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文档简介
增强型MOS管的伏安特性学习目标了解
1、MOS场效应管的漏源电压与漏极电流之间的关系；2、MOS场效应管的栅源电压与漏极电流之间的关系。掌握
1、增强型MOS管的输出特性的特点；2、增强型MOS管的转移特性的特点。增强型MOS管的伏安特性
（1）增强型NMOS管的伏安特性–输出特性N沟道增强型MOS管输出特性曲线64201020放大区恒流区饱和区截止区可变电阻区各区的特点：可变电阻区
uDS较小，沟道尚未夹断增强型MOS管的伏安特性64201020可变电阻区管子相当于受uGS控制的电阻uDS＜uGS–UGS(th)
或者uGD=uGS-uDS>UGS(th)各区的特点：放大区（恒流区、饱和区）增强型MOS管的伏安特性64201020放大区导电沟道预夹断iD几乎与uDS无关uDS>uGS–UGS(th)
或者uGD=uGS-uDS<UGS(th)iD只受uGS的控制各区的特点：截止区增强型MOS管的伏安特性64201020截止区uGS<UGS(th)iD=0没有导电的沟道增强型MOS管的伏安特性
（2）增强型NMOS管的伏安特性–转移特性N沟道增强型MOS管转移特性曲线增强型MOS管的伏安特性管子工作于放大区时：上式中为与管子有关的参数。其中为本征跨导系数，W为沟道宽度，L为沟道长度。为MOS管的宽长比，在MOS集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。小结增强型MOS管的伏安特性这次课我们学习了MOS场效应管的伏安特性，重点对增强型MOS管的输出特性和转移特
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