2024年全国半导体行业职业技能竞赛（半导体分立器件和集成电路装调工赛项）理论考试题库（含答案）

PAGEPAGE12024年全国半导体行业职业技能竞赛（半导体分立器件和集成电路装调工赛项）理论考试题库（含答案）一、单选题1."在Lens成像计算公式中“F""代表？()"A、速度B、EFLC、物距D、像距答案：B2.如下不是测试站常规点检的是？（）A、照度B、水平C、色温D、距离答案：B3.FF模组由哪些组成？（）A、镜片B、PCB（基板）C、芯片D、以上都是答案：D4.目前调焦的主要方案是什么？（）A、limit调焦B、Peak调焦C、PeakinPASS调焦D、以上都是答案：D5.马达漏焊接影响模组什么功能？（）A、外观B、可靠性C、OTPD、解析力答案：D6.下列哪些原因不会导致实测远焦Code值偏大？（）A、马达锁附高度偏小B、lens混模穴号C、半成品胶厚过大D、B胶厚过厚答案：C7.Code值偏小与下列哪个选项无关？（）A、VCM起始电流偏小B、锁附高度偏高C、lensEFL偏高D、马达浮高答案：C8.目前厂内常用芯片厚度？（）A、200umB、250umC、100umD、150um答案：D9.镜头场曲过大会引起什么不良？（）A、脏污B、偏色C、暗角D、解析力答案：D10.变焦的英文简称？（）A、FFB、AFC、VFD、NF答案：B11.产品在设计时，要求焊PIN到焊盘的距离为？（）A、0.15-0.22mmB、0.15-0.3mmC、0.15-0.2mmD、0.15-0.25mm答案：D12.当IR光谱变异时可能引起什么不良？（）A、WBB、SFRC、脏污D、暗角答案：A13.AF机型烧录PDAF的目的是？（）A、客户要求B、快速对焦C、降低SFR不良D、降低OTP不良答案：B14.免调焦机种十级需要重点监控哪些项目？（）A、烧录内容B、MTF及锁付高度C、点胶方式D、FPC答案：B15.SensorLSC烧录.MTKLSC烧录.高通LSC烧录的主要不同点？()A、sensorLSC烧录后的补偿画面可以在实时影像中得到，可以抓图实时画面进行效果确认B、MTKLSC和高通Lsc补偿在实时影像获取不到，只能从平台工具输出的补偿后画面确认补偿效果C、MTKLSC烧录的是每个区域的补偿系数，数据规律是中间小，四周大D、以上都描述正确答案：D16.OIS马达设计的主要功能特性为？（）A、提升解析力B、拍照防抖C、改善黑团D、减少成本答案：B17."在Lens成像计算公式中“V""代表？()"A、速度B、EFLC、物距D、像距答案：D18.属于软件配置导致马达不动的原因为？（）A、VCMPING焊接错误B、粘胶C、测试板损坏D、AF电源电压及DriverIC设置错误答案：D19.以下哪些是实验室拍摄解析力用到的Chart？（)A、MTFB、棋盘ChartC、SFRX型ChartD、TVline答案：D20.哪一项不会造成解析力不良？（）A、马达tiltB、DBtiltC、FPC褶皱D、HMtilt答案：C21.AA机种常用的UV预固化时间的是？（）A、3SB、5SC、8SD、10S答案：B22.H/M指的是？（）A、盖HolderB、打金线C、盖晶圆D、板材切割答案：A23.闭环马达相对于普通马达来说差异点是什么？（）A、动态tilt更稳定B、没区别C、更便宜D、多了反馈电路答案：D24.镜头烘烤温度是？（）A、90℃B、80℃C、95℃D、100℃答案：B25.在客户端检验产品需？()A、帽子B、手表C、佩戴静电手环D、以上全是答案：C26.镜头解析力好坏的评价指标不包括？（）A、MTFB、SFRC、TVlineD、FOV答案：D27.AF机型调焦时达到清晰点后会把镜头下旋一定角度，其作用是？（）A、找到最佳清晰点B、防尘C、SFR补偿D、避开马达非线性区域答案：D28.H/M偏移会导致哪项不良产生？（）A、TiltB、解析力C、点不亮D、暗角答案：D29.COBWB工序的制程主要是？（）A、打金线B、清洗C、贴晶元D、贴HolderIR答案：A30.AF模组由哪些组成？()A、镜片B、PCB（基板）C、VCM马达D、以上都是答案：D31.MTKPDAFDCC使用的Chart为？()A、菱形B、棋盘C、XchartD、条形答案：A32.AA也叫主动对齐，是对齐那个光轴中心？（）A、sensor&LensB、SensorC、lensD、holder答案：A33.检验方式有全检和？()A、特检B、抽检C、专检D、免检答案：B34.OS测试是指？（）A、光心测试B、开短路测试C、电流测试D、暗边测试答案：B35.CloseLoop马达指的是什么马达？（）A、中置马达B、普通马达C、闭环马达D、无螺牙马达答案：C36.下道工站对上道工站流下的产品进行检验，叫做？()A、抽检B、互检C、终检D、设计检验答案：B37.POG的中文含义是？（）A、脏点B、脏污C、白点D、异物答案：B38.模组锁付高度定义考虑哪几个因素？（）A、姿势差B、AA胶厚C、各器件尺寸D、姿势差.AA胶厚.各器件尺寸答案：D39.机台正常生产时机台上的指示应该是？（）A、红色B、绿色C、黄色D、不亮灯答案：B40.不属于镭射切割不良的是？（）A、PCB镭偏B、PCB变形C、元件破损D、镭射区域发黑答案：B41.千级区域环境对particle的管控标准是>（?）um颗粒≤（?）ea？()A、0.5，1500B、0.5，1000C、0.3，1500D、0.3，1000答案：B42.Hotpixel测试项值的是测试什么？（）A、亮线B、亮点C、坏点D、脏点答案：B43.自动白平衡体现的测试项是？（）A、SHADINGB、AWBC、OCD、LSC答案：B44.当调焦SFR不良异常时，该如何对策分析？（）A、立即要求十级停线，加严浮高管控B、立即反馈SQE，要求来料加严管控C、先做互换分析，层别影响度，再对应性分析，找对应部门确认发生问题并改善D、SFR不良不能报，打脏污里面答案：C45.CCD站通光孔内部白点的通用管控标准是？（）A、直径≦0.1mmB、直径≦0.15mmC、直径≦0.2mmD、直径≦0.3mm答案：A46.十级AA半成品防止时间过久会引起什么异常？（）A、脏污B、脏点C、暗角D、解析力答案：A47.以下不属于DB使用的胶水是？（）A、2035SCB、4001FSC、6220D、4051L答案：C48.Standybycurrent是什么测试项目？()A、开短路B、启动电流C、待机电流D、工作电流答案：C49.OTP的英文全称描述正确的是？()A、OneTimeProgrammableB、OnTimeProgrammableC、OneTestProgrammableD、以上全不是答案：A50.调焦时发现每颗产品角落均存在暗角遮挡，可能发生的原因是？（）A、调焦环抬起高度设置过大，导致遮挡B、调焦环设计有问题，需要重新设计C、调焦环插入深度不够，形成遮挡D、以上均有可能答案：D51.POD的中文含义是？（）A、脏点B、脏污C、白点D、异物答案：A52.FOV指的是什么参数？()A、焦距B、镜头高度C、镜片D、光学视角答案：D53.测试机台点检的周期为多久一次？()A、每天B、每周C、每月D、每班答案：A54.以下不是OTP烧录的项目是？（）A、WBB、LSCC、SFRD、PDAF答案：C55.以下哪款胶水是AA胶水？()A、DA-4001FSB、DA-4051LC、LT354D、FH8627答案：C56.测试时下列哪项不可以随意修改？（）A、测试参数B、测试距离C、光源照度色温D、以上都是答案：D57.AA机台buyoff要求中心分数差异在多少以内？（）A、7以内B、5以内C、10以内D、3以内答案：D58.EEPROM的作用是？（）A、存储烧录信息B、驱动马达C、防止电磁干扰D、以上都是答案：A59.EEPROM的作用是什么？()A、驱动马达B、存储烧录信息C、防止电磁干扰D、以上都是答案：B60.IR的只要作用是？（）A、防尘B、防水C、防炫光D、滤光答案：D61.OC指的是什么？（）A、暗角B、偏色C、解析力D、光心答案：D62.Workcurrent是什么测试项目？()A、开短路B、启动电流C、待机电流D、工作电流答案：D63.AA制程指什么？