《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》及编制说明书

1车身域控制器场效应管负载能力试验方法本标准规定了乘用车及电动车车身域控制器场效应管的选型使用、技术要求、试验方法、检验规范；本标准适用于比亚迪品牌及其所属品牌所有乘用车及电动车及其对应车身域控制器选型使用、技术要求、试验方法、检验规范，其他品牌的的乘用及电动车对应车身域控制器场效应管可参照此标准。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单一）适用于本文件。GB/T191—2008包装储运图示标志GB/T5465.2—2008电气设备用图形符号第2部分：图形符号GB/T30512-2014汽车禁用物质要求GB/T2900.32-1994电工术语电力半导体器件GJB3164-1998半导体分立器件包装规范IEC60191-6-2009半导体器件的机械标准化-第6部分表面安装的半导体器件封装外形图纸制备的一般规则(MechanicalStandardizationofSemiconductorDevices-Part6:GeneralRulesForthePreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages)IEC60747-82021半导体器件-分立器件-第8部分：场效应晶体管(Semiconductordevices–Discretedevices–Part8:Field-effecttransistors)JESD51-1集成电路的热测试方法(IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod)JESD51-14一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法(TransientDualInterfaceTestMethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductorDeviceswithHeatFlowThroughaSinglePath)AEC-Q101-Rev–E基于分立半导体应力测试认证的失效机理(FailureMechanismBasedStressTestQualificationForDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications)3术语和定义功率MOSFETMOSFET是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的缩写，中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种单极型器件，具有栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source），简称金氧半场效晶体管或MOS管。3.2NMOSN型金属-氧化物-半导体（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET导电沟道为N2型，通过电子移动导电，主回路电流方向为漏极指向源极，导通条件为VGS有一定的压差（G电位比S电位高），Source端一般接地（低边驱动）。3.3PMOSP型金属-氧化物-半导体（P-typemetaloxidesemiconductorP型功率MOSFET导电沟道为P型，通过空穴进行导电，主回路电流方向为源极指向漏极，导通条件为VGS有一定的压差（S电位比G电位高），Source端一般接VDD（高边驱动）。3.4栅极Gate，简称G极。MOS管的控制端。在G极施加驱动电压可控制MOS管开启、关闭。3.5源极Source，简称S极。源极是控制栅极电场的参考点。改变栅极和源极之间的电压，可控制源极和漏极之间的电流流动。3.6漏极Drain，简称D极。相对于源极，是电流流经的另一个端口。对于N型功率MOSFET，电流方向为漏极指向源极，对于P型功率MOSFET，电流方向为源极指向漏极。