物理学：半导体材料考试答案三

物理学：半导体材料考试答案三1、问答题

X射线衍射与光反射的区别？正确答案：光反射光在两种物质分界面上改变传播方向又返回原来物质中的现象，叫做光的反射。X射线的衍射X射线是一种波长很短（约为20～0.06埃）的（江南博哥）电磁波，能穿透一定厚度的物质，并能使荧光物质发光、照相乳胶感光、气体电离。在用高能电子束轰击金属“靶”材产生X射线，它具有与靶中元素相对应的特定波长，称为特征（或标识）X射线。2、问答题

砷化镓相对于硅的优点是什么？正确答案：砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大，这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。3、问答题

X射线的衍射和可见光的反射有什莫不同？正确答案：1x射线的衍射仅有一定数量的入射角能引起衍射，而可见光可在任意的入射角反射2x射线被晶体的原子平面衍射时，晶体表面，晶体内原子平面都参与衍射作用，而可见光仅在物体表面产生反射。4、单选

参杂硼元素的半导体是（）.A.p型半导体B.本征半导体C.N型半导体D.pn结正确答案：A5、问答题

描述热氧化过程。正确答案：①干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好②水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2（气）氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差③湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间6、填空题

半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。正确答案：载流子的浓度7、问答题

例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？正确答案：6种不同的塑料封装形式：（1）双列直插封装（DIP）：典型有两列插孔式管脚向下弯，穿过电路板上的孔。（2）单列直插封装（SIP）：是DIP的替代品，用以减小集成电路组件本体所占据电路板的空间。（3）薄小型封装（TSOP）：广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。（4）西边形扁平封装（QFP）：是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表面贴装组件。（5）具有J性管脚的塑封电极芯片载体（PLCC.（6）无引线芯片载体（LCC.：是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面的封装形式8、问答题

缺陷显示的意义？正确答案：显示漩涡缺陷，检测体层错，位错，晶体原有的滑移，掺杂剂或杂志浓度周期性变化形成的电阻率条纹等。9、问答题

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？正确答案：光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。10、问答题

哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。正确答案：多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。11、单选

在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是（）.A.上部和边缘部分B.中部和边缘部分C.上部和底部D.底部和边缘部分正确答案：B12、填空题

目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。正确答案：红外吸13、名词解释

互连正确答案：由导电材料，如铝、多晶硅和铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。互连也被用于芯片上器件和器件整个封装之间的金属连接。14、问答题

例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。正确答案：汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定激发态。15、问答题

金相显微镜的构成？正确答案：由光字系统，照明系统，机械系统三部分组成。16、问答题

说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？正确答案：化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更快、溶解度更高。17、单选

下列不属于非晶硅优点的是（）.A.制备方法简单B.工艺成本低C.制备温度高D.可大面积制备正确答案：C18、问答题

冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么？正确答案：温差电动势法，温差电流法.19、问答题

将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？正确答案：整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。20、单选

通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。A、温度场B、磁场C、重力场D、电场正确答案：A21、问答题

简述光图定向的基本原理。正确答案：当平行光入射到处理后的硅单晶上，形成反射再次反射光路上放置一光屏，先出晶体的光像。根据晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，可以确定晶体的生长方向和晶体的晶向偏离角度。22、问答题

什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。正确答案：无源元件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。这些元件无论如何和电源相连，都可以传输电流。如电阻，电容。有源元件：内部有电源存在，不需要能量的来源而实行它特定的功能，而且可以控制电流方向，可放大信号。如二极管，晶体管。23、单选

下列不属于三氯氢硅性质的是（）。A、无色透明B、易燃易爆C、不易挥发和水解D、有刺激性气味本题答案：C24、问答题

简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.正确答案：利用硅熔体中杂质的分凝效应和蒸发效应，在真空条件下，在硅棒上建立一个熔区，熔区温度为1410℃，并使之从一端移至另一端，以达到提纯和控制杂质的目的。25、问答题

