清华大学出版社模拟电子技术习题解答课后同步

第三部分习题与解答

习题1

客观检测题

一、填空题

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的金质迷幻，而少数载流子的浓度则

与温度有很大关系。

2、当PN结外加正向电压时.扩散申流大于漂移电流.耗尽层变窄。当外加反向电压

时.扩散电流小于漂移电流.耗尽层变宽。

3、在N型半导体中，电子为多数载流子.空穴为少数载流子。

二.判断题

1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半

导体带正电,N型半导体带负电。（x）

2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（Y）

3、扩散电流就是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电

流小。（x）

4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（x）

5、PN结在无光照无外加电压时,结电流为零。（4）

6、温度升高时,PN结的反向饱与电流将减小。（x）

7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。（x）

三.简答题

1、PN结的伏安特性有何特点？

V

答:根据统计物理理论分析,PN结的伏安特性可用式ID=L<e吞-1）表示。

式中,ID为流过PN结的电流L为PN结的反向饱与电流，就是一个与环境温度与材料等

有关的参数,单位与I的单位一致;V为外加电压；VT=kT/q,为温度的电压当量（其单位与V的

单位一致）,其中玻尔兹曼常数4ulJBxlONj/K,电子电量q=L60217731xl（）T9c（库伦）,

则VT=—1•"）,在常温（T=3OOK）下,VT=25、875mV=26mV。当外加正向电压，即V为正

115942

值，且V比VT大几倍时,e''T>>1,于就是I=is.e%,这时正向电流将随着正向电压的增加按

指数规律增大,PN结为正向导通状态、外加反向电压，即V为负值，且|V|比VT大几倍

时,e"<<1,于就是laTs，这时PN结只流过很小的反向饱与电流，且数值上基本不随外加电

压而变,PN结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图1、1、1所示、

从式（1、1、1）伏安特性方程的分析与图1、1、1特性曲线（实线部分）可见:PN结真有单向导

电性与非线性的伏安特性。

I/自何特点？

2、什么就是PN结的反向i

80°C//计的击穿电压后,PN结

答:“PN”结的反向击穿：

发生击穿。z7

PN结的击穿主要有两V（BR）三在两侧杂质浓度都较

-I---

高的PN结，一般反向击穿;广二Von】‘，用电子伏特衡量,Eg/q

指PN结量子阱外加电压借/

I击穿，击穿机理就就是

强电场把共价键中的电子拉出来参上图1、I、1PN伏安特性向电流上升。

雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结,一般反向击穿电压高

于6Eg/q的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就就是强电场使载流子的运动速度加

快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数载流子浓度

升高，反向电流剧增。

3、PN结电容就是怎样形成的？与普通电容相比有什么区别？

PN结电容由势垒电容G,与扩散电容Cd组成。

势垒电容Cb就是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子，各具有一

定的电量。当外加反向电压变大时，空间电荷区变宽,存储的电荷量增加;当外加反向电压变小

时，空间电荷区变窄，存储的电荷量减小，这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压

改变而变化,就是一种非线性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用中，常用微变电容作为

参数，变容二极管就就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极管。

扩散电容Cd就是载流子在扩散过

程中的积累而引起的。PN结加正向电压

时,N区的电子向P区扩散，在P区形成一

定的电子浓度（Np）分布,PN结边缘处浓

图1、3、3P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积

度大，离结远的地方浓度小,电子浓度按指数规律变化。当正向电压增加时，载流子积累增加了

△Q;反之,则减小，如图1、3、3所示。同理，在N区内空穴浓度随外加电压变化而变化的关

系与P区电子浓度的变化相同。因此，外加电压增加4V时所出现的正负电荷积累变化4Q,

可用扩散电容Cd来模拟。Cd也就是一种非线性的分布电容。

综上可知，势垒电容与扩散电容就是同时存在的。PN结正偏时，扩散电容远大于势垒电

容;PN结反偏时,扩散电容远小于势垒电容。势垒电容与扩散电容的大小都与PN结面积成正

比。与普通电容相比,PN结电容就是非线性的分布电容，而普通电容为线性电容。

习题2

客观检测题

一、填空题

1、半导体二极管当正偏时,势垒区变窄.扩散电流大于漂移电流。

2、在常温下.硅二极管的门限电压约0、6V.导通后在较大电流下的正向压降约0、7

V;错二极管的门限电压约0、1V.导通后在较大电流下的正向压降约0、2V。

3、在常温下.发光二极管的正向导通电压约1、2~2V,高于硅二极管的门限电压:

