高矫顽力永磁材料

一、高矫顽力永磁材料概述

高矫顽力永磁材料铁磁材料是与人们生产生活亲热相关的一种功能材料。依据铁磁性材料的矫顽力不同，可将其分为永磁材料和软磁材料1000A/最低可达0.08A/m左右。由于软磁材料的矫顽力低，技术磁化到饱和并去掉外磁场后很简洁退磁。永磁材料矫顽力高，磁化饱和并去掉外磁场后仍能长期保持很强的磁性，因此又称为恒磁材料。永磁材料在外磁场中磁化时，外磁场对永磁体做的功称为磁化功。对于闭路永磁体来说，磁化功以磁能(BH)m的形式贮存于材料内部。对于开路永磁体来说，磁化功一局部贮存于永磁材料内部．另—部分以磁场的形式贮存于两磁极四周的空间。所以，永磁体是一个贮能器。利用永磁体磁极的相互作用和气隙磁场可以实现机械能或声能和电磁能的相互转换，制成多种功能器件：利用磁场与运动导线的相互作用，制造发电机、话筒、传感器，将机械能或声能转变为电能或电信号；利用磁场与载流导线的相互作用可制各种永磁电机，如音圈电机、步进电机以及扬声器、耳机等，将电能或电信息转变为机械能、声能或非电信息等；利用磁极间的相互作用力可实现磁传动、磁悬浮、磁起重、磁分别等；利用磁场与荷电粒子的相互作用做成各种微波功率器件。如微波通讯中的行波管、返波管、环行器等；利用磁场对物质产生的各种物理效应，如磁共振效应、磁化学效应、磁生物效应、磁光效应、磁霍耳效应等，制造核磁共振成像仪、霍耳探测器等；利用磁场使宏观物质磁化以转变其内部构造或键合力的性质与状态，制造磁水器、磁防蜡器、磁疗器件等。矫顽力是永磁材料自身性能抵抗外界磁场变化的一种力气。随着磁件，尤其是信息、通讯、计算机领域所用器件(如HDD、FDD、CD-ROM、FAX等)向小型化、轻型化、高速化、低噪声化方向进展，人们对高矫顽力永磁材料的需求不断增大。材料的矫顽力越高，说明它抗退磁力气越强，产生的磁场越不简洁受外界干扰。同时，材料的矫顽力高，具有较好的温度稳定性，可在较高的温度下工作。同时其负载性可低一些，磁体可做得更薄一些，有利于永磁体薄型化和轻量化。而且，材料的高矫顽力化有利于提高材料的磁能积。所以，在要求稳定的高静磁场的马达以及扩音器等小型马达、电动机以及核磁共振等大型仪器设备等方面的应用，高矫顽力材料有其独到之处。二、一些磁学参量和磁化曲线一个宏观磁体由很多具有固有原子磁矩的原子组成，当原子磁矩同向平行排列时，对外显示的磁性M。为了描述材料的磁化状态(磁化强度和方向)，通常引入磁化强度矢量的概念。把每单位体积(或每摩尔、每克)内的磁矩定义为磁化强度。式中为原于磁矩，V为磁体的体积，nV内的磁性原子数。nμMi1V任何物质在外磁场作用下，除了外磁场H外，还要产生一个附加的磁场。物质内部的外磁场和附加磁场的总和称之为磁感应强度B。真空中的磁感应强度和外磁场成正比。0BμH0式中μ为真空磁导率。在物质内部磁感应强度为0Bμ0Jμ0