（）A、主动对准B、自动对焦C、自动点胶D、自动测试答案：A64.VCM起始电流偏低会导致？（）A、Code值偏大B、Code值偏小C、线性不良D、无影响答案：B65.当焊接和马达铁壳短路时对手机端有什么影响？（）A、无影响B、无法打开C、无法对焦D、画面异常答案：C66.AA机台产品抛料后不正确的处理方法是？（）A、直接用手接触产品处理B、抛料品集中一起C、重新走抛料流程D、确认OK后上机台生产答案：A67.DB画胶常用画胶胶型有米型和（）型A、❉雪花型B、△三角型C、○圆形D、□方形答案：A68.AA工艺的全称是（）A、中心对焦工艺B、A等级生产工艺C、全像素对焦D、自适应主动对准答案：D69.下面哪种问题能造成VCM无动作？（）A、线圈断开/短路B、簧片变形C、启动电流偏大D、tilt偏大答案：A70.DB使用DA-4001FS胶水，芯片翘曲可控制？（）A、1~2umB、4~7umC、10~15umD、20~25um答案：B71.按生产过程分，质量检验可分为（）.制程.成品.出货几个阶段？（）A、成品B、进料C、生产D、检验答案：B72.什么配置的机种需要进行畸变校正？（）A、A机种B、AF机种C、长焦机种D、大广角机种答案：D73.对于固定焦距和拍摄距离说法正确是？（）A、使用光圈越小，景深越大B、使用光圈越小，景深越小C、使用光圈变化，景深不变D、使用光圈越大，景深越大答案：A74.试产物料必须经哪三方在需求单签字方可包装入库？（）A、PM.ME.PEB、PM.TE.PEC、PM.SQE.PED、PM.NPI.DQA答案：D75.σ代表DPPM水平？（）A、2699B、66.07C、0.544D、0.002答案：B76.西维脏污认证需将授权文件重新命名为？（）A、Dev.datB、License.licC、license.datD、license_support_halcon11_2020_01.dat答案：C77.脏点上的成像不良位于？（）A、Sensor上表面B、IR上表面C、Lens表面D、Lens内答案：A78.修复站lens剥胶拧lens时在加热平台加热温度是？（）A、60±5℃B、90±5℃C、80±5℃D、120±5℃答案：C79.通光孔刮伤标准表面点状直径？()A、≤0.15mmB、≤0.25mmC、≤0.20mmD、≤0.1mm答案：A80.DriveIC的作用是？（）A、存储烧录信息B、驱动马达C、防止电磁干扰D、以上都是答案：B81.以下D/B正确的解释是什么？（）A、将芯片与PCB用导线连接B、将镜头黏在PCB上C、将芯片通过胶水黏在PCB上D、打金线答案：C82.实验室切片辅助分析主要最直观目的是？（）A、点污分析B、外观追踪C、SFR分析D、尺寸数据确认答案：D83.模组镜头已点胶，修复该如何拆解镜头？（）A、加热平台加热，使胶水软化，然后倒置用3M胶扭出镜头B、直接用调焦环或锁附工具用力扭出镜头C、用酒精持续泡胶水，胶水软化后扭出镜头D、用镊子将胶挑开，扭出镜头答案：A84.某sensor分辨率3264x2448，则此sensor是多少像素的？（）A、2MB、8MC、32MD、50M答案：B85.AA规格设定需要管控那几个重要参数？（）A、CPS.均匀性B、CPS.场曲.均匀性.分数C、场曲D、SFR分数答案：B86.DB胶水覆盖率首件标准是？（）A、≥60%B、≥70%C、≥75%D、≥85%答案：D87.EFL指的是什么参数？（）A、模组总高度B、镜头总高度C、镜头焦距D、模组锁附高度答案：C88.AA机型镜头组plasma到AA投入时间管控？（）A、2HB、4HC、6HD、10H答案：B89.以下哪项不是DB检验项目？（）A、Sensor划伤B、浮高C、Sensor脏污D、金球偏答案：D90.AF机种最后一站进行AFCode检测的作用是？（）A、确认SFR是否存在变异B、确认Code与烧录信息变化能否满足客户要求，监控制程环境差异C、确认Code是否在作动区间范围内D、客户要求的，做着给客户看答案：B91.AF机种做海思标定时，马达需推到？（）A、近焦B、中焦C、远焦D、(远焦+近焦)/2答案：C92.AA烘烤后镜头组脱落，无需确认？（）A、压合后胶厚B、压合位置胶宽C、胶水是否烘烤干D、脖子胶厚度答案：D93.“静电”的英文简写是？（）A、EDXB、EDSC、ESDD、EXD答案：C解析：二、判断题94.Colorshading指的是什么？（）A、暗角B、偏色C、解析力D、光心答案：B95.厂内单条载具排板数量没有？（）A、16B、24C、32D、34答案：D96.半成品烤箱烘烤参数？（）A、80±℃，60minB、120±℃，60minC、130±℃，30minD、120±℃，90min答案：A97.镜头的成像特性中间和四周的成像亮度为？（）A、四周亮，中心暗B、四周暗，中心亮C、四周和中心一样亮D、四周和中心一样暗答案：B98.超级黑面盖如何进行清洁？（）A、使用无尘棒擦拭B、使用无尘布擦拭C、使用粘尘棒滚动清洁D、使用溶剂清洁答案：C99.颜色均匀性体现在以下哪个测试项？（）A、YshadingB、AWBC、olorShadingD、LSC答案：C100.调焦机显示预调角度超出上限时，可能出现什么异常？（）A、调焦环坏了B、产品点不亮C、锁附高度异常D、撞机了答案：C101.制造文件中标“★”的尺寸为？（）A、常规尺寸B、重点尺寸C、外部尺寸D、内部尺寸答案：B102.Sensor是指模组的()部分？（）A、镜头B、基座C、图象传感器D、连接器答案：C103.镜头清洗的目的是？（）A、降低SFR不良B、降低脏点不良C、降低脏污不良D、降低外观不良答案：C104.ESD的中文含义是什么？（）A、静电放电B、作业指导书C、流程卡D、控制计划答案：A105.PDAFMTK烧录平台使用的Chart型号为？（）A、菱形ChartB、条形ChartC、白板光源D、SFRChart答案：B106.LSC烧录标准为70%+/-3%，四角差异5%，以下哪组满足烧录要求？()A、左上角67%，左下角68%，右上角72%，右下角73%B、左上角67%，左下角67%，右上角68%，右下角68%C、左上角71%，左下角71%，右上角72%，右下角74%D、左上角66%，左下角68%，右上角70%，右下角70%答案：B107.常用闭环马达又叫？（）A、中置马达B、closeloopC、openloopD、OIS马达答案：B108.定焦的英文简称？（）A、FFB、AFC、VFD、NF答案：A109.SENSOR的光学原理是将光信号转换为？（）A、颜色信号B、电信号C、视觉信号D、接收信号答案：B110.DOF指的是什么值？（）A、焦距B、景深C、视场角D、镜片数答案：B111.MTKLSC补偿后的shading规格上下限，一般按照烧录规范目标值？（）A、±5%B、±6%C、±8%D、±10%答案：A112.工序配错指的是什么？（）A、机台内运行的ABCD流程弄错了B、漏流程C、工单输错D、产品不良答案：B113.AA机台buyoff要求四角分数差异在多少以内？（）A、15以内B、10以内C、5以内D、1以内答案：C114.SFR是从哪个域分析光学成像的解析力?（）A、时域B、频域C、空域D、区域答案：B115.产品上二维码作用是什么？（）A、保密信息B、客户要求C、板厂信息存储D、便于产品追溯答案：D116.马达动态tilt会引起什么不良？（）A、脏污B、偏色C、暗角D、解析力答案：D117.HDC是测试什么的？（）A、SFR烧录B、Code烧录C、畸变校准D、AWB烧录答案：C118.机台停机超过多少时间后需停机从新送Q首件？（）A、1HB、2–3HC、4H以上D、6H以上答案：C119.焦距f、物距u、像距v三者之间的关系是？（）A、1/f+1/v=1/uB、1/u+1/v=1/fC、1/f+1/u=1/vD、1/v+1/f=1/f答案：B120.IR片上增加黑丝印的目的是？（）A、改善flareB、改善particleC、改善HMPR识别D、改善holder清洗时甩胶现象答案：A121.脏污不良在修复该如何清洁？