从微观上看，漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别？正确答案：漩涡缺陷：微观上漩涡条纹由大量的浅蚀坑组成。是条纹处出现密集的平底浅坑单晶或腐蚀小丘单晶。位错缺陷：它属于线缺陷，一般称为位错线。位错线有一定的长度，它的两端必须终止与晶体的表面上，也可以头尾自己相接构成位错环。26、问答题

硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？正确答案：硅片关键尺寸测量的主要工具是扫描电子显微镜（SEM），它能放大10万到30万倍，这明显高于光学显微镜，用扫描电子显微镜观测硅片的横截面部分能提供缺陷的信息，常与其他分析技术结合使用，如EDX或FIB。27、问答题

例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？正确答案：第一步：用碳加热硅石来制备冶金级硅第二步：通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷第三步：利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅纯度能达到99.99999999%28、单选

光图定向法结果直观，操作（），误差（）。A．简单较大B．复杂较大C．简单较小D．复杂较小正确答案：A29、问答题

什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？正确答案：外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。30、问答题

二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？正确答案：①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密；②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）；③用作绝缘介质和隔离（LOCOS，STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚度）、④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电容介质等；⑤选择性扩散掺杂的掩膜31、单选

列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.A.加热B.化料C.晶体生长D.冷却正确答案：B32、单选

如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.A.1/（NA-ND.eｕpB.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.eD.1/（NA+ND.eｕp正确答案：A33、单选

当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.A.上升B.下降C.不变D.不确定正确答案：A34、问答题

解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？正确答案：扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1：1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上，能够获得均匀的光源，掩膜版和带胶硅片被放置在扫描架上，并且一致的通过窄紫外光束对硅片上的光刻胶曝光由于发生扫描运动，掩膜版图像最终被光刻在硅片表面。扫描光刻机主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。35、单选

制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.A.汽-固B.液-固C.固-固D.汽-液正确答案：A36、问答题

x射线性质都有哪些？正确答案：感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强。x射线的折射率近视于1，衍射作用。37、问答题

什么是印刷电路板？正确答案：印刷电路板（PCB.又称为底板或载体，用焊料将载有芯片的集成电路块粘贴在板上的电路互连，同时使用连接作为其余产品的电子子系统的接口。38、问答题

例举在线参数测试的4个主要子系统。正确答案：在线参数测试的4个主要子系统为：（1）探针卡接口：是自动测试仪与待测器件之间的接口。（2）硅片定位：为测试硅片，首先要确与探针接触的硅片的探针仪位置。（3）测试仪器：高级集成电路需要能够在测试结构上快速、准确、重复地测量亚微安级电流和微法级电容的自动测试设备，它控制测试过程（4）作为网络主机或客户机的计算机：指导测试系统操作的计算机包括测试软件算法、自动测试设备、用于硅片定位的探查控制软件、测试数据的保存和控制、系统校准和故障诊断。39、问答题

解释投射电子能显微镜。正确答案：TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的电子碰撞而电子与样品中的原子的碰撞而改变方向，从而产生立体角散射，散射角的大小与样品的密度、厚度有关，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是惟一定量测量硅片上一些非常小特征尺寸的测量工具。40、问答题

晶半导体中的缺陷都有哪些？正确答案：微观缺陷：点缺陷，残缺陷，杂志缺陷。宏观缺陷：小角度晶界和系属结构，位错排与星形结构，杂质析出与夹杂物。41、填空题

当任何一种高速运动的（）与一块金属物质相撞时，都会产生X射线。正确答案：带电粒子42、单选

下列不属于工业吸附要求的是（）。A.具有较大的内表面，吸附容量大B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀C.不易得，昂贵D.容易再生正确答案：C43、问答题

例举硅片制造厂房中的7种玷污源。正确答案：硅片制造厂房中的七中沾污源：（1）空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；（2）人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；（3）厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；（4）水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品（5）工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；（6）工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；（7）生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。44、问答题