HM〕MB的单位为Wb/m2，1Wb/m2＝1T。J称为磁极化强度，单位为Wb/m2．有时也称为内禀磁感应强度。热退磁状态的铁磁性物质的MJBH的增加而增加的关系曲线称为起始磁化曲线，M-H、J-H、B-H磁化曲线。M、sJB铁磁性物质的磁化曲线s s铁磁性物质的磁化曲线三、高矫顽力材料中的磁自由能强磁性物质中存在交换作用能、静磁能、退磁场能、磁晶各向异性能和磁弹性能等。交换能属于近102-104邻原子磁矩自发有序排列。其他各项磁自由能不转变其自发磁化的本质，而仅能转变其磁畴构造。、交换能在3d金属如Fe、Co、Ni中，当3d电子云重叠时，相邻原子的3d电子之间以每秒108的频率交换位置因而它们之间存在交换作用相邻原子3d电子的交换作用能E 与两个电子自旋磁矩的取向(夹角)ex有关，假设用经典矢量模型来近似，则EexEex

可表示为2A2Cosφ3d电子自旋磁矩的夹角；A为交换积分常数；σ3dA＞03d电子的自旋磁矩夹角为零，即彼此同向平行排列，即铁磁性；当A＜0时，为使交换能最小，相邻原子3dφ＝180，即相邻原子3d电子自旋磁矩反向平行排列，称为反铁磁性耦合，即反铁磁性；当A=03d电子自旋磁矩间彼此不存在交换作用，或者交换作用格外微弱。在这种状况下，由于热运动的影响，原子自旋磁矩混乱取向，变成磁无序，即顺磁性。在稀土金属中，4f0.6~0.8Å5s5p4f电子起屏蔽作用，4f电子云不行能重叠，即没有象3d金属那样存在直接的交换作用。那么4f金属的磁畴能够发生4f电子是局域化的，6s是巡游电子，fs电子之间要发生交换作用，使6s电子发6s4f电子的自旋有耦合作用，形成以巡游的6s电子为媒介，使磁性4f4f电子自旋间接耦合起来，产生铁磁性自发磁化。、静磁能强磁性物质的磁化强度与外磁场的相互作用能称为静磁能EH外磁场对条形磁体的作用LM的H的方向全都。假设转动磁体，使θdθ，则需要抵抗力矩dE=Ldθ。积分后可得磁体在外磁场对条形磁体的作用HEH

0LμMH0E Ldθμ H 0

Sinθdθμ0

MHCosθCK、磁晶各向异性能EKHAAAA沿晶体的某些方向进展磁化时所需要的磁场比沿另外一当沿难磁化方向磁化磁体时，只有磁化场足够大才能使其磁化到饱和。Fe、Ni的易磁化方向和难磁化方向分别为(100)、(111)和(111)、(100)等。将磁体沿难磁化方向磁化到饱和所需HH的存在力图使原子磁矩转到与易磁化方向平行的方向上。HHAAAA沿磁化曲线与J轴包围的面积是外磁场对铁磁体所做的磁化功。我们把沿晶体<uvw>方向磁化与沿K晶体易磁化方向磁化两者之间磁化功差值EK

=W<uvw>

-W<M>

a磁晶各向异性能可表示为：abbcFe、Ni单晶在不同晶轴方向的磁化曲线a-磁化功；b-Fe；c-NiE KK 1

(221 2

2 3

23

2)K

(22 1

22

2)31 2 1 α、α、α3M与立方晶体三个主轴夹角的方向余弦；KK1 2 1 k u 可表示为：E=Ksin2θKk u 几种磁性材料的磁晶各向异性常数材料Fe50%Ni-FeCoSmCo5SmCo2 17NdFeB2 14

构造 K/(J/m3)1立方 48.1×103立方 0.5×103立方 35×103立方 15500×103立方 3300×103四方 5700×103

K/(J/m3)212×103-0.2×103143×103、退磁场与退磁场能开路磁体的退磁场在磁极，也就不产生退磁场，开路磁体(有缺口)的两端则消灭磁极，NS极，并在其四周产生附加磁场。在材料内部这个附加磁场的方向与磁化方向相反(或接近相反)，起着退磁作用，故称为退磁开路磁体的退磁场H表示：dH NMd式中N”号表示H与M的方向相反。d退磁因子的大小与磁体外形和尺寸比有关。有限长的长旋转椭球体沿长轴方向的退磁因子Na和短Nb