3.7TCTemperatureCycling，高温与低温循环交替作用下测试器件机械应力。3.8绝对最大限值-VDS耐压VGS=0V时，漏源两极未发生击穿前所能施加的最大电压。为确保MOS管的功能正常，在漏源两极施加的电压，应控制在此电压值范围内。3.9绝对最大限值-VGS耐压栅源两级间可以施加的正负最大电压。为确保MOS管的功能正常，在栅源两极施加的电压，应控制在此电压值范围内。3.10绝对最大限值-持续带载ID指在MOS管壳温为25℃或者更高温度，保证MOSFET不超过其最大额定结温的条件下，可通过的最大持续直流电流。如果流过的电流超过该值，会有MOS管击穿的风险。3.11绝对最大限值-脉冲带载IDM在一定脉冲条件下（规格书标识），MOS管的漏极能承受的最大脉冲电流值，并在此冲击后MOS的功能和性能正常。此参数会受脉冲宽度和占空比等的制约，反映了器件可处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流，超过此值，管子面临损坏。绝对最大限值-雪崩电流IAS在MOS管关断时，由于系统电路中存在寄生电感，寄生电感中所存储的能量需要通过MOS管以雪崩击穿的形式进行泄放，其可承受的最大电流，超过此值，MOS管面临损坏。3.13绝对最大限值-雪崩能量EASEAS表示MOS管可承受的最大单次脉冲雪崩击穿能量值。雪崩击穿能量决定了MOS可以容忍瞬间3承受雪崩电流的安全值。绝对最大限值-结温TJTJ(结温)(JunctionTemperature)，指MOSFET芯片内部PN结的温度。其受MOSFET工作时所能承受的最高温度限制，超过这个温度可能会导致器件性能下降、损坏甚至失效。3.15绝对最大限值-结温TSTGTSTG是指存储或运输MOSFET的温度范围，是存储的限定温度值。MOS管在此温度范围内储藏后对MOS的功能、性能不受影响。3.16绝对最大限值-耗散功率PDPD表示最大耗散功率，是指MOS管的功能和性能正常时所能承受的最大漏源耗散功率。其计算公式为：PD=，其中RθJC代表结-壳热阻。3.17电气特性-击穿电压V(BR)DSS指在规定的温度和栅源短接情况下，在漏源两极施加电压，当漏源电流达到规定值时的漏源电压值。3.18电气特性-漏源漏电流IDSS指在规定的温度和栅源短接情况下，在漏源两极施加电压所产生的漏源电流。3.19电气特性-栅极漏电流IGSS指在规定的温度和漏源短接情况下，在栅源两极施加电压所产生的栅源电流。3.20电气特性-阈值电压VGS(th)指在规定的温度和栅漏短接情况下，在栅源两极施加电压，当漏源电流达到一定值时的栅源电压值。VGsth是负温度系数，当温度上升时，MOS的栅源阈值电压会降低。3.21电气特性-导通内阻RDS(ON)指在规定的温度和栅极驱动电压下，当漏源电流达到特定值时，所测得的漏源电阻。3.22电气特性-跨导GFSGFS表示正向跨导，漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值，反映的是栅极电压对漏源电流控制的能力。3.23电气特性-体二极管导通压降VSD指在规定的温度和栅源短接的情况下，在源漏两端施加电压，当源漏电流达到一定值时，所测得的源漏两极的压降。3.24电气特性-体二极管带载电流IS指在规定的温度和栅源短接的情况下，流经源漏两端的最大可承受电流。超过该规定值时，MOS管功能、性能会下降。3.25结电容43.25.1输入电容Ciss漏极对源极交流短路时，栅极与源极之间的电容。3.25.2输出电容Coss栅极对源极交流短路时，漏极和源极之间的电容。3.25.3反向传输电容Crss漏极和栅极之间的电容。3.26栅极电阻Rg栅极和源极之间的内部电阻值。3.27栅极电荷3.27.1栅极总电荷量Qg使栅极电压从0V上升到指定电压所需要的栅极电荷量。3.27.2栅极-源极电荷量Qgs使栅极电压从0V上升到栅极稳定电压(米勒平台)所需要的电荷量。3.27.3栅极-漏极电荷量Qgd米勒平台开始到结束所需的电荷量。3.28开关时间3.28.1导通延迟时间td(on)栅极电压上升到设定电压的10%后，到漏极电压下降到设定电压的90%之间的时间。3.28.2关断延时td(off)栅极电压下降到设定电压的90%后，到漏极电压上升到设定电压的10%之间的时间。