（）A、拆了镜头反向振动使其脱落B、用棉签进行擦拭C、拆镜头后上清洗机台，直接进行清洗作业D、拆镜头后用胶棒将脏污粘掉答案：D122.AF模组由远焦到近焦的对焦过程中，镜头相对芯片的距离会？（）A、增加B、减小C、不变D、跳跃答案：A123.发现某个站位软件MD5码不统一该如何处理？()A、正常作业没问题就没关系B、这是品质稽核的事，与我无关C、告诉设备统一软件就好了D、立即停线，确认系统软件版本，确认异常软件来源，评估在制风险答案：D124.机台更换胶水时应首先？（）A、拆下机台上的胶管B、关闭胶水适配器的气压C、拆卸点胶胶阀D、直接拆下更换答案：B125.PDAF高通烧录平台使用的Chart型号为？（）A、菱形ChartB、条形ChartC、白板光源D、SFRChart答案：A126.如果发现软件提示“MD5码管控”是发生了什么问题？（）A、产品漏流程B、产品被回流C、二维码重码D、软件有更新或被修改答案：D127.一体式单镜头来料AA前不清洗直接烘烤的作用是？（）A、烘干内部胶水B、释放应力C、改善点污D、防止镜头进水答案：B128.如下哪种情况会造成解析力不良？（）A、HMshiftB、AA光心NGC、马达起始电流过大D、lens来料MTF不达标答案：D129.机台新开线调试机台后应？（）A、确认产品OK后正常生产。B、确认产品OK后送Q首检正常生产C、确认首检OK后送Q首检，首检OK后正常生产D、以上全是答案：C130.免调焦可代替以下那一站？（）A、功能测试B、OTPC、PDAFD、调焦答案：D131.IR用中文描述表达为？（）A、滤光片B、芯片C、玻璃片D、镜片答案：A132.VCMPIN封胶目的是？（）A、提升外观B、增加VCM拉力C、防短路D、防氧化答案：C133.Cpk=1.0代表水平？（）A、3σB、4σC、5σD、6σ答案：A134.AA机台Sensor点不亮异常不可能的原因是？（）A、Sensor异常B、金线异常C、Lens异常D、连接小板异常答案：C135."在Lens成像计算公式中“U""代表？()"A、速度B、EFLC、物距D、像距答案：C136.AA胶水回温时间是？（）A、2HB、1HC、1.5HD、3H答案：A137.机台暂时停机时应？（）A、关闭安全门打开排胶功能B、关闭安全门关闭气压C、关闭安全门即可D、关闭电源.气源，节省能源答案：A138.免调焦机种当发现远焦Code超出下限时，说明？（）A、锁附高度过高B、锁附高度过低C、模组浮高D、模组偏心答案：A139.下列不属于不合格品处理方式的是？()A、特采B、报废C、出货D、以上全是答案：C140.制程震动的目的是？（）A、检验脱落B、助检可移动脏污C、确认是否耐磨损D、检验Tray盘可靠性答案：B141.首件检验的重要意义为？()A、确认首件是OK品B、避免批量性问题出现C、SIP要求执行D、以上全是答案：B142.一体式镜头AA时会验证上抬.下拉，其目的是？（）A、调整四周解析力B、调整模组高度C、补偿AA胶缩D、调整AA胶厚答案：C143.机台上的EMO是什么控制按键？（）A、排胶按键B、气压控制按键C、紧急停止按键D、机台停止按键答案：C144.解析力测试通常使用的chart类型有？（）A、MTF，SFRB、SFR，菱形C、菱形，MTFD、条形，SFR答案：A145.常用镜头固定胶是？（）A、1710X16FRIB、LT354C、9530BD、FH8627答案：A146.对产品缺陷分类中轻微不良的表示为？()A、MIB、MAC、RD、IR答案：A147.模组为何要进行AWB点检？（）A、形成光源系数进行差异补偿，避免机差导致烧录异常B、为了能确认机台能够正常烧录，避免未烧录产生C、为了避免软件把AWB内容和其它内容搞乱，进行数据对比使用D、客户要求的，没什么用答案：A148.Cpk通过Minitab软件哪个图形体现？（）A、直方图B、箱线图C、柏拉图D、能力分布图答案：D149.免调焦工艺十级不需要管控哪些？（）A、锁附高度B、lens模穴号C、VCM模穴号D、VCM弹片行程答案：D150.当发现Code值偏大时，HM机台该如何调试？（）A、Bonding高度下压B、增加胶量C、减少画胶气压D、无需调试答案：B151.照度的单位是什么？()A、LuxB、cmC、kD、lnx答案：A152.良率数据查询在什么地方？（）A、PLMB、OAC、MESD、文档系统答案：C153.AA一般验收指标tilt目标值是多少分以内？（）A、2′B、4′C、6′D、8′答案：C154.WB指的是？（）A、盖holderB、打金线C、盖晶圆D、板材切割答案：B155.生产过程中发现批量性异常，以下做法正确的是？（）A、立即停机B、追溯异常批次C、调整机台，重送首件D、以上都对答案：D156.下列关于静态CMOS的特性，错误的是（）。A、逻辑电平与器件的相对尺寸无关。B、CMOS反相器具有高输出阻抗，这使它对噪声和干扰不敏感。C、输出电压摆幅等于电源电压。D、由于反相器的输入节点只连到晶体管的栅上，所以稳态输入电流几乎为零。答案：B157.压电陶瓷的应用包括()。A、蜂鸣器B、打火机C、雷达D、超声波探头答案：A158.数字万用表能直接测量三极管的（）。A、电流放大倍数B、输出电阻C、输入电压D、管型答案：A159.低压电容器的放电负载通常（）。A、灯泡B、线圈C、互感器D、转子答案：A160.导线接头的绝缘强度应（）原导线的绝缘强度。A、可大可小B、少C、小于大D、等于答案：D161.为了使两输入NAND门的下拉延时tphl与最小尺寸的反相器相同，在PDN串联网络中的NMOS器件必须设计为反相器中的NMOS宽度的（），以使NAND下拉网络的等效电阻与反相器的相同。A、二分之一B、一倍C、四倍D、两倍答案：D162.稳压二极管主要是利用其（）特性，可以在电路中稳压。A、恒流特性B、导电性C、反向击穿特性D、非一线性答案：C163.三相异步电动机按其（）的不同可分为开启式、防护式、封闭式三大类。A、供电电源的方式B、外壳防护方式C、结构型式方式D、工作制答案：B164.在要求小容量的高频电路中，应尽量选用（）。A、瓷介电容B、涤纶电容C、钽电解电容D、铝电解电容答案：A165.氮化硼陶瓷的优点()。A、热膨胀系数小B、抗热振性高C、高温电绝缘性D、耐磨性答案：C166.风能的大小与风速的(）成正比A、二次方B、三次方C、四次方D、五次方答案：B167.以下()的粉体适合于新型陶瓷的生产。A、板状B、球形C、不规则形状D、柱状答案：B168.标识为203的贴片电阻，其阻值应该是()。A、20ΩB、2KΩC、200ΩD、20KΩ答案：D169.关于生产经营单位对从业人员进行安全生产教育和培训的说法，正确的是()。A、对所有从业人员都应当进行安全生产教育和培训B、对有过相似工作经验的从业人员可以不进行安全生产教育和培训C、从业人员培训不合格的应予以辞退D、可以根据情况决定是否建立安全生产教育和培训档案答案：A170.极化的形式有()。A、离子位移极化B、偶极子趋向极化C、空间电荷极化D、电子位移极化答案：D171.在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管答案：A172.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生()失真。A、截止失真B、饱和v失真C、双向失真D、线性失真答案：B173.复合管，已知V1的1=30，V2的2=50，则复合后的约为（）。A、1500B、80C、50D、30答案：A174.职业道德建设的核心是()A、服务群众B、爱岗敬业C、办事公道D、奉献社会答案：A175.在铝绞线中加入钢芯的作用是（）。A、提高导电能力B、增大导线面积C、提高机械强度D、抗燃能力提升答案：C176.相变增韧的根本原因是氧化锆陶瓷中具有()。A、立方相B、伪立方相C、四方相D、平方向答案：C177.食用油分为植物油和动物油两大类，油的主要成分是（）。A、脂肪B、碳水化合物C、蛋白质D、膳食纤维答案：A178.直流负反馈是指()。A、存在于RC耦合电路中的负反馈B、放大直流信号时才有的负反馈C、直流通路中的负反馈D、只存在于直接耦合电路中的负反馈答案：C179.