芯片装架工（一级）职业鉴定考试题库-上（单选、判断题）

PAGEPAGE1芯片装架工（一级）职业鉴定考试题库-上（单选、判断题汇总）一、单选题1.环焊主要是由于产生了瞬时的大()产生局部熔化。A、电压B、电流C、压力D、压强答案：B2.金硅合金共晶焊接的最大缺点是()。A、耗金量大B、导热性好C、粘结牢D、欧姆接触小答案：A3.下列焊剂活性最强的是()。A、松香B、合成树脂C、松香轻度活化D、有机焊剂答案：C4.军用混合电路贯彻国军标,通用规范标准号是()。A、GJB548AB、GJB2438AC、GJB597D、QZJ840616答案：B5.在堆叠组装等工艺中,要求操作人员()。A、必穿防静电工作服、带手镯和防静电鞋B、人造纤维工作服C、纯棉工作服D、一般套袖和手套答案：A6.面键合技术是对下列哪种器件的键合方法()。A、倒装器件B、梁式引线器件C、载带器件D、芯片载体答案：A7.组装过程中,H1级芯片和衬底之间的粘接要求()。A、芯片周长50%可见焊料B、芯片周围75%可见焊料C、芯片周长40%可见焊料D、芯片周长45%可见焊料答案：B8.用6235高强度聚酷漆封装由于其与硅铝丝的线膨胀系数不匹配,在-55~125℃温度冲击试验条件下,内引线容易()造成失效。A、蜕焊B、接断C、弯曲D、互连答案：A9.晶体三极管共发射极电流放大系数β=()。A、ΔIc/ΔIeB、ΔIe/ΔIcC、ΔIc/ΔIbD、ΔIe/ΔIb答案：C10.混合电路内部发现的污染物主要来源()。A、原材料B、外观检验C、工艺加工D、大气答案：C11.混合微电路发现的内部多余物最主要来源于()。A、三防B、元件C、组装工艺D、传递工具答案：C12.()是电子组装中最普通的合金焊料。A、u-SnB、Sn-PbC、Sn-CuD、Sn-Ag答案：B13.在芯片检验中下边()情况可以接收。A、在任何固定元件和基片边缘之间的距离大于75mmB、在工作金属化层和基片边缘之间的距离小于原有设计间距的50%的衬底C、长度超过125mm的裂缝D、不起源于边缘的任何裂缝答案：A14.丝印缺陷对厚膜电路会产生严重影响,当导体印刷分辨率低时,给成品率带来的影响是()A、图形不美观B、电路产生开路C、与电路性能无关D、电路产生短路答案：D15.超声键合时,对键合表面要求()。A、清洁度较高B、清洁度较低C、清洁度一致D、清洁度不要求答案：A16.一个阻值为1KΩ的电阻,允许加的最高电压为100V,则其额定功率为()。A、1W;B、10W;C、100W;答案：A17.两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后,总电阻值等于各个电阻值的总和,这是()。A、串联B、并联C、混连D、其它答案：A18.1000级净化间是在1立方英尺的空气中有()个尺寸为0.5μm的颗粒物。A、1B、10C、100D、1000答案：D19.易于制造高压、大电流和功率电路的是()A、半导体电路B、薄膜电路C、厚膜电路D、LTCC答案：C20.质量管理体系文件包括()。A、质量手册,程序文件B、相关的运行,控制文件C、作业规范,质量记录D、A、B和C答案：D21.阻镀包胶后至少放置()可进行下工序操作。A、4hB、0.5hC、12hD、8h答案：C22.焊料焊时,焊接压力通常()重量砝码。A、不采用B、采用C、必须使用D、随意采用答案：A23.为了获得更细的线条印刷效果,应采用下列哪种丝网()A、100目B、200目C、300目D、400目答案：D24.低熔玻璃是很好的低温()。A、非密封材料B、密封材料C、半密封材料D、密封和粘接材料答案：D25.塑封的递模成型工艺中注塑压力过大,产生()。A、气水B、砂眼C、冲丝D、缺料’答案：C26.产品质量的好坏包含()。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标D、A、B和C答案：D27.氧化铍的热导率约是氧化铝(96%)基片的()倍。A、1~2B、6~10C、10~15D、15~20答案：B28.Au-Sn合金焊料的最大缺点是()。A、不耐腐蚀B、工艺复杂C、机械强度差D、成本高答案：D29.无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化铝D、氧化铍答案：D30.方块电阻R□()。A、只与电阻率ρ有关系B、只与薄层厚度d有关系C、与ρ和d有关系D、还与薄层宽度W有关系答案：C31.单相交流电源的安全电压是()。A、小于36VB、120VC、220VD、大于220V答案：A32.用滴管把液体树脂滴涂到键合后的芯片上,经加热固化成型,此方法称()。A、浇铸法B、递模成型法C、填充法D、滴涂法答案：D33.环焊前应用()打磨电极。A、水砂纸B、粗砂纸C、锉刀D、纱布答案：A34.