(高清版)GB∕T 29054-2019 太阳能电池用铸造多晶硅块

ICS29.045GB/T29054—2019太阳能电池用铸造多晶硅块国家市场监督管理总局IGB/T29054—2019本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。编辑性修改外主要技术变化如下：制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块(包括类单晶硅块)。产品用于切割成硅片后进一步制作太阳能电池”(见第1章，2012年版的第1章)。 删除了规范性引用文件中GB/T6616、SEMIPV1-0709,增加了GB/T1554、GB/T2828.1—第2章，2012年版的第2章)。 删除了硅块的定义，增加了有效高度、类单晶和最大晶粒面积比例的定义(见第3章，2012年版的第3章)。——删除了分类(见2012年版的第4章)。——端面尺寸由125mm×125mm、156mm×156mm改为156.75mm×156.75mm,其他尺寸，建议增减量为1mm的整数倍(见4.1.1,见2012年版的第4章)。——修改了间隙氧含量的要求，由≤8×10¹⁷atoms/cm³改为不大于6×10¹⁷atoms/cm³(见4.3,2012年版的5.2)。 ——删除了硼浓度的要求(见2012年版的5.2)。——增加了附录A,列出了常见的不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块(见附录A)。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维本标准所代替标准的历次版本发布情况为：1太阳能电池用铸造多晶硅块本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块(包括类单晶硅块)。注：多晶硅块切割成硅片后用于制作太阳能电池。下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。硅块符合各项技术要求的可切割高度。最大晶粒面积比例thepercentageofthelargestsinglegrain类单晶硅块横截面上具有指定晶向的最大晶粒区域的面积与类单晶硅块横截面总面积的比值。4.1.2硅块的有效高度应不小于100mm。24.1.3硅块的倒角尺寸及角度如图1所示，倒角尺寸为1.5mm±0.5mm,倒角角度为45°±10°。4.1.4硅块相邻两面的垂直度如图1所示，垂直度为90°,允许偏差为±0.25°。图1倒角尺寸、倒角角度和垂直度示意图4.2电学性能4.2.1硅块的导电类型为P型。4.2.3硅块的载流子寿命应不小于2μs。4.3间隙氧含量硅块的间隙氧含量应不大于6×10¹7atoms/cm³。4.4代位碳含量硅块的代位碳含量应不大于5×10¹7atoms/cm³。4.5金属杂质总含量硅块中的金属杂质(Fe、Cr、Ni、Cu、Zn)总含量应不大于2μg/g。4.6表面质量4.6.1在有效高度内，硅块表面应无目视可见裂纹、崩边、缺口。4.6.2硅块4个侧面的红外探伤检测结果不应有尺寸大于5mm的点状杂质。4.6.3硅块侧面的表面粗糙度Ra应不大于0.2μm。4.7类单晶硅块的最大晶粒面积比例类单晶硅块的最大晶粒面积比例应符合表1的规定。常见的不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块参见附录A。3要求I类最大晶粒面积比例I类类单晶硅块相对于直拉单晶硅和区熔单晶硅，可能有更大的位错密度和晶向偏差。I类类单晶硅块的最大晶粒面积比例一般要求为100%,如供需双方协商一致，可允许最大晶粒面积比例类单晶硅块任一横截面的荧光光致发光(或电致发光)测试图像上显示的位错缺陷面积比例应不大于横截面积的10%。需方如对腐蚀位错密度有要求，由供需双方协商确定并在合同中注明。5.3倒角角度和相邻两面的垂直度用万能角度尺或相应精度的量具测量。5.4导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。5.5电阻率的检验参照GB/T1551的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。5.6载流子寿命的检验参照GB/T1553的规定进行。5.7间隙氧含量的检验在硅块底部取样后参照GB/T1557的规定进行。5.8代位碳含量的检验在硅块顶部取样后参照GB/T1558的规定进行。5.9金属杂质含量的检验按GB/T31854的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。5.11红外探伤检测将硅块置于波长400nm～3000nm红外光源下，红外光入射到硅块，根据穿过缺5.12表面粗糙度的检验用表面粗糙度测试仪进行。5.13类单晶硅块的最大晶粒面积比例的检查在光强度为430Ix～6501x的照明条件下，距硅块30cm～50cm的位置垂直于硅块横截面目视进行。5.14类单晶硅块缺陷密度(除腐蚀位错密度)的检验用荧光光致发光法或电致发光法进行；腐蚀位错密度的检验按GB/T1554的规定进行。46检验规则6.1.1产品应由供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准及订货单(或合同)的规定，并填写产品质量证明书。6.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验，如检验结果与本标准或订货单(或合同)的规定供需双方协商确定。需双方协商并在合同中注明。6.4.3间隙氧含量、代位碳含量、金属杂质含量、类单晶硅块缺陷密度的检验取样由供需双方协商6.5.2导电类型、电阻率和载流子寿命的累a)产品名称；b)产品技术要求；5GB/T29054—2019b)产品名称；a)供方名称；c)产品重量及数量；e)各项检验结果及检验部门印记；f)本标准编号；8订货单(或合同)内容本标准所列产品的订货单(或合同)内应包括下列内容：b)产品规格；c)产品重量及数量；e)本标准编号；f)其他。6GB/T29054—2019(资料性附录)不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块主要有以下两种常见的表现形式：a)I类：最大晶粒面积比例为100%,如图A.1所示。b)Ⅱ类：最大晶粒面积比例小于100%,如图A.2所示。GB/T29054