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文档简介

GeMOS界面钝化与MOSFET器件制备研究任务书任务书题目：GeMOS界面钝化与MOSFET器件制备研究任务概述：随着半导体技术的发展，MOSFET器件在集成电路中扮演越来越关键的角色。GeMOS是一种新型的MOSFET器件，它采用Ge材料作为衬底，实现高速，低功耗，强散热等多种优异性能。但同时，Ge衬底的高表面密度会带来电子表面态（DOS）的增加，从而影响MOSFET器件的电学性能和稳定性。因此，如何钝化GeMOS界面，提高MOSFET器件的性能，成为了我们需要进行研究的问题。具体任务：1.钝化GeMOS界面的原理2.采用E-beam蒸发技术，制备MOSFET器件3.测量器件的电学性能和稳定性，分析衬底和界面缺陷对器件性能的影响4.优化制备工艺，提高MOSFET器件的性能任务要求和考核：1.需要具备材料物理，固体电子学方面的基础知识，了解MOSFET器件的结构和电学性能。2.熟悉E-beam蒸发技术，具有制备MOSFET器件的实验经验。3.熟练掌握器件测试工具，如半导体分析仪等。4.能够独立思考和解决问题，具有良好的团队合作精神。5.书写清晰，结论明确，报告详细。参考文献：1.K.Rimetal.,“EffectivesurfacepassivationofaGemetal–oxide–semiconductorfield-effecttransistorusingadepositionmethodofathinatomic-layer-depositedAl2O3interfaciallayer,”J.Appl.Phys.,vol.125,no.4,2019.2.M.R.Visokayetal.,“ProgressongermaniumMOSFETs,”Solid-StateElectron.,vol.47,no.9,2003.3.郭洪涛等，数字集成电路CAD，北京：清华大学出版社，2012。任务执行时间：2个月任务执行地点：实验室任务经费预算：5000元任务组织者：XXXXX大学半导体研究所任务执行者：张三，李四，王五经费使用情况：用途|总预算（元）|使用情况（元）|结余（元）--|--|--|--仪器材料|4000|3800|200文献资料|800|700|100差旅费|200|0|200其他|1000|500|500总计|6000|5000|1000任务进度安排：时间|任务|负责人--|--|--第1周|调研材料，制定实验方案和进度安排|张三第2-4周|进行E-beam蒸发试验，制备MOSFET器件，并测试性能|李四第5-6周|分析实验结果，进行数据处理，撰写实验报告|王五任务完成标准：1.完成实验方案，制备符合要求

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