1+X集成电路理论练习题库（含答案）

1+X集成电路理论练习题库（含答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、当芯片移动到气轨()时，旋转台吸嘴吸取芯片。A、首端B、中端C、末端D、任意位置正确答案：C答案解析：当芯片移动到气轨末端时，旋转台吸嘴的升降电机到达芯片正上方，吸嘴产生一定负压将该芯片吸起，升降电机上移并后退进入旋转台，上料完成。2、{在扎针测试时，需要记录测试结果，根据以下入库晶圆测试随件单的信息，如果刚测完片号为5的晶圆，那么下列说法正确的是：()。}A、TOTAL=5968，PASS=5788B、TOTAL=6000，PASS=5820C、T0TAL=5820，FAIL=180D、TOTAL=5788，FAIL=212正确答案：B答案解析：入库晶圆测试随件单中的合格数指的是除去测试不合格及外观不合格的合格数量，因此，总数TOTAL=“合格数”+“测试不良数”+“外观剔除数”，测试合格数PASS=“合格数”+“外观剔除数”，测试不合格数FAIL=“测试不良数”。所以对于片号为5的晶圆，TOTAL=6000，PASS=5820，FAIL=180。3、在光刻过程中，完成涂胶后需要进行质量评估，以下不属于涂胶质量评估时，光刻胶覆盖硅片的质量缺陷的是（）。A、光刻胶的回溅B、光刻胶中有针孔C、光刻胶起皮D、光刻胶脱落正确答案：D4、低压化学气相淀积的英文缩写是（）。A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正确答案：C答案解析：APCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。5、清洁车间内的墙面时要求使用（）进行清洁。A、麻布B、不掉屑餐巾纸C、无尘布D、棉正确答案：C答案解析：一周擦一次墙面，清洁车间内的墙时应使用无尘布。无尘布由100%聚酯纤维双面编织而成，表面柔软，易于擦拭敏感表面，摩擦不脱纤维，具有良好的吸水性及清洁效率。6、湿法刻蚀中，（）的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。A、硅B、铝C、二氧化硅D、砷化镓正确答案：C答案解析：二氧化硅腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。7、当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“()”键继续吸取一次。A、SKIPB、RESTARTC、RETRYD、STOP正确答案：C答案解析：当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”键继续吸取一次。8、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。A、衍射B、干涉C、反射D、二氧化硅本身的正确答案：B9、“对刀”操作时，点击显示屏上主菜单的（）按钮，使承载盘真空从关闭状态转为开启状态。A、θ角度调整B、开始C、WorkSetD、ManualAlign正确答案：C答案解析：点击显示屏上主菜单的“WorkSet”（设置）按钮，使承载盘真空从关闭状态转为开启状态。点击显示屏上的“ManualAlign”（手动对位）按钮，界面跳转到“切割道调整界面”。点击“10、芯片检测工艺通常在（）无尘车间内进行。A、百级B、千级C、十万级D、三十万级正确答案：B答案解析：芯片检测工艺是对完成封装的芯片进行电性测试，其芯片为非裸露状态，通常在常规千级无尘车间内进行，其温度为22±3℃，湿度为55±10％。11、晶圆检测工艺中，在进行打点之前，需要进行的操作是()。A、外检B、扎针调试C、打点D、扎针测试正确答案：D答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。12、料盘外观检查的步骤正确的是()。A、查询零头（若有）→零头检查→检查外观→电路拼零→零头储存B、检查外观→查询零头（若有）→零头检查→电路拼零→零头储存C、查询零头（若有）→零头检查→电路拼零→零头储存→检查外观D、检查外观→零头储存→查询零头（若有）→零头检查→电路拼零正确答案：B答案解析：料盘外观检查的步骤：检查外观→查询零头（若有）→零头检查→电路拼零→零头储存。13、在晶圆盒内壁放一圈海绵的目的是()。A、防止晶圆包装盒和晶圆直接接触B、防止晶圆之间的接触C、防止晶圆在搬运过程中发生移动D、美观正确答案：A答案解析：在晶圆盒内壁放一圈海绵是为了防止晶圆盒和晶圆接触。14、化学机械抛光中,抛光液的作用是()。