两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后,总电阻值等于各个电阻值的总和,这是()。A、串联B、并联C、混连D、其它答案：A35.电阻率的国际单位为()。A、ΩB、Ω/cmC、Ω·mD、Ω·cm答案：B36.军用电路生产线产品质量要具有可追溯性,必须()。A、填写流程卡,工序原始记录B、填写工作日记C、记重要事件D、所做工作全部记录答案：A37.完成灌封后环氧灌封胶必须充分加热,以便引起环氧固化的()。A、加成反应B、交联反应C、分解反应D、水解反应答案：B38.金锑合金的低共熔点为360℃共晶焊时应采用()。A、400~450℃B、380~410℃C、420~440℃D、420~450℃答案：B39.LTCC无法埋置()A、电容B、电阻C、电感D、芯片答案：D40.检验文件中所说的“低倍显微镜”是指()A、10~30倍B、20~30倍C、10~60倍D、10~100倍答案：C41.电阻升温测量后,阻值较常温时小,则电阻具有()电阻温度系数。A、正B、负C、零D、下降答案：B42.形成虚焊的原因是()。A、元器件引线有污物、氧化,未搪锡B、焊盘有污物C、助焊剂不足或质量差D、A、B、C都有可能答案：D43.薄膜导体应具备的性质()。A、电阻率低B、与基片、介质附着力强C、电性能稳定D、ab和c答案：D44.硅属于()。A、Ⅲ族元素B、Ⅳ族元素C、Ⅴ族元素D、Ⅵ族元素答案：B45.当设计要求把基片外引线键合区固定在一起时,围绕外引线键合区的周长,合金或焊料的焊接轮廓可接收的是()。A、大于50%B、小于50%C、大于40%D、小于40%答案：A46.当晶体三极管处于饱和状态时,则其发射结、集电结分别处于()。A、正偏、正偏B、正偏、反偏C、反偏、正偏D、反偏、反偏答案：A47.键合用的超声压焊劈刀,时间长劈刀上的结垢除去的方法为()。A、20%NaOH溶液浸泡超声B、用水冲洗C、用乙醇清洗D、用浓HNO3清洗答案：A48.下列条件中,最适合厚膜电阻浆料烘干的是()A、50℃,15minB、125℃,15minC、150℃,15minD、150℃,30min答案：C49.密封工艺中的热过程对电路的性能有一定的影响。电阻焊、冷焊、激光焊和塑封对器件和电路的影响(),钎焊和玻璃熔封对器件和电路的影响()。A、较小较大B、较大较小C、较小较小D、较大较大答案：A50.塑封中常用的填充剂()。A、硬脂酸B、洛巴蜡C、苯甲酸D、石英粉答案：D51.扁平结构的外壳引线间距常用的是()。A、5.4B、0.3C、0.8D、2.7答案：D52.不燃烧的化学试剂是()。A、甲苯B、四氯化碳C、丙酮D、乙醇答案：B53.外壳引线的矩形截面引起的电感要比圆形截面引起的电感()。A、大B、小C、相等D、不一定答案：B54.芯片背面减薄的目的主要是()。A、装焊时有良好的浸润性B、增大欧姆接触C、增加强度D、压焊要求答案：A55.可见到下层介质的金属化层孔隙,下列()情况可以接收。A、金属化层中的孔隙小于原来金属宽度的50%B、键合区中的孔隙,使得未被破坏的部分小于最大可允许键合尺寸的两倍C、键合区包括嵌条区的孔隙,它使连接键合区和互连金属化层的通路中,未被破坏的宽度大于最窄进入互连金属条宽的50%D、孔隙使金属化层面积减小25%以上答案：C56.下列光的波长中属于紫外的是()A、10640nmB、1064nmC、532nmD、355nm答案：D57.现有LTCC印刷条件下,能达到的最佳线条宽度为()A、50µmB、100µmC、150µmD、200µm答案：C58.对金属化划伤,哪种情况的划伤可以接收()。A、金属化层中的划伤未被划伤的部分大于原有金属化层宽度的75%B、多层金属化层中的划伤沿长度方向的任何位置上暴露出下层金属,并使未受破坏的顶层金属的条宽,不到原有宽度50%C、在金属化层中的划伤,它暴露出淀积薄膜电容器或交迭的介质材料D、键合区域或嵌条区中的划伤,它暴露了下层介质或衬底,使进入的互连金属化层与键合区的金属通路宽度小于最窄进入互连金属条宽的50%答案：A59.真空焊接是()生产。A、连续式大批量B、连续式小批量C、间歇式大批量D、间歇式小批量答案：D60.在室温升高时,晶体三极管的电流放大系数β()。A、增大B、减小C、不变D、具变答案：A61.1000级净化间是在1立方英尺的空气中有()个尺寸为0.5μm的颗粒物。A、1B、10C、100D、1000答案：D62.产品质量的好坏包含()。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标D、A、B和C答案：D63.模块除湿温度及时间()A、80℃24hB、105℃48hC、125℃24hD、150℃24h答案：C64.用左手定则判断()。A、感生电流的方向B、通电导体产生的磁场的方向C、通电导体在磁场中的受力方向D、通电螺线管产生的磁场的方向答案：C65.下列导体中,导电率最高的是()A、uB