分别为：N 1 {

ln[k(k21)1/2

1]}a k2

1 2(k2

1)1/2

k(k21)1/2N N

1

1 ln[k(k21)1/2]}b c 2(k21) k(k21)1/2 k(k21)1/2k＝l/d称为尺寸因子，d为短轴方向的半径。假设是球形试样，则N=N=N=1/3；假设是瘦长的圆a b ck很大，两端的磁极产生的退磁场很弱，N=0，N=N=1/2；假设是无限大的薄板，N=1，c a b cN=N=0l的增加，退磁因子快速减小，如下表所示：a b在长轴上磁化的长椭球、扁椭球和圆柱体的退磁因子K长椭球退磁因子扁椭球退磁因子圆柱体退磁因子01.001.010.33330.33330.2720.17350.23640.1450.05580.12480.04100.02030.06960.0172200.006750.03690.006171000.0004300.007720.000365000.00002360.0015670.00001410000.00000660.0007640.0000036H，HHe

NMHeNχH不同几何尺寸试样的磁化曲线环状；2-瘦长棒；3-粗短棒H 1 不同几何尺寸试样的磁化曲线环状；2-瘦长棒；3-粗短棒1χN eχ＝1000l/d＝50时，N＝0.00129χN＝1.29，由式可见作用在铁试样上的真实磁场仅外磁场的43.67%。从图中可看出，环状试样在磁场HBBH，粗短1 1 1 2H，这正说明白退磁场对磁化的影响。退磁3HMEd

可表示为：EdEd

MH0 0

dMd 0

MNMdM0

0NM22、磁弹性能在磁场中磁化时，铁磁体的尺寸或体积发生变化的现象称为磁致伸缩。既然材料磁化要发生磁致伸缩，一旦这种形变受到限制，材料内部就要发生应力，因而存在一种弹性能，称为磁弹性能。磁弹性能的大小将与应力的大小和作用方向以及材料的磁致伸缩系数λs

有关。对于各向同性材料，单位体积中的Eσ有如下表达式：

3Sin22 sλσθ＝0θ＝90时，磁弹性s能最大，在垂直应力的方向是难磁化方向。当λσ符号相反时，θ＝0时能量最大，沿应力的方向是难s磁化方向；而θ＝90的方向磁弹性最小，垂直应力的方向应是易磁化方向。由此可见，应力也会使材料发生一种各向异性，称为应力各向异性，它也像磁各向异性那样影响着材料的磁化。、畴壁能180180畴壁构造畴壁是原子磁矩由一个磁畴的方向渐渐转向到相邻磁畴的方向的过渡区。畴壁内的交换能、磁晶各向异性能与磁弹性能都可能比畴内的高，所高出的这局部能量称为畴壁能，用E表示。畴壁单位面积的能量叫畴wγJ/m2。假设原子磁矩在相邻两原子间突然w4Aσ2n个等距离的原面间逐步均匀转向，则在n+1个自旋磁矩的转向中，交换能的总变化为E A22/nex假设只考虑交换能，则畴壁越厚，交换能越小，即交换能使畴壁无限地加宽。但n越大，就有更多的原子磁矩偏离易磁化方向．使磁晶各向异性能增加，即磁晶各向异性力气图使畴壁变薄。综合考虑以上两方面因素．为使总能量最小，可求得畴单能γδ为下式。式中A=Aσ2/a，A为交换积分w 1AKA/K1 1AKA/K1 1 2w 1 1

