《电子技术基础》课件-项目1 电子技术基础技能训练

《电子技术基础》课程设置电子技术基本技能课程性质及定位电子元件及其选择常用工具和器材的使用常用电子仪表的使用电路安装技术电路识读的基本方法电路测试的一般方法处理电路故障的一般方法查询技术资料的方法企业生产电子产品调试、检验、维修、生产管理、营销等岗位目标岗位电类专业核心专业基础技能课能力轨道

目录

项目1电子技术基础技能训练项目2基本放大电路的仿真与实训项目3负反馈放大电路与集成运算放大器的仿真与实训项目4直流稳压电源的仿真与实训项目5数字逻辑基础和集成门电路的的仿真与实训项目6组合逻辑电路的仿真与实训项目7时序逻辑电路的仿真与实训项目8数模转换器的仿真与实训项目1

电子技术基础技能训练项目1常用电子元器件

1.1电阻、电容、电感

1.2半导体基础知识

1.3半导体二极管1.4半导体三极管1.5场效应管1.1.1电阻：用符号R表示1、电阻的作用：分压、限流、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。2、电阻的分类（1）按结构：

固定电阻、可变电阻器1.1电阻、电容、电感（2）按制作材料：

金属膜电阻、碳膜电阻、热敏电阻、实心碳膜电阻器等。可变电阻热敏电阻光敏电阻

固定电阻

两种：数标法和色标法（1）数标法：用阿拉伯数字在电阻表面直接标出其阻值和允许误差等级。允许误差三个等级：Ⅰ级：±5%，Ⅱ级：±10%，Ⅲ级：±20%(不标)3、电阻的参数标注方法（2）色标法：

用颜色表示电阻器标称值和允许误差一般用四道或五道色环来表示，各种颜色代表不同的数字。四环电阻的四道色环，第一、二道环是数值，第三道环是表示10的幂（10n，n为颜色所表示的数字），第四道环表示允许误差（金或银，若无第四道环，则误差为±20%）。色环电阻的单位一律为Ω。颜色第一位有效数第二位有效数倍率允许误差黑00100棕11101红22102橙33103黄44104绿55105蓝66106紫77107灰88108白99109+50至-20%金10-1±5%银10-2±10%无色±20%例如：电阻器上的色带依次为绿、黑、橙、无色，则表示50×1000=50kΩ±20%;又如电阻器上的色标是红、红、黑、金，其阻值是22×1=22Ω,误差是±5%.

1.1.2电容在电路中一般用C+数字表示（如C25表示编号为25的电容）。1、作用在电路中起通交流、隔直流、贮能、旁路、耦合、滤波等作用2、分类（1）按结构：分为固定电容器、可变电容器和微调电容器三类。（2）按介质：分为陶瓷电容器、云母电容器、纸介电容器、油质电容器、碳膜电容器、电解电容器等。电容的单位：1F=103mF=106uF=109nF=1012pF

3、电容器容量和误差的标记方法(1)直标法：如0.22uF±10%。(2)文字符号法：将容量的整数和小数部分分别写在容量单位标志符号的前面和后面。例如：2.2pF=2p2，6800pF=6n8(3)数码标注法：用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字表示前两位有效数字后“0”的个数，这样得到的电容量单位是pF。如：224表示0.22uF(4)色码标注法：同电阻，单位pF1.1.3电感器1、作用通直流、阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。2、分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。

按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。

按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。

按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。3、电感的主要参数电感量L、感抗XL、品质因数Q=XL/R小结1、电阻：限流、分压、滤波等2、电容：通交流、阻直流3、电感：通直流、阻交流1.2半导体基础知识

物质按导电性能可分为导体、半导体和绝缘体。

半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间，并且随温度、光照或掺入某些杂质发生显著变化常用：硅（Si）和锗（Ge）晶体结构1.2.1本征半导体：纯净晶体结构的半导体◆+4价元素，最外层轨道四个价电子。共价键形式存在。◆T=-2730C(绝对零度)

