(高清版)GB∕T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片

ICS29.045GB/T29055—2019太阳能电池用多晶硅片国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会IGB/T29055—2019本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。“适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)”(见第1章，2012年版的第1章)。——删除了规范性引用文件GB/T1551和SEMIMF1535,增加了GB/T30860、GB/T30869、年版的第2章)。建议边长的增减量为1mm的整数倍(见表1,2012年版的表1)。——将外形尺寸分类与要求合并，并修改了边长、厚度及允许偏差的要求(见4.1,2012年版的第4章、第5章)。——删除了表面质量中的色斑、边缘缺陷、晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求(见2012年版—增加了类单晶硅片的要求(见第4章)。—修改了包装的要求(见7.2.1,2012年版的8.1.1)。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维本标准所代替标准的历次版本发布情况为：—GB/T29055—2012。1太阳能电池用多晶硅片本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6619硅片弯曲度测试方法GB/T29054太阳能级铸造多晶硅块GB/T30860太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法GB/T30869太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法SJ/T11627太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法SJ/T11628太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法SJ/T11631太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法SJ/T11632太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法YS/T28硅片包装3术语和定义GB/T14264和GB/T29054界定的以及下列术语和定义适用于本文件。24.1外形尺寸硅片的外形尺寸及允许偏差应符合表1的规定。要求允许偏差156.75×156.75倒角/mm厚度“/μm士20总厚度变化/μm弯曲度/μm—相邻两边的垂直度/()“边长的增减量建议为1mm的整数倍。4.2.1硅片的导电类型为P型。4.2.3硅片的载流子寿命应符合GB/T29054的规定，质量由供方保证4.3间隙氧和代位碳含量硅片的间隙氧含量和代位碳含量应符合GB/T29054的规定，质量由供方保证。4.4表面质量4.4.2硅片表面不应有“V”型缺口的崩边缺陷，允许有深度小于0.3mm、长度小于0.5mm的崩边缺陷，且整片不超过2处。4.4.3硅片表面的单条线痕深度值应不大于15μm。4.5类单晶硅片的最大晶粒面积比例类单晶硅片的最大晶粒面积比例应符合表2的规定。3要求I类最大晶粒面积比例I类类单晶硅片相对于直拉单晶硅片和区熔单晶硅片，可能有更大的位错密度和晶向偏差。I类类单晶硅片最大晶粒面积比例一般要求为100%,如供需双方协商一致，可允许最大晶粒面积比例5.1边长和倒角的检验按SJ/T11628或SJ/T11630的规定进行。仲裁方法按SJ/T11630的规定5.2厚度和总厚度变化的检验按GB/T6618、GB/T30869或SJ/T11628的规定进行。仲裁方法按GB/T6618的规定进行。5.3弯曲度的检验按GB/T6619的规定进行，或由供需双方协商确定。5.4相邻两边垂直度的检验按SJ/T11628或SJ/T11630的规定进行。仲裁方法按SJ/T11630的规5.5导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。5.6电阻率的检验按GB/T6616、SJ/T11627或SJ/T11628的规定进行。仲裁方法按GB/T6616的5.8表面微裂纹的检验按SJ/T11632的规定进行。5.9表面线痕的检验按GB/T30860的规定进行。50cm的位置垂直于硅片表面目视进行。6检验规则6.1.1产品应由供方进行检验，保证产品质量符合本标准及订货单(或合同)的规定，并填写质量证6.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验，如检验结果与本标准及订货单(或合同)的规定供需双方协商确定。硅片应成批提交验收。每批应由相同工艺生产的同一外形尺寸、导电类型和电阻率范围的硅片4GB/T29055—2019组成。每批硅片的检验项目见表3。序号检验项目检验水平接收质量限(AQL)1边长2倒角3厚度4总厚度变化5弯曲度6相邻两边的垂直度7导电类型8电阻率9表面质量Ⅱ类单晶硅片的最大晶粒面积比例各检验项目的取样按GB/T2828.1—2012中的正常检验一次抽样方案，检验水平和接收质量限(AQL)应符合表3的规定。如按其他方案进行取样，应由供需双方协商确定。b)产品技术要求；d)产品数量。b)产品名称；d)产品数量；7.2.1硅片包装按YS/T28的规定进行，也可由供需双方协商确定。5GB/T29055—2019d