考虑发光二极管的发光亮度与寿命，其工作电流一般控制在5~10mA。

4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为澧通（稳

压1二极管。请写出这种管子四种主耍参数,分别就是最大整流电流、反向击穿电压、反

向电流与极间电容。

二、判断题

1、二极管加正向电压时，其正向电流就是由（a）。

a、多数载流子扩散形成b、多数载流子漂移形成

c、少数载流子漂移形成d、少数载流子扩散形成

2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压,（c）。

a、其反向电流增大b、其反向电流减小

c、、其反向电流基本不变d、其正向电流增大

3、稳压二极管就是利用PN结的（d）。

a、单向导电性b、反偏截止特性

c、电容特性d、反向击穿特性

4、二极管的反向饱与电流在20℃时就是5pA,温度每升高10℃,其反向饱与电流增大一倍,

当温度为40℃时，反向饱与电流值为（c）。

a、10|iAb、1511Ac、20pAd、4011A

5、变容二极管在电路中使用时，其PN结就是(b)。

a、正向运用b、反向运用

三、问答题

1、温度对二极管的正向特性影响小,对其反向特性影响大，这就是为什么？

答:正向偏置时,正向电流就是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因此温度对

二极管的正向特性影响小。但就是反向偏置时,反向电流就是少子漂移电流，温度升高少数载

流子数量将明显增加，反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反向特性影响大。

2、能否将1、5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？

答:根据二极管电流的方程式

1

/=zsp"-)

将V=l、5V代入方程式可得：

I=20X10-12(e1500/26-l)«20xl012xe,500/26

/g1=/g20-12+/ge=14.34

26

故1=2.18x10“A)

虽然二极管的内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用,但过大的电流定会烧

坏二极管或就是电池发热失效,因此应另外添加限流电阻。

3、有A、B两个二极管。它们的反向饱与电流分别为5mA与0.2"4,在外加相同的正向电

压时的电流分别为20mA与8mA,您认为哪一个管的性能较好？

答:B好，因为B的单向导电性好;当反向偏置时，反向饱与电流很小，二极管相当于断路，其

反向偏置电阻无穷大。

4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？

答:能实现稳压，二极管应该正向偏置,硅二极管的正偏导通电压为0、7V;因此硅二极管的

正向特性,可以实现稳压，其稳压值为0、7Vo

5、什么就是齐纳击穿？击穿后就是否意味着PN结损坏？

答:齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结，其空间电荷区较窄，击穿电压较低

(如5V以下)，一般反向击穿电压小于4Eg/q(Eg—PN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量,Eg/q

