《单片机》编程题题库

1-第2页共3页《单片机原理及应用》编程题题库六、编程（每题10分）内部RAM30H和31H单元中存放着2个0-9的ASCII码（高位字节在前），请将其转换为压缩BCD码（高位在前）并存入外部RAM2300H单元中。将存放在内部RAM30H-35H单元的压缩型BCD码转换成相应的ASCII码，依次存放到外部RAM2100H开始的单元区中。内部RAM20H和30H开始的单元分别存放着16个16进制数，请将对应单元的内容相加（不考虑溢出），并将和存入外部RAM2000H开始的单元中。请编写多字节无符号数减法程序。被减数存放在内部RAM20H开始的8个单元中，减数存放在内部RAM30H开始的8个单元，请将差存放到外部RAM2000H开始的8个单元中，借位存放到OV标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。内部RAM40H和41H单元中存放着2个0-9的ASCII码（高位字节在前），请将其转换为压缩BCD码（高位在前）并存入外部RAM2000H单元中。将存放在内部RAM20H-2FH单元的压缩型BCD码(高位在前)转换成相应的ASCII码，依次存放到外部RAM1000H开始的单元区中。内部RAM30H和38H开始的单元分别存放着8个压缩BCD码，请将对应单元的内容相加（不考虑溢出），并将和存入外部RAM1000H开始的单元中。请编写多字节无符号数加法程序。被加数存放在内部RAM20H开始的8个单元中，加数存放在内部RAM30H开始的8个单元，请将和存放到外部RAM2000H开始的8个单元中，进位存放到F0标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。两个8字节压缩BCD码分别存放在内部RAM30H和40H开始的连续单元中（低位字节在前），请将二者求和（不考虑溢出情况），并将和存入外部RAM1000H开始的单元中。将存放在内部RAM20H-2FH单元的十六进制数转换成ASCII码，依次存放到外部RAM2000H开始的单元中。内部RAM30H和外部RAM2200H开始的单元分别存放着两个8字节十六进制数（低位字节存放在前），请将二者相加（不考虑溢出情况），并将和存入内部RAM40H开始的单元中。请编写多字节无符号数减法程序。被减数存放在内部RAM30H开始的8个单元中，减数存放在内部RAM38H开始的8个单元，请将差存放到外部RAM1000H开始的8个单元中，借位存放到F0标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。请编写多字节无符号数减法程序。被减数存放在内部RAM20H开始的16个单元中，减数存放在内部RAM30H开始的16个单元，请将差存放到外部RAM2000H开始的16个单元中，借位存放到OV标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。将存放在内部RAM20H-3FH单元的压缩BCD码转换成ASCII码，依次存放到外部RAM2300H开始的单元中。（注：每个单元均先转换高四位）将存放在内部RAM30H-35H单元的十六进制数转换成相应的ASCII码，依次存放到外部RAM1100H开始的单元区中。（注：每个字节转换时先转换高四位）内部RAM30H开始的单元中存放着16个0-9的ASCII码（高位字节在前），请将其转换为压缩BCD码（高位在前）并存入外部RAM1000H开始的单元中。设有两个长度为16字节的一维数组(数组的每个元素为1个字节)，分别存放在外部RAM0200H和0300H为首址的存储区域中，试编写程序求其对应项之和（不考虑溢出的情况），结果存放在以0400H为首址的外部RAM中。编程求内部RAM中40H～4FH共16个单元中的内容的和（结果为2字节），并将和放入50H和51H单元中（高8位在50H）。有一个长度为16字节的ASCII码字符串存放在外部RAM1000H为首址的存储区域中，字符串中的每一个字符均不相同，试编写程序查找字符串中是否存在ASCII码“9”。如果在字符串中存在ASCII码“9”，则将其存储单元的地址存放到内部RAM30H和31H单元中（高8位地址在30H单元中），同时将OV标志位清零。否则，将30H和31H单元的内容清零，并将OV标志位置“有两个8字节的16进制数a和b，它们分别存放在内部RAM中30H～37H和40H～47H的单元中（高位字节在前）。请编程求a-b，并将差存入30H开始的内部RAM单元中（高位字节在前）。若差小于零则将F0标志位置“1”若外部RAM的（3000H）=X，（3001H）=Y，编程实现Z=X*X+2Y，并将结果存到片内RAM的40H单元（设Z＜256)。设外部RAM2000H单元为数据块的起始地址，数据块长度为10，试编程求数据块中的最小值，存入内部RAM30H单元。