四、永磁材料的技术磁参量技术磁参量可分为非构造敏感参量(即内禀磁参量)，如饱和磁化强度M、居里温度T等，和构造敏s c感磁参量，如剩磁M或B，矫顽力H 或H。磁能积(BH) 等。前者主要由材料的化学成分和晶体结r r cb cj m构打算；后者除了与内禀参量有关外，还与晶粒尺寸、晶粒取向、晶体缺陷、掺杂物等因素有关。Ms磁化过程中，当磁矩转动完成后，磁体被磁化到饱和状态，此时所具有的磁化强度称为饱和磁化强MM越高越好。M打算于组成材料s s s的磁性原子数、原子磁矩和温度。试验结果说明，Fe、Co、NiJ2.16T、1.79T0.6T。以Fe为基体sCoCoJCo的质量分s40％时，其Js2.4T。除Co以外，所有添加元素均使Fe的J降低，最近试验觉察Fe N化s 16

永磁材料的技术磁化曲线Js

2.83T4.2KJs

3.2T。当合金中存在两个铁磁性相时，合金的Ms

Ms1

和M 满足下式：s2MVM VM Vs s11 s22如其次相是非铁磁件相(M＝0)，则s

M Ms

1

1V /V2 1〕VVV分别为合金样品和样品内两个相的体积。上式说明削减合金的非铁磁性相有利于提高合l 2M。s、剩磁退磁曲线与磁滞回线铁磁体磁化到饱和后，每个晶粒的磁化矢量都大体上转向外磁场的方向。去掉外磁场后，各晶粒的磁化矢量都转动到最靠近退磁曲线与磁滞回线M或B简称为剩r r磁。因此多晶体的剩余磁化强度为：M 1nMVCosθr V si iVi

i

iMs

方向与外VBμMB的极限是μM。r 0 r r 0 s剩磁是组织敏感参量，它对晶体取向和畴构造格外敏感。上式也MMθ。为获得高剩磁，首先应中选择高Mr s i s材料。θi

主要打算于晶粒的取向与畴构造，通常用获得晶体织构和磁织构的方法来提高剩磁。铁磁性的粉末冶金制品的剩磁与正向畴的体积分数ACosθd/d、非0βM有关，即sdM A(1β) CosθMr d s0可见提高粉末制品的取向度、提高相对密度、尽量削减非铁磁性其次相的体积分数β和提高正向畴的体A等是提高材料的剩磁的主要途径。、矫顽力与矫顽力理论铁磁体磁化到饱和后，使它的磁化强度或磁感应强度降低到零所需要的反向磁场称为矫顽力，分别HcjHcbMrM=0的反磁化过程的难易程度有关。和技术磁化过程一样，磁体的反磁化过程也包括畴壁位移和磁矩转动两个根本方式。、畴壁移动引起的矫顽力在平衡状态时，畴壁位于某处。在磁场的作用下，畴壁向右移动了x的距离，则单位面积的畴壁位x后，引起静磁能变化为E 2μMHCosθxH 0 sx距离后，系统的能量变化为依据(ΔE)

ΔEγ

0 sγx 2μM0

HCosθs

ω(x)s边是畴壁能梯度，是畴壁位移的阻力。随着畸壁右移，畸壁位移的AxA点有最大的阻力峰。一旦畴壁位0移到AE点，即巴克豪森跳动。此时去掉外磁xD点，即发生了不行逆0H，表达式为oH 1

γ ω ω0 2μ M0

Cosθss

max一般说的使畴壁越过最大阻力峰所需要的磁场就相当于材料的矫顽力。、磁矩转动引起的矫顽力磁矩(或磁化矢量)的转动是磁化与反磁化过程的重要方式之一。随着磁化进展，畴壁消逝，磁畴变为一个个单畴颗粒。单畴粒子由于不存在畴壁，连续磁化只能通过磁矩转动来实现。如以下图的单畴体中，MxxsMθ角，系统总能量为s

E sin2θ 0 s CosθK Ku uH为确定时，θE为最小。由于d E μMH( 2θ 0 s sinθdθ K K单畴体的反磁化u u单畴体的反磁化udθ2 Ku

