上串联一个电容C，则该反馈变成（）本题答案：【交流反馈】6、【单选题】描述的是（）负反馈的闭环增益。本题答案：【电流串联】7、【单选题】按反馈的作用范围分：本题答案：【局部反馈和级间反馈】8、【多选题】负反馈的方框图由（）环节构成本题答案：【比例环节#引出环节#测量环节#比较环节】9、【多选题】电流负反馈可以（）本题答案：【增大输出电阻#稳定输出电流】10、【多选题】按反馈的采样性质分，反馈可以分成（）两种本题答案：【电压反馈#电流反馈】11、【多选题】下列说法中错误的有本题答案：【电压并联负反馈的闭环增益是闭环电压增益形式，没有单位。#负反馈可以减小信号源本身的非线性失真。#负反馈削弱了开环电路的放大能力，同时也使得原电路的通频带减小。】12、【多选题】（）负反馈会影响电路的输入电阻。本题答案：【串联#并联】13、【多选题】负反馈的类型有本题答案：【电压串联#电压并联#电流串联#电流并联】14、【多选题】下列说法中正确的有本题答案：【引出（测量）环节的输入不是其所有输出的叠加。#设计负反馈时，反馈环越大效果越好。#BJT多级放大电路的虚短和虚断只需要针对第一级列表达式即可。】15、【判断题】要减小输出电阻并增大输入电阻必须引入电压并联负反馈。本题答案：【错误】16、【判断题】要改善静态性能指标就只能引入直流负反馈。本题答案：【错误】17、【判断题】深度负反馈时，闭环增益仅与反馈系数有关，与开环增益无关，所以放大器可以任选。本题答案：【错误】18、【判断题】反馈深度大于1的是负反馈。本题答案：【正确】19、【判断题】方框图中的比例环节不能有两个或两个以上输出端。本题答案：【正确】20、【判断题】方框图中的引出环节只能有一个输出端。本题答案：【错误】21、【判断题】虚短只有在电压负反馈中才存在，同样，虚断只有在电流负反馈中才存在。本题答案：【错误】22、【判断题】串联负反馈将增大输入电阻和输出电阻。本题答案：【错误】随堂测验_运放概述1、【单选题】集成运算放大器的差模增益越高，运放的线性区越（）。本题答案：【窄】2、【单选题】一个运算放大器不一定是（）的。本题答案：【低功耗】3、【单选题】从运算放大器共模抑制能力的考虑出发，（）是最佳选择。本题答案：【100dB】4、【单选题】运算放大器的电压转换速率，简称压摆率（SlewRate），定义为阶跃输入情况下，输出电压在一微秒或一纳秒内的最大变化。即。那么，某运放输入阶跃信号后，输出电压在12微秒内增大了8V，表明运放的压摆率为（）。本题答案：【】5、【判断题】为使运放工作于线性放大区，一方面输入的差分信号要够小，另一方面要降低运放的增益。给运放引入负反馈可以有效地降低增益。本题答案：【正确】6、【判断题】运算放大电路的共模抑制比（KCMR/CMRR）高意味着其共模增益远远大于差模增益，因而可以有效抑制共模噪声。本题答案：【错误】7、【判断题】为运算放大器引入负反馈，能够有效拓展带宽（Bandwidth）。本题答案：【正确】8、【判断题】理想情况下，运放的输出阻抗为0。本题答案：【正确】随堂测验_运放的比例、加减混合运算电路1、【单选题】反相比例运算电路中，电路引入的反馈类型是（）。本题答案：【电压并联负反馈】2、【单选题】同相比例运算电路中，电路引入的反馈类型是（）；同相端电位与地之间的关系是（）。本题答案：【电压串联负反馈；与地无关】3、【单选题】电压跟随器是（）运算电路的特例。它具有很大，很小的特点，常用作隔离缓冲器。本题答案：【同相比例】4、【单选题】同相比例运算电路中，运放输入端的共模电压为（）；反相比例运算电路中，运放输入端的共模电压为（）。本题答案：【输入电压；零】5、【单选题】同相比例运算电路如图，其中，。当输出电压时，反馈电压为（）。本题答案：【49.5mV】6、【单选题】同相比例运算电路如图，其中，，可知其引入的负反馈网络反馈系数为（）。本题答案：【0.0099】7、【单选题】已知一个运算放大器开环增益的前提下，可以确定由它构成的（）的闭环增益。本题答案：【电压跟随器】8、【单选题】基于微分运算与电路分析基本知识，基本的微分电路，输入矩形波时，输出为（）。本题答案：【尖脉冲】9、【单选题】基于积分分运算的基本知识，基本的积分电路，输入矩形波时，输出可以得到（）。本题答案：【三角波】10、【判断题】将一个运放接成同相比例运算电路得到的输入阻抗，与接成反相比例运算电路得到的输入阻抗相比，大得多。本题答案：【正确】11、【填空题】运放有同相、反相、差分三种输入方式。在多输入信号时，要求各输入信号互不影响，应采用（）输入方式。