若外部RAM的（1000H）=X，（1001H）=Y，请编程实现Z=2X+Y*Y+5（设Z<65536），并将结果保存到片内RAM的30H和31H单元（31H单元存放结果的高8位，30H单元存放结果的低8位）。设外部RAM1000H单元为数据块的起始地址，数据块长度为60字节，试编程求数据块中所有数据的和，并将其存入内部RAM30H和31H单元（30H单元存放和的低8位，31H单元存放和的高8位）。若外部RAM的（1000H）=X，内部RAM（30H）=Y，请编程实现Z=X*X+3Y+18（设Z<65536），并将结果保存到片内RAM的40H和41H单元（41H单元存放结果的高8位，40H单元存放结果的低8位）。若外部RAM的（1000H）=X，请编程实现Y=X2+2X+1（设Y<65536），并将结果保存到片内RAM的30H和31H单元（31H单元存放结果的高8位，30H单元存放结果的低8位）。设外部RAM2000H单元为数据块的起始地址，数据块长度为100字节。假设在数据块中存在唯一的一个ASCII字符“A”，试编程找到它，并将其在外部RAM的存放地址存入内部RAM30H和31H单元中（30H单元存放地址的高8位，31H单元存放地址的低8位）。若内部RAM的（20H）=a，外部RAM（1300H）=b，请编程实现y=a2+b2+5（设y<65536），并将结果保存到片内RAM的30H和31H单元（31H单元存放结果的高8位，30H单元存放结果的低8位）。若内部RAM的（30H）=X，（31H）=Y，请编程实现Z=X2+5Y（设Z<65536），并将结果保存到片外RAM的1000H和1001H单元（1001H单元存放结果的高8位，1000H单元存放结果的低8位）。设内部RAM20H单元为数据块的起始地址，数据块长度为32字节。请将整个数据块求和（共32字节的数据求和，设和小于65536），并把和存入外部RAM1000H和1001H的单元中（和的高8位存入1001H单元）。若内部RAM的（20H）=a，（21H）=b，请编程实现y=a2+b2（设y<65536），并将结果保存到片外RAM的2000H和2001H单元（2001H单元存放结果的高8位，2000H单元存放结果的低8位）。将内部RAM40H为起始地址的32个连续单元中的十六进制数转换成ASCⅡ码存入外部RAM3000H开始的存储单元中。设内部RAM20H单元为数据块的起始地址，数据块长度为10H，数据为8位无符号数，试编程找出数据块中的最小值，并将其存入40H单元。比较两个等长ASCII码字符串是否相等。字符串长度存放在内部RAM2FH单元，两字符串分别存放在内部RAM30H和40H开始的单元中。如果两个字符串相等，则CY=1，否则，CY=0。将MCS51内部RAM60H～65H单元存放的12个16进制数变为ASCII码，存放到0100H单元开始的外部RAM中。将片外数据存储器的2500H单元与2501H单元中的数据作十进制加法运算，和送入2503H和2502H单元中，即（2500H）+（2501H）→（2503H）（2502H）。设单片机的晶体震荡频率为12MHz，利用定时器T0编程由P1.2输出周期为10ms的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中断方式工作）已知8051单片机应用系统的晶体振荡频率为12MHz，请利用定时器T0实现在P1.0引脚上输出周期为100ms的方波。（要求：采用中断方式，T0工作在方式1下）设8031单片机应用系统的晶振频率为12MHz，请利用T0在P1.0和P1.1引脚上输出频率为20Hz、互补（两个波形互为反相）的方波。要求：采用中断方式，T0工作在方式1。8031单片机应用系统的晶体振荡器频率为12MHz，请利用定时器T0编程实现在P1.7引脚输出频率为20Hz的方波。要求：采用中断方式，T0工作在方式1下。设单片机的晶体振荡频率为12MHz，利用定时器T0编程由P1.0和P1.1输出周期为10ms、互补（互为反相）的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中断方式工作）已知8051单片机应用系统的晶体振荡频率为12MHz，请利用定时器T1实现在P1.0和P1.1引脚上输出互补（互为反相）的周期为100ms的方波。（要求：采用中断方式，T1工作在方式1下）设8031单片机应用系统的晶振频率为12MHz，请利用T0在P1.0引脚上输出频率为20Hz的方波。要求：采用中断方式，T0工作在方式1。8031单片机应用系统的晶体振荡器频率为12MHz，请利用定时器T1编程实现在P1.6和P1.7引脚输出互补（互为反相）的、频率为20Hz的方波。要求：采用中断方式，T1工作在方式1下。设单片机的晶体振荡频率为6MHz，利用定时器T1编程由P1.6和P1.7输出周期为500μs、互补（互为反相）的方波。