μMH0 sK

cosθH2Kuμ

uM0 sH 2K

u ,θ180μM0 so 当磁化场小于2Ku/μM以前，单畴体的磁化强度始终停留在θ＝0o u o s 2K/μM180。这是一种不行逆的转动，因此它的临界场Hu o s 2KH u0、矫顽力理论 μMs0反磁化畴反磁畴是指技术饱和后的磁性材料在反向磁场的作用下，产生的磁矩方向与正向畴磁矩方向相反的磁畴，如以下图。要形成反磁化畴首先要发生磁矩旋转并形成磁畴壁。需反磁化畴壁位移过程n n 要磁矩从易磁化轴方向发生旋转，致使磁各向异性能增加。而且，由于邻近原子间的磁矩不再平行，也会造成交换能的增加。因此，抱负状态下为产生反磁畴需要的磁场H比仅考虑磁各向异性能增加的各向异性磁场H大。但是，由于晶界四周的构造不完整性以及杂质的吸附等，造成磁各向的反磁场。基于这些因素，HH反磁化畴壁位移过程n n 在反向磁场作用下，反向畴的静磁能低，反向畴要长大。畴壁沿箭头ci方向移动。当反磁化场较低时，畴壁位移是可逆的；当反磁化场增加到临界场时，畴壁就要发生不行逆传移。和磁化过程一样，在不行逆畴壁位移过程中，畴壁要发个假设干次巴克豪森跳动，反向畴跳动式地长大。当反向畴的体积长大到和正向畴的体积相等时，M＝0H。ci形核场打算的矫顽力(形核场理论)1某些单相的多畴的永磁材料中，假设畴壁位移的阻力格外小，很简洁磁化到饱和；同时，假设材料K一个临界大小的反磁化畴核，它就会快速地长大，实现反磁化。因此形成—个临界大小的反磁化畴核所需要的反磁化场(称为形核场)就是材料的矫顽力。1形核场打算的退磁曲线和磁滞回线(a)1、起始磁化曲线格外陡；2、形核场打算的退磁曲线和磁滞回线(a)到矫顽力的最大值时，磁化场连续增加而矫顽力不再增加。，wdS，则畴壁能增加.γdS，w由于反磁化畴核的磁矩与四周环境的磁矩方向相反，反磁化核的外表存在退磁场。当反磁化畴核长大时，退磁场能增加dEd，反磁化畴核的长大是畴壁位移过程，畴壁位移抑制最大阻力所做的功为2H0Msμ0dV，其中H0是反磁化畴核发生不行逆长大时所需的磁场。dV2Hs0d前三项限碍反磁化畴核长大，而后一项促进反磁化畴核长大。因此反磁化畴核长大的能量条件为2HM

μdVγ ds0 w

dEd

2HM0

μdVs0H H5π γws 0 8μM d0 sHs称为形核场(或称发动场)，也就是矫顽力。形核场与畴壁密度γw成正比，畴壁能密度很大的材料，形SmCo1200-4800kA/m。γw不均匀，消灭某些低γw的区域，这些区域可成为反磁化畸核的形成中心，使材料过早地实现反磁化，导致矫顽力的降低。在磁体内可能成为反磁化畴形核中心的有空洞、非铁磁性掺杂物或其次相、晶粒边界、反相畴界、位错、堆垛层销等晶体缺陷。对于形核场打算其矫须力的磁性材料来说，要力争最大限度地削减反磁化畴的形核中心，这是提高矫顽力的重要途径。钉扎场打算的矫顽力(钉扎场理论)磁滞回线(a)磁滞回线(a)以及矫顽力和磁场的关系(b)P壁能低的位置或(中心)钉扎住了。这种铁磁体的磁化与反磁化(H)时，磁化P强度急剧增加，直到饱和。只要磁化场大于H

