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文档简介

载流子向缺陷态相对吸收谱红移.源于：强发射声子过程；载流子向缺陷态,表面态中驰豫.14．8禁带之上.临界点间跃迁①临界点

原因:△球半径分布

△光子与声子耦合比体材料强.△杂质、表面态、界面态影响.减小,激子吸收频率兰移.振子强度f用垂直线高度表示.发光谱CB和VB的极大值、极小值或鞍点.E极小;中一个正,两个负,鞍点;中一个负,两个正,鞍点;E极大.临界点一般位于k空间高对称方向.②DOS联合态密度

介电函数

吸收系数

其中

偶极跃迁几率.③跃迁即CB和VB平行,那么在

附近较小子能量相同(忽略e和h间库仑作用).区域内,跃迁产生光单个临界点不直接对应联合态密度，介电函数实部或虚部曲线的峰值,而是这些峰的一个边缘.

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