专项训练晶胞中正四面体空隙的判断（原卷版）

专项训练晶胞中正四面体空隙的判断（解析版）一、单选题1．几种离子晶体的晶胞如图所示，下列说法正确的是A．熔沸点：NaCl<CsClB．NaCl晶胞中，做面心立方最密堆积，填充正四面体空隙C．若ZnS的晶胞边长为apm，则与之间的最近距离为D．上述三种晶胞中，阳离子的配位数：ZnS<NaCl<CsCl2．金刚砂与金刚石具有相似的晶体结构，硬度为9.5，熔点为2700℃，其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是A．该晶体属于共价晶体，熔点比金刚石高B．C位于Si构成的正四面体空隙中C．C—Si的键长为apm，则晶胞边长为2apmD．金刚砂中C原子周围等距且最近的C原子数为63．某种离子型铁的氧化物晶胞如图所示，它由A、B方块组成。已知该晶体的密度为，阿伏加德罗常数的值为，下列说法中错误的是A．该铁的氧化物化学式为 B．距离Fe3+最近的有6个C．晶体中的只能构成正四面体空隙 D．晶胞的边长为4．某离子品体中品体结构最小的重复单元如图所示，其中白色大球为A，灰色小球为B，分别在顶点和面心，则下列说法错误的是A．B离子采取了面心立方密堆积 B．A填入B形成的四面体空隙中C．B离子的配位数是4 D．一个晶胞中有4个B离子5．钠元素和硒元素可组成一种对蛋白质的合成和糖代谢有保护作用的无机化合物，其晶胞结构如图所示。已知和的半径分别为anm和bnm，晶胞参数为cnm。下列有关说法错误的是A．该晶体的化学式为B．与距离最近且相等的数目为8C．该晶胞的空间利用率为D．位于由构成的四面体空隙中，位于由构成的六面体空隙中6．Cu、Au能形成多种组成固定的合金，其中一种晶体的晶胞结构(立方体)如图所示，下列说法正确的是A．该晶体的化学组成可表示为CuAuB．与1个Cu原子距离最近的Au原子是4个C．Au填充了由与之距离最近的Cu原子构成的正四面体空隙D．根据图中信息，铜原子a的分数坐标为(0.5，0.5，0.5)7．某铜的氯化物常作工业催化剂，其晶胞结构如图所示，晶胞中C、D两原子核间距为298pm。设阿伏加德罗常数的值为，则下列说法正确的是A．Cu的+2价比+1价稳定，是因为最外层电子达到半充满结构B．此氯化物的化学式为C．晶胞中Cu位于Cl形成的四面体空隙D．Cu与Cl的核间距为棱长的倍8．已知γAgI晶体属立方晶系，其晶胞截面如图所示(晶胞参数为620pm，设阿伏伽德罗常数的值为NA)，则下列关于γAgI晶胞的描述错误的是

A．与的配位数均为4B．与距离最近且相等的有12个C．填充在构成的四面体空隙中，其空隙填充率为50%D．该晶体的摩尔体积9．氧化铈(CeO2)是一种重要的光催化材料，光催化过程中立方晶胞的组成变化如图所示。下列说法错误的是A．氧元素位于元素周期表中的p区B．CeO2晶体中与Ce4+相邻且最近的Ce4+有12个C．O2占据所有四面体空隙D．每个CeO2x晶胞中Ce4+个数为12x10．磷青铜晶体的立方晶胞结构如图所示，若晶体密度为，下列说法正确的是A．磷青铜晶体化学式为B．磷原子位于由铜原子形成的四面体空隙中C．与铜原子距离相等且最近的锡原子有4个D．相邻铜原子间的最短距离为nm11．有关晶体的结构如图所示。下列说法错误的是A．NaCl与CsCl均为离子晶体，晶格能：NaCl＜CsClB．NaCl晶体中，Na+位于最近的Cl形成的正八面体空隙中C．金刚砂晶体中，Si、C的杂化方式均为sp3杂化D．CuS晶胞中，Cu2+填充在S2形成的四面体空隙中，其填充率为50%12．钠离子电池充电时，从正极脱嵌，经过电解质嵌入负极，放电时则相反。是一种钠离子电池正极材料，充放电过程中正极材料立方晶胞(示意图)的组成变化如图所示，晶胞内未标出因放电产生的0价Cu原子。下列说法错误的是A．当转化为NaCuSe时，产生B．1molNaCuSe晶胞完全转化为晶胞时，伴随着脱嵌C．每个晶胞完全转化为晶胞，转移的电子数为D．晶胞中处于四面体空隙的有8mol13．一种光催化材料的晶胞如图，属于立方晶系，其晶胞参数为anm。下列说法错误的是A．晶体的化学式为CeO2B．晶体中与Ce距离最近且相等的O有6个C．氧原子位于Ce构成的四面体空隙中D．晶体密度为g•cm314．AlN具有耐高温、抗冲击等优良品质，广泛应用于电子工业、陶瓷工业，其晶胞结构如下图所示。下列说法错误的是A．AlN晶体中N原子的杂化类型为 B．Al原子位于N原子形成的四面体空隙C．AlN晶体中含有配位键 D．AlN晶体属于离子晶体15．一种光催化材料的晶胞如图，属于立方晶系，其晶胞参数为。下列说法错误的是A．晶体的化学式为B．晶体中与距离最近且相等的有6个C．氧原子位于构成的四面体空隙中D．晶体密度为16．萤石是制作光学玻璃的原料之一，其主要成分氟化钙的晶胞结构如图所示。下列说法错误的是A．Ca位于元素周期表s区B．每个周围距离最近且等距的有4个C．位于构成的四面体空隙D．基态氟原子核外电子的原子轨道有四种伸展方向17．AlN具有耐高温、抗冲击等优良品质，广泛应用于电子工业、陶瓷工业，其晶胞结构如下图所示。下列说法错误的是A．基态Al原子的价电子排布式为 B．Al原子位于N原子形成的四面体空隙C．AlN晶体中含有配位键 D．AlN晶体属于离子晶体二、多选题18．ZrO2的晶胞如图所示。已知：晶胞边长为apm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是A．Zr4+的配位数为4B．O位于Zr构成的正四面体空隙中C．Zr4+周围距离最近且相等的Zr4+有12个D．该晶胞的密度为19．对晶胞的研究有助于我们了解整个晶体的结构。Cu晶胞的结构如图1所示(晶胞参数为apm)，CuSe晶胞的结构如图2所示，设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是A．Cu晶胞的密度为B．图1中最近的两个Cu之间的距离为C．填充在形成的正四面体空隙中D．图2中1个晶胞含14个20．六氟磷酸锂、六氟锡酸锂常用作锂离子电池的电解质，晶胞结构分别为图a、图b．两种晶胞中阴离子均采取面心立方最密堆积方式，中心原子与氟原子均