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文档简介

少数载流子的注入

和欧姆接触

少数载流子的注入和欧姆接触1·少数载流子的注入

N型半导体的势垒和阻挡层都是对电子而言，由于空穴所带电荷与电子电荷符号相反，电子的阻挡层就是空穴的积累层。空穴的浓度在表面最大

空穴电流的大小，首先决定于阻挡层中的空穴浓度。只要势垒足够高，靠近接触面的空穴浓度就可以很高。空穴自表面向内部扩散。正偏时，势垒降低，空穴扩散占优势，形成的电流与电子电流同向。Ec(0)Ev(0)EcEFEvN型反型层中的载流子浓度如果在接触面附近，费米能级和价带顶的距离则p(0)值应和n0

值相近，n(0)也近似等于p0qΔΦqΦns(EF)m0无镜象力有镜象力xm镜象势能平衡时镜象力对势垒的影响x电势能在xm处出现极大值，这个极大值发生在作用于电子上的镜象力和电场力相平衡的地方，即若,从上式得到势垒顶向内移动，并且引起势垒的降低q

。势能的极大值小于qΦns。这说明，镜象力使平衡时，q

很小，可忽略外加电压非平衡时，势垒极大值所对应的x值当反向电压较高时，势垒的降低变得明显，镜象力的影响显得重要。势垒的降低量镜象力所引起的势垒降低量随反向电压的增加而缓慢地增大不考虑镜像力的影响时考虑镜像力的影响时JsD中的变为V,JsD

（2）隧道效应的影响能量低于势垒顶的电子有一定概率穿过势垒，穿透的概率与电子能量和势垒厚度有关隧道效应的简化模型对于一定能量的电子，存在一个临界势垒厚度xc,若xd>xc,则电子完全不能穿过势垒；若xd<xc,则势垒对于电子完全透明，即势垒降低了.金属一边的有效势垒高度为-qV(x),若xc<<xd隧道效应引起的势垒降低为反向电压较高时，势垒的降低才明显镜像力和隧道效应对反向特性影响显著•引起势垒高度的降低，使反向电流增加•反向电压越大，势垒降低越显著，反向电流越大4.肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管的正向电流，主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的，此二极管将有较

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