3.28.3上升时间tr漏极电压从设定电压的90%下降到10%所需要的时间。3.28.4下降时间tf漏极电压从设定电压的10%上升到90%所需要的时间。3.29反向恢复时间trr指定测量条件下，内部二极管的反向恢复电流消失所需要的时间。3.30反向恢复时间Qrr指定测量条件下，内部二极管的反向恢复电流消失所需要的电荷量。3.31FR4材质FR4材质是一种火焰阻燃级别为4的玻璃纤维增强环氧树脂材料的简称，具有较高阻燃性能。此种材料是由玻璃纤维布浸渍环氧树脂后，再覆上铜箔加工而成，常被用作PCB基板材料。其中FR4全称为FlameRetardantGrade4，是一种阻燃型环氧玻璃布基覆铜板的等级标准，根据国际电工委员会（IEC）标准，FR-4级别为4表示材料的垂直燃烧速率小于或等于30毫米/分钟。3.32可靠性项目术语及定义（AEC-Q101）应符合表1的规定。5表1可靠性项目术语及定义序号缩略语全称中文说明1ACAutoclave高温蒸煮试验2WBPWireBondPullStrength键合拉力强度3WBSWireBondshearstrength键合剪切力强度4DPADestructivePhysicalAnalysis破坏性物理分析5DSDieShear芯片剪切力强度6DIDielectricIntegrity电介质完整性7ESDElectrostaticDischarge静电放电8HASTHighlyAcceleratedTemperatureandhumidityStressTest高加速温度和湿度应力试验9H3TRBHighHumidityHighTemp.ReverseBias高温高湿反偏试验HTGBHighTemperatureGateBias高温栅极偏置试验HTRBHighTemperatureReverseBias高温反偏试验IOLIntermittentOperationalLife间断性工作寿命MSMechanicalShock机械冲击PCPreconditioning预处理PDPhysicalDimension物理尺寸PVParametricVerification参数认定RSHResistancetoSolderHeat耐焊性RTSResistancetoSolvents耐溶解性Solderability可焊性20TCTemperatureCycling温度循环21TCDTTcDelaminationTest温度循环分层测试22TCHTTemperatureCyclingHottest温度循环热测试23TSTerminalStrength端子强度24TRThermalResistance热阻25UISUnclampedinductiveSwitching非钳位电感开关26WBSWireBondShear键合剪切力4分类、参数要求及封装4.1产品分类4.1.1按导电沟道类型分类产品导电沟道类型可分成如下两类：6车身域使用的控制器场效应管按照导电沟道类型分类一般分为以下两类：a）N沟道场效应管b）P沟道场效应管相关定义参考3.2，3.3相关内容。4.2产品标记封装信息在此封装信息中，MOS的各项物理参数都可以找到对应值，包括长、宽、高、引脚尺寸、引脚间距、焊盘尺寸等具体数值及公差，封装丝印信息，应显现厂家、型号、生产批次、极性或方向，丝印内容应清晰，完整，无模糊，缺划，重影等现象。4.3参数要求不同品牌提供产品规格书参数部分应包含：绝对最大限制，电气特性，热阻特性及封装信息。格式允许不同。5技术要求5.1参数描述符号描述要求应符合表2，关键参数选用要求应符合表3。