指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特)的PN的击穿模式就就是齐纳击穿，击穿机理就就是

强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。

发生齐纳击穿需要的电场强度很大，只有在杂质浓度特别大的PN结才能达到。击穿后并

不意味着PN结损坏，当加在稳压管上的反向电压降低以后，管子仍然可以恢复原来的状态。

但就是反向电流与反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率时，就可能由电击穿变为热击

穿，而造成永久性的破坏。电击穿PN结未被损坏,但就是热击穿PN结将永久损坏。

主观检测题

2、1、1试用电流方程式计算室温下正向电压为0、26V与反向电压为IV时的二极管电流。

（设八=10%）

解:由公式/„=zs（2%，*口）=4e"/牛）

由于=10//,VT=0、026V

正向偏置VD=0、26V时

26/0026

ID=八（渣"，-1）=10（e°-1）=10（e'°-1）=220264（〃A）=0.22A

当反向偏置%>=—IV时

ID«—Is=-10/zA

2、1、2写出题图2、1、2所示各电路的输出电压值,设二极管均为理想二极管。

解:%田2V（二极管正向导通）,％）2=0（二极管反向截止）,匕》之—2V（二极管正向导

通）,Mo4〈2V（二极管反向截止）,北5y2V（二极管正向导通）,%（广一2V（二极管反向截止）。

$

II4％4匹之

22V-^R\]%

Iz2VT2VT5搬管正向导

（b）

题图2、1、4

味共测得三个数据;42,850和680C,试判断它们各就是哪一档测出的。

解:万用表测量电阻时，对应的测量电路与伏安特性如图2、1、5所示，实际上就是将流过

电表的电流换算为电阻值，用指针的偏转表示在表盘上。当流过的电流大时，指示的电阻小。

测量时，流过电表的电流由万用表的内阻与二极管的等效直流电阻值与联合决定。

通常万用表欧姆档的电池电压为E=1、5V,RxlO。档时,表头指针的满量程为

100pA（测量电阻为0,流经电阻Ri的电流为10mA）,万用表的内阻为Ril0=150/2;Rx100/2

档时，万用表的内阻为RiUW==1500/2（测量电阻为0,表头满量程时，流经R的电流

为lmA）:RxMQ档时（测量电阻为0,表头满量程时，流经R的电流为0、1mA）,万用表的内

阻为&oo=lOO&o=15Aa；

红

黑

表

表

笔

笔

表的读数为V2/I2。

用RxlAA档测量时,万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为C,万用

表的读数为V3/I3。

由图中可以得出上•<£<£•

，1，213

所以,85。为万用表RxlOQ档测出的;680Q为万用表RxlOOQ档测出的;4心为万

用表RxlAQ档测出的。

2、1、6电路如题图2、1、6所示,已知％=6sincot（v）,试画出片与丹的波形，并标出幅值。分

别使用二极管理想模型与恒压降模型（%=0、7V）o

6（a）、I

O------------------------------

题图2、1、6

2、1、7电路如题图2、1、7所示，已知*=6si3/(V),二极管导通电压%>=0、7Vo试画出

片与vo的波形，并标出幅值。

7所示：

甬,%=3、

当V,<-3.7题图2、1、：管D2导通/O=-

当一3.7V<v,.<3.7V时,二极管D)、L

2、2、1现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V与8V,正向导通电压为0、7V。试问：

(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？

(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？

解：(1)两只稳压管串联时可得1、4V、5、7V、8、7V与13V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0、7V、5V与8V等三种稳压值。

2、2、2已知稳压管的稳压值Yz=6V,稳定电流的最小值/zmin=5mA。求题图2、2、2所示

电路中忆1与忆2各为多少伏。

177=———=—―-=0.002(A7)=2mA<IZm..,n.=5mA,

Z2R20001

小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故

V,=—.V,=-=5V。

0o21

R2+RL2000+2000

2、2、3电路如题图2、2、3(a)(b)所示，稳压管的稳定电压Nz=3V,R的取值合适，吟的波形如

图(C)所示。试分别画出PO!与VO2的波形。

(a)⑼题图2、2、3(c)