伸缩振动与弯曲振动的频率哪个高？正确答案：从振动频率和能量看，伸缩振动高。45、问答题

例举出硅片厂中使用的五种通用气体。正确答案：氧气（O2）、氩气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（HE.46、问答题

解释什么是暗场掩模板。正确答案：暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被铬覆盖，并且不透光。47、问答题

为什么电化学腐蚀会产生电位差？它的原因是什么？正确答案：电化学腐蚀是指金属或半导体材料在电解质水溶液中所受到的腐蚀，被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差，构成正极和负极。电极电位低是负极，电极电位高是正极，负极被腐蚀溶解。48、问答题

解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？正确答案：用以制造去离子水的去离子化过程是指，用特制的离子交换树脂去除电活性盐类的离子。18MΩ-cm电阻率级别下水被认为已经去离子化。49、问答题

什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？正确答案：自然氧化层：如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。自然氧化层引起的问题是：①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流流过。③对半导体性能和可靠性有很大的影响50、问答题

描述净化间的舞厅式布局。正确答案：净化间的舞厅式布局为大的制造间具有10000级的级别，层流工作台则提供一个100级的生产环境。51、问答题

光电导衰退法分为哪几种?都有什么优点?正确答案：可分为高频光电导和直流光电导；高频光电导的优点，无须切割成一定的几何形状，样品较少受到污染，测试方法简单，得到广泛应用。直流光电带衰退法的优点，测量精度高。测量下限比高频光电衰退法低。52、问答题

离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？正确答案：目的：使待注入的物质以带电粒子束的形式存在最常用的源：Freeman离子源和Bernas离子源53、单选

测量硅中氧浓度常用的方法是（）.A.带电粒子活化法B.熔化分析法C.离子质谱法D.红外光谱分析法正确答案：D54、问答题

解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。正确答案：（1）铝与P型硅及高浓度N型硅均能形成低欧姆接触；（2）电阻率低（3）与SiO2粘附性强，无需粘附层-----铝很容易和二氧化硅反应，加热形成氧化铝；（4）能单独作为金属化布线，工艺简单；（5）能用电阻丝加热蒸发，工艺简单；（6）铝互连线与内引线键合容易；（7）能轻易淀积在硅片上，可用湿法刻蚀而不影响下层薄膜。综上所述，在硅IC制造业中，铝和它的主要过程是兼容的，电阻低，可不加接触层、粘附层和阻挡层等，工艺简单，产品价格低廉。55、问答题

从微观上看，漩涡缺陷与位错蚀坑有什么区别？正确答案：漩涡缺陷是浅的平底坑，显微镜下呈白亮的芯，而位错蚀坑是深的尖底坑，显微镜下呈黑三角形。56、单选

X射线定向法的误差可以控制在范围内，准确度高。（）A.±10＇B.±15＇C.±20＇D.±30＇正确答案：B57、填空题

四探针法测试，C的大小取决于四探针的（）和针距。正确答案：排列方式58、问答题

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。正确答案：硅中固态杂质扩散的三个步骤：（1）预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立（2）推进：这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深（3）激活：这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。59、问答题

叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。正确答案：去除氮化硅使用热磷酸进行湿法化学剥离掉的。这种酸槽一般始终维持在160°C左右并对露出的氧化硅具有所希望的高选择比。用热磷酸去除氮化硅是难以控制的，通过使用检控样片来进行定时操作。在曝露的氮化硅上常常会形成一层氮氧化硅，因此在去除氮化硅前，需要再HF酸中进行短时间处理。如果这一层氮氧化硅没有去掉，或许就不能均匀地去除氮化硅。60、问答题

为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？正确答案：沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏电流，所以需要采用LDD工艺。轻掺杂漏注入使砷和BF2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结，从而减少源漏间的沟道漏电流效应。61、问答题

