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文档简介
电力电子技术(广东工业大学)智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年广东工业大学晶闸管加.上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管也会导通。
答案:对单相半波可控整流电路会向电网注入大量谐波。
答案:对三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
答案:错只要给门极加上触发电压,晶闸管就导通。
答案:错普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。
答案:错为避免三次谐波注入电网,晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法
答案:错直流测为电流源的逆变电路称为电流型逆变电路。
答案:对单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差(
)度。
答案:180°在大电感负载三相全控桥中,整流电路工作状态的最大移相范围是()
答案:90°
答案:2个接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是()
答案:第一象限α为
(
)度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
答案:30度变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质,无直接关系。
答案:对三相半波可控整流电路,不需要用大于60°或小于120°的宽脉冲触发,也不需要相隔60°的双脉冲触发,只用符合要求的相隔120°的三组脉冲触发就能正常工作。
答案:对MOSFET的通态电路的负温度系数的特性,有利于MOSFET的并联使用。
答案:错PWM脉宽调制型逆变电路中,采用不可控整流电源供电,也能正常工作。
答案:对在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。
答案:对设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
答案:对只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
答案:错带隔离变压器的全桥电路,变压器副边的两个二极管不能同时导通。
答案:错双向晶闸管额定电流的定义,与普通晶闸管的定义相同。
答案:对逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成的。
答案:对逆变角太大会造成逆变失败。
答案:错给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
答案:错电阻性负载三相半波可控整流电路,相电压的有效值为U2,当控制角α≤30°时,整流输出电压平均值等于(
)
答案:1.17U2cosα关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是()
答案:在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平晶闸管稳定导通的条件()
答案:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()
答案:减小至维持电流以下桓流驱动电路中加速电容C的作用是()
答案:加快功率晶体管的开通正激电路与反激电路的工作原理是类似的。
答案:错无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。
答案:错变频调速装置是属于无源逆变的范畴。
答案:对在室温下门极断开时,元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。
答案:对电力MOSFET采用少子导电方式。
答案:错IGBT的关断过程与电力MOSFET的关断过程非常类似。
答案:错晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
答案:错晶闸管装置的容量愈大,对电网的影响就愈小。
答案:错变频调速是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变转速的目的。
答案:对单向半控桥可控整流电路中,两只晶闸管采用的是“共阳”接法。
答案:错晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。
答案:错无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
答案:错IGBT中的G极是指发射极。
答案:错在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,另一组工作在逆变状态。
答案:错普通晶闸管内部有两个PN结。
答案:错降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=()
答案:3ms单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()
答案:V1常通,V2常断,V3与V4交替通断对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关()
答案:α、U2、负载电流Id以及变压器漏抗XC在晶闸管应用电路中,为了防止误触发,应使干扰信号的幅值限制在()
答案:不触发区三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º时,输出的负载电压平均值为(
)
答案:2.34
U2单相全控桥式有源逆变电路,控制角为α,则输出电压的平均值为()
答案:Ud=0.9U2cosα晶闸管固定脉宽斩波电路,一般采用的换流方式是()
答案:器件换流
答案:N组阻断,P组逆变正弦波脉冲宽度调制英文缩写是()
答案:SPWM单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态,在逆变角β期间,处于换相进行关断的晶闸管承受的电压是()
答案:反向电压三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()
答案:0°-90°三相半波可控整流电路的自然换相点是()
答案:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()
答案:0°~120°带隔离变压器的半桥电路具有良好的抑制直流磁饱和能力。
答案:对电力二极管里面包含一个PN结。
答案:对IGBT的开通过程与电力MOSFET的开通过程非常类似。
答案:对有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
答案:错SPWM中的S是Sinusoidal的简写。
答案:对电压型逆变电路其交流侧电压波形为矩形波,电流波形接近三角波或正弦波。
答案:对在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
答案:对电力MOSFET常用于功率不超过100kW的电力电子装置。
答案:错晶闸管的门极可以控制它的导通,但不能控制它的关断。
答案:对有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
答案:对过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。
答案:对电力MOSFET内部包含一个与电力MOSFET反向并联的二极管。
答案:对在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。
答案:错在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理()
答案:30º-35º关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是(
)
答案:在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平晶闸管稳定导通的条件(
)
答案:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流可实现有源逆变的电路为()
答案:三相半波可控整流电路在大电感负载三相全控桥中,当α>60°时,在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前,整流输出Ud为负值,交流电源接受回馈的能量,电感()
答案:释放储能对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(
)
答案:晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()
答案:抗饱和电路三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º时,输出的负载电压平均值为()
答案:2.34U2三相全波可控整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()
答案:120°触发电路中的触发信号应具有(
)
答案:足够大的触发功率对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()
答案:晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度三相半波可控整流电路在换相时,换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关()
答案:α、Id、XL、U2、φ为了防止逆变失败,最小逆变角限制为()
答案:30°~35°
答案:V1常通,V2常断,V3与V4交替通断SCR属于(
)控制型元件。
答案:电流定宽调频是斩波器的一种()
答案:时间比控制方式目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()
答案:IGBT三相半波带电阻性负载时,α为
()
度时,可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。()
答案:30度具有自关断能力的电力半导体器件称为()
答案:全控型器件变流装置的功率因数总是()
答案:小于1大于0光电耦合由发光二极管和
答案:光敏晶体管晶闸管串联使用时必须同时考虑静态均压和动态均压问题。
答案:对电力MOSFET的通态电路具有正的温度系数。
答案:对按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。
答案:对触发电路中的触发信号应具有
答案:足够大的触发功率为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在放大状态。
答案:错ZVS中的Z是指Zero。
答案:对软开关技术大都采用电路谐振来实现。
答案:对软开关可以降低功率器件的开关应力。
答案:对ZCS中的C是指Current。
答案:对一般认为交交变频输出的上限频率
答案:约为电网频率的1/2~1/3交-交变频电路输出的电压谐波只与电网频率有关。
答案:错
答案:3个
答案:N组阻断,P组整流交流调压电路是维持频率不变,只改变输出电压的幅值的电路。
答案:对
答案:12VBuck-Boost电路中有两个功率器件。
答案:错带隔离的直流-直流变流电路中必须包含变压器。
答案:对Buck电路中可以不包括电容器。
答案:对采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为
答案:减小输出谐波直流测接大电感的逆变电路称为电流型逆变电路。
答案:对电压型逆变电路其直流电压基本无脉动,直流回路呈现低阻抗。
答案:对180°导电型电压型三相桥式逆变电路,其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行
答案:同一相有源逆变是将直流电逆变成其它频率的交流电供负载使用。
答案:错三相全控桥整流电路中,输出电压的脉动频率为150Hz。
答案:错电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是
答案:0°~150°在三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
答案:错三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是
答案:无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。
答案:错IGBT是一个复合型的器件,它是
答案:MOSFET驱动的GTR对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有,IL(
)IH。
答案:大于IGBT综合了BJT和
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