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于()。A、0.8mAB、0.98mAC、1.2mAD、1.02mA答案：B180.生产经营单位的主要负责人未履行《安全生产法》规定的安全生产管理职责的，责令。A、处二万元以下罚款B、限期改正C、停产停业整顿D、处四万元以下罚款答案：B181.D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为()。A、最大值为40V，最小值为0VB、最大值为40V，最小值为+10VC、最大值为10V，最小值为－40VD、最大值为10V，最小值为0V答案：D182.新型陶瓷材料的主要缺点是()。A、价格高B、熔点高C、脆性大D、硬度高答案：C183.电感器在电路中用字母（）表示。A、LB、gC、RD、H答案：A184.用万用表测量2.1k的电阻，档位应该选择（）。A、20kB、18kC、2kD、45k答案：C185.万用表电压量程2.5V是当指针指在（）位置时电压值为2.5V。A、1/2量程B、满量程C、2/3量程D、3/3量程答案：B186.动态设计中的信号完整性问题主要有：()。A、电荷分享B、电荷分享C、电荷泄漏D、时钟馈通答案：B187.集成电路制造中的光刻工艺主要目的是什么？A、去除晶圆表面的污染物B、在晶圆上形成电路图形C、增加晶圆表面的粗糙度D、制备金属互联层E、提高晶圆的机械强度答案：B188.电阻器在电路中用字母（）表示。A、RB、UC、LD、HE答案：A189.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，这是因为此时PN结内部的()。A、少数载流子浓度减小B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度增大D、多数载流子浓度减小答案：B190.评价一个设计好坏的重要质量指标有()。A、稳定性B、功能C、成本D、功耗答案：A191.预防宿舍火灾，应注意以下哪几条()。A、不在宿舍使用“热得快”等违章电器B、不在宿舍使用酒精炉C、不躺卧吸烟和乱扔烟头，最好不在宿舍抽烟D、离开宿舍时拔下电源插头答案：C192.双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()。A、不偏B、微偏C、正偏D、反偏答案：C193.规定了电子元器件的额定值，一般包括额定工作电压、额定工作电流、额定功率消耗及额定工作温度等。它们的定义是：电子元器件能够（）工作的电压、电流、功率消耗及环境温度。A、正常B、长期正常C、短期D、长期答案：B194.测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，测量结果将会()。A、变B、不变C、变大D、不能确定答案：A195.陶瓷的概述以下错误的是()。A、高硬度B、高温稳定性C、高耐磨性D、高导电性答案：D196.下面关于传播延时的定义错误的是()。A、传播延时只与电路工艺和拓扑连接有关。B、通常所说的传播延时是针对门的。C、传播延时tp是tpLH（门的输出由低至高翻转的响应时间）和tpHL（输出由高至低翻转的响应时间）这两个时间的平均值。D、输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。答案：A197.新型陶瓷的粉体要求具有以下()性质。A、韧性B、团聚性C、流动性D、可烧结性答案：C198.压痕法可以测试结构陶瓷的()。A、延展性B、强度C、硬度D、弹性答案：A199.无铅焊接用的焊料基体是（）A、铅B、锡C、氧化银D、金答案：A200.PN结加正向电压时，空间电荷区将()。A、变窄B、基本不变C、变宽D、条件不全，无法判断答案：A201.一般湿敏电阻的相应时间是()量级的。A、毫秒B、分C、微秒D、秒答案：D202.在现代陶瓷材料烧结过程中如何促进烧结过程()。A、原始粉末性质B、外加剂C、成型压力D、烧结工艺答案：A203.为了防止跨步电压对人造成伤害,要求防雷接地装置距离建筑物出入口、人行道最小距离不应小于（）米。A、3B、2.5C、4D、直径答案：A204.稳压管DZ正向压降视为零，它的稳定电压为7V，则回路中的电流等于（）。A、0B、10mAC、25mAD、5.75mA答案：A205.由非氧化物组成的陶瓷材料有()。A、碳化硅B、氮化硼C、氧化硅D、氧化铜答案：B206.作为新型陶瓷的粉体，要求其()。A、团聚少B、化学组成精确C、纯度高D、组成分布均匀答案：A207.生产、经营、储存、运输、使用危险化学品和处置废弃危险化学品单位的对本单位危险化学品的安全负责A、保卫部门负责人B、安全部门负责人C、主要负责人D、经理答案：C208.氧化物陶瓷：主要成分是()。A、l2O4B、SiO2C、AiO2D、Al2O2答案：A209.腐蚀性液体溅到皮肤上，应该立即（）。A、用干布抹去B、用大量清水冲洗C、用绷带包扎患处D、请医生治疗答案：B210.陶瓷半导体化的方式有()。A、晶界偏析B、两端通电C、化学计量比偏离D、杂质缺陷答案：D211.氮化硅陶瓷具有()等性能特点。A、自膨胀B、自增强C、自增韧D、自润滑答案：C212.Bi-Sr-Ca-Cu-O超导陶瓷的临界温度()。A、39KB、73.5KC、100KD、200K答案：C213.下面关于导线模型的说法错误的是：()。A、若一个分布模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时（电压从0变化到50%）等于0.38RC。B、若一个集总模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时（电压从0变化到50%）等于0.69RC。C、对于短互连线的寄生效应来说，使用集总模型不再精确，因此比较合适的方法是用分布rc模型来代替。D、当分析导线的寄生效应时，先把每段导线的总导线电阻集总成一个电阻R，然后把总的电容合并成一个电容C，把这样的简单模型称为集总RC模型。答案：C214.电阻元件的功率越大，则体积就（）。A、越大B、关系不能确定C、无关D、越小答案：A215.氧化物陶瓷由那几个部分组成()。A、陶瓷材料B、氧化铝C、氧化铁D、碳化硅答案：B216.晶体管的三个工作区是()。A、截止区B、区域不定C、放射区D、放区答案：D217.BaTiO3具有的晶系包括()。A、四方晶系B、三方晶系C、立方晶系D、六方晶系答案：A218.若一导线宽为W，高为H，则对于较大的W/H，边缘场电容模型中的总电容可以近似为()，而当W/H小于1.5时，总电容中占主要部分的是()。A、平板电容；边缘电容B、平板电容；接地电容C、接地电容；边缘电容D、边缘电容；平板电容答案：A219.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。A、恒流区B、可变电阻区C、夹断区D、击穿区答案：A220.标识为2n2的电容器，其容值应该是()。A、0.22nFB、22nFC、2.2nFD、2.2pF答案：C221.摇表的两个主要组成部分是手摇（）和磁电式流比计。A、直流发电机B、电流互感器C、交流发电机D、三相异步电动机答案：A222.某三极管各电极对地电位的方位有所变动，如何判断该三极管()。A、处于放大区域B、处于饱和区域C、处于截止区域D、已损坏答案：D223.新型陶瓷是按照()进行分类的。A、成分B、结构C、工艺D、功能答案：D224.防静电的接地电阻要求不大于（）Ω。A、10B、40C、100D、定子及转子答案：C225.某三极管的额定功率是1W，使用时当该三极管的功率达到1.1W时（）。A、不会损坏B、不会损坏C、长期使用不会损坏D、长期使用会损坏答案：D226.生物活性玻璃与羟基磷灰石相比，()。A、成本高B、硬度不行C、传播更快D、成本更低答案：D227.随着电源电压的降低，反相器在过渡区的增益（）。A、不变B、增大C、不确定D、减小答案：B228.