SJ∕T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistortype3DK101中华人民共和国工业和信息化部发布I——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规定中合并为tor(关断时间),1本规定适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规定按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。2SJ/T1830—2016中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》SJ/T1830—2016半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范中A3-01B型的规定。开关用环境额定的双极型晶体管半导体材料：硅封装：金属封装(空腔)应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。①Qps@x云p0.500O参考数据(T=25℃)Pto=200mWVcao=30V(3DK101A、B)VcBo=20V(3DK101C)VcEo=20V(3DK101A)VCEo=25V(3DK101B)VcEo=15V(3DK101C)VEBo=4Vf≥300MHhFE:25～1801.发射极2.基极3.集电极单位为毫米符号尺寸数值最小最大A4.32 一0.400.514.534.95j0.92K0.51LL—3SJ/T1830—20164规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非实对规定，这些极限值在整个工作温度范围内适。极限值条款号参符号数最小值最大值工作环境温度Tab℃贮存温度℃最大集电极基极直流电展3DK10IA3DK101B3DK1010V最大集电极-发射极直流电压3DK101A3DK101B3DK101CVcoV最大发射极-基极直流电压V4V最大直流集电极电流mAT=25℃,不加散热片时的最大额定功率mW4.10最高结温℃6电特性电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。4SJ/T1830—2016条款号特性和条件除非另有规定，Tab=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号单位试验分组最小值最大值正向电流传输比V=1V,I=20mA色标：橙绿蓝紫hA2b集电极-发射极饱和电压VcEsatV—A2b基极-发射极饱和电压VeatV——A2b集电极-基极截止电流—A2b集电极-发射极截止电流—A2b发射极-基极截止电流—-A2b高温下的集电极-基极截止电流I=0,Tmb=125℃,Va=10V——特征频率V=10V,IL=10mA,f=100MHz导通时间关断时间MHz—A4、C2aA4A4共基极输出电容Vg=10V,I=0,f=5MHzC45 7.2包装盒上的标志8订货资料9试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560—1999。6SJ/T1830—2016检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)极限值单位LTPD最小值最大值A1分组外部目检GB/T4589.1—20064.3.1.1标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587-1994NE=200A短路：Icaoi≥10μA开路：h≤5A2b分组集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比基极-发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/V,1,34587-GB/个4587—1994GB/T4587—1994I=0,Va=10VI=0,K=10VY=1V,I=20紫I=2mA,L=20mAI=2mA,I=20mAVV5A4分组特征频率导通时间关断时间3DK101A3DK101B3DK101CGRT4587—1994W,1,13.2GB/T4587—1994III,生，3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Ve=10V,I=10mAf100MH=1mA,L=10mAL=1mA,l=10mA0一MHz7SJ/T1830—2016检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1-2006的4.1)最小值最大值单位LTPDB1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD见第1章外形图B3分组引出弯曲(D)GB/T4937—1995方法1,受试引出端数：3外加弯曲力：2.5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动，均认为器件失效B4分组可焊性GB/T4937—1995焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化(D)密封a.细检漏b.粗检漏最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4937—1995Ⅲ,1.2GB/T4937—1995Ⅲ,7.4GB/T4937—1995Ⅲ,7.3.6GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—19940℃~100℃;10个循环GB/T2423.23-2013试验Q,方法1GB/T2423.23-2013试验Qc,方法3I=0,a=10VK=1V,I=20mA绿蓝紫——B8分组电耐久性(168h)最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比VEatGB/T4587—1994V,1GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994工作寿命t=168h,Va=0.6VC,Pot=200mWI=0,K=10VK=1V,I=20mAI=2mA,I=20mA1442160.36注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1-2006的3.6.6)。8SJ/T1830—2016检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃,(见GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值单位C1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图C2a分组特征频率共基极输出电容GB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1V=10V,I=10mA,f=100MHzVa=10V,I=0,f=5MHz4MHzC2b分组高温下的集电极-基极截止电流GB/T4587-1994T=[25C3分组引出端强度(D)拉力GB/T4937933I.1.1外加力：5N发现有断裂(密封弯月面处的除外力松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效C4分组耐焊接热(D)最后测试方法1A。周期180d同Ba组最后测——C6分组恒定加速度最后测试GB/T4937—199520000g同B5分组最后测试一C7分组稳态湿热(D)最后测试GB/T4937—199585℃±2℃,相对湿度85%±5%,时间168h同B8分组最后测试一—C8分组电耐久性(1000h)最后测试GB/T4587—1994V,1工作寿命：=1000h,V=0.6Xeo,a=200mW同B8分组最后测试C9分组高温贮存(D)最后测试GB/T4937—1995Ⅲ,2Tt=175℃,t=1000h同B8分组最后测试——CRRL分组提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的记数检查结果及C8前后的测试数据注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。9特性曲线见图1。RotRot(mW)200半导体分立器件3DK101型N