本题答案：【反相】第九章单元测验_信号的运算电路1、【单选题】集成运算放大器的差模增益越高，运放的线性区越（）。本题答案：【窄】2、【单选题】运算放大器的电压转换速率，简称压摆率（SlewRate）。某运放输入阶跃信号后，输出电压在12微秒内增大了8V，表明运放的压摆率为（）。本题答案：【0.667】3、【单选题】反相比例运算电路中，电路引入的反馈类型是（），运放反相输入端电位与地之间的关系是（）。本题答案：【电压并联负反馈，虚地】4、【单选题】同相比例运算电路中，电路引入的反馈类型是（）。本题答案：【电压串联负反馈】5、【单选题】同相比例运算电路如图，其中，。当输出电压时，反馈电压为（）mV。本题答案：【49.5】6、【单选题】三运放仪表放大电路如图。输出电压与两输入电压、之间的函数关系是（）。本题答案：【】7、【单选题】Howland压流变换电路如图。该电路既有负反馈，又有正反馈。正反馈系数不大于负反馈系数，负载开路时，两者在数值上是相等的。当负载阻值足够小，负反馈足够深的时候，电路仍然具有虚短的特点。此时，压流变换关系为（）。本题答案：【】8、【多选题】以下关于运算放大器的说法，正确的有（）。本题答案：【差模增益大#高输入阻抗#低输出阻抗#共模抑制比高】9、【多选题】理性运放（）。本题答案：【输出阻抗为0#输入阻抗无穷大#带宽无穷大】10、【多选题】引入T型反馈网络的反相比例求和电路如图。其电压增益为（）。本题答案：【##】11、【判断题】只有引入负反馈，才能使运算放大器工作于线性放大区。本题答案：【错误】12、【判断题】运算放大电路的共模抑制比（KCMR/CMRR）高意味着其差模增益远远大于共模增益，因而可以有效抑制共模噪声。本题答案：【正确】13、【判断题】将一个运放接成同相比例运算电路后，其输入阻抗，与接成反相比例运算电路得到的输入阻抗相比，小得多。本题答案：【错误】14、【判断题】运算放大器接成同相比例运算运算电路后，输入阻抗增大而输出阻抗减小。本题答案：【正确】15、【判断题】设电源电压，则理想运放开环工作(反相端接地，同相端输入)、实际运放开环工作(反相端接地，同相端输入、运放与外围电阻构成负反馈放大电路三种电路的电压传输特性依次是a)、c)、b)。本题答案：【正确】正弦波振荡电路测试1、【单选题】振荡器的振荡频率取决于（）本题答案：【选频网络】2、【单选题】高频正弦波振荡器对振荡频率的稳定性要求高，所以一般选用（）本题答案：【石英晶体振荡器】3、【单选题】正弦波振荡电路中正反馈网络的作用是（）本题答案：【保证产生自激振荡的相位条件。】4、【单选题】振荡器与放大器的区别是（）本题答案：【振荡器无需输入信号，放大器需要输入信号。】5、【多选题】正弦波振荡电路持续振荡必须满足的条件有（）本题答案：【振幅平衡条件#相位平衡条件】6、【多选题】一个正弦波振荡电路通常包括（）本题答案：【放大电路#选频网络#正反馈网络#稳幅环节】7、【判断题】LC正弦波振荡器的振荡频率由反馈网络决定。本题答案：【正确】8、【判断题】LC振荡电路靠负反馈实现稳幅。本题答案：【错误】9、【判断题】放大器必须同时满足相位平衡条件和振幅条件才能产生自激振荡。本题答案：【正确】10、【判断题】振荡器与放大器的主要区别之一是：放大器的输出信号与输入信号频率相同，而振荡器则不需要输入信号。本题答案：【正确】11、【判断题】正弦波振荡器必须输入正弦信号。本题答案：【错误】12、【填空题】振荡器的振幅平衡条件是AF=（）本题答案：【1】滤波电路的基本概念及分类单元测试1、【单选题】与有源滤波电路相比较，无源滤波电路存在的主要问题之一是（）。本题答案：【带负载能力差#没有放大能力】2、【单选题】有用信号频率低于300Hz，可选用（）滤波电路。本题答案：【低通】3、【单选题】有用信号频率高于800Hz，可选用（）滤波电路。本题答案：【高通】4、【单选题】理想情况下，（）滤波电路在信号频率为零和无穷大时，电压增益相等。本题答案：【带阻】5、【多选题】根据实现滤波作用所使用的元件不同，滤波器包含有（）。本题答案：【有源滤波器#无源滤波器】6、【多选题】与无源滤波器相比较而言，有源滤波器不适用于（）的场合。本题答案：【高频#高压#大功率】7、【多选题】一下关于滤波器分类的说法正确的选项有（）。本题答案：【滤波器可以按照幅频特性中通带与阻带分布的不同进行分类。#滤波器可以按照所采用的元件分为有源滤波器与无源滤波器。#滤波器可以按照传递函数的特征进行分类。#根据滤波电路幅频特性中过渡带衰减的最高速度，可分为一阶滤波器、二阶滤波器及高阶滤波器。】