生物活性玻璃与羟基磷灰石相比，()。A、生物活性更好B、成本更低C、强度更好D、毒性更小答案：B229.氯气泄漏时，抢修人员必须穿戴防毒面具和防护服，进入现场首先要（）。A、加强通风B、切断气源C、切断电源D、寻找人员答案：B230.设计一种空调控制器电路板，需要多个0.25W，误差±5%的电阻，应该选用以下的()。A、金属膜电阻B、金属氧化膜电阻C、碳膜电阻D、线线电阻答案：C231.溶胶-凝胶法可以制备()等形态的产品。A、薄膜B、块体C、厚膜D、粉体答案：C232.属于配电电器的有（）。A、接触器B、熔断器C、电阻器D、定子和转子答案：B233.生物活性陶瓷是指()。A、能诱导骨骼生长B、生物相容性好C、本身具有生命D、以生命体作为原料的陶瓷答案：B234.非自动切换电器是依靠（）直接操作来进行工作的。A、外力(如手控)B、电动C、感应D、用其它设备带动答案：A235.相比于磁性金属材料，磁性陶瓷材料具有()等特点。A、损耗低B、居里温度低C、高频性能优秀D、磁化率高答案：B236.某三极管的额定功率是1W，使用时当该三极管的功率达到2W时（）。A、立即损坏B、长期使用会损坏C、不会损坏D、长期使用不会损坏答案：A237.晶体管是一个具有()（当|VGS||VT|时）的开关。A、有限关断电阻、无限导通电阻B、无限关断电阻、无限导通电阻C、有限关断电阻、有限导通电阻D、无限关断电阻、有限导通电阻答案：D238.当通过静态CMOS电路来实现逻辑功能时，PMOS器件串联相当于（）功能。A、与B、或C、或非D、与非答案：C239.二极管主要是利用其（）特性，可以在电路中充当电子开关。A、反向击穿特性B、单向导电性C、恒流特性D、非线性答案：B240.集成电路的导线会引起电容、电阻和电感等寄生参数效应，它们对电路的特性都会有多方面的影响，包括：()。A、影响电路的可靠性。B、引起额外的噪声来源。C、使传播延时增加。D、影响能耗和功率的分布。答案：A241.以下()可以作为永久磁体材料。A、尖晶石型B、磁铅石型C、石榴石型D、钙钛矿型答案：B242.当一个熔断器保护一只灯时,熔断器应串联在开关（）。A、前B、后C、中D、无答案：B243.下列新能源中属于二次能源的是()。A、热能B、核能C、生物质能D、太阳能答案：C244.下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：()。A、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。C、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。D、不同体偏置下条件下的阈值电压可以由下式确定：答案：B245.作为过压保护的压敏电阻，在性能上要求其()。A、耐磨性强B、非线性系数高C、反应速度快D、漏电流低答案：D246.普通电阻器被替换的原则是尽量保证（）一致。A、形状B、功率C、阻值D、阻值和功率答案：D247.碘钨灯属于（）光源。A、气体放电B、电弧C、热辐射D、粉色答案：C248.集成电路生产时的固定成本与销售量();可变成本是直接用于制造产品的费用，与产品的产量成()。A、无关；正比。B、有关；正比。C、无关；反比。D、有关；反比。答案：A249.蓄电池是将所获得的电能以0的形式储存,并能够将其转换成电能的电化学装置,可以重复充电和放电。A、机械能B、化学能C、动能D、势能答案：B250.氧化锌压敏电阻的压敏特性主要来源于其结构中的()。A、主晶相B、晶界C、气孔D、第二相答案：B251.关于高频阻波器的作用下列哪个叙述不对()。A、对高频载波电流阻抗很大B、对工频电流呈现的阻抗很大C、阻止高频电流的外流D、防止高频载波信号向母线方向分流答案：B252.某贴片电容的实际容量是0.022?F，换成数字标识是（）。A、221B、223C、222D、224答案：B253.根据三极管放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为()三种。A、共基极电路B、共发射极电路C、共集电极电路D、串联电极电路答案：A254.以下()的硬度比氧化铝陶瓷低。A、氧化锆B、氧化钙C、氧化镁D、氧化锌答案：C255.Na-β-A12O3可以用于制作成钠硫电池的()。A、导线B、电芯C、包裹材料D、隔膜材料答案：D256.焊料的成分主要是（）。A、铜，铅B、铜，锡C、铅，锡D、铝，锡答案：C257.六方氮化硼可以作为()的应用。A、材质硬度B、高温润滑C、导电D、传播度答案：B258.假设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、区域不定答案：B259.半导体二极管的重要特性之一是()。A、温度稳定性B、放大作用C、单向导电性D、滤波特性答案：B260.某场效应管的漏极特性曲线则该场效应管为（）。A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管答案：B261.差动放大电路的主要特点是()。A、有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B、既放大差模信号，又放大共模信号C、有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D、既抑制差模信号，又抑制共模信号答案：A262.关于氢能的特点错误的是()。A、氢能是取之不竭，用之不尽的。B、氢在燃烧时不产生污染物，是理想的绿色能源。C、碳纳米管在氢能的储运应用方面已经成熟。D、氢气释放能量快，反应速率常数高。答案：C263.发光二极管发光时，其工作在()。A、反向截止区B、正向导通区或反向击穿区C、正向导通区D、反向击穿区答案：C264.某电阻的阻值是20欧姆，误差范围是±5%，使用四色环标识时应是（）。A、棕红黑金B、红黑黑金C、红黑黑棕D、棕红红棕答案：B265.下列材料中,导电性能最好的是（）。A、铜B、铝C、银D、必须在电动机完全停转后才答案：C266.光电二极管正常工作时，外加()电压。A、反向B、正向C、直流D、击穿答案：A267.标识为2k7的电阻器，其阻值应该是()。A、2.7ΩB、27ΩC、270ΩD、2700Ω答案：D268.传统陶瓷与新型陶瓷的区别是()。A、性能不同B、结构不同C、材料不同D、以上说法都错答案：C269.关于煤炭液化表述错误的是()。A、是将固体状态的煤炭经过化学加工转化为液体产品。B、可以将硫等有害元素及灰分脱除，得到洁净的二次能源。C、能够优化能源结构、解决石油短缺、减少环境污染。D、可以得到更多的能量。答案：D270.以下()的粉体适合于新型陶瓷的生产。A、球形B、原型C、方形D、Y型答案：A271.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则()。A、1为e3为b2为cB、1为e2为b3为cC、2为e1为b3为cD、3为e1为b2为c答案：A272.烧结过程的驱动力是()。A、表面能不变B、表面能下降C、表面能增加D、以上都不是答案：B273.软磁铁氧体主要分为()。A、Mn-ZnB、Nn-ZNC、Mm-znD、Ni-Zn答案：D274.假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2，最小尺寸的对称反相器的输入电容等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻，那么它的逻辑努力（logicaleffort）为（）。A、4/3B、2/3C、5/3D、1答案：A275.以下()属于铁电陶瓷材料的主要应用。A、存储器B、滤波器C、加速器D、驱动器答案：D276.以下()在新型陶瓷的应用中所占比例最高。A、硬度B、速度C、电功能D、传播答案：C277.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（）。A、基本共射放大电路B、基本共集放大电路C、反相比例运算电路D、同相比例运算电路答案：D278.