表2符号描述要求符号描述(3)S4GGateDDrainSSource表3关键参数选用要求项目标号范围单位Drain-SourceVoltage漏VDSV压VGSVGateThresholdVoltVGS(th)V7DrainCurrent-ContinuousAAPulsedDrainCurrent流IDMADrain-SourceOn-StateResRDS(ON)MaximumPowerDissipatioPDWSinglepulseavalanchEASTJ,TSTG℃RθJCThermalResistance,Junctambient(Note2)结到环境的热阻RθJA4.VDS=VGS,ID=250μA5.1.1电气特性-动态特性一般规格书中涉及的动态特性参数包括结电容、栅极电荷、开关时间等，具体如下：结电容(Ciss、Coss、Crss)：(1)输入电容Ciss：在漏、源两极施加一定电压，栅、源两极施加一定幅值的交流信号时，测出的栅、源两极的内部电容，即Ciss=Cgs+Cgd,且Cgs>>Cgd,当Ciss(主要指Cgs)两端电压差达到阈值电压VGS(th)时，MOS管才会趋向导通，即MOS管的开启、关断时间是由Ciss充电、放电时间决定的。在实际电路应用中，降低驱动电路的输出阻抗，提高驱动电流，提高Ciss的充放电速度，才能加快MOS的导通、关断时间。(2)输出电容Coss:栅、源两极电压为零，漏、源两极施加一定幅值的交流信号时，测出的漏、源两极的内部电容，即Coss=Cds+Cgd。在实际电路应用中，Coss可能会引起电路的谐振。(3)反向传输电容Crss:在源极接地时，漏、栅两极施加一定幅值的交流信号时，测出的漏、栅之间的电容，也称为米勒电容，即Crss=Cgd。此参数影响MOS的开启、关断延时以及上升、下降时间。8(4)栅极电阻Rg：MOS管栅极内部寄生电阻。SiO2Source·CgsRgGate·SourceRwp+Cgdp+dn-s-nn+n+DrainD S图1MOS内部结构示意图图2符号示意图栅极电荷(Qg、Qgs、Qgd)(1)栅极总电荷量Qg：指对Ciss充电，栅极电压由0V达到一定驱动电压VGS所需的总电荷量；(2)栅-源电荷量Qgs：指对Ciss充电，栅极电压由0V达到米勒平台所需的电荷量；(3)栅-漏电荷量Qgd：指对Crss充电，米勒平台开始到结束所需的电荷量；Qg的大小与栅极电压有关，Qgs的大小与漏极电流有关，Qgd的大小与漏源电压有关。通常MOS规格书中此值的测试条件为：Vgs=10V,Vds=耐压的50%，Id与Rdson电流一致。开关特性一般规格书中涉及的开关特性参数有如下：(1)导通延时td(on):是指从VGS电压上升到设定电压的10%时到VDS电压下降到设定电压的90%时经历的时间，或者指从VGS电压上升到设定电压的10%时到ID电流上升到设定电流的10%时经历的时间。(不同厂商判断条件不同)(2)关断延时td(off):是指从VGS电压下降到设定电压的90%时到VDS电压上升到设定电压的10%时经历的时间，或者指从VGS电压下降到设定电压的90%时到ID下降到设定电流的90%时经历的时间。(不同厂商判断条件不同)(3)上升时间tr:是指VDS电压从设定电压的90%下降到10%时经历的时间，或者指ID电流从设定电流的10%上升到90%时经历的时间。(不同厂商判断条件不同)(4)下降时间tf:是指VDS电压从设定电压的10%上升到90%时经历的时间，或者指ID电流从设定电流的90%下升到10%时经历的时间。(不同厂商判断条件不同)(5)trr、Qrr:表示体二极管的反向恢复时间，反向恢复电荷量。是指在规定的测试条件下，内部寄生二极管的反向恢复电流消失所需要的时间、电荷 Q QgsQgdQQgttttttttttttd图3电荷量与Vgs的示意图图4Vds与Vgs的示意图d95.1.2热阻特性一般规格书中涉及的热阻特性有两种，如下：(1)RθJA：表示MOS管内部结到外部工作环境的热阻，指(结温TJ-工作环境温度TA)与功率之比。(2)RθJC：表示MOS管内部结到外壳的热阻，指(结温TJ-壳温Tc)与功率之比。θjtθjc图5MOS热阻测试原理图5.1.3封装信息在此封装信息中，MOS的各项物理参数都可以找到对应值，包括长、宽、高、引脚尺寸、引脚间距、焊盘尺寸等具体数值及公差。5.1.4散热性能要求表4散热性能要求参数符号单位注释结-壳热阻RӨJC°C/W结-环境热阻RӨJA°C/W注释(表中热阻限值适用于封装尺寸不大于5mm*6mm)：结-壳热阻(RӨJC)RӨJC结-壳热阻是由芯片至漏极的壳面焊锡封固面层的热阻所决定。结-环境热阻(RӨJA)RӨJA结-环境热阻是由芯片至漏极的壳面焊锡封固面层的热阻再至环境所决定的。RӨJA一般基于1平方英寸、2盎司敷铜的FR4板上测得，不同的板材和测试环境对RӨJA测试结果有较大的影响。