对于图b所示的电路，当匕＞3V时,稳压管Dz反向击穿,幺=Vz，当匕＜3V时,稳压管

Dz未击穿,%=%

O-------IZZF

+1kQ

3

2、中稳压管的棉

V;DzK500QD%0

最二“。八

IV三种情况-3

(2)若w=?列入3屋八路，则会出现什么现象0

解:⑴当Vi=10V时，若v=Vz=6V,则稳压管白'"/V

oII稳

压管未击穿。故37

R0

v=------v.«3.33V图2、2、3

n0R+&

当W=15V时,稳压管中的电流大于最小稳定电流/zmin,所以

vo=Vz=6V

同理，当匕=35V时4o=Vz=6V。

⑵"z=(V「VZ)IR=29mA＞/ZM=25HIA,稳压管将因功耗过大而损坏。

2、2、5电路如题图2、2、5所示，设所有稳压管均为硅管(正向导通电压为VD=O、7V),且

稳定电压Vz=8V,已知必=15sin(o"V),试画出⑹与内2的波形。

3kQ3kQ

O---------(=F---->1

+R

解:题图:尸图(；Dz反向击穿,v。

Dz住

V/D/KVn,_.V,%

=8V;当匕v:正向2S

当一0.7V

(a)z一“题图2、2、5(b)-

对应题图2、2、5(a)电路的输出电压的波形如图2、2,5(a)所示。

对于图(b),当%＞VZ+VD=8.7V时,稳压管Dzi正向导通、Dz2反向击穿,v°=8V;

当匕＜-Vz-VD=-8.7V时，稳压管Dzi反向击穿、Dz2正向导通,％=-8V;

当一8.7V=-Vx-VD<%<+VZ+Vn=8.7V时,稳压管Dzi与Dz2未击穿,%=4。

对应题图2、2、5(b)电路的输出电压的波形如图2、2、5(b)所示。

1

解:(1)当开关S闭合时发光二极管才能发光。

(2)为了让二极管正常发光,4=5〜15mA,

R的范围为

&加233a

心―工/人=7皿

可以计算得到R=233-700Q

习题3

客观检测题

一、填空题

1、三极管处在放大区时.其集电结电压小于零,发射结电压大于零。

2、三极管的发射区杂质浓度很高.而基区很薄。

3、在半导体中，温度变化时少数载流子的数量变化较大,而多数载流子的数量变化较

小。

4、三极管实现放大作用的内部条件就是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基

区厚度要很小:外部条件就是：发射结要正向偏置、集电结要反向偏置0

5、处于放大状态的晶体管，集电极电流就是少数载流子漂移运动形成的。

6、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12/A增大到22/A时,Ic从1mA变为2mA,那么

它的B约为100°

7、三极管的三个工作区域分别就是饱与区、放大区与截止区。

8、双极型三极管就是指它内部的参与导电载流子有两种。

9、三极管工作在放大区时.它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。

10、某放大电路在负载开路时的输出电压为5V,接入12kQ的负载电阻后，输出电压降为2、

5V.这说明放大电路的输出电阻为12kQ。

11、为了使高内阻信号源与低电阻负教能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入—

共集电极组态的放大电路。

12、题图3、0、1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性与直流、交

流负载线。由此可以得出：

(1)电源电压Vcc=6V:

(2)静态集电极电流ICQ=1mA;集电极电压UCEQ=3V:

(3)集电极电阻Rc=3kC:负载电阻&=3kC;

(4)晶体管的电流放大系数B=50,进一步计算可得电压放大倍数A“=-50;(rhb,取

200。)；

(5)放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为1、06V;

(6)要使放大电路不失真.基极正弦电流的振幅度应小于20uA。

13、稳定静态工作点的常用方及一基极偏置电路。

14、有两个放大倍数相同，输)、与B,对同一个具有内阻

的信号源电压进行放大。在:J输出电压小,这说明A的

输入电阻小o

15、三极管的交流等效输入电

16、共集电极放大电路的输入电阻很大.输出电阻很小。

17、放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。

18、共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用:

19、共射极、共基极放大电路有电压放大作用:

20、共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；

21、射极输出器的输入电阻较大*输出电阻较小。

22、射极输出器的三个主要特点就是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输

出电阻小。

23、“小信号等效电路，，中的“小信号，，就是指“小信号等效电路”适合于微小的变化信号的

分析，不适合静态工作点与电流电压的总值的求解，不适合大信号的工作情况分析。

24、放大器的静态工作点由它的直流通路决定.而放大器的增益、输入电阻、输出电

阻等由它的交流通路决定。

25、图解法适合于求静态工作Q点;小、大信号工作情况分析，而小信号模型电路分析法

则适合于求交变小信号的工作情况分析。

26、放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力;输入电阻反映放大器索取信号源

信号大小的能力：而输出电阻则反映出放大器带负载能力。

27、对放大器的分析存在静态与动态两种状态.静态值在特性曲线上所对应

的点称为Q点。

28、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形,用示波器观察V。与Vi的波形，则V。与

W的相位关系为反相；当为共集电极电路时.则V。与的的相位关系为同相。

29、在由NPN管组成的单管共射放大电路中，当Q点太高（太高或太低）时.将产生饱与失

真.其输出电压的波形被削掉波谷：当。点太低（太高或太低）时.将产生截止失真.

