半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第2部分：基于热功率的热电能量收集器 征求意见稿_第1页
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1GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2半导体器件能量收集和产生半导体器件第2部分：基于热功率的热电能量收集器义，规定了厚度小于5µm的线、块和薄膜以及具有热电薄膜的能量收集4测试方法2GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2直径小于200µm的金属丝和沉积在硅基底上具有100纳米绝4.2热功率测量4.2.1积分法参考线样品线参考线样品线3GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2最后，在参考材料的热功率已知时，样品丝的热功率值如T+αref····························································4.2.1.2测试程序测量程序应遵循以下步骤:a)用任意方法将样品材料制成线状。b)使用热端将样品材料线和参考材料线连接起来。d)在第三根线和参考线之间放置一个电压4.2.2微分法加热器加热器散热器散热器2:待测温度4GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2对于均匀的参考线，第二和第四项积分可以合并+αref···············································4.2.2.2测试程序加热器加热器铜块样品铜块Vtotal=VIR+α∆T····················5GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2···································这就是为何应使用交流电或快速切换直流电测量热电材料的电阻率。用于测量的典型样品尺寸为2或(3×3)mm2。测量程序应遵循以下步骤:a)冷却用于散热器的铜块b)将样品的一端放在散热器上c)将样品的另一端连接到加热器上4.3导热系数测量4.3.1总则底的导热系数和厚度的乘积。导热系数测量值可以反射器反射器 加热器或薄膜薄膜加热功率或反射器散热器辐射基底的薄带金属线连接。当角频率ω的正弦电流加热应用的样品时，薄带金属6GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2压振荡可由2ω的电阻振荡和ω的励磁电流得到。最后，导热系数的计算如式(11)所示。Vh3为频率ω1·························微型加热器微型加热器微腔图5瞬态3ω法测量薄膜材料导热系数的MEMS结构4.4测试报告7GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2络(WirelessSensorNetworks，WSN)等。能量收集器模块可以由多种基于热电或压电的能量收集器组8GB/T

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