模拟集成电路设计智慧树知到期末考试答案章节答案2024年广东工业大学

模拟集成电路设计智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年广东工业大学在LC振荡器电路中，可变电容器能实现频率调节，但是它的不足？（）

答案:N阱电阻率高，产生串联电阻RS###N阱与衬底间大电容Cn

答案:运放使用大尺寸器件###增大ΔVBE带隙基准电路中，通常用于温度补偿的元件有哪些？（）

答案:电阻###BJT套筒式共源共栅运放的特点为（）。

答案:增益高###不适合做单位增益缓冲器###输出摆幅小模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）

答案:增益若第一非主极点频率等于运放的单位增益带宽，系统的相位裕度为（）

答案:45°在宽长比保持不变的情况下，跨导随过驱动电压和漏电流变化的关系是。（）

答案:跨导随过驱动电压增大而减小，跨导随漏电流增大而增大

答案:F点的摆幅和输出摆幅一样下列哪种振荡器能产生多相信号？（）

答案:环形振荡器锁相环对输入抖动具有（）滤波作用。

答案:低通

答案:200kHz

答案:500kHZ下列哪种电路能够振荡？（C）（）

答案:置于单位增益环路的三级共源级电路

答案:(1+1/A)CF以下哪个是带隙基准中运放的作用？（）

答案:钳位

答案:M3进入线性区后，输出电流显著下降在集成电路中，带隙基准主要用于（）

答案:提供参考电压

答案:三极管区采用二极管连接的NMOS或PMOS，因漏极和栅极电势一样，这时晶体管总是工作在。（）

答案:饱和区工作在线性区的MOS管，其漏源电阻不受其影响的是（）

答案:负载电阻典型的带隙基准（非低压带隙基准）输出电压是多少？（）

答案:1.2V基本差动对电路中对差模增益没有影响的是。（）

答案:尾电流源的小信号输出阻抗为有限值

答案:图中差分放大器通过电阻提供1mA的尾电流，已知(W/L)1,2=25⁄0.5，

答案:3.16kΩ当差分放大器的差分输入为0时，放大器的跨导Gm最小。（）

答案:错延迟锁相环DLL可以产生可变的输出频率。（）

答案:错降低尾电流源的输出阻抗可以提升运放的共模抑制比。（）

答案:错启动问题的模拟，需要在直流扫描仿真中要求电源电压从零伏开始上升，还需要在瞬态仿真中要求电源电压从零伏开始上升。（）

答案:对运放的转换速率和输入无关。（）

答案:对

答案:错差动结构的振荡器电路级数可以是偶数，只要将其中的一级结成不反相的。（）

答案:对带并联LC负载的共源级电路，其峰值输出电压可以超过电源电压。（）

答案:对在II型锁相环中插入分频器后，稳定性和稳定速度下降。（）

答案:对差分放大器中尾电流源的输出阻抗越高越好。（）

答案:对在P衬N阱工艺中，N阱中的P+区作为发射区，N阱本身作为基区，P衬底作为集电区。（）

答案:对由于体效应的影响，对于NMOS管，保持衬底电压不变，升高源极电压，阈值电压将变小。（）

答案:错带源极负反馈的共源级放大器，具有较高的线性度和更大的增益。（）

答案:错MOS管器件的体效应是由于衬底与栅极有电压差。（）

答案:错恒定Gm偏置是指偏置一些晶体管，使它们的跨导不依赖于温度，工艺，电源电压。（）

答案:对相同条件下，有源负载共源极比电流源负载的增益要大（）

答案:对驱动负载电容的源跟随器会显示出负的输入电阻，可能引起不稳定。（）

答案:对低压共源共栅电流镜的最低输出电压为2Vth+Vdsat。（）

答案:错提高基本电流镜的沟道长度L会改善影响电流镜的电流复制精度。（）

答案:对电流源负载共源极的输入电阻较小（）

答案:错PLL可以产生可变的输出频率。（）

答案:对PFD/CP/LPF组合是一个线性系统。（）

答案:错锁相环的应用包括（）。

答案:数据和缓冲后的时钟之间的偏移减小###频率的倍增###频率的合成###抖动的减小异或门作为鉴相器的增益与频率无关。（）

答案:对PLL中的振荡器存在相位偏移的积累。（）

答案:对需要对II型锁相环进行频率补偿以保持系统稳定。（）

答案:对与PLL相比，DLL具有更好的稳定性。（）

答案:对对于I型锁相环，ωLPF越小，稳定时间越短。（）

答案:错电阻是增量，负电阻表示：如果施加的电压增大，那么流过电路的电流减小。（）

答案:对

答案:ISSR1调节环振延时的“插值法”，产生最小频率时，只有慢路径导通。（）

答案:对交叉耦合振荡器的尾电流源是用来降低电源电压敏感性。（）

答案:对LC振荡器的谐振频率主要由什么决定？（）

答案:电感值L和电容值C的平方根CMOS振荡器通常使用哪种类型的反馈？（）