其输出电压的波形被削掉波峰。

30、单级共射放大电路产生截止失真的原因就是放大器的动态工作轨迹进入截止区，

产生饱与失真的原因就是放大器的动态工作轨迹进入饱与区。

31、NPN三极管输出电压的底部失真都就是饱与失真。

32、PNP三极管输出电压的顶部部失真都就是饱与失真。

33、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合.直接耦合，变压器耦合。

34、BJT三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。

35、不论何种组态的放大电路,作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此,

这种BJT接入电路时，总要使它的发射结保持正向偏置,它的集电结保持反向偏置。

36、某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V与-6、2V,则三极管

的集电极就是区,基极就是q,发射极就是一6。该三极管属于PNP型.由铭半

导体材料制成。

37、电压跟随器指共集电极电路.其电压的放大倍数为1;电流跟随器指共基极电路.

指电流的放大倍数为1。

38、温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时,In。增加增加,正向发射结电

压UBE减小，PCM减小。

39、当温度升高时.共发射极输入特性曲线将左移.输出特性曲线将上移，而且输出特性

曲线之间的间隔将增大。

40、放大器产生非线性失真的原因就是三极管或场效应管工作在非放大区。

41、在题图3、0、2电路中，某一参数变化时,LEQ的变化情况3、增加,b,减小,c、不变,

将答案填入相应的空格内）。

（1）%增加时,VCEQ将增大。

⑵段减小时,匕现将增大。

(3)Rc增力口时,VCEQ将减小

(4)&增加时,VcEQ将不变

⑸P减小时(换管子),KCEQ将增大。

(6)环境温度升高时,%EQ将减小。

42、在题图3、0、3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态与性能

的变化。(在相应的空格内填“增大”、"减小”或"基本不变”。)

⑴若此阻值减小,则静态电流IB将增大,VC£将减小.电压放大倍数将增大。

(2)若换一个夕值较小的晶体管，则静态的IB将不变.VCE将增大,电压放大倍数|4|将

减小。

(3)若阻值增大，则静态电流〃将坯工，将减小.电压放大倍数|4|将增大

43、放大器的频率特性表明放大器’,表征频率特性的主要指

标就是中频电压放大倍数，频率。

44、放大器的频率特性包括幅频口加,产生频率失真的原因就

是放大器对不同频率的信号放

45、频率响应就是指在输入正弦信」；的正弦信号的稳态响应。

46、放大器有两种不同性质的失真X生失真。

47、幅频响应的通带与阻带的界限：U

____O

48、阻容耦合放大电路加入不同频率F降的原因就是由于存

在耦合电容与旁路电容的影响丫上就是由于存在放大器件

内部的极间电容的影响。顺图3

49、单级阻容耦合放大电路加入频率为号编八一p-时,电压增益的幅值比中频时下

降了_l_dB,高、低频输出电压与中频时相比有附加相移.分别为-45。与+4分。

50、在单级阻容耦合放大电路的波特图中.幅频响应高频区的斜率为率OdB/十倍频.幅频响

应低频区的斜率为-20dB/十倍频：附加相移高频区的斜率为-45。/十倍频,附加和移

低频区的斜率为+45。/十倍频。

51、一个单级放大器的下限频率为fL=100Hz，上限频率为了“=30kHz,AVM=40dB,

如果输入一个15sin(lOO0O(kt)mV的正弦波信号，该输入信号频率为50kHz，该电

路不会产生波形失真。

52、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变g,电压增益」量

大.高频区附加相移增大。

二、判断题

1、下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。

(1)3、2V,5V,3V;