5.2外观要求5.2.1外观质量要求车身域控制器用场效应管外观质量要求应符合表5规定。表5外观质量要求5.2.2尺寸规格及偏差车身域控制器用场效应管一般选用PDFN5×6-8L封装，选用时提供尺寸允许偏差应符合表6规定，相关内容不少于以下信息。表6尺寸允许偏差表E1EE1EeΦ1Φ1TopViewEFTopViewEFLE3E2E4DE3E2E4——2xD2D1 A1AFbVIEW"A"Max10°BottomAFbVIEW"A"Max10°SideViewSymbolCommonDimensions（参数描述）Millimeters（公制）Inches（英制）Min.最小Nom.正常Max.最大Min.最小Nom.正常Max.最大A0.9000.0350.0390.045A10.000---0.0500.000---0.002b0.2460.2540.3500.0100.0100.014C0.3100.4100.5100.0120.0160.020d1.27BSC0.050BSCD4.9505.0505.1500.1950.1990.203D14.0004.1004.2000.1570.1610.165D20.125REF0.005REFe0.62BSC0.024BSCE5.5005.6005.7000.2170.2200.224E16.0506.1506.2500.2380.2420.246E23.4253.5253.6250.1350.1390.143E30.250REF0.010REFE40.275REF0.011REFF--0.100--0.004L0.5000.6000.7000.020.020.03L10.6000.7000.8000.020.030.03K1.225REF0.05REF注：TopView：俯视图(电路正面)；BottomView：底视图(电路反面)；SideView：侧视图(电路侧面)。6检测方法6.1通用性能检测6.1.1检测环境检测环境条件分为基准条件和一般条件，具体参数应满足表7的要求。一般情况下，基准条件下的试验结果更具备代表性。50～10650～106/6.1.2试样处理试样处理应满足以下要求：a)按车规标准验证：验证数量3个批次，每个批次77颗；不同项目具体参考表8。b)应对试样进行静电防护，避免损坏器件影响检测结果。c)无特殊要求样品应贴装于FR4材质，1平方英寸2oZ铜皮的印刷电路板上进行实验。6.1.3实验框图DNMOSGSDNMOSGSPMOSGDPMOSGDS图6晶体管特性测试仪DSGS直流可调电源示波器电流探头直流可调电源SPMOS电压探头GD电子负载图7内阻测试布局图G电子负载数字多用表点温计PMOS点温计直流可调电源 G D图8VSD测试LHSWIDIDIDDUTRGV(BR)eff图9雪崩测试电路图6.1.4验证流程应符合图10的规定。6.1.5通用测试应符合表8规定。表8通用测试参数序号项目测试方法要求备注1V(BR)DSS极间电压即为VBRDSS2IDSS3VGS(th)开启电压极间电压即为VGS(th)4IGSS），5BVGSSBVGSS6部分MOSFET受限封装限制，标称电流小于理论计算值7RDS(on)8VSD9参考图9，雪崩测试电路图供参考，开通MOS后，电源给电感L充电到规定的电流Io后，关断MOS，同时HSW高速开关断开电源，电感L的电流不能突变，使MOS强制通过电流，MOSD、S产生远超耐压值的电压。EAS=0.5*Io2L一致，所以验证时需要按照规格IDMIDM脉冲电流，MOSFET能正常开关，功能正常。6.1.6可靠性试验参考AEC-Q101标准，应按照表9的实验方法进行试验。表9可靠性项目、试验方法及要求预处理PCA11G,S适用于A2、A3、A4、SMD部件零缺陷JEDEC/IPCJSTD-020JESD22-A-113仅在测试A2、A3、A4、A5和C8之前对表面贴装器件进行测试。PC前后均需要测试，任何零件的更换都需要有报告。高加速应力HASTA21D,G,U,773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-110TA=130°C/85%RH下96小时，或TA=110°C/85%RH下264小时，反向偏压在80%额定电压下达到腔内发生电弧的电压，典型为42V)。