半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第1部分：基于振动的压电能量收集器 编制说明_第1页
半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第1部分：基于振动的压电能量收集器 编制说明_第2页
半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第1部分：基于振动的压电能量收集器 编制说明_第3页
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文档简介

《半导体器件能量收集和产生半导体器件第1部分：基于振动的压电能量收集器》（征求意见稿）编制说明国家标准《半导体器件能量收集和产生半导体器件年第二批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知》，计划代号：化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单位为中电国基北方有限公司。项2023.11-2024.03牵头单位广泛征集参编单位，成立了标准编制组。编制组2024.1-2024.5编制组对相关领域的论文、产品手册等资料进行了收集、整62830-1:2017《半导体器件能量收集的压电能量收集器》标准。标准编写符合GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》、GB/T1.2-2020《标准化工作导则第2试方法和资料性附录共6部分组成，适用于消费、一般工业、军事和航空航天等领域中应用的基于振动的压电能量收集器。通过对比和试验验证，IEC三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会\ \ 按标准中第5部分规定的测试方法搭建了外围电路，对该产品进行测试的平 --—外围电路输出电压（V输出电压（V）输出功率（mW）频率（Hz）电压 输入振动（g）输出电压（V）输出功率（mW）输出电压（V）输出功率（mW）ff时间（s）输出电压（V）输出电压（V）p五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外标准的结构和起草规则》的规定等同采用IEC62830-1：2017《SemiconductorVibrationbasedpiezoelectricenergyharvesting》。标准的技术内容和标——第6部分：垂直接触模式的摩擦电能量收集器

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