P，矫顽力就达P到最大值。如以下图。H称为钉扎场，钉扎就等于矫顽力。晶界、空位、位错、堆垛层错、反相畴边界等。不同的钉扎中P心对畴壁的钉扎机理和钉扎场是不同的。如点缺陷主要指空位和错位原子。在SmCoSmCo化合5-x 5+x有气隙磁体的示意图物中，存在高浓度的空位或Co的错位原子，它们破坏原子间的近邻关系，因而引起交换作用或磁晶各(大于原子间距为长程)，位错与应力的相互作用是通过应力与磁致伸缩的耦合作用来实现的。在3d金属及合金中，位错将是畴壁的很强的钉扎中心，而稀土钴化合物中位错是较弱的钉扎中心。有气隙磁体的示意图、磁能积(BH)m永磁材料用作磁场源或磁力源(动作源)，主要是利用它在空气隙中产生的磁场。图为有气隙的环状磁铁。设S、L、B、H 和S、L、B、H分别代表磁铁与气隙的截面积、m m m m g g g g长度、磁感应强度和磁场强废。依据安培环路定律，可得磁动势守恒原理，即H L H Lm m g g依据磁通连续性原理，得

S B SμHm m g 0 gH BmHmg 〔 μ0

Vg

1/2〕V、V分别代表磁铁和气隙的体积。磁铁在空气隙中产生的磁场强度HVV有关外，主m g g m g要打算于磁铁内部的B 和H 的乘积。因此BH 代表永磁体的能量，称为磁能积。开路(有缺口)永磁m m m m体的退磁曲线上各点的磁能积随B的变化如图，其中BH＝(BH) 为最大磁能积。(BH)

越大，在气隙d d m m中产生的磁场就会越大，因此要求永磁体的(BH)越大越好。mB点r做纵轴的垂直线由H 点做横轴的垂直线两直线相交于s点。cbSDDBdH的乘积，就是最大磁能积，单位是kJ/m3。d(BH)/(BH)＝γ称为退磁曲线的隆起度，磁能积还可表示为m r cb(BH)m

γBH退磁曲线与理论磁能积r cb退磁曲线与理论磁能积实际永磁体可获得的(BH)m

Ms

艺因素亲热相关。d(BH) 1A2cosθ2(1β)2( )2μ2M2dm 4 d 0 s0、退磁曲线的方形度(隆起度,磁滞回线的矩形性)退磁曲线的方形度取决于充磁方向与易磁化轴方向所成角度。易磁化轴方向与磁场方向完全全都时θ消灭偏差或不全都，矩形性下降，磁体性能下降。这是由于Bθ而变化。rB J J cosθr r s假设θ=0，cosθ=1，B=J，则磁性体的磁极化强度全部保存为剩磁。相反，假设磁化方向与易磁化轴方向r sθ＝90B＝0，磁滞回线的肩部会在其次象限完全消逝，造成(BH)＝0。r m五、如何提高永磁体的强度作为永磁体强度的最大磁能积(BH)m