（要求：T1工作在方式2下，采用中断方式工作）已知8051单片机应用系统的晶体振荡频率为12MHz，请利用定时器T1实现在P1.0和P1.1引脚上输出互补（互为反相）的周期为2ms的方波。（要求：采用中断方式，T1工作在方式2下）设8031单片机应用系统的晶振频率为12MHz，请利用T1在P1.0引脚上输出频率为1Hz的方波。要求：采用中断方式，T1工作在方式1。8051单片机应用系统的晶体振荡器频率为6MHz，请利用定时器T1编程实现在P1.0和P1.1引脚输出互补（互为反相）的、频率为20Hz的方波。要求：采用中断方式，T1工作在方式2下。8751单片机应用系统的晶体振荡器频率为12MHz，请利用定时器T0编程实现在P1.7引脚输出频率为20Hz的方波。要求：采用中断方式，T0工作在方式1下。设8051单片机应用系统的晶振频率为12MHz，请利用T1在P1.0和P1.1引脚上输出频率为20Hz、互补（两个波形互为反相）的方波。要求：采用中断方式，T1工作在方式1。已知8051单片机应用系统的晶体振荡频率为12MHz，请利用定时器T0实现在P1.0引脚上输出频率为2kHz的方波。（要求：采用中断方式，T0工作在方式2下）设单片机的晶体振荡频率为12MHz，利用定时器T0编程由P1.0输出周期为1秒的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中断方式工作）设单片机的晶体振荡频率为6MHz，利用定时器T0编程由P1.0和P1.1输出周期为1s、互补（互为反相）的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中断方式工作）8031单片机应用系统的晶体振荡器频率为6MHz，请利用定时器T0编程实现在P1.0引脚输出频率为0.1Hz的方波。要求：采用中断方式，T0工作在方式1下。设单片机的晶体振荡频率为3MHz，利用定时器T0编程由P1.6和P1.7输出周期为10s、互补（互为反相）的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中断方式工作）89C51单片机应用系统的晶体振荡器频率为12MHz，请利用定时器T1编程实现在P1.0引脚输出频率为2Hz的方波。要求：T1采用中断方式工作，工作在方式1下。设单片机的晶体振荡频率为12MHz，P1.0接有一个共阴极驱动方式连接的发光二极管。现要求利用定时器T1编程使该发光二极管每10秒钟点亮一次，每次点亮时间为1秒。（要求：T1工作在方式1下，采用中断方式工作，在中断服务程序中控制发光二极管的亮与灭）89C51单片机应用系统的晶体振荡器频率为6MHz，单片机的P1.7引脚接有一个共阳极驱动方式连接的发光二极管，请利用定时器T0编程实现使该发光二极管点亮1秒钟，熄灭1秒钟的循环。（要求：T0采用中断方式工作，工作在方式1下，在中断服务程序中控制发光二极管的亮与灭。）已知89C51单片机的晶体振荡频率为3MHz，请编程从P1.0和P1.1口输出互补的（即互为反相）、周期为2秒的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中断方式工作，在中断服务程序中控制P1.0和P1.1的输出）89C51单片机应用系统的晶体振荡器频率为6MHz，单片机的P1.0引脚接有一个共阴极驱动方式连接的发光二极管，请利用定时器T1编程实现使该发光二极管点亮2秒钟，熄灭3秒钟的循环。（要求：T1采用中断方式工作，工作在方式1下，在中断服务程序中控制发光二极管的亮与灭。）已知89C51单片机的晶体振荡频率为24MHz，请编程从P1.6和P1.7口输出互补的（即互为反相）、频率为500Hz的方波。（要求：T1工作在方式1下，采用中断方式工作，在中断服务程序中控制P1.6和P1.7的输出）已知89C51单片机的晶体振荡频率为12MHz，请编程从P1.0口输出频率为50Hz的方波。（要求：T0工作在方式2下，采用中断方式工作，在中断服务程序中控制P1.0的输出）89C51单片机应用系统的晶体振荡器频率为3MHz，请编程实现从单片机的P1.0引脚输出25Hz方波。（要求：T1采用中断方式工作，工作在方式2下，在中断服务程序中控制P1.0的输出。）已知89C51单片机的晶体振荡频率为24MHz，请编程从P1.0和P1.1口输出互补的（即互为反相）、频率为100Hz的方波。（要求：T1工作在方式2下，采用中断方式工作，在中断服务程序中控制P1.0和P1.1的输出）已知89C51单片机的晶体振荡频率为24MHz，请编程从P1.0口输出频率为2Hz的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中断方式工作，在中断服务程序中控制P1.0的输出）89C51单片机应用系统的晶体振荡器频率为24MHz，请编程实现从单片机的P1.3引脚输出100Hz方波。（要求：T1采用中断方式工作，工作在方式2下，在中断服务程序中控制P1.3的