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。A、变小B、减少C、条件不全,无法判断D、增大答案：D279.以下不符合助焊剂要求的是（）。A、熔点应低于焊料B、不产生害气体C、表面张力小D、具有强腐蚀性答案：D280.压敏电阻主要的性能参数有()。A、压敏电压B、残压比C、非线性系数D、漏电流答案：A281.磷酸三钙作为生物可降解陶瓷的主要缺点是()。A、有毒副作用B、力学性能不好C、制备成本高D、降解能力不可调答案：D282.在分析大扇入逻辑门时，内部节点电容变得十分显著从而不能忽略，四输入NAND门及其RC模型，所有的NMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为RN，所有的PMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为RP，则其传播延时可以表示为（）。A、tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+4C)B、tpHL=0.69Rp(C1+C2+C3+C)C、tpHL=0.69RN(C1+C2+C3+C)D、tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+C)答案：A283.某场效应管的转移特性有特殊的功能，该管为（）。A、P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管答案：D284.从我国历史和国情出发,社会主义职业道德建设要坚持的最根本的原则是().A、人道主义B、爱国主义C、社会主义D、集体主义答案：D285.热释电红外探测器具有()的特点。A、体积小B、宽光谱响应C、功耗低D、价格便宜答案：C286.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压()。A、略大于150VB、等于75VC、约等于150VD、等于300V答案：B287.某色环电感的色环排列是“棕黑黑银”，此电感的实际电感量和误差是（）。A、10uH±2%B、10uH±5%C、10uH±10%D、1uH±10%答案：C288.陶瓷的抗压强度()抗拉强度。A、小于B、大于C、等于D、不确定答案：B289.在设计大扇入电路时，可以采取多种技术来降低其电路延时，以下不是降低延时的方法是（）。A、调整晶体管尺寸B、将关键路径上的晶体管调整至靠近门的输入端C、逐级加大晶体管尺寸D、变换逻辑来减少单个门的输入信号个数答案：B290.当设计一个高性能处理器时，我们需要考虑的数字电路的最基本的指标是（）。A、能量B、电路面积C、开关速度D、功耗答案：C291.当温度升高时，二极管反向饱和电流将()。A、增大B、减小C、不变D、等于零答案：A292.人员密集场所应划定安全疏散逃生责任区,确定各责任区（）,提高组织引导人员疏散和逃生的能力。A、治安管理员B、疏散引导员C、消防安全员D、消防志愿者答案：B293.对于陶瓷而言，以下()温度点的温度最低。A、熔点B、液相线温度C、烧结温度D、沸点答案：C294.现需要一种大容量且精度要求不高的电容器，应该选用以下的（）。A、电容B、铝电解电容C、涤纶电容D、云母电容答案：B295.氧化铝陶瓷用于哪些领域()。A、制造机械零件B、电子器件C、耐火材料D、耐磨答案：C296.以下哪种方法不能减小CMOS反相器的传播延时（）。A、减小扩散电容和互连线的电容B、增大输入电压VinC、适当增加晶体管的W/LD、适当增大VDD答案：B297.电动机在额定工作状态下运行时,（）的机械功率叫额定功率。A、允许输出B、允许输入C、推动电机D、降低启动电压答案：A298.互补输出级采用射极输出方式是为了使()。A、电压放大倍数高B、输出电流小C、输出电阻增大D、带负载能力强答案：D299.ZnO在软磁铁氧体中有()等作用。A、提高烧结温度B、提高损耗C、提高居里温度D、提高磁化强度答案：B300.二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而（）。A、增大B、减小C、不变D、为0答案：A301.下面关于MOSFET电容不正确的是：()。A、横向扩散xd是由工艺决定的，习惯上把它与每单位面积的栅氧电容相乘得到每单位晶体管宽度的覆盖电容。B、栅至沟道的电容CGC的大小以及它的划分取决于工作区域和端口电压。C、结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的。D、避免电路工作在阈值电压附近可以使线性电容具有较好特性。答案：C302.D2均为硅管（正向压降0.7V)，D为锗管（正向压降0.3V)，U＝6V，忽略二极管的反向电流，则流过D1、D2的电流分别为（）。A、2mA，2mAB、0，2mAC、2mA，0D、1mA，0答案：B303.用万用表测量1.9k的电阻，档位应该选择（）。A、2kB、15kC、5kD、1k答案：A304.发光二极管正常工作时，外加()电压。A、弱向B、击穿C、交流D、正向答案：C305.下列关于降低CMOS反相器的降低电源电压说法错误的是（）。A、降低电源电压使反相器对外部噪声源更加敏感。B、降低电源电压意味着减小信号摆幅和能耗。C、降低电源电压的同时会使门的延时减小。D、降低电源电压可以帮助减小系统的内部噪声。答案：C306.假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。A、tp=0.69ReqnCitpB、tp=0.69ReqpCitpC、tp=0.69(Reqn+Reqp)Ci/2tpD、tp=0.69(Reqn+Reqp)CL答案：C307.在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A、四价B、六价C、三价D、五价答案：D308.气敏陶瓷的主要应用领域是()。A、气体的分类B、气体的吸附C、气体的检测D、气体的提纯答案：C309.绝缘材料的耐热等级为E级时,其极限工作温度为（）℃。A、90B、100C、120D、3答案：C310.氧化物基金属陶瓷特性()。A、热稳定性B、抗氧化性C、抗热振性D、抗腐蚀性答案：C311.一个稳定电压UZ=3V的稳压管，随温度的升高，稳定电压UZ将（）。A、升高B、不变C、降低D、为零答案：C312.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的()。A、iEB、iCC、iBD、uCE答案：C313.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是()。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、A、B、C均可答案：C314.对放大电路进行调试，静态主要测试（）参数。A、放大倍数B、静态工作点C、输入电阻D、输出电阻答案：B315.人体消化道不包括：（）。A、口腔B、咽C、气管D、食管答案：C316.以下描述的是微波烧结的优点，正确的是()。A、整体加热B、选择性加热C、温度梯度从内到外D、快速加热答案：D317.关于一对串联反相器中的寄生电容，电容的大小随着工艺尺寸的缩小而增加的是（）。A、扩散电容CDB1和CDB2B、栅漏电容CGD12C、扇出的栅电容CG3和CG4D、连线电容CW答案：D318.在Si-Na2O-V2O5系湿敏电阻中，Si的作用是()。A、吸附水分B、烧结助剂C、提高寿命D、产生半导体效应答案：D319.在使用电容器时，加在其两端的电压应满足（）额定电压。A、大于B、远高于C、小于D、无限制答案：C320.以下具有较低韧性的氧化锆陶瓷是()。A、TZPB、ZTAC、FSZD、PSZ答案：C321.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是()。