相当于绝缘体+4+4+4……4+4+4+4+4+4自由电子空穴图1.1.2本征激发产生自由电子和空穴◆T升高，共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量，少数摆脱共价键的束缚成为自由电子，即电子载流子（带负电），同时在共价键中留下空位，称为空穴载流子，这种现象称为本征激发。即：空穴自由电子成对出现

+-在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；价电子也按一定方向依次填补空穴，即空穴产生了定向移动，形成所谓空穴电流。自由电子和空穴在运动中相遇时会重新结合而成对消失，这种现象称为复合。可见：半导体：自由电子和空穴两种载流子

导体：只有自由电子这一种载流子1.2.2杂质半导体（以Si为例）

①

N型半导体：掺入5价元素，如磷（P）、砷（As）施主杂质掺入的磷越多自由电子越多，所以N型半导体中电子为多数载流子（“多子”），空穴为少数载流子（“少子”）。磷被称为“施主”杂质。整个半导体中的正负电荷数相等，呈现电中性。N型半导体：多子：自由电子，-少子：空穴，+整个半导体不带电。1.2.2杂质半导体（以Si为例）

受主杂质②

P型半导体:掺入3价元素，如硼（B）1.2.2杂质半导体（以Si为例）

1.2.2杂质半导体（以Si

为例）掺入的硼越多空穴数目越多，所以P型半导体中空穴为多数载流子，电子为少数载流子。硼被称为“受主”杂质。整个半导体中的正负电荷数也是相等的，半导体仍呈现电中性。P型半导体：少子：自由电子，-多子：空穴，+整个半导体不带电。

半导体本征半导体杂质半导体N型半导体P型半导体1.2.3

PN结的形成及特性通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，两种半导体的交界处就形成PN结。一、

PN结的形成■在P型和N型半导体的交界面上，由于两侧电子和空穴浓度差产生扩散■N区中多子电子向P区扩散并与P区中的空穴复合而消失；P区中的多子空穴扩散到N区，与N区中的自由电子复合而消失■交界面附近载流子浓度骤减，形成了由不能移动的杂质离子构成的空间电荷区，建立了内电场多数载流子的扩散运动PN空间自建场的形成PN空间电荷区内电场■室温下:硅内建电位差0.5～0.7V

锗内建电位差0.2～0.3V■电场方向：N区→P区。PN耗尽层空间电荷区内电场内电场作用：●内电场的方向与多子扩散运动的方向相反，会阻碍多子的扩散运动；●内电场将促使N区的少数载流子（空穴）向P区漂移，使P区的少数载流子（电子）向N区漂移，这种少数载流子的运动称为漂移运动。漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。空间电荷区又被称为耗尽区或阻挡层。二、PN结单向导电性1、PN结正向偏置—导通

P区接电源正极，N区接负极，外电场与内电场方向相反，使PN结变窄削弱，当外电压增加到一定值后，正向电流明显增加（P→N），PN结呈现的电阻很小。称为正向导通。

PN结反偏，外电场与内电场方向相同，使内电场加强，PN结加强变宽。阻碍了多子的扩散运动，而加强了少子的漂移运动，通过PN结的电流（反向电流）由少子的漂移运动决定。少子浓度很低，反向电流很小。当反向电压增大时，反向电流几乎不随外加电压的增大而增大。2、PN结反向偏置——截止综上所述，PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，形成较大的正向电流；反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。PN结具有单向导电特性。

PN结除具有单向导电性以外，还具有击穿特性、电容特性、温度特性。小结1、半导体具有光敏、热敏、掺杂特性。2、半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。3、本征半导体中自由电子和空穴成对出现。4、温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。5、N型半导体：电子—多子，空穴—少子；P型半导体：空穴—多子，电子—少子。6、PN结具有单向导电性。1.3半导体二极管

