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文档简介

混合晶体的能带结构

混合晶体的能带结构半导体＋半金属，如Hg1-xCdxTe的能带结构由半金属向半导体过渡x0.14x~0.14x~0.2Hg1-xCdxTe能带随x变化示意图Hg1-xCdxTe的Eg

随x的变化远红外探测器Si1-xGex合金的能带Vegard定律(0x

1)Si1-xGex与Si的晶格失配为Si1-xGex合金的能带特点

间接带隙当x

~01.0,能带结构从Si的渐变到Ge的

x0.85，能带结构与Si的类似

0.85x1.00,能带结构与Ge的类似在Si中X点二度简并，而Si1-xGex在X点简并消失赝晶（共格）生长

用分子束外（MBE）延法，在Si上外延生长Si1-xGex合金薄膜，当外延层厚度在适当的范围时，晶格的失配可通过Si1-xGex合金层的应变补偿或调节，则得到无界面失配的Si1-xGex合金薄膜。无应变的体Si1-xGex合金的禁带宽度（4.2K）应变Si1-xGex合金的禁带宽度

改变Ge组分x

和应变的大小，则可调整应变Si1-xGex合金的禁带宽度。应变和无应变的Si1-xGex的Eg与Ge组分的关系020406080100Ge组分x(%)0.60.70.80.91.01.1禁带宽度(eV)23应变的无应变轻空穴带重空穴带SiGe/Si应变层超晶格材料新一代通信SiC、金刚石、II族氧化物、II族硫化物、II族硒化物、III氮化物及其合金

高频、高功率、高温、抗辐射和高密度集成的电子器件

蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件同质多象变体（同质多型体）：

在不同的物理化学环境下，形成两种或两种以上的晶体，这些成分相同，形态、构造和物理性质有差异的晶体称为~。SiC的多象变体约200多种。结构的差异使SiC的禁带宽度不同

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