HAST前后需测试。高温高湿反偏老化H3TRBA2alt1D,G,U,773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-101TA=85°C/85%RH下1000小时，反向偏压在80%额定电压下最大值为100V或腔室限定）。H3TRB前后需测试。不加电高速应力UHASTA31D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-118,orA101TA=130°C/85%RH下96小时，或TA=110°C/85%RH下264小时。UHAST前后需测试。高温蒸煮ACA3alt1D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-10296小时，TA=121°C，RH=100%，15psig。AC前后需测试温度循环TCA41D,G,U,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-104AEC-Q101附录61000次循环(TA=最低结温-55°C至最高额定结温，不超过150°C)。使用TA(max)=25°C，超过部分最大结温或在最大结温高于150°C时使用TA(max)=175°C，可以将试验缩短至400个周期。TC前后需测试。如果产品RDSon≤2.5mΩ。试验后允许≤0.5mΩ的变化量；间歇寿命IOLA51D,G,P,T,U,W,3773附注B零缺陷MIL-STD-750Method1037参照表A所示的每个时间周期进行测试，TA=25℃,部件加电确保△TJ≥100℃（不超过最大额定结温）。IOL前后需测试。表A:△TJ≥100℃△TJ≥125℃15000cycles7500cycles如果产品RDSon≤2.5mΩ。IOL试验后允许≤0.5mΩ的变化功率温度循环PTCA5alt1D,G,T,U,W773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-105如果IOL加电后△TJ无法达到100℃,则采用PTC试验参照表A中的时间要求，按指定时间周期进行试验，部件供电和腔内温度循环确保△TJ≥100℃（不超过最大额定结温）。PTC前后需测试。如果产品RDSon≤2.5mΩ。PTC试验后允许≤0.5mΩ的变化。注：“alt”表示选择执行同一个测试的一个或多个。高温反偏B11D,G,K,P,U,3773附注B零缺陷MIL-STD-750-1在额定最大直流反向DC电压下工作1000H，同时调节结温以避免热失控（Ta要根据漏电损耗做调整）。HTRB前后需测试。高温栅偏HTGBB21D,G,M,773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-108在指定TJ下1000小时，栅极偏置在元件开关时最大额定电压的100%，将TJ提高25℃可以缩短时间至500H，HTGB前后需测试。破坏性物理分析C11D,G21附注B零缺陷AEC-Q101-004第4节在已完成的H3TRB或者HAST，和TC后样品中随机抽样部件物理尺寸PDC22G,N301零缺陷JEDECJESD22-B-100验证实际物理尺寸是否符合用户的零件包装公差尺寸和公差规范键合线推拉力WBPC33D,G,E最少5个部件10根线零缺陷MIL-STD-750-2Method2037适用于Au/Al线AEC-Q006适用于铜线条件C或D，对于Au线直径>1mil的，满足最小拉力TC=3克，对于Au线直径<1mil的，参照MIL-STD-750-2中方法2037，且应拉力点在球键上方而不是在线中间键合线剪切力WBSC43D,G,E零缺陷AEC-Q101-003JESD22B116有关验收标准和如何进行测试的详细信息，对于铜线，参照JESD22-B116芯片剪切力C53D,G51零缺陷MIL-STD-750-2Method2017还需进行工艺变更前后的比较，以便根据AEC-Q101-表3中C5测试项目评估工艺变更稳定性端子强度TSC62D,G,L301零缺陷MIL-STD-750-2Method2036仅评估通孔引线部件的引线完整性耐溶解性RTSC72D,G301零缺陷JEDECJESD22-B-107验证标记的持久性（激光达标或无标的部件不适用）耐焊接热RSHC82D,G301零缺陷JEDECJESD22-A-111(SMD)orB-106(PTH)在测试期间，SMD部件应完全浸没在焊锡中，按MSL等级进行预处理。