1.3.1二极管的结构、类型及符号1、结构：PN结+两个电极+管壳。两极分别叫做:正极或阳极（P区）

:负极或阴极（N区）结构符号D二极管按材料按封装塑封锗型金属封砷化镓2、类型：硅型按工艺点接触型面接触型(1)点接触型：PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2)面接触型：PN结面积大，用于工频大电流整流电路。死区电压反向击穿电压正向特性反向击穿反向特性1.3.2半导体二极管的特性

1.伏安特性

1.二极管的伏安特性(1).正向特性

加正向电压小，电流极小（几乎为零），这一部分称为死区（死区/门槛/阈值电压)，OA(OA′)

硅管：0.5V，锗管：0.1V。正向电压>死区电压，正向电流急剧增大，二极管导通。二极管的正向导通压降UVD(on)

：硅管：0.6~0.8V，锗管：0.1~0.3V

通常：硅管：UVD(on)=0.7V，锗管：UVD(on)=0.3V。特性曲线1.二极管的伏安特性(2).反向特性加反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR，OC（OC′）段。特性曲线1.二极管的伏安特性(3).反向击穿特性

反向电压加到一定数值，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。电压称为反向击穿电压,用UBR表示,CD(C′D′)段。特性曲线2.温度特性温度升高，正向特性左移，反向特性下降。604020–0.0200.4–25–50iD

/mAuD/V20C90C1.3.3二极管的主要参数

1.最大反向工作电压UR：二极管工作时所加最大反向电压＝，超过此值，二极管可能被击穿。

2.最大整流电流IF：二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。

3.反向电流IR：二极管未击穿时反向电流，愈小愈好。

4.最高工作频率fM：

取决于PN结结电容，结电容越大，则最高频率越低。二极管电路分析定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅：0.7V锗：0.3V

反向截止时二极管相当于断开。

若二极管是理想的，正向导通时管压降为零（短路），1.3.4二极管的应用

1、整流

整流：将交流电变为单方向脉动的直流电。单相半波整流电路及波形图(a)电路图；(b)波形图p2p3p4pwt22Uu2wt22UuO00wtiV=iO0wt22U-uV0(b)例1

单相桥式整流电路例2

限幅：限制输出电压幅度

即：当输入电压在一定范围内变化时，输出电压随输入电压作相应变化；当输入电压高于某一个数值时，输出电压保持不变。

2、限幅电路（削波电路）限幅上限幅双向限幅下限幅ui>8V

二极管导通，可看作短路uo=8V

ui<8V

二极管截止，可看作开路uo=ui已知：二极管是理想的，试画出uo波形。ui18V参考点8V例3VD8VRuoui++––二极管限幅电路及波形（a）限幅电路（b）波形ui=10sinωt(V),Us1=Us2=5V例4利用二极管的单向导电性接通或断开电路。广泛应用于电脑、电视机、通信设备、家用音响、影碟机、仪器仪表、控制电路及各类高频电路中3、二极管开关电路多只二极管：共阳极连接：阴极电位低的二极管优先导通；共阴极连接：阳极电位高的二极管优先导通。一只二极管：若V阳

>V阴，二极管导通（正向偏置）若V阳

<V阴，二极管截止（反向偏置）例5：当u1和u2为0V或3V时，求u1和u2的值不同组合情况下，输出电压uo的值，二极管是理想的。D2UoVCCD15Vu24.7kΩu1u1

u2二极管工作状态uOD1D20V0V0V3V3V0V3V3V导通导通截止导通导通截止导通导通0V0V0V3V例6:电路如图，求：UAB解：若忽略二极管正向压降，VD2可看作短路，UAB=0V

