《微机CH存储器》课件_第1页
《微机CH存储器》课件_第2页
《微机CH存储器》课件_第3页
《微机CH存储器》课件_第4页
《微机CH存储器》课件_第5页
已阅读5页,还剩25页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

微机CH存储器CH存储器是一种特殊的存储器,它在微机系统中扮演着重要的角色。它主要用于保存系统启动时所需的引导程序和关键系统数据。CH存储器概述芯片插槽CH存储器是微机中重要的组成部分之一,它用于存储程序和数据。它通过芯片插槽安装在主板上,方便用户升级和更换。内存插槽CH存储器插槽是主板的重要组成部分,它们与CPU等部件紧密连接,确保数据传输的快速和稳定。内存条内存条是构成CH存储器的核心部件,它包含了大量的存储单元,用于存储程序和数据。主板主板是微机系统中的核心部件,它连接了CPU、CH存储器、硬盘等所有部件,并提供数据传输通道。CH存储器的基本结构CH存储器由存储芯片、地址译码器、数据缓冲器、控制逻辑等组成。存储芯片是存储信息的物理载体,地址译码器用于将逻辑地址转换为物理地址,数据缓冲器用于存放读写的数据,控制逻辑用于协调整个存储器的读写操作。CH存储器的地址总线地址总线用于为每个存储单元分配唯一的地址。地址总线的宽度决定了计算机系统中可寻址的存储空间大小。例如,16位地址总线可以寻址65,536个存储单元。每个存储单元都有一个唯一的地址,通过地址总线访问该单元。每个地址总线上的信号表示一个地址位。地址总线是单向的,信息从CPU传输到存储器控制器。CH存储器的数据总线数据总线用于在CPU和CH存储器之间传输数据。数据总线上的每条线路都代表一个数据位,数据总线的位数决定了CPU每次可以传输的数据位数。数据总线是双向的,这意味着数据可以在两个方向上传输,即CPU可以向CH存储器写入数据,也可以从CH存储器读取数据。CH存储器的控制总线控制信号控制总线用于传递控制信号,指示存储器进行读写操作。这些信号控制存储器的操作,例如选择存储器芯片、读写数据、清除数据等。时钟信号时钟信号同步存储器操作,确保操作步骤按顺序执行,避免冲突。时钟信号的频率决定了存储器的速度。状态信号状态信号反映存储器的当前状态,例如是否正在进行读写操作,是否已完成操作,是否出现错误等。CH存储器的读写操作1读操作CPU发送读命令。2地址传递CPU将要读取的地址信息传递给存储器。3数据返回存储器将对应地址的数据返回给CPU。4写操作CPU发送写命令。5数据写入CPU将要写入的数据传递给存储器。存储器读取数据时,CPU会发送读命令,并将要读取的地址信息传递给存储器。存储器会将对应地址的数据返回给CPU。写入数据时,CPU会发送写命令,并将要写入的数据传递给存储器。存储器会将数据写入到指定的地址空间中。访问时序分析1地址稳定CPU发出地址信号2数据传输数据在总线上流动3数据稳定数据写入存储器4结束信号操作完成,CPU继续执行CPU发出地址信号,指定要访问的存储单元。数据在总线上流动,并被写入存储器或从存储器中读取。数据稳定后,CPU发送结束信号,完成访问操作。存储周期的构成读操作周期CPU发出读命令,从内存读取数据到CPU寄存器。写操作周期CPU将数据写入内存,将CPU寄存器中的数据存储到内存。刷新周期动态随机存储器(DRAM)需要定期刷新以保持数据,此周期用于刷新操作。存储周期的时间分配存储周期是CPU访问内存的时间段,分为读周期和写周期。读周期时间包括:1寻址CPU发出地址信号2等待等待内存芯片响应3读取内存芯片将数据传送到CPU写周期时间包括:1寻址CPU发出地址信号2等待等待内存芯片响应3写入CPU将数据写入内存芯片内存芯片的接口电路内存芯片的接口电路是连接内存芯片与主板之间桥梁。它负责数据、地址和控制信号的传输。接口电路主要由以下部分组成:缓冲器、地址译码器、数据总线驱动器、控制信号转换器等。这些电路保证数据可靠传输、地址识别、控制信号匹配,确保内存芯片正常工作。内存芯片的选择电路内存芯片选择电路用于选择特定内存芯片,并允许CPU访问该芯片。选择电路通常由译码器组成,译码器将CPU发出的地址信号转换为内存芯片的选择信号。每个内存芯片都有一个唯一的地址范围,选择电路根据地址信号选择相应的芯片。内存条扩展的接口连接器内存条通过连接器与主板上的内存插槽连接,实现数据传输。引脚定义连接器上的引脚定义了信号的传输方向和功能。插槽类型不同的内存条使用不同的插槽类型,例如DIMM、SIMM、SO-DIMM等。内存条扩展的分类11.单通道扩展单通道扩展使用一根内存通道进行数据传输,速度较慢,但成本较低。22.双通道扩展双通道扩展使用两根内存通道同时传输数据,速度更快,但成本较高。33.三通道扩展三通道扩展使用三根内存通道同时传输数据,速度更快,但成本更高。44.四通道扩展四通道扩展使用四根内存通道同时传输数据,速度最快,但成本最高。DRAM的基本工作原理电容存储数据DRAM利用电容存储数据,每个存储单元包含一个电容和一个晶体管。电容充放电存储数据通过电容的充电或放电状态表示,充电表示“1”,放电表示“0”。刷新机制由于电容存在泄漏电流,存储数据会逐渐丢失,因此需要周期性地刷新数据,以保持数据完整性。地址访问通过地址总线选择特定的存储单元,然后进行读写操作。DRAM的结构与特点结构DRAM存储单元由一个电容和一个晶体管组成。电容存储数据,晶体管用于控制数据读写。