A、与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化B、向抛光垫施加压力C、将反应生成物从硅片表面却除D、清洗硅片正确答案：A答案解析：硅片固定在抛光盘上后，抛光盘和装有抛光垫的旋转盘开始旋转，同时喷淋抛光液；然后抛光盘向抛光垫施加压力，此时抛光液在硅片和抛光垫之间流动，抛光液中的物质与硅片表面材料反应，变为可溶物质或将一些硬度过高的物质软化；通过研磨作用将反应生成物从硅片表面去除，进入流动的液体排出。15、封装工艺中，在完成芯片粘接后需要进行银浆固化，该环节在烘干箱中进行，一般在（）℃的环境下烘烤1小时。A、175B、150C、225D、200正确答案：A16、CMP是实现()的一种技术。A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正确答案：D答案解析：化学机械抛光(CMP)是通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得均匀表面,利用化学腐蚀和机械研磨加工硅片和其他衬底材料的凸出部分,实现全局平坦化的一种技术。17、用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通过()可以得到高纯度的四氯化硅。A、高温还原炉B、精馏塔C、多晶沉积设备D、单晶炉正确答案：B答案解析：用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通常使用精馏法，精馏法是在精馏塔中实现的。18、()即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点。A、QFNB、QFPC、LGAD、DIP正确答案：A答案解析：QFN即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。19、扎针测试时，测试机将测试结果通过()传输给探针台。A、USBB、GPIBC、HDMID、VGA正确答案：B答案解析：扎针测试时，测试机将测试结果通过GPIB传输给探针台。20、在实现LED流水灯程序中主要用到了（）语句。A、顺序B、条件C、扫描D、循环正确答案：D21、芯片检测工艺中，整批芯片完成外观检查后，需要进入（）环节。A、上料B、编带C、真空包装D、测试正确答案：C22、通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数据的方法是（）。A、发射光谱法B、干涉测量法C、质谱分析法D、椭圆偏振法正确答案：A答案解析：发射光谱法是通过监控来自等离子体反应中一种反应物的某一特定发射光谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到发射光谱的改变，从而来推断刻蚀过程及终点。23、在使用J-link驱动连接单片机是需在魔法棒按钮的（）中设置（）。A、Debug；地址范围B、Debug；工作频率C、Output；地址范围D、Output；工作频率正确答案：A24、利用平移式分选设备进行芯片分选时，分选环节的流程是（）。A、分选→收料→吸嘴吸取芯片B、吸嘴吸取芯片→收料→分选C、分选→吸嘴吸取芯片→收料D、吸嘴吸取芯片→分选→收料正确答案：D25、晶圆检测工艺对环境的其中一项——温度的要求范围是()℃。A、22±3B、20±5C、25±3D、20±3正确答案：A答案解析：晶圆检测工艺对环境的要求：测试车间符合10万级洁净区标准，温度常年保持在22±3℃，湿度保持在45±15%。26、避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用()遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。A、气泡膜B、不透明袋C、黑布D、白布正确答案：C答案解析：避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用一块黑布遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。27、一般来说，()封装形式会采用转塔式分选机进行测试。A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正确答案：A答案解析：一般来说，LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试，DIP/SOP会采用重力式分选机进行测试，QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。28、对准和曝光过程中，套准精度是指形成的图形层与前层的最大相对位移大约是关键尺寸的（）。