，VD1截止。VD１6V12V3k

BAVD2UAB+–

取B点作参考点，VD1阳=－6V，VD2阳=0V，VD1阴=VD2阴，由于VD2阳电压高，因此VD2导通。1.3.5特殊二极管1．稳压二极管

●原理：反向击穿后具有稳压特性。●伏安特性曲线与电路符号U/VI/

mAODUZ(a)IZminUZABIZmax(b)●特点：正偏时，类似普通二极管；反偏时，开始一段和二极管一样，反向击穿后，电压稳定，UZ表示。

●稳压二极管工作在反向击穿状态，稳压RUz+－+－Ui(c)稳压管电路

●基本参数（1）稳定电压UZ（2）稳定电流IZ（3）最小稳定电流IZmin（4）最大稳定电流IZmax（5）最大耗散功率PZM

例7:已知稳压二极管的UVDZ=6.3V，当UI=±20V，R=1kΩ，UVD(on)=0.7V时，求UO。解：当UI=+20V时，VDZ1反向击穿稳压，

UVDZ1=6.3V，VDZ2正向导通，UVD(on)=0.7V，则UO=6.3+0.7＝7V；同理，UI=-20V时，

UO=-7V。

也是由PN结构成，同样具有单向导电性，但在正向导通时能发光，它是一种把电能转换成光能的器件。目前应用的有红、黄、绿、蓝、紫等颜色的发光二极管发光二极管电路符号2．发光二极管D也叫光敏二极管，是一种光接收器件，PN结工作在反偏状态。光电二极管电路符号3.光电二极管发光二极管（a）图形符号;（b）光电传输系统发光二极管发射电路通过光缆驱动的光电二极管电路1.目测判别极性触丝半导体片1.2.6、二极管的识别与简单测试2.

用数字式万用表检测红表笔是(表内电源)正极，黑表笔是(表内电源)负极。2k20k200k2M20M200

在

挡进行测量，当PN结完好且正偏时，显示值为PN结两端的正向压降(V)。反偏时，显示。3、二极管使用注意事项二极管使用时，应注意以下事项：(1)二极管应按照用途、参数及使用环境选择。(2)使用二极管时，正、负极不可接反。通过二极管的电流,承受的反向电压及环境温度等都不应超过手册中所规定的极限值。(3)更换二极管时，应用同类型或高一级的代替。(4)二极管的引线弯曲处距离外壳端面应不小于2mm，以免造成引线折断或外壳破裂。

小结1.二极管具有整流、限幅、开关等作用。2.共阴、共阳二极管的判别。3.二极管的伏安特性、温度特性。

1.4半导体三极管

半导体三极管双极型三极管单极型三极管只有一种载流子空穴自由电子→(BJT)

1.4.1三极管的结构和类型1.结构：

2个PN结+3个杂质半导体区域+3个电极三个区：

发射区——发射载流子的区域

基区——载流子传输的区域

集电区——收集载流子的区域三个电极：发射极ｅ、基极ｂ和集电极ｃ两个PN结：发射结——发射区和基区交界处

集电结——基区和集电区交界处NPN集电极

c

基极b集电结发射结集电区基区发射区发射极

eebc(aNPN型)b箭头方向表发射结加正向电压时电流的方向。PNP型

为使三极管具有电流放大作用，在制造过程中必须满足实现放大的内部结构条件，即：

（1）发射区掺杂浓度最高，以便于有足够的载流子供“发射”。（2）基区很薄，掺杂浓度最低，以减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有放大作用的关键所在。（3）集电结面积大于发射结面积，利于收集载流子。

（1）按其结构类型分为NPN型管和PNP型管

（2）按其制作材料分为硅管和锗管，目前国内生产的硅管多为NPN型（3D系列），锗管多为PNP型（3A系列）（3）按工作频率分为高频管和低频管（4）按功率大小可分为大功率管、中功率管和小功率管2.类型3.半导体器件的型号命名国家标准对半导体三极管的命名如下:3

D

G

110B

第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：P普通管、W稳压管、Z整流管、K开关管

X低频小功率管、D低频大功率管

G高频小功率管、A高频大功率管材料器件的种类同种器件型号的序号同一型号中的不同规格三极管由第二位判型号硅NPN高频小功率三极管图1.3.3三极管电源的接法（a）NPN型;（b）PNP型NPN型：UC>UB>UE；PNP型：UE>UB>UC1.4.2三极管的放大作用放大电路的外部条件：发射结加正向电压，集电结加反向电压，即发射结正偏，集电结反偏。三极管具有放大作用的测试电路测得：UCCUBB三极管内部载流子的传输过程1)发射区多子电子不断向基区扩散,