(BH)m

个条件。首先，BB削减应尽量小，也就是说，方形度要尽量大：最终，r r具有较大的矫顽力。上述特征都与材料的晶体微观组织亲热相关，在制造工艺中应实行一系列措施加以保证。因此，原始的材料设计、原材料的制造、材料协作等格外重要。、提高剩磁的方法为提高残留磁化强度，要选用饱和磁化强度高的物质，同时要通过制造工艺等保证方形度接近1。实际的工艺过程中，可承受下述技术实现单轴磁各向异性。这些技术包括：①使铸造组织柱状晶化；②通过冷加工形成加工纤维组织；③通过磁场中加工诱导磁各向异性；④通过磁场中热处理诱导磁谷向异性。、柱状晶化熔融金属冷却凝固时得到的金属结晶组织称为铸造组织。典型的几类宏观组织如以下图。冷却效果由冷却条件和材料打算。一般说来，表层细晶区的形成主要与靠近模壁液体引起的猛烈过冷以及模壁对形核的催化作用有关。由于大量自发与非自发晶核的形成和快速成长的结果产生了激冷层。在细晶区形成的同时，模壁开头受热升温，加之结晶潜热的释放作用，液体的冷却速度和过冷度快速减小，形核率也快速降低。由于沿垂直模壁的方向散热最快，以及细晶区各晶粒的结晶位向不同，只有那些主枝晶与热流方向平行的晶粒将择优生长，形成粗大的垂直于模壁的柱状晶区。在中心区域，熔液中有很多细小的枝晶作为晶核的，但由于冷却速度和过冷度进一步下降，晶粒可以充分长大，形成粗大的等轴晶。假设把握热流向某一方向流淌，可得沿该方向相反方向凝固的柱状晶。称这种方法为热流把握凝固或定向凝[100][100]方向正好是铁的易磁化方向。因此，对于这类材料，通过柱状晶化，即可得到明显的磁各向异性。实际的永磁材料，例如AlNiCo永磁体就是实行柱状晶化提高其磁性能。(a)快冷；(b)冷却不充分；(c)缓冷、加工纤维组织多晶体金属材料经拔丝、轧制、挤压、压缩等塑性变形，由于晶粒转动等，晶粒的晶体学方位发生确定程度的定向排列，称其为择优取向、织构等。这种因加工产生的定向排列组织称为加工组织或加工织构。加工织构由加工方法和材料双方打算。例如．对Fe来说，其加工织构举例如下：拉拔加工；[110]，即晶粒的[110]方向指向拉拔方向；挤压加工：[111][001]，即晶粒的[001]或[111]方向指向挤压方向。加工纤维组织会因拉拔(拉丝)、轧制、压缩(含锻造)等塑性变形方磁粉在磁场中压缩成型响。在制作薄板及细丝状永磁体时，可通过塑性加工，使析出物产生变形织构而诱导磁各向异性。、磁场中加工诱导磁各向异性在用磁体加工成形过程中，通过施加外部磁场，诱导磁各向异性，可以显著改善永磁体的矩形比。其中在压制过程中施加外部磁场可制取各向异性永磁体。在磁场作用下，被磁化的磁粉都成为在磁化方向具有N、S磁极的单磁畴微粒，这些微粒可以像小磁针那样在磁场中旋转。在此状态下压缩成型，可得到易磁化轴全都的压缩磁体。这种压缩粉体经烧结或经树脂固化，可以制成磁滞回线矩形性良好的永磁体。易磁化轴取向全都的磁体称为各向异性磁体，显示出优异的磁特性。易磁化轴无序分布的磁体称为各向同性磁体。由于各向同性永磁体中的易磁化轴方向是无序分布的，因此，其在各个方向的磁特性是一样的。但是其磁滞回线的矩形性差，(BH)m

较低，、磁场中热处理诱导磁各向异性利用磁场热处理使铁磁性晶粒产生趋向排列；(b)与磁场垂直组织在铁系合金中，使高温相的两相分解热处理在磁场中进展，这样析出的铁磁性晶粒可在磁场方向生长。在磁场中进展热处理得到的合金永磁体的金相组织可明显地看出，铁磁性晶粒在磁场方向伸长。由于附利用磁场热处理使铁磁性晶粒产生趋向排列；(b)与磁场垂直组织、提高矫顽力的方法NdFe

B基体相的各向异2 141性常数K起着重要的作用。1、合金元素c r 在实际NdFeB系永磁材料中，除了Nd、Fe、B、O等元素，还可能含有其它稀土元素和Fe以外的其他金属元素。下表是RFe B化合物在295K的磁性能。可见Pr的T、J与H与Ndc r 2 14PrNd来制造烧结永磁体。由于目前PrPrNdPrcNdHNdFeB永磁体，应尽可能避开其他轻稀土元素(La、Ce等)进入磁体。在重稀土元素中，DyTbHA比Nd23倍，用局部Dyc或Tb取