A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正确答案：B答案解析：版图套准过程有了对准规范，也就是常说的套准容差或套准精度。具体是指要形成的图形层与前层的最大相对位移。一般而言大约是关键尺寸的三分之一。29、下列描述错误的是（）。A、转塔式分选机旋转台每转动一格，都会将产品送到各个工位B、转塔式分选机分选工序依靠主转盘执行C、转塔式分选机包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等D、一般转塔式分选机都需要配合编带机使用正确答案：D30、下列说法错误的是（）。A、在cadence软件界面上，单击Tools菜单，选择LibraryManager命令，出现“库文件管理器”B、用户可以在库文件里新建单元，但不能在新建的单元下新建视图C、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，表示在单元下建立电路图视图D、在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图正确答案：B31、SOP封装的芯片一般采用()形式进行包装。A、卷盘B、编带C、料管D、料盘正确答案：B答案解析：SOP封装因其体积小等特点，一般采用编带包装形式。32、通常一个花篮中最多装（）片晶圆。A、20B、25C、15D、30正确答案：B33、转塔式分选机设备测试环节的流程是：()。A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C答案解析：转塔式分选机设备测试环节的流程是：测前光检→测试→测后光检→芯片分选。34、当()时，可以确定花篮位置放置正确，花篮的卡槽与承重台密贴。A、探针台前的红色指示灯亮B、探针台前的绿色指示灯亮C、探针台上的位置指示灯亮D、探针台前的红色指示灯灭正确答案：C答案解析：当花篮的卡槽与承重台密贴时，探针台上的位置指示灯亮。探针台前的红色指示灯表示下降，绿色指示灯表示上升。35、LK32T102单片机内部有一个（）ADC。A、8位B、12位C、18位D、24位正确答案：B36、以全自动探针台为例，关于上片的步骤，下列所述正确的是：()。A、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮到位→花篮固定→合上盖子B、打开盖子→花篮放置→花篮到位→花篮下降→花篮固定→合上盖子C、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮固定→花篮到位→合上盖子D、打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子正确答案：D答案解析：以全自动探针台为例，上片的步骤为：打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子。37、封装工艺的电镀工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。A、电镀B、后期清洗C、装料D、高温退火正确答案：A38、()可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。A、测试机B、探针台C、塑封机D、真空包装机正确答案：B答案解析：探针台可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。39、二氧化硅和碳在()℃的环境下反应可生成粗硅。A、100~200B、500~700C、700~900D、1600~1800正确答案：D答案解析：因为硅—氧之间的键结很强，所以二氧化硅非常稳定，因此要用碳进行还原反应则需要很高的温度。一般工业上将二氧化硅和碳在1600~1800℃的温度下反应，破坏硅—氧之间的键结，进而生成粗硅和一氧化碳。40、湿度卡的作用是()。A、去潮湿物质中的水分B、可以防止静电C、起到防水的作用D、显示密封空间的湿度状况正确答案：D答案解析：湿度卡是用来显示密封空间湿度状况的卡片。二、多选题（共20题，每题1分，共20分）1、封装工艺中，晶圆划片机显示区可以进行（）、（）等操作。A、给其他操作人员发送消息B、设置参数C、切割道对位D、操作过程中做笔记正确答案：BC2、利用平移式分选设备进行芯片测试时，在分选环节可以根据测试结果将合格芯片分为（）。A、A档B、B档C、C档D、不合格档正确答案：AB3、相较于高温铜质花篮，高温实心花篮有()等特点。A、质轻B、制造成本高C、花篮本身重D、制造成本低正确答案：AD答案解析：高温铜质花篮本身较重，制造成本高，一般用于尺寸较小的晶圆，如5英寸、6英寸。