形成发射极电流

IEICN2)电子到达基区后大部分向C结方向扩散，形成ICNIE少部分与空穴复合，形成

IBN。IBN基区空穴来源：基极电源提供(IB)集电区少子漂移

(ICBO)I

CBOIBIBN

IB+ICBO即：IB=IBN–ICBO

3)集电区收集扩散过来电子形成集电极电流

ICICIC=ICN+ICBO三极管的电流分配关系：整理以上三式得：

电流分配关系式1）直流电流放大系数：2）交流电流放大系数：●三极管的电流放大作用通常用集电极电流IC与基极电流IB之比值来反映三极管的放大能力。共射：

(a)NPN型三极管;(b)PNP型三极管电流方向：无论采用哪种接法，都必须满足发射结正偏，集电结反偏。

（a）共发射极（b）共基极（c）共集电极

输入输出输入输入输出输出1.连接方式

1.4.3三极管的特性曲线及主要参数2.特性曲线指各极电压与电流之间的关系曲线

它是三极管内部载流子运动的外部表现。三极管的共射接法应用最广，以NPN管共射接法为例分析其特性曲线。包括输入特性和输出特性曲线。1）输入特性曲线

UCE不变时，输入回路中的电流IB与电压UBE之间的关系曲线，即

iB=f(uBE)

uCE=常数iB

+uBE

+uCE

RCUCCRb

UBBc

e

b

+

+

uAUCE=0时，三极管测试电路和等效电路

(1)UCE=0时，其特性类似于二极管的正向特性。(2)

UCE≥UBE，b、e间加正向电压，集电结反偏，发射区注入基区的电子绝大部分漂移到集电极，与UCE=0时相比，在相同UBE条件下，IB要小得多，输入特性曲线向右移动；UCE继续增大，曲线继续右移。(3)

uCE>1V，曲线右移距离很小，近似认为与uCE=1V时的曲线重合(实际应用)。2）输出特性曲线

当IB不变时，输出回路中的电流IC与电压UCE之间的关系曲线，即UCCiB

iE

Rb

+uBE

+uCE

UBB

iC

+

+

固定一个IB值，可得到一条输出特性曲线，改变IB值，可得到一族输出特性曲线。以硅NPN型三极管为例，在输出特性曲线上可划分三个区：截止区、放大区、饱和区。(1)截止区：iB≤０的区域。iC≈0，发射结、集电结均反偏，三极管没有放大作用，处于截止状态。(2)放大区：iB一定时，iC的值基本不随UCE变化，具有恒流特性。

iB等量增加时，输出特性曲线等间隔地平行上移。

iB控制iC

，iC

≈βiB

。发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态。三极管放大状态时：NPN：Uc>Ub>Ue,PNP：Uc<Ub<Ue且|Ub-Ue|=0.7V，硅管0.3V，锗管结论：(3)饱和区：uCE<

uBE

，iC不受iB控制,iC饱和。发射结和集电结均正偏，三极管失去放大作用。三极管饱和时，c、e之间的电压称为饱和压降，记作UCES=0.3V(硅管)UCES=0.1V(锗管)uCE＝uBE，临界饱和线工作状态放大饱和截止条件发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结正偏发射结反偏，集电结反偏工作特点集电极电流IC＝βIBIC＝ICS≈UCC/RCIc≈0管压降UCE=UCC-ICRCUCE=UCES≈0.3VUCE≈UCC近似的等效电路c、e间等效内阻可变很小，约为数百欧，相当于开关闭合很大，约为数百千欧，相当于开关断开3）NPN型三极管三种工作状态的特点

bcebce0.7V0.3V

例1：测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为UA＝-9V，UB＝-6V，UC＝-6.3V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。解：由于UA＜UC＜UB，则C是基极b，B是发射极e，A是集电极c，且Uc＜Ub＜Ue，此BJT为PNP管。|Ube|≈0.3V，锗管。