RSH前后需测试热阻TRC93D,G1零缺陷JEDECJESD24-3,24-4,24-6视情况而定需要进行工艺变更前后的比较，以评估工艺变更的稳健性。测量TR以确保符合规范，并提供工艺变更比较数据易焊性C102D,G1附注B零缺陷JEDECJ-STD-002放大倍率50X，参考焊料条件见AEC-Q101-表2B，对于通孔部件应用测试方法A，对SMD部件应用测试方法B或者D。外观检验E01G,N所有合格部件零缺陷JEDECJESD22-B101检查部件结构、标记和外观工艺应力试验前后测试TESTE11G,N所有合格部件均按相应零件规范要求进行测试零缺陷AEC-Q005在室温按照适用的应力参考标准规范进行测试参数认定E21N253附注A-MIL-STD-750-2Method2006根据用户规格在器件温度范围内测试所有参数，以确保符合规格ESDHBMESDHE31D301-AEC-Q101-001ESD前后需测试。ESDCDMESDCE42D301-AEC-Q101-005如果封装不能保持足够的电荷来进行此实验，供应商必须文件说明。ESD前后需测试。非钳位电感开关UISE53D51零缺陷AEC-Q101-004第2节根据测试AECQ101-表3的E5测试项目，还需要进行工艺变更前后的比较，以评估工艺变更的稳健性。(仅限功率MOS和内部箝位IGBTs)。短路特性SCE63D,P3附注B零缺陷AEC-Q101-006仅适用于带保护功能的电源部件。注：“备注”列字母和数字所代表的含义见如下：ABDEGKLMNST对于参数验证数据，有时可能用户只要求进行一批LOT的验证，如果后续用户绝对使用前一个用户的资格认证数据，后续用户将负责验证所使用的批次数量是否可接受。如果提供的是通用（产品族）数据而不是专项器件的数据，则需要3批通用或专项器件的数据。破坏性试验，试验零件不得重复用于鉴定或者生产。确保每个线材的尺寸都在样本中体现出来。允许通用数据，参考AEC-Q101第2.3节。不适用于稳压器。仅适用于MOS/IGBT部件。无损检测，试验零件可以重复用于鉴定或者生产。仅适用于电压稳压器。仅适用于表面贴装器件。当测试二极管在间歇OP寿命条件下时，100℃结温可能无法实现，如果这种情况存在，应使用功率温度循环(A5alt)测试代替间歇工作寿命(A5)，以确保适当结温变化。对于如下测试，可以使用未成形的含铅封装(如IPAK)来验证等效封装中的新模具(如DPAK)，只要模具尺寸在等U效封装的合格尺寸范围内。1内部键合线直径≤5mil的MSOFET部件。2试验A4A和A4Aalt不在铜丝焊产品上执行，相反其应遵循AEC-Q006中的要求。3按照AEC-Q006对铜线合格零件的要求。6.1.7有害物质限量按GB/T30512-2014汽车禁用物质要求。7包装、贮存、标识要求7.1防静电按有关约定进行，包装内应有产品的合格证及标签。7.2包装标签上至少应有以下标识：a)产品名称；b)生产厂商；c)产品数量；d)执行标准；e)产品性能等级；f)生产批号规格及检验号代号；g)环保标记RoHS、Pd；h)湿敏等级；i)ESD敏感标识。7.3产品在运输过程中，应避免磨损、日光曝晒及雨淋受潮。7.4产品应贮存于避光、干燥、阴凉的环境。8标准实施的过渡期要求本标准无过渡期要求，自实施之日起执行。项目名称：车身域控制器场效应管负载能力试验方法计划项目代号：深自动化函〔2024〕1号主要起草单位：比亚迪汽车工业有限公司《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》1.