高温实心花篮具有质轻、制造成本低等特点，目前工业上一般多用高温实心花篮。4、编带外观检查的内容有：()。A、压痕B、盖带皱纹C、载带破损D、脱胶正确答案：ABCD答案解析：编带外观检查的内容有：压痕、变形、脱胶，载带破损、盖带皱纹。5、花篮可以分为()。A、高温实心花篮B、高温铜质花篮C、高温塑料花篮D、常温花篮正确答案：ABD答案解析：花篮分为高温花篮和常温花篮，高温花篮有高温铜质花篮和高温实心花篮两种。6、以下属于产生静电而造成的危害有()。A、因静电火花点燃某些易燃物体而发生爆炸B、造成集成电路和半导体元件的污染C、电火花会引起爆炸D、干扰飞机无线电设备的正常工作正确答案：ABCD7、塑封体上激光打字时，打印的内容可以有（）等。A、产品名称B、生产日期C、生产批次D、商标E、注意事项F、适用范围正确答案：ABCD答案解析：D选项“商标”属于制造商信息，所以有时会打印在产品上。8、表征光刻胶的性能指标包括（）。A、灵敏度B、分辨率C、黏附性D、留膜率正确答案：ABCD答案解析：表征光刻胶性能指标包括灵敏度、分辨率、黏附性、抗蚀性、留膜率等。9、整批料盘全部外观检查完后（包括电路拼零等），后续需要进行的操作是()。A、清点数量B、打印标签C、临时捆扎D、抽检正确答案：ABCD答案解析：整批料盘全部外观检查完后（包括电路拼零等），后续需要进行临时捆扎、数量清点、打印标签、放到“已检查品货架”上等待外验人员进行抽检等操作。10、晶圆检测过程中，若其车间内洁净度不达标，则可能会导致（）。A、测试良率降低B、探针测试卡上出现异物C、探针测试卡报废D、晶圆报废正确答案：ABCD答案解析：当车间洁净度不达标时生产中电路质量和设备将受到影响。比如在晶圆检测过程中，可能会使探针测试卡上出现异物，严重时会导致探针测试卡损毁、晶圆报废，因此导致测试良率降低、测试不稳定，带来巨大损失，故A、B、C、D均正确。11、晶圆切割机主要由（）、（）和（）三部分组成。A、清洗区B、气枪C、显示区D、切割区正确答案：BCD12、5mil的墨管常用于（）的晶圆。A、6英寸B、12英寸C、8英寸D、5英寸正确答案：AD13、IC制造中用的光刻胶一般由（）组成。A、感光剂B、增感剂C、溶剂D、去离子水正确答案：ABC14、下列对数字芯片测试描述正确的是（）。A、能测试后一般为直流参数测试B、在直流参数测试后一般为功能测试测试C、在开短路测试后一般为直流参数测试D、开短路测试一般为芯片测试的第一步骤，目的是验证被测芯片与测试机的电气连接正确答案：AD15、运放组件的整体布局的一般按照以下顺序（）。A、按照具体电路的对称性要求以及电路结构，将电路中的具体晶体管按照电路中的相对位置对称排布B、按照具体电路设计的文件，确定每个支路通过的最大工作电流C、按照每个支路的最大工作电流对应的导线宽度增加一定的裕量，确保电路的性能D、根据具体电路的要求，确定电路中的输入输出引线，确定其与电源和地在整体布局中的位置正确答案：ABCD16、使用编带机进行编带时，在编带前进行光检的内容是检查（）。A、芯片的印章是否清晰B、芯片的数量是否正确C、芯片的电气参数D、芯片的管脚是否出现扭曲、断裂正确答案：AD17、进入芯片封装工艺过程中塑封之后的工序车间必须穿戴的是（）和（）。A、防静电帽或发罩B、眼罩C、口罩D、无尘衣E、防静电服F、一次性橡胶手套正确答案：AE答案解析：塑封工序之后芯片已经被包裹起来，处于非裸露状态，故进入车间前必须要穿戴的是防静电帽子或发罩以及防静电服。18、CMP工艺的三大关键因素是()。A、抛光机B、抛光液C、抛光盘D、抛光垫正确答案：ABD答案解析：抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的三大关键因素,平坦化前根据研磨的材料以及抛光机性能，选择合适的抛光垫固定在旋转盘上，以及合适的抛光液、清洗液。19、单片机最小系统电路包括（）等部分。A、复位电路B、程序下载电路C、电源电路D、时钟信号电路正确答案：ABCD20、下列描述正确的是（）。A、共模抑制比越小越好B、表征差分电路抑制共模信号及对差模信号的放大能力C、共模抑制比定义为放大器对差模电压的放大倍数与对共模电压放大倍数之比D、共模抑制比越大越好正确答案：BCD三、判断题（共40题，每题1分，共40分）1、根据切割工具的形式，晶圆切割的方式只有机械切割，一般采用砂轮划片的方法。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：晶圆切割通常使用机械切割和激光切割两种方式，其中机械切割一般采用砂轮划片的方法。2、探针测试卡的电路板部分与测试机连接，上部是以金属合金制成的探针，探针通过与晶圆上的焊点接触，从而直接收集晶圆的输入信号或测试输出值。