8、【判断题】按照幅频特性中通带与阻带分布的不同，滤波电路可分为低通、高通、带通、带阻、全通滤波器。本题答案：【正确】9、【判断题】一阶低通滤波器的幅频特性在过渡带内的衰减速率是20dB/Hz。本题答案：【错误】10、【判断题】希望抑制50Hz的交流电源干扰，可选用带阻滤波电路。本题答案：【正确】11、【判断题】在理想情况下，带阻滤波电路当信号频率为无穷大时的电压增益就是它的通带电压增益。本题答案：【正确】12、【判断题】理想情况下，高通滤波电路的直流电压增益就是它的通带电压增益。本题答案：【错误】随堂测验1、【单选题】2、整流的主要目的是_____。本题答案：【将交流变直流】2、【单选题】3、滤波的主要目的是_____。本题答案：【将交直流混合量中的交流成分去掉】3、【单选题】5、从稳压电路的目的来看，稳压电路应该具有的反馈组态是_______.本题答案：【电压串联负反馈】4、【多选题】1、从220V的交流电转换成稳定的直流电压（如几伏），需要经过的处理过程包括_____。本题答案：【降压#整流#滤波#稳压】5、【判断题】4、直流电源是一种能量转换电路，将交流能量变为直流能量本题答案：【正确】随堂测验1、【单选题】2、设桥式整流输入的直流电流是1A，由于有四个整流管，故每个整流二极管的平均电流是_____A。本题答案：【1/2】2、【判断题】3、整流输出电压是直流成份和交流成份的混合量本题答案：【正确】3、【判断题】4、纹波系数越大，整流输出电压越接近理想直流电压。本题答案：【错误】4、【填空题】1、桥式整流电路的交流输入电压有效值是20V，则整流输出的直流电压=______V。本题答案：【18】随堂测验1、【单选题】2、从滤波特性上来看，直流稳压电源中的滤波电路属于_____。本题答案：【低通电路】2、【单选题】3、在桥式整流电容滤波且为电阻负载的电路中，若变压器次级输出电压有效值为10V，电源输出为14V。此时，可能出现的问题是_____本题答案：【负载电阻RL开路】3、【单选题】4、在桥式整流电容滤波且为电阻负载的电路中，若变压器次级输出电压有效值为10V，电源输出为9V。此时，可能出现的问题是_____本题答案：【电容开路】4、【填空题】1、在桥式整流电容滤波且为电阻负载的电路中，若变压器次级输出电压有效值为10V，=1.5T，则负载电阻上的直流电压为_____V本题答案：【12】稳压电路测验1、【单选题】3.串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是_____本题答案：【基准电压与取样电压之差】2、【多选题】1、下面说法正确的是_____.本题答案：【稳压电路能使输出电压与基准电压之比稳定#由于有稳压电路的作用，当或发生变化时，输出电压仅会发生很小的变化】3、【多选题】2、影响稳压电路输出电压的因素有___________本题答案：【输入电压#输出电流#负载电阻#环境温度】4、【填空题】4、三端集成稳压芯片7915的输出电压为____V本题答案：【-15】单元测验_直流稳压电源单元测验1、【单选题】串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是_____本题答案：【基准电压与取样电压之差】2、【单选题】从滤波特性上来看，直流稳压电源中的滤波电路属于_____。本题答案：【低通电路】3、【单选题】在桥式整流电容滤波且为电阻负载的电路中，若变压器次级输出电压有效值为10V，电源输出为9V。此时，可能出现的问题是_____本题答案：【电容开路】4、【单选题】设桥式整流输入的直流电流是1A，由于有四个整流管，故每个整流二极管的平均电流是_____A。本题答案：【1/2】5、【多选题】影响稳压电路输出电压的因素有___________本题答案：【输入电压#输出电流#负载电阻#环境温度】6、【多选题】从220V的交流电转换成稳定的直流电压（如几伏），需要经过的处理过程包括_____。本题答案：【降压#整流#滤波#稳压】7、【判断题】直流电源是一种能量转换电路，将交流能量变为直流能量本题答案：【正确】8、【填空题】桥式整流电路的交流输入电压有效值是20V，则整流输出的直流电压=______V。本题答案：【18】2021~2022上学期在线课程期中考试1、【单选题】为了在较大范围内有效地改变半导体材料的导电能力，可以（）。本题答案：【利用半导体材料的掺杂特性#以特殊工艺根据需要向本征半导体内掺入适量的三价或五价元素】2、【单选题】以下说法错误的是（）。本题答案：【二极管整流电路利用的就是二极管的反向击穿特性，将交流