解储NPN型BJT管VBE=0、2V所以为错管;5V为集电极,3、2V为基极,3V为发射

极，

(2)—9V,—5V,-5、7V

解:硅PNP型BJT管;一9V为集电极，-5、7V为基极，-5V为发射极

(3)2V,2、7V,6V;

解:硅NPN型BJT管;6V为集电极,2、7V为基极,2V为发射极

(4)5V,l、2V,0、5V;

解:硅NPN型BJT管;5V为集电极,1、2V为基极,0、5V为发射极

(5)9V,8、3V,4V

解碓PNP型BJT管9V为发射极,8、3V为基极,4V为集电极

(6)10V,9、3V.0V

解:硅PNP型BJT管，10V为发射极,9、3V为基极,0V为集电极

(7)5、6V,4、9V,12V;

解:硅NPN型BJT管,12V为集电极,5、6V为基极,4、9V为发射极,

(8)13V,12、8V,17V;

解:铭NPN型BJT管,17V为集电极,13V为基极,12、8V为发射极，

(9)6、7V,6V,9V;

解:硅NPN型BJT管,9V为集电极,6、7V为基极,6V为发射极，

2、判断三极管的工作状态与三极管的类型。

1管:%=-2匕%=-2.7V,VC=4V;

答:NPN管，工作在放大状态。

2管:匕=6匕瞑=5.3V,VC=5.5V;

答:NPN管，工作在饱与状态。

3管:%=TV,%=-O.3V,VC=IV;

答:NPN管，工作在截止状态。

3、题图3、0、4所列三极管中哪些一定处在放大区？

答:题图3、6M4所列三极管物有图(D)所揄躁管处在放大区2、

4、放大电路快赢L用万里表风得4点电位如题邺/0、5,三极管可叫发军的故障就是什

么？3V—一2?5,—

答:题图3、015所示的三极管朝、E极之间短路.稀寸结可能烧穿。

6ViK6V1-3Vi5V1

A十」B+?7cD

5、测得晶体管3个电极的静1I—题图3、0、466mA与3、6mA,则该管的夕为

+3.5V

①。

①为60。②为61。方定。

+4V

6、只用万用表判别晶体管3个电极括口币图吃30比5应就是②b极。

①e极②b极③c极

7、共发射极接法的晶体管.工作在放大状态下，对直流而言其①。

①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。

②输入与输出均具近似的恒流特性。

③输入与输出均具有近似的恒压特性。

④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。

8、共发射极接法的晶体管,当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的c,e间的击穿

电压分别用V(BR)CEO,V(BR)CES与V,BR>CER表不,则它们之间的大小关系就是②。

①V（BR）CEO>V（BR）CES>V（BR）CER。

②V（BR）CES>V（BR）CER>V（BR）CEO。

③V（BR）CER>V（BR）CES>V（BR）CEO。

④V（BR）CES>V（BR）CEO>V（BR）CER。

9.题图3、0、6所示电路中，用

直流电压表测出VCERV,有

可能就是因为C或D。Q+Kc12V

ARb开路公

4kQCb2

BRc短路300kQ

CRb过小

DP过大

测得电路中几个三极管的各极对+

10、u管的工作

V；

E

状态。U

+5V-5V+2.4V0V

oQ

答:是包与,图

（d）为C、O-

-K-5.3V~

+0.7V-0.2V+2.7V

11、用7弋判断这

些晶体管6d

0Vov0\

o+6V

-18Vo,12V

大,

o-----------K3BX1A

+0.1V、

6

-12.3V6-0.2V

（b）（c）

+6V

3CG21

+5.3V

6+5.3V

⑴

题图3、0、8

嗯勺作用，从表面瞧,R,被Q

乏化不影响A“与R”这就是

:Re不产生交流负反馈，但它

题图3、0、9

对放大器的静态工作点的影响就是很大的，既然影响到/口，就影响到“进而影响A“与

甲的说法就是错误的，原因:因C,的旁路作用，所以R,不产生交流负反馈,所以甲的观点

前提就就是错的。

乙的说法就是正确的。原因:凡3(/EQ)L»”T->|A„|J;

