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NXCL300mmlowoxygencontentsinglecwafersI本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林1300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片本文件规定了300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬GB/T2828.1计数抽样检测程序第一部分：按GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非GB/T6624硅抛光片表面质量GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱GB/T29508300mm硅单晶切割片GB/T32279硅片订货单格式YS/T26硅片边缘轮廓检验方法YS/T28硅片包装YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法4技术要求2NP4.1.2硅抛光片的晶向和切口基准轴取向均应符合GB4.2.1氧含量4.2.2碳含量硅抛光片的碳含量应不大于5×1016原子数/cm3，或由供需双方商定。4.2.3金属含量4.3几何参数±0.1硅片厚度，中心点，μm±15），），），），），4,4氧化诱生缺陷31无2无3雾无45无6无7无8无9无无无无无无无无4.6边缘轮廓硅片经边缘倒角及边缘抛光，抛光处理后的边缘轮廓应符合YS/T26的要求4.7其他5.2硅抛光片电阻率测量按照GB/T6616进行。5.5硅抛光片晶向及偏离度的测量按照GB/5.6硅抛光片切口基准轴取向测量按GB/T13388进行。5.10硅抛光片表面金属含量测量按GB/T245785.15硅抛光片弯曲度测量按照GB/T6619进行。45.18硅抛光片氧化诱生缺陷检验按照G6.2.2.1每批产品应对直径、导电类型、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命、碳含量、氧含目检表面质量、氧化诱生缺陷、边缘轮廓进6.2.2.2表面金属、体金属（铁）含量、局部平整度、局部光散射体（颗粒）是否检验有供需双方协6.2.4.1导电类型、晶向检验若有一片不合格，则该批产品为不合格，其它检验项目的接收质量限12345678956.2.4.2氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散射体（颗粒）、雾、背表面处理的检验结果6.2.4.3抽检不合格的产品，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可以重新组a)新产品或老产品转厂生产试制的定型鉴定；b)产品结构、工艺、原材料有重大改变并可能影响到产品性能时；c)产品停产半年以上，重新恢复生产生缺陷、表面金属含量等项目，应从出厂检验合格的产品中每次随机抽取，1片/加7.2包装7.3运输与贮存67,4其他需方对硅抛光片的标志、包装、运输与贮存有

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