SJ∕T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间_第1页
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SJ∕T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间_第3页
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Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part11:Responsetime中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T2658.11—2015——第2部分:正向电压;——第3部分:反向电压和反向电流;——第6部分:辐射功率——第7部分:辐射通量——第8部分;辐射强度——第9部分:辐时强度空间分布和半强度角;——第10部分,调制带宽——第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽;——第13部分:辐射功率温度系数本部分为SJT2658的第11部分。本部分按照GBT1—2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。——响应时间的定义中补充了半导体红外发射二极管的响应过程图(见图1);——修改了响应时间的测量原理图(见图2);——修改了响应时间的测量步骤(见5.2)——补充了响应时间测量方法的规定条件(见531SJ/T2658.11—2015第11部分:响应时间本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则3术语和定义响应时间responsetime在规定的正向矩形脉冲电流作用下,被测器件辐射的光脉冲对作用的矩形电流脉冲的响应时间。其中,从电脉冲幅度的10%到光脉冲幅度的10%所需的时间间隔为开通延迟时间d(on);从光脉冲幅度的间t₁之和;从电脉冲幅度的90%到光脉冲幅度的90%所需的时间间隔为关断延迟时间ta(orm,从光脉冲之和(见图1)。2相对输入脉冲电流(%)相对输出辐射功率(%)ton开通时间(开通延迟时间taon)与上升时间t之和);ofr关断时间(关断延迟时间tum与下降时间tr之和)注:图中0%对应的辐射功率是在直流偏置电流下的输出功率,100%对应的辐射功率是辐射脉冲顶端获得的平均3SJ/T2658.11—2015+++RaMRLA说明:G₁——高阻电流脉冲发生器b;PD——光电二极管。被测器件的上升时间和下降时间都应至少为输入电流脉冲的5倍;被测器件的上升时间应至少为测量仪器(如示波器)的5倍。b输入电流脉冲应选择适宜的脉宽,脉冲过冲应小于10%,占空比应小于1/100。e光电二极管的频率响应应比被测器件至少高5倍。图2响应时间测量原理图5.2测量步骤a)给被测器件施加规定的直流p和脉冲电流,给光电二极管施加规定的反向偏压VR,并把被测器件输出的脉冲光对准在探测用光电二极管的光敏区内;b)用测量仪器M观察输入的电脉冲信号和经光电转换的输出光脉冲信号(见图1),按图1所有关标准采用本方法时,应规定以下条件:a)环境或管壳温

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