任务来源根据深自动化函〔2024〕1号文“关于《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》等两项团体标准立项及征集参编单位的通知”，《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》团体标准于2024年7月25日立项，并在全国团体标准信息平台()进行了公示。2.工作组情况《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》由比亚迪汽车工业有限公司牵头编写。邀请苏州纳芯微电子股份有限公司、拓尔微电子股份有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司等共同参加。工作组具体分工如下。节序主要内容标准编制任务分工1范围（两至四行）比亚迪，长晶2规范性引用文件（引用国标、地标、行标及ISO,ITU,IEC,IEEE等）长晶3术语和定义新洁能4分类、参数要求及封装扬杰5技术要求士兰微，捷捷微6检测方法士兰微7包装、贮存、标识要求（约十行）长晶8标准实施的过渡期要求（一行）9前言（一页）比亚迪，长晶3.国内外情况国内汽车电子行业迫切需要建立和完善相关的标准化体系，以规范产品研发、生产和质量控制过程。本标准面临着推动国内汽车电子行业标准化、满足国内外市场对高性能电子元件需求、与国际标准接轨以及支持国家新能源汽车和智能网联汽车发展战略等多重任务。（1）国内情况：国内汽车行业正在快速发展，对于车身域控制器中使用的场效应管的可靠性和性能要求越来国内尚缺乏统一的测试标准和规范，特别是针对车身域控制器场效应管负载能力的试验方随着电动汽车和智能网联汽车技术的发展，对于高性能电子元件的需求日益增长，迫切需要建立相应的标准来指导产品研发和质量控制。（2）国际情况：国际上，汽车电子领域已经有了一系列成熟的标准，如AEC-Q101，这些标准对汽车电子元件的可靠性和性能提出了明确要求。国际市场对汽车电子元件的质量要求严格，国内企业要进入国际市场，需要符合这些国际标随着全球供应链的整合，国内企业在研发和生产过程中需要与国际标准接轨，以满足不同市场的需求。（3）市场需求：国内外市场对高性能、高可靠性的车身域控制器场效应管的需求不断增长，尤其是在新能源汽车和智能驾驶技术领域。市场对电子元件的质量和性能要求日益严格，需要通过标准化的测试方法来确保产品满足这（4）政策支持：国家对新能源汽车和智能网联汽车的发展给予了政策支持，这为相关电子元件的研发和标准化提供了良好的环境。4.制订的基本原则本标准的制定工作遵循“科学实用、引导规范”的原则。1.标准主要内容本标准为车身域控制器场效应管的设计、制造、测试和使用提供了一套完整的技术规范和测试方法，以确保产品的质量和可靠性。计划周期为2024年7月至12月。标准编制内容包括：（1）标准范围：规定了乘用车及电动车车身域控制器场效应管的选型使用、技术要求、试验方法、检验规（2）规范性引用文件：列出了本标准应用时必不可少的相关文件，包括国家和国际标准。（3）术语和定义：明确了功率MOSFET、NMOS、PMOS、栅极、源极、漏极等术语的定义。（4）分类、参数要求及封装：根据导电沟道类型将产品分为N沟道场效应管和P沟道场效应管。提供了产品标记、封装信息和参数要求。（5）技术要求：描述了场效应管的参数描述、电气特性、热阻特性和封装信息。包括了对动态特性（如结电容、栅极电荷、开关时间）、热阻特性和散热性能的具体要求。（6）检测方法：规定了通用性能检测的检测环境、试样处理、实验框图和验证流程。提供了通用测试和可靠性试验的具体测试方法和要求。（7）包装、贮存、标识要求：规定了产品的包装、贮存和标识要求，包括防静电措施、包装标签内容、运输和储存条件。（8）标准实施的过渡期要求：说明本标准无过渡期要求，自实施之日起执行。2.标准制订的基本过程2024年2-6月，比亚迪汽车工业有限公司收集有关技术和标准情况，依据自主技术，提出团体标准项目申请。2024年7月15-25日，深圳自动化学会标准工作委员会经过提前酝酿，召开《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》团体标准立项评审会，经与会专家认真的评议和讨论，认为：该项标准立项必要性充分，申报单位具有相应的技术储备，标准编制方案可行，符合深圳自动化学会团