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文档简介

量子阱中量子阱中尤为显著（库仑屏蔽效应弱）.

低温下

中产生兰移。

量子阱中EHP●强激发下产生增益（存在FP模）。●相空间填充随着电子-空穴对密度增加，自由电子和空穴填充导带和价带,而导带会降到激子能级之下,于是低能激子就无法产生.这是激子在高激发情况下消失的第二种原4.吸收EHP产生增益。吸收声子●化学势和能隙的移动基本时间常数(弱耦合情况)时间内，可认为部分极化波与入射脉冲仍然是相干的。③散射过程●激子受到杂质、缺陷、量子阱粗糙界面以及混晶中离子分布的起伏等因素散射.主要影响自由激子和扩展态激子，对局域激子的影响减弱.●激子同声子的散射(夫勒利希耦合，形变势以及压电耦合).该过程随着晶格温度的增加而增强.●激子-激子，激子-电子弹性和非弹性散射.主要影响自由激子和扩展态激子，对局域激子的影响减弱.随着泵浦强度增强而明显增强.●电子与空穴复合.2.电子与空穴复合①

为处于激发态粒子的寿命.直隙材料为ns;间隙材料为

甚至ms.②激子数密度为其中

等号对应相驰豫过程仅存在复合过程，>号对应相驰豫过程中还存在上述多种散射过程.为纯相驰豫时间（不包括复合过程）.③激子辐射复合：发光效率

定义为发射光子数与激发电子-空穴对数比值.高质量量子阱

优质直隙体材料

间隙材料

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