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文档简介

1第十章数字集成电路基本单元与版图10.1TTL基本电路10.2CMOS基本门电路及版图实现10.3数字电路标准单元库设计10.4焊盘输入输出单元10.5了解CMOS存储器210.5.2静态随机存储器（SRAM）图10.59静态RAM单元的各种结构3图10.60CMOSSRAM单元的电路拓扑结构

在互补位线上带有PMOS列上拉晶体管。存储单元由一个简单的CMOS锁存器（两个背对背连接的反相器）及两个互补存取晶体管（VT3和VT4）构成。

最重要的优点是静态功耗非常小，实际上它只受PMOS晶体管漏电流的限制。410.5.3闪存闪存单元由一个带浮栅的晶体管构成，该晶体管的阈值电压可通过在其栅极上施加电场而被反复改变(编程)。通过沟道热电子注入或Fowler-Nordheim隧穿机理向MOS晶体管的浮栅存储或释放电子，就可以对闪存的单元数据编程。图10.61闪存存储器的数据编程及擦除方法5闪存单元的等效耦合电容电路

当给控制栅极和漏极加电压(VCG和VD)时，浮栅的电压(VFG)可以用耦合电容表示为：VCG和VD分别为控制栅和漏极的电压。

用VT(FG)代替式(10.26)中的VFG并整

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