半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法 征求意见稿

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:1半导体器件微电子机械器件第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法下的机电性能。悬空导电薄膜在MEMS、光电子学、柔性/可穿戴电子产品中有着广泛的应用。对产品产品的电性能随时间而变化。这种试验方法适用IEC62047-2:2006,半导体器件-微电子机械器件-第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法（Part2:Ttestingmethodofthinfilmmaterials）IEC62047-3:2006,半导体器件-微电子机械器件-第3部分:拉伸试验的薄膜标准试样（Part3:ThinfilmstandardtestpiecefortensilIEC62047-8:2011,半导体器件-微电子机械器件-第8部分:薄膜张力特性测量的剥离弯曲试验方法（Part8:Stripbendingtestmethodfortensilepropertymeasurementofthinfilms）IEC62047-21:2014,半导体器件-微电子机械器件-第21部分:薄膜MEMS材料泊松比的测试方法（Part21:TestmethodforPoisson’sratioofthinfilmMEMSmaterials）IEC62047-22:2014,半导体器件-微电子机械器件-第22部分:柔性衬底导电薄膜的机电拉伸测试方法（Part22:Electromechanicaltensiletestmethodforconductivethinfilmsonf注：应变系数定义为GF=(ΔR/R)/Δε,其中，ΔR是电阻变化量，R是无应变电阻，Δε是机械应变GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:2试样的整体结构类似用于剥离弯曲试验的传统的薄膜或薄板（参见IEC62047-8:2011l1μmL2μmhμm4.1通则试样的制备工艺应与实际MEMS器件的薄膜工艺相同。制备的试样GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:34.2试样的形貌4.3尺寸测量5.1试验原理5.2试验环境由于电性能对温度敏感，试验过程中的温度波动应控制在±2℃以内。某些聚合物材料制成的柔性5.3试验设备进行反馈控制。电阻应采用四线法(开尔文法)测量，以排除接触电到的应变信号应连接到试验设备用来进行反馈5.4试验程序A）将试样固定在松弛试验设备上，试样的纵向方向应与试验装置的驱动方向一致1°,如IEC62047-8:2011第4.4节所述。GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:4试样的最大弹性应变为Eel[μm/m]，应变水平可选择为Eel/4,2Eel/4,3Eel/4,或者Eel。定，并使用应变测量技术(如数字图像相关法)进行验证。应变分辨率应小于Eel/500，测得的应5.5数据分析见附件A。通过将松弛数据中的机械应力除以施加的应变，得到了松弛模量。应变系数按照IEC62047-22:2014的规定进行测量，并且遵循(1+2ν+πE)，其中ν是泊松比（按照IEC62047-21:2014的规定测量），E是杨氏模量（按照IEC62047-2:20A）参照本标准；GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:5F）测得的性能和结果：压阻系数，应力松弛曲线（应力应变曲线应变控制曲线（应变随时间GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:6A.1试验概述用于测量悬空金薄膜机电松弛的试验设备如图1所示。压电驱动器用于向悬空的金薄膜施加拉伸应镜和成像相机获得的图像相关性来测量。压电驱动器受到a）试验设备照片b）4称重传感器GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:7A.2试验结果施加4个不同应变级测得的松弛模量重叠在一条曲线上。如图A.2d）所示，图中显示的是拟合曲线。这拟合曲线的斜率就是压阻系数。从2.82×10-7MPa-1到3.07×10-7MPa-1不等。由于应变在试验过程中保持不a）应变与时间的关系