产生红外吸收的条件是什么？正确答案：（1）振动频率与红外光谱段的某段频率相等。（2）偶极距的变化。62、问答题

立式炉系统的五部分是什么？例举并简单描述？正确答案：工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛控制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片。63、问答题

什么是色相色谱法？正确答案：以气体为流动相的柱色谱分离技术。64、填空题

测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，清洁无油污。正确答案：表面无反型层65、单选

半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。A.70%B.80%C.90%D.60%正确答案：C66、问答题

定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？正确答案：刻蚀速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蚀所用的时间高的刻蚀速率，可以通过精确控制刻蚀时间来控制刻蚀的厚度。67、问答题

描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。正确答案：减少曝光光源的波长对提高分辨率非常重要，波长的越小图像的分辨率就越高图像就越精确。68、填空题

非平衡载流子的寿命ζ，就是反映（）的参数。正确答案：复合强弱69、单选

下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。A、氧B、硼C、温度D、湿度正确答案：D70、问答题

影响树脂再生的因素有哪些？正确答案：1）再生剂的类型、强度、浓度、用量、流速、酸碱液与离子交换树脂接触的时间等；2）终点PH值得大小；3）离子交换树脂的分离、反洗结果、混合程度、清洁卫生等。71、填空题

氧和碳在硅晶体中都呈（）分布。正确答案：螺旋纹状72、单选

硅的晶格结构和能带结构分别是（）.A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型正确答案：C73、填空题

晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距，晶面指数最低的晶面总是具有（）的晶面间距。正确答案：最大74、问答题

光刻和刻蚀的目的是什么？正确答案：光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。75、问答题

解释空气质量净化级别。正确答案：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的。这一数字描绘了要怎样控制颗粒以减少颗粒玷污。净化级别起源于美国联邦标准2009.如果净化间级别仅用颗粒数来说明，例如1级净化间，则只接受1个0.5um的颗粒。这意味着每立方英尺中尺寸等于或大于0.5um的颗粒最多允许一个。76、问答题

半导体单晶中的点缺陷包括什么？正确答案：空位、填隙原子、络合体、外来原子。77、问答题

对净化间做一般性描述。正确答案：净化间是硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、有机分子和静电释放（ESD.的玷污。一般来讲，那意味着这些玷污在最先进测试仪器的检测水平范围内都检测不到。净化间还意味着遵循广泛的规程和实践，以确保用于半导体制造的硅片生产设施免受玷污。78、单选

（）是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.微缺陷正确答案：D79、填空题

（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。正确答案：电阻率80、问答题

例举出传统装配的4个步骤。正确答案：传统装配的4个步骤：1.背面减薄；2.分片；3.装架；4.引线键合81、问答题

最通常的半导体材料是什么？该材料使用最普遍的原因是什么？正确答案：最通常的半导体材料是硅。原因：1.硅的丰裕度；2.更高的融化温度允许更高的工艺容限；3.更宽的工作温度范围；4.氧化硅的自然生成.82、问答题

影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？正确答案：腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响、腐蚀处理的温度和搅拌的影响、光照的影响。83、问答题

离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？正确答案：氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。84、单选

正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）.A、能B、不能C、不确定D、有时可以，有时不可以正确答案：A85、问答题

例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。正确答案：两种最广泛使用的集成电路封装材料是塑料封装和陶瓷封装。86、问答题

什么是结深？正确答案：硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。87、问答题

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？正确答案：一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中二，在后续工艺中，保护下面的材料88、问答题

为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？正确答案：因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。随着栅的宽度不断减少，栅结构（源漏间的硅区域）下的沟道长度也不断减少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并引起了不希望的沟道漏电流。89、填空题

硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。正确答案：导电类型90、填空题

快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时（）影响比较大。正确答案：光照91、问答题

解释离子束扩展和空间电荷中和。正确答案：由于电荷之间的相互排斥，所以一束仅包括正电荷的离子束本身是不稳定的，容易造成离子束的膨胀即离子束的直径在行进过程中不