答案:正反馈三级CMOS反相器环形振荡器，反相器延时TD，产生的振荡周期为6TD。（）

答案:对基准电压的温度系数越小表示：（）

答案:基准电压随温度的变化小双极晶体管的基极-发射极电压，或者PN结二极管的正向电压，具有负温度系数。（）

答案:对下面哪个量具有负温度系数：（）

答案:三极管基极-发射极电压VBE两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下，它们的基极-发射极电压的差值就与绝对温度成正比。（）

答案:对在带隙基准中，为了减小运放失调电压的影响，运放采用大尺寸器件，并仔细选择版图的布局。（）

答案:对在带隙电压基准电路中，考虑集电极电流随温度变化的影响后，通常VBE的温度系数会变：（）

答案:变小在带隙基准中，由运放产生的信号回到了两个输入端，正反馈系数必须小于负反馈系数，以确保总的是负反馈。（）

答案:对电源抑制比（PSRR）定义为从输入到输出的增益除以从电源到输出的增益。（）

答案:对相位裕度越小，系统越稳定。（）

答案:错在两级运放中采用密勒补偿技术可以（）

答案:将次极点频率升高###提升相位裕度###将主极点频率降低输出级的高阻抗和偏置电流镜引入的电流偏差使运放的共模电压存在不确定性。（）

答案:对

答案:2000折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅运放相比更适合做单位增益缓冲器。（）

答案:对一个二级运放，不能同时实现高增益和大摆幅。（）

答案:错共源级电路中，当共源MOS管的CDB增加时，不能采用低频增益计算密勒效应的乘积项。（）

答案:对和共源级相比，共源共栅电路抑制了密勒效应。（）

答案:对差动放大器的CMRR中零点频率大于极点频率。（）

答案:对在阻抗Z与信号主通路并联的许多情况下，密勒定理被证明是有用的。（）

答案:对一般情况下，和共源级电路相比，共栅级电路可以设计成具有更大的带宽。（）

答案:对采用密勒近似分析共源级电路的频率特性会忽略零点的存在。（）

答案:对当RS>1/gm时，源级跟随器的输出阻抗包含电容的元件。（）

答案:错提高五管OTA的输入共模电压可以提高输出动态范围。（）

答案:错低压共源共栅电流镜的最低输出电压为2Vdsat。（）

答案:对共源共栅电流镜具有较大的输出摆幅。（）

答案:错共源共栅电流镜具有较高的输出阻抗。（）

答案:对提高五管OTA的输入跨导可以提高共模抑制比。（）。

答案:对提高电流镜输出电阻不会影响电流镜的电流复制精度。（）

答案:错五管OTA是差分输入单端输出的。（）

答案:对沟道长度调制效应会影响基本电流镜的电流复制精度。（）

答案:对当差分放大器的差分输入为0时，放大器的跨导Gm最大。（）

答案:对当电路不对称时，差分放大器的输入共模变化会导致输出差模信号变化。（）

答案:对差分放大器比单端放大器的线性度好。（）

答案:对对于一个差分放大器，可以通过改变它的偏置电流改变增益。（）

答案:对提高差分放大器输入管的W/L可以提高输入范围。（）

答案:错差分放大器的输入信号可以拆分为差分输入信号和共模输入信号。（）

答案:对差动放大器的输入共模变化会影响输出偏置点和输出摆幅。（）

答案:对对于共源放大器，与二极管连接的PMOS做负载相比较，用工作在饱和区的PMOS作负载可以得到更高的输出电阻。（）

答案:对共栅级既是电压放大器，也是电流放大器（）

答案:对共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗很高。（）

答案:对对于源极跟随器，与电阻负载相比，电流源负载能够提高它的线性度。（）

答案:对共源共栅放大器的输出摆幅变大，增益变大（）

答案:错电流源负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。（）

答案:增大漏极电流有限电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。（）

答案:增大器件的沟道长度L源极跟随器能实现电平转换（）

答案:对MOS管器件流控电压源。（）

答案:错模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）

答案:输出摆幅(C)表征了MOS器件的灵敏度。（）

答案:gmMOS管的小信号输出电阻是由MOS管的体效应产生的。（）

答案:错MOS器件中，保持VDS不变，随着VGS的增加，MOS器件将从截止区到线性区最后到饱和区。（）

答案:错MOS管一旦出现()现象，此时的