丙的说法就是错误的，原因:正如解题分析中所说，尽管(不产生负反馈，但R,增大使

/入减小，/入的减小必然引起|A“|减小与R,•的增加。

主观检测题

3、1、1把一个晶体管接到电路中进行测量，当测量〃=644时，则心=04〃n，当测得

。=18必4时，/c=l/2加4,问这个晶体管的夕值就是多少？和/函。各就是多少？

解:根据电流关系式:[C=/〃+(1+尸〃或。，可得

0.4mA=px0.006mA+(1+P)ICB((1)

1.12mA=px0.018mA4-(1+p)ICBO(2)

将(1)、(2)两式联立，解其联立方程得：

£=60ICB0«0.66//A

进而可得：

ICEO=(1+尸)lci)o=0.66〃Ax61=40//A

3、1、2根据题图3、1、2所示晶体三极管3BX31A与输出特性曲线，试求Q点处

VCE=3V,IC=4mA,18=\50的麻和/3值3和a值。

题图3、1、2

3、1、3硅三极管的尸=50,/可。可以忽略，若接为题图3、1、3(a),要求〃=2加4,问勺应

为多大？现改接为图(b),仍要求〃=2〃伍，问Rs应为多大？

6-0.7

R=2.6（W）

2.04

I_2mA

c=40（〃A）

y-so

『九七6-0.7

=132s

/„-0.04

3、3、1在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3、3、1所示，试判

断各晶体管的类型(PNP管还就是NPN管，硅管还就是错管)，并区分e、b、c三个电极。

②b极、③c

，极、③e极。

3)C极。

所示，己测出

（a）,(c)

4=—1.2/n4,12=0.03/nA,I3c三个电极，该晶体管的类型(NPN

型还就是PNP型)以及该晶体管的电流放大系数£。

解:题图3、3、2所不电极分别为②b极、①c极、③e极,晶

①

体管的直流电流放大倍数O-

、、共发射极电路如题

33350,=4必，导通时VBE=-0.2V,

问当开关分别接在A、B、C三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流〃为多少？设

二极管D具有理想特性。

解:题图3、3、3所示的电路，当开关置于A位置时,Ib=(2-0、2)/10=0.18mA

Ict»=12/(1x50)=。、24mA故工作在放大区,L=IbX50=9mA。

当开关置于B位置时，晶体管工作在截止区,Ic=0。

当开关至于C位置时，晶体管工作在饱与区。

3、3、4、题图3、3、4电路中，分别画出其直流通路与交流通路，试说明哪些能实现正常放

大？哪些不能？为什么？(图中电容的容抗可忽略不计)。

,.V,-V.,..VV.12

由七=q(c———«cc,R.,=-^=——=400kft。

RbRbIB003

(2)如题图3、4、1(b)中加粗线所示。

VCTBE六生

⑶增大Rb的值，由&=

12

凡=年==667%/2(最大取值)。

1B0.018

3、4、2放大电路如题图3,4、2(a)所示,其晶体管输出特性曲线题图3、4、2(b)所示(不包

含加粗线与细的输出电压波形线)，已知

%=550kn,Rc=3kCR=3kf2,Vcc=24V,Rel=0.2AA,Re2=0.3kC,/3=100(

各电容容抗可忽略不计),%E=0.7Vo

(1)计算静态工作点；

(2)分别作出交直流负载线，并标出静态工作点Q；

(3)若基极电流分量ih=20sin型(必),画出输出电压的波形图，并求其幅值Vl)mo

it(niA)

(3)出输出电压〃"的波形图题阚S&、斛1।巾。

3、4、3分压式偏置电路如题图3、4、3(a)所示。其晶体管极特性曲线如图(b)所示,电路中

元件参数R”=15^2,&=62火2,4=