- 废止
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- 2000-12-21 颁布
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基本信息：
- 标准号：ISO 14706:2000 EN
- 标准名称：表面化学分析 利用全反射 X 射线荧光 (TXRF) 光谱测定硅晶片表面元素污染情况
- 英文名称：Surface chemical analysis — Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
- 标准状态：废止
- 发布日期：2000-12-21
文档简介
总反射X射线荧光光谱法（TXRF）在硅晶圆表面元素污染物的测定方面，该标准规定了表面化学分析的基本原理、仪器设备、样品准备、操作步骤和数据处理等方面的内容。
该标准的主要内容包括：
1.原理：总反射X射线荧光光谱法是一种通过测量X射线在硅晶圆表面反射时的能量变化来确定表面元素的方法。这种方法可以用于测定表面元素的种类和含量。
2.仪器设备：该标准要求使用的仪器设备包括X射线源、反射镜、分光器、样品支架、冷却系统和控制系统等。仪器的性能和精度会影响测定结果。
3.样品准备：该标准要求在测量前对样品进行清洗和干燥，确保样品的表面洁净且无杂质。样品的数量、大小和形状也需要考虑。
4.操作步骤：该标准详细说明了测量的具体步骤，包括安装样品、调节仪器、进行测量、数据处理和分析等。每个步骤都需要按照规定的方法进行操作。
5.数据处理：该标准要求对测量数据进行处理和分析，以确定表面元素的种类和含量。数据处理的方法和准确性也需要考虑。
ISO14706:2000EN标准提供了对总反射X射线荧光光谱法在硅晶圆表面元素污染测定方面的全面指南，对于
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