A、电阻阻值有误差B、晶体管参数的分散性C、晶体管参数受温度影响D、受输入信号变化的影响答案：C322.对裂变的链式反应加以控制，使核能平稳缓慢地释放出来的装置叫()。A、原子弹B、氢弹C、核电站D、核反应堆答案：D323.稳压管反向击穿后，其后果为（）。A、永久性损坏B、只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损C、由于击穿而导致性能下降D、击穿后损坏答案：B324.晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是()。A、共集电极接法B、以上都不是C、共基极接法D、共发射极接法答案：B325.以下()属于电介质陶瓷。A、热释电体B、压电体C、介电体D、铁电体答案：D326.碳材料作为惰性生物材料的优点有()。A、密度低B、韧性高C、硬度低D、模量低答案：A327.迈斯纳效应产生的条件是温度()临界温度A、低于B、等于C、远高于D、高于答案：A328.与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是()。A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真答案：C329.互补CMOS门中，M1与M2管为相同尺寸与同一工艺条件制造的NMOS晶体管，则M1管的阈值电压Vth1与M2管的电压Vth2的关系是（）。A、Vth1=Vth2B、Vth1C、确定D、Vth1>Vth2答案：B330.稳压管的稳压区是其工作在()状态。A、正向导通B、反向截止C、饱和D、饱和答案：D331.一般将（）V的电压作为安全电压。A、36B、12C、500D、220答案：A332.某电阻的色环排列是“绿蓝黑棕棕”，此电阻的实际阻值和误差是（）。A、5600KΩ±5%B、5.6KΩ±1%C、5600KΩ±1%D、5.6KΩ±5%答案：B333.铁氧体的主要成分包括()。A、氧化铁B、金属铁C、铁的复合氧化物D、金属铁和铁的复合氧化物答案：C334.煤、石油以及风能、太阳能、核能、地热能等是可以直接从自然界获得的，统称为（）。A、二次能源B、一次能源C、可再生能源D、不可再生能源答案：B335.测得三极管IB=30μA时，IC=2.4mA；IB=40μA时，IC=3mA，则该管的交流电流放大系数为()。A、60B、82C、104D、50答案：A336.生物陶瓷用于以下哪些领域()。A、医疗器械B、导电器C、金属探测器D、人工骨骼答案：A337.相比较生物活性玻璃，生物活性玻璃陶瓷()。A、强度更大B、毒性更小C、成本更低D、活性更好答案：A338.陶瓷的有（）的性能特点。A、熔点高B、硬度大C、耐磨损D、价格昂贵答案：A339.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。A、可获得较高增益B、可使温漂变小C、在集成工艺中难于制造大电容D、可以增大输入电阻答案：C340.下面关于优化功耗规则的说法错误的是：()。A、短路电流功耗可以通过使输入和输出信号的上升/下降时间匹配来达到最小。B、对于一个给定的反相器尺寸，当负载电容太小时，功耗主要来自短路电流。C、对于非常大的负载电容值，所有的功耗都用来充电和放电负载电容。D、使一个门的输入和输出上升时间相等可以得到最优的结果。答案：D341.当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将()。A、减少B、增变C、几乎为零D、反向答案：C342.温度稳定性最好的稳压管是（）。A、稳定电压UZ=6V的管子B、稳定电压UZ>6V的管子C、稳定电压UZD、稳定电压UZ答案：A343.以下不是助焊剂的作用的是（）。A、使焊点美观B、除去氧化膜C、防止氧化D、增大表面张力答案：D344.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。A、输入电阻高B、输出电阻低C、共模抑制比大D、电压放大倍数大答案：C345.面积较小的门往往较快并消耗()的能量，因为门的总电容常常随面积的减小而()。A、较少；增大B、较多；增大C、较少；减小D、较多；减小答案：C346.惰性生物陶瓷作为骨关节材料时，其硬度()。A、略小于骨骼硬度B、略大于骨骼硬度C、越硬越好D、必须等于骨骼硬度答案：B347.氮化硅陶瓷自增韧的特点来源于其陶瓷中含有()相。A、βB、αC、YD、Σ答案：A348.某电阻的色环排列是“灰红黑红棕”，此电阻的实际阻值和误差是（）。A、82KΩ±1%B、92KΩ±1%C、822KΩ±5%D、92KΩ±1%答案：A349.电容器在电路中用字母（）表示。A、DB、CC、LcD、B答案：B350.洁净煤技术，是指从煤炭()的全过程，旨在减少污染物排放与提高利用效率的生产、加工、转化、燃烧及污染控制等新技术体系。A、生产到使用的各个环节B、开采到利用的各个环节C、消费到回收的各个环节D、生产到消费的各个环节答案：B351.电压继电器使用时其吸引线圈直接或通过电压互感器（）在被控电路中。A、并联B、串联C、串联或并联D、灯泡不亮答案：A352.用CMOS管组合的两输入NAND门，若其中NMOS管的等效电阻为RN，PMOS管的等效电阻为RP，电容负载为CL，则当两输入都为高电平时其下拉传播延时可以近似为（）。A、0.69RNCLB、1.38RNCLC、0.69RPCLD、0.345RNCL答案：B353.地震时经常会遇到燃气泄露的情况，请问这种情况下正确的处理方法是()。A、用湿毛巾捂住口、鼻，不使用明火，震后设法转移B、原地等待救援C、用湿毛巾捂住口、鼻，使用蜡烛照明D、为了保持呼吸畅通，不捂口鼻答案：A354.地面上的绝缘油着火，应用进行灭火。A、水B、二氧化碳灭火器C、干砂D、风答案：C355.非铁电电容器的介电常数随着温度的变化呈现()的趋势。A、非线性变化B、不可预知C、线性变化D、保持不变答案：C356.单极型半导体器件是（）。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、半导体二极管答案：C357.电感器在实际使用中采用的基本单位是（）。A、HB、uHC、mHD、pH答案：B358.警告标志的含义是提醒人们对周围环境引起注意，以避免可能发生危险的图形标志。通常的外型是（）。A、带斜杠的圆形框B、圆形边框C、正三角形边框D、五角型答案：C359.用灭火器灭火时，灭火器的喷射口应该对准火焰的（）。A、上部B、中部C、根部D、顶部答案：C360.为了使三极管可靠地截止，电路必须满足()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结和集电结都反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结和集电结都正偏答案：B361.关于CMOS反相器的开关阈值VM，下列说法错误的是（）。A、提高NMOS的驱动强度将使开关阈值趋近于GND。B、开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比。C、一般希望开关阈值处于电压摆幅的中点。D、增加PMOS或NMOS的宽度使VM分别向GND或VDD移动。答案：D362.纳米技术是指在()尺度范围内研究电子、原子、分子和分子内在规律及特征，并用于制造各种特种的一门综合性科学技术。A、0.1--10nmB、0.1--10nmC、1--100nmD、1--100μm答案：C363.敏感陶瓷的通常是由()制成。A、陶瓷片B、隔膜材料C、电感元器件D、半导体答案：D364.湿度传感器的电阻值随环境湿度变化的关系特性曲线，称为()。A、响应时间B、感湿特性C、湿滞特性D、阻湿特性答案：B365.食物中毒后正确的做法是：（）。A、联系急救B、不紧不慢C、在家医治D、听天命答案：A366.固相合成法过程中，经过高温反应后通常还需进行()的工艺处理。A、碎屑B、球磨C、磁性陶瓷D、化学性陶瓷答案：B367.放大电路的三种组态()。