DRAM的结构类似于一个微型电容,它存储数据的方式类似于计算机的硬驱。特点DRAM存储单元的容量相对较大,而且价格相对较低。但是,DRAM存储单元需要定期刷新才能保持数据,并且访问速度相对较慢。DRAM的刷新机制1电容泄漏DRAM使用电容存储数据,但电容会慢慢泄漏电荷,导致数据丢失。2定期刷新需要定期刷新存储单元,重新写入数据以防止数据丢失,保持数据完整性。3刷新周期刷新周期通常为几毫秒,取决于DRAM类型和工作频率。SRAM的基本工作原理静态存储原理SRAM使用晶体管和电容器存储数据。每个存储单元包含两个反相器,通过互连形成一个保持回路。电容器存储数据,反相器保持数据稳定,无需刷新。数据存储过程当写入数据时,将数据施加到一个反相器,另一个反相器通过保持回路保持数据。数据被存储在电容器中,并保持稳定。数据读取过程当读取数据时,将数据读出到一个反相器,通过保持回路保持数据稳定。数据在读出时不会被改变,保持在存储单元中。SRAM的结构与特点结构SRAM存储单元由多个晶体管构成,每个存储单元包含六个晶体管,组成一个交叉耦合的电路。通过对晶体管的控制,实现对数据的存储和读取。特点SRAM具有速度快、功耗低、可靠性高的特点,常用于高速缓存(Cache)等需要快速访问的场合。其他特点SRAM的读写速度快,但价格比DRAM更贵,容量也比DRAM小。SRAM的主要用途是作为高速缓存(Cache),提高系统性能。存储器的访问方式随机存取方式可以随机访问存储器中的任何一个单元,不需按顺序访问。顺序访问方式只能按顺序访问存储器中的单元,从第一个单元开始,依次访问后面的单元。直接访问方式根据地址直接访问存储器中的单元,无需按顺序访问。联想访问方式根据关键字检索并访问存储器中的单元,无需知道单元的地址。存储器的性能指标指标描述单位访问速度存储器读写数据所需时间纳秒(ns)带宽存储器每秒钟传输的数据量MB/s延迟时间存储器响应请求到开始传输数据的延迟纳秒(ns)功耗存储器工作时消耗的电能瓦特(W)存储器的容量及其表示存储器容量存储器容量是指存储器所能存储的信息量,通常以字节(Byte)为单位。一个字节等于8个二进制位(bit),表示一个字符或一个数字。容量表示常见的容量单位包括千字节(KB)、兆字节(MB)、吉字节(GB)、太字节(TB)等。1KB=1024B,1MB=1024KB,1GB=1024MB,1TB=1024GB。存储器的容量扩展芯片数量增加芯片数量,增加容量。模块组合多个模块组合,提升容量。位宽扩展增加每个芯片的位宽,扩大存储器容量。存储器的分类与应用主存储器主存储器是计算机系统中最重要的存储器,用于存放正在运行的程序和数据。辅助存储器辅助存储器是计算机系统中用于长期保存数据的存储器,主要用于存放不经常使用的程序和数据。高速缓存高速缓存是位于CPU和主存储器之间的一种小容量、高速存储器,用于存放被频繁访问的数据和指令。存储器的发展趋势容量提升存储器容量不断增加,单位成本降低,可以满足日益增长的数据存储需求。速度更快存储器访问速度不断提升,满足高性能计算和数据处理需求。功耗降低存储器功耗不断降低,适应移动设备和嵌入式系统的发展趋势。安全性增强存储器安全性不断提高,防止数据泄露和篡改,满足信息安全的需求。存储器的选择原则11.容量根据应用需求选择合适的存储器容量,避免浪费或不足。22.速度选择高速的存储器,可以提高系统运行速度,但成本更高。33.成本在满足性能要求的前提下,选择性价比高的存储器。44.可靠性选择可靠性高的存储器,可以降低数据丢失的风险。存储技术的发展历程1早期存储技术磁芯存储器在20世纪50年代问世,是第一代计算机中主要使用的存储器。磁芯存储器使用磁芯作为存储单元,通过电流方向的变化来表示0或1,特点是速度快,可靠性高,但成本高,体积大。2半导体存储技术的兴起20世纪60年代,半导体存储器开始出现,逐渐取代了磁芯存储器。半导体存储器使用半导体器件作为存储单元,主要分为静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)两种。SRAM速度快,但价格昂贵,而DRAM速度相对较慢,但价格低廉。3现代存储技术的快速发展随着技术进步,存储技术不断发展,出现了各种新型存储器,例如闪存、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、相变存储器(PCRAM)等。这些新技术使得存储器速度更快,容量更大,功耗更低,为现代计算机的发展提供了强大支撑。存储技术的未来展望容量提升未来存储技术将继续朝着更高容量的方向发展,以满足不断增长的数据存储需求。例如,三维闪存、磁性存储等技术将继续突破容量瓶颈。速度提升存储速度也将进一步提升,以满足对实时数据处理和分析的需求。例如,基于光学或量子技术的新型存储技术将成为未来的发展方向。能耗降低随着数据中心的规模不断扩大,降低存储能耗变得越来越重要。未来存储技术将采用更节能的设计和材料,以实现低功耗和高效率。安全性提升数据安全是未来存储技术的重要考虑因素。例如,基于密码学的安全存储技术、容错和数据备份机制等将得到广泛应用。知识小结CH存储器类型CH存储器分为DRAM和SRAM两种类型。DRAM通常用于主内存,价格低廉,容量大。SRAM通常用于高速缓存,速度快,容量小。CH存储器结构CH存储器由地址总线、

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论