放大截止饱和发射结和集电结均为反偏。发射结和集电结均为正偏例2：测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。2.三极管的主要参数（1）

电流放大系数①共发射极直流电流放大系数iC

/mAuCE50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321(HFE)②共发射极交流电流放大系数

(hFE)一般为20

200Q大小相近可以混用（2）

极间反向饱和电流①集电极–基极反向饱和电流ICBOICBOVCC

Abce②集电极-发射极反向饱和电流ICEOICEOVCC

AbceICEO=（1+

）ICBO（3）极限参数

①集电极最大允许电流ICM②集电极—发射极间的击穿电压U（BR）CEO

③集电极最大耗散功率PCM≈ICUCE根据三个极限参数ICM,PCM,U（BR）CEO可以确定三极管的安全工作区已知:

ICM=20mA,PCM

=100mW，U(BR)CEO=20V，当

UCE

=

10V，IC<

mA当UCE

=

1V，IC<

mA当IC

=

2mA，UCE<

V

102020温度对输入特性的影响温度对输出特性的影响T↑，uBE↓，ICBO↑，β↑→IC↑3．温度对三极管的特性与参数的影响

4.三极管的代换原则

（1）尽量更换相同型号的三极管。（2）无相同型号更换时,新换三极管的极限参数应等于或大于原三极管的极限参数,如参数ICM、PCM、U（BR）CEO等。（3）性能好的三极管可代替性能差的三极管。如穿透电流ICEO小的三极管可代换ICEO大的,β高的可代替β低的。

（4）在集电极耗散功率允许的情况下,可用高频管代替低频管，如3DG型可代替3DX型。（5）开关三极管可代替普通三极管,如3DK型代替3DG型,3AK型代替3AG型管。

小结1.三极管的结构和类型2.三极管的放大作用3.三极管的特性曲线及主要参数1.5场效应管（单极型晶体管）利用电压控制电流的大小。仅一种载流子导电，热稳定性好。输入阻抗高（108～1015Ω）、体积小、重量轻、耗电省、寿命长，大规模和超大规模集成电路中得到广泛应用。结构结型场效应管（JunctionFET）绝缘栅场效应管(InsulatedGateFET)或MOS型场效应管场效应管P+P+NGSD导电沟道

1.结构三个电极，两个PN结夹着一个N型沟道。

2.符号1.5.1结型场效应管（JFET）N沟道P沟道漏极D→集电极C源极S→发射极E栅极G→基极B3.工作原理(以N沟道为例)场效应管工作时它的两个PN结始终要加反向电压。对于N沟道，栅源（GS）间加负电压：UGS≤0，漏源（DS）间加正电压：UDS＞0。在UDS作用下，电子S→D，形成漏极电流ID。ID的大小受UGS的控制。栅源电压为负，PN结反偏，栅极电流IG≈0,则源极电流IS=IDIDIG≈0(1)UGS对导电沟道的影响ID↘UGS＝0UGS

（off）＜UGS＜0(a)

(b)|UGS|

↗,PN结变厚

(c)

夹断电压ID+-UGS+-UGS≤UGS

（off）+-PN结扩张，沟道消失，导电沟道夹断ID＝0■栅极与沟道间隔了一层绝缘体SiO2，输入电阻大，功耗低。■可分为N沟道和P沟道两种。■按照工作方式不同分为增强型和耗尽型两类。1.5.2绝缘栅场效应管1.N沟道增强型MOS场效应管(MentalOxideSemi—FET)（1）

结构与符号P型衬底（掺杂浓度低）N+N+用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层SD用金属铝引出源极S和漏极DG在绝缘层上喷金属铝引出栅极GB耗尽层SGDB电极—金属绝缘层—氧化物基体—半导体因此称之为MOS管N沟道箭头向里，衬底断开（2）工作原理N沟道增强型MOS管工作原理UDSUGSUGS>0，UDS>0UDSID++--++--++++----UGS开始无导电沟道，当在UGS

UGS(th)时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管栅源电压uGS的控制作用：当uGS