A、都有功率放大作用B、都有电压放大作用C、都有电流放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用答案：A368.导电陶瓷的特点包括()。A、抗氧化B、抗磨损C、抗辐射D、抗腐蚀答案：A369.下面关于导线电阻的说法错误的是：()。A、一矩形导体的长为L，截面积为A，ρ为电阻率，则其电阻可以表示为R=ρL/AB、一个方块导体的电阻与它的绝对尺寸无关，导线电阻与方块电阻的关系是，R=Rs∗L/W。C、与如铜这样的材料相比，铝的电阻率较小，所以集成电路中最常用的互连材料是铝。D、导线的方块电阻可以表示为Rs=ρ/H。也叫做薄层电阻。答案：C370.以下哪个不是降低开关活动性的设计技术：()。A、分时复用资源B、提前输入具有较高翻转率的信号C、改变逻辑电路的拓扑结构D、通过均衡信号路径来减少毛刺答案：B371.准备测量数字电路中输入和输出共6路信号，选用（）仪器最好。A、四通道示波器B、逻辑分析仪C、数字万用表D、两通道示波器答案：B372.PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用D、可以调试答案：B373.铁电体在居里温度以上的相属于()。A、顺电相B、逆电相C、无电相D、铁电相答案：A374.与国外相比，我国生物质能技术存在较大的差距，但不包括()。A、生物燃料的规模化生产方面B、秸秆直接燃烧供热技术研究和设备开发方面C、厌氧消化产气率方面D、生物质发电技术和装置方面答案：A375.负反馈所能抑制的干扰和噪声是()。A、输入信号所包含的干扰和噪声B、反馈环内的干扰和噪声C、反馈环外的干扰和噪声D、输出信号中的干扰和噪声答案：B376.固相中形成超微粉体的好处()。A、成本低B、工艺简单C、散热好D、耐磨性最强答案：A377.从制造角度考虑,低压电器是指在交流50HZ、额定电压（）V或直流额定电压1500V及以下电气设备。A、400B、800C、1000D、600答案：C378.某色环电感的色环排列是“黄紫金银”，此电感的实际电感量和误差是（）。A、47uH±10%B、47uH±5%C、4.7uH±2%D、47uH±5%答案：B379.当使用互补CMOS门实现一个具有N个输入的逻辑门时，所需要的晶体管数目为（）个。A、2NB、2N+1C、4ND、N答案：A380.以下()是世界知名的电功能陶瓷的生产企业。A、TOTOB、FERROC、TDKD、京瓷答案：B381.对于可降解生物陶瓷，其降解速度最好()骨生长速度。A、等于B、约于C、大于D、无所谓答案：A382.用45S5作为骨连接材料是，一旦发生断裂，其断裂位置位于()。A、45S5上B、两者界面上C、随机出现D、人体骨骼上答案：A383.下列属于不属于新能源（）A、地热能B、风能C、水能D、生物质能答案：C384.铁壳开关在作控制电机启动和停止时,要求额定电流要大于或等于（）倍电动机额定电流。A、两B、一C、三D、四答案：A385.设某晶体管三个极的电位分别为UE=13V，UB=12.3V，UC=6.5V，则该管是为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管答案：D386.风力发电技术已经走向成熟，下列关于全球风电装机容量前五位的国家排序正确的是()。A、德国、西班牙、美国、丹麦、印度B、美国、德国、中国、日本、丹麦C、美国、西班牙、德国、中国、印度D、德国、中国、西班牙、印度、丹麦答案：A387.以下可以作为微波器件的是()。A、软磁铁氧体B、矩磁铁氧体C、旋磁铁氧体D、硬磁铁氧体答案：C388.标识为473的贴片电容，其容值应该是()。A、47∗102pFB、47∗103pFC、47.3pFD、473pF答案：B389.陶瓷有()的性能特点。A、硬度大B、弹性好C、韧性大D、熔点高答案：D多选题1.半导体分立器件的散热方式主要有？A、自然散热B、强制风冷C、水冷D、热管散热E、半导体制冷答案：ABCD2.在集成电路封装过程中，常见的封装形式有？A、DIP（双列直插式封装）B、SOP（小外形封装）C、BGA（球栅阵列封装）D、COB（板上芯片封装）E、TO（晶体管轮廓封装）答案：ABCD3.下列哪些参数是评估半导体分立器件性能的重要指标？A、反向击穿电压B、正向导通压降C、电流放大倍数D、封装尺寸E、频率响应答案：ABCE4.以下哪些设备是半导体分立器件和集成电路装调过程中常用的？A、晶圆切割机B、封装机C、测试机D、显微镜E、烧结炉答案：ABCD5.集成电路封装过程中的金丝球焊（WireBonding）主要用于哪些连接？A、芯片与引脚框架B、芯片与封装基板C、封装基板与引脚D、封装基板与散热片E、不同芯片之间的连接答案：AB6.下列哪些材料常用于集成电路的互连层？A、铝B、铜C、硅D、金E、钨答案：ABDE7.以下哪些属于集成电路微系统组装的关键技术？A、精密定位与对准B、微焊接技术C、三维封装技术D、可靠性测试与筛选E、电磁兼容性设计答案：ABCD8.集成电路按功能可分为哪几类？A、数字集成电路B、模拟集成电路C、混合信号集成电路D、微处理器E、存储器答案：ABC9.集成电路微系统组装中，常用的连接技术有哪些？A、焊接（如引线键合、倒装芯片焊接）B、压接C、粘接（如环氧树脂粘接）D、螺接E、插接答案：ABC10.在半导体分立器件和集成电路的筛选过程中，常用的无损检测技术包括？A、X射线检测B、红外热成像C、超声波扫描D、激光扫描显微镜E、电气性能测试答案：ABCD11.半导体材料的基本特性包括哪些？A、导电性介于导体和绝缘体之间B、具有热敏性C、具有良好的光学特性D、可通过掺杂改变导电类型E、具有良好的机械强度答案：ABD12.半导体分立器件的主要类型包括哪些？A、二极管B、三极管C、集成电路D、晶闸管E、场效应管答案：ABDE13.在集成电路装调过程中，需要关注的环境因素有？A、静电防护B、温度与湿度控制C、洁净度D、振动与冲击E、电磁干扰答案：ABCE14.半导体分立器件的可靠性测试通常包括哪些类型的测试？A、高温老化测试B、温度循环测试C、湿度偏置测试D、静电放电测试E、辐射测试答案：ABCD15.集成电路封装过程中需要控制的参数包括？A、引脚共面性B、封装体尺寸C、湿度敏感性等级（MSL）D、焊接强度E、内部缺陷检测答案：ABDE16.下列哪些因素会影响集成电路的封装质量？A、封装材料的选择B、封装工艺的控制C、封装环境的洁净度D、封装后的测试方法E、封装前的清洗工艺答案：ABCE17.半导体分立器件中，具有负温度系数的器件是？A、硅二极管B、锗二极管C、齐纳二极管D、热敏电阻E、光电二极管答案：AB18.在集成电路测试中，故障定位与隔离的方法包括？A、边界扫描技术B、红外热成像C、逻辑笔测试D、扫描链测试E、故障模拟与仿真答案：ADE19.半导体分立器件中的PIN二极管主要用于哪些应用？A、射频开关B、整流器C、稳压器D、光电探测器E、振荡器答案：AD20.半导体分立器件的封装形式主要有？A、TO系列（如TO-92,TO-220）B、SOP（小外形封装）C、BGA（球栅阵列封装）D、IP（双列直插封装）E、QFN（方形扁平无引脚封装）答案：ADE21.半导体分立器件的测试通常包括哪些阶段？A、晶圆测试B、封装前测试C、成品测试D、可靠性测试E、老化测试答案：BCDE22.集成电路设计中的EDA工具主要支持哪些设计阶段？A、需求分析B、原理图设计C、仿真验证D、布局布线E、物理验证答案：BCDE23.下列哪些因素会影响半导体材料的导电性能？A、温度B、掺杂浓度C、光照D、机械压力E、磁场答案：ABC24.半导体分立器件和集成电路测试中的静态参数测试包括？A、输入输出电压B、功耗C、延迟时间D、击穿电压E、增益答案：ABD25.半导体分立器件的可靠性测试通常包括哪些内容？A、高温存储测试B、温度循环测试C、湿度测试D、静电放电测试E、辐射测试答案：ABCDE26.在半导体分立器件的筛选过程中，常用的筛选方法有哪些？A、视觉检查B、电气测试C、X射线检查D、红外热成像E、激光扫描答案：ABC27.以下哪些是影响集成电路封装可靠性的因素？A、封装材