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文档简介

认识绝缘栅型场效应管主讲：李华(a)绝缘栅型场效应管MOSFET分为：增强型

N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道1.N沟道增强型MOS管结构4个电极：漏极D，源极S，栅极G和衬底B认识绝缘栅型场效应管用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层用金属铝引出源极S和漏极D在绝缘层上喷金属铝引出栅极G(b)2.N沟道增强型MOS管工作原理1）uGS

对导电沟道的影响(uDS=0)a.

当UGS=0

，ds间为两个背对背的PN结。b.

当0<UGS<UGS(th)(开启电压)时，GB间的垂直电场吸引P区中电子形成离子区(耗尽层)。c.

当uGS

UGS(th)

时，衬底中电子被吸引到表面，形成反型层，即导电沟道。uGS

越大沟道越厚。认识绝缘栅型场效应管(a)(b)开启电压UGS(th)：把形成导电沟道时的最小栅—源电压uGS(a)(c)(b)2.N沟道增强型MOS管工作原理2）uDS

对

iD的影响(uGS>UGS(th))DS

间的电位差使沟道呈楔形，uDS

，靠近漏极端的沟道厚度变薄。认识绝缘栅型场效应管预夹断(UGD=

UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：uDS

iD

。预夹断发生之后：uDS

iD不变。N沟道增强型MOS管进入恒流区iD几乎仅仅决定于uGS。3.N沟道增强型MOS管伏安特性认识绝缘栅型场效应管（3）输出特性（a）转移特性曲线

（b）输出特性曲线（2）转移特性可变电阻区uDS<uGS

UGS(th)uDS

iD

，直到预夹断恒流区(饱和区或放大区)uDS

，iD

不变

uDS加在耗尽层上，沟道电阻不变截止区（夹断区）uGS

UGS(th)

全夹断iD=0

4.N沟道耗尽型MOS管当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。认识绝缘栅型场效应管耗尽型MOS管的工作原理与增强型MOS管类似，只是其uGS可正可负4.MOS管使用注意事项（1）MOS管在存放或使用中避免栅极悬空。测试时所用仪器应保证接地良好，焊接时要将烙铁可靠接地。（2）MOS管在保存时需要将各极短路。（3）MOS管的源极

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