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：探针测试卡的电路板部分与测试机连接，下部是以金属合金制成的探针，探针通过与晶圆上的焊点接触，从而直接收集晶圆的输入信号或测试输出值。3、在LK32T102单片机，实现方波发生器功能中PWM控制模块流程为A、正确B、错误正确答案：A4、转塔式分选机的测试分选工序主要依靠旋转台来执行，旋转台上搭载机械手，机械手上的吸嘴只能实现待测芯片的取环节。（）A、正确B、错误正确答案：B5、在晶圆检测工艺中，如果遇到需要高温加热的晶圆，需要根据晶圆测试随件单上的加温条件进行加温后再调整打点器墨点的位置。A、正确B、错误正确答案：A6、光刻过程中，如果涂胶不好，特别是HMDS涂得不好，胶与硅片粘附性差，会造成局部区域的胶脱落，导致图形不完整。A、正确B、错误正确答案：A7、切筋的目的是要将整条引线框架上已经封装好的元件独立分开，切筋后每个独立封装元件是一块树脂硬壳且其侧面伸出许多外引脚。A、正确B、错误正确答案：A8、镀锡之后的框架条表面会更有光泽，且具有良好的抗氧化性、抗蚀性和可焊性。A、正确B、错误正确答案：A9、晶圆研磨和晶圆切割前都需要在晶圆背面进行覆膜。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：晶圆蓝膜专为晶圆研磨、切割而设计，它具有高黏着力，使晶圆在研磨、切割过程中不脱落、不飞散，从而能被确实地研磨或切割。其中晶圆研磨是对晶圆背面进行研磨，故需要在晶圆的正面覆上蓝膜；而晶圆切割是在其正面进行切割，所以需要在晶圆的背面覆上蓝膜。10、软烘又叫前烘，该工序仅可在烘箱中进行。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：软烘又叫前烘，软烘可在烘箱、红外线加热器、真空热板下进行。11、为保证云端放大器的对称性，运放中所有的晶体管的源极都要朝一个方向。A、正确B、错误正确答案：B12、载片台上吸取芯片的位置是固定不变的，且与对应的摄像机的十字光标所在的位置一致。A、正确B、错误正确答案：A13、晶圆扎针测试完成后需要进行打点，打点前，需要根据晶圆大小的不同，选用不同规格的墨管。A、正确B、错误正确答案：B14、平移式分选机进行检测时，是通过出料梭将待测芯片从待测区转移到测试区的。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：平移式分选机进行检测时，是通过入料梭将待测芯片从待测区转移到测试区的。15、热扩散掺杂工艺可以一步实现。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：扩散不能一步实现，步骤为进行质量检测→下载工艺清单→开启扩散炉→清洗硅片→预淀积→升高炉温，推进并激活杂质→撤出硅片，测量扩散层的电阻和结深。16、芯片损坏可能导致测试良率偏低。A、正确B、错误正确答案：A17、墨管需要冷藏存放。A、正确B、错误正确答案：A18、在LK32T102单片机上，“PB->OUTEN=0x0000;”将PB0~PB7引脚配置设置为输出。A、正确B、错误正确答案：B19、防静电铝箔袋中，干燥剂、湿度卡要随料管一起放入。A、正确B、错误正确答案：A20、将烘烤完成的晶圆从烘箱中取出后，不需要核对晶圆印章批号和晶圆测试随件单信息。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：将烘烤完的晶圆从烘箱中取出，用晶圆镊子从高温花篮中夹取晶圆，核对晶圆印章批号和晶圆测试随件单是否一致，核对无误后，根据晶圆片号，依次放入常温花篮对应的花槽内，准备进行外检。21、芯片包装完后，需要在真空包装结束后，在不透明的防静电铝箔袋上贴上标签，是为了识别真空包装的芯片型号、批次等信息。（）A、正确B、错误正确答案：A22、粘尘垫的作用是粘除进入车间员工鞋底的灰尘，防止将灰尘带入车间。风淋室的出口和入口都需要布置粘尘垫。A、正确B、错误正确答案：A答案解析：粘尘垫又名粘尘地板胶，主要适用于贴放在洁净空间的出入口处及缓冲区间，它能有效地粘除鞋底和车轮上的灰尘，最大限度的减少尘埃对洁净环境质量的影响，从而达到简易除尘的效果。23、内盒打包完成后就可以进行发货。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：内盒打包完成后还需进行装箱。24、若遇到需要高温加热的晶圆，需要根据晶圆测试随件单上的加温条件进行加温后再调整打点器墨点的位置。A、正确B、错误正确答案：A25、利用平移式分选设备进行芯片测试时，该设备是采用压测的方式进行的。A、正确B、错误正确答案：A26、由于NMOS管和PMOS管的注入类型、衬底接触都是相反的，所以对于复制的图形需要将其Nimp和Pimp层互换。A、正确B、