半导体器件 机械和气候试验方法 第9部分：标志耐久性 编制说明

1《半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性》（征求意见稿）编制说明《半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性》标准制定是2023年第四批通常情况下，产品必须具有标志，产品标志与实物样品一起对产品质量法规中。不同方式的耐久性不同，需要基于不同标志工艺确定不同的耐久性要求和试2024年2-3月，开展了相关调研及标准编制工作，并对参编单位进行公开征集，在此基2024年4-5月，项目牵头单位联合参编单位对标准草案涉及的技术内容，特别是所规定2024年6月，征求意见稿报全国半导体器件标准化技术委员会秘2准等同采用IEC60749-9:2017《Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestsmethods-Part9:Permanenceofmarking》，除去对原文的个别编辑性修改外，本标准的ISO/IEC标准化文件为基础的标准化文件起草规则》的规定。本试验适用于所有器件封装类型。可用于鉴定和/或工艺监控。是非破坏性试验。久性试验方法的空白，有利于追溯对相关产品的研制、生产和管理。三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会标志耐久性试验是半导体器件产品考核要求的一项，在GJB548等相关试验方法标准中3析和验证。结果标明，三种溶剂的耐溶剂试验和军标等规定一致，拉脱试验原理和GB/T2792-2014《胶粘带剥离强度的试验方法》相似，均可该标准的制定和实施，对于在鉴定和/或工艺监控中，确定固态半导体器件上的标记，工艺、相同耐久性试验所用方法包括工具等的经验复用，体现一定经济效益。生态效益。本标准填补半导体器件机械和气候试验方法中对标志耐久性考核方法的空好，具有一定的生态效益。andclimatictestsmethods-Part9:Permanenceofm五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外4b）删除3.6b）电气性能中“—静电”下的两个“—”，此处表达的不是和静电并列——第2部分：低气压；——第3部分：外部目检；——第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST——第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验；——第8部分：密封；——第9部分：标志耐久性；——第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响；——第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包——第22部分:键合强度；5——第24部分:加速耐湿－无偏置强加速应力试验（HSAT——第25部分:温度循环；——第26部分:静电放电（ESD）敏感度试验－人体模型（HBM——第27部分:静电放电（ESD）敏感度试验－机械模型（MM——第29部分:闩锁试验；——第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理；）；——第32部分:塑封器件的易燃性（外部引起的——第33部分:加速耐湿－无偏置高压蒸煮；——第34部分:功率循环；——第35部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查；——第36部分:恒定加速度；——第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法；——第38部分:半导体存储器件的软错误试验方法；——第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量；——第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法；——第42部分：温度和湿度贮存；——第43部分：集成电路（IC）可靠性鉴定方案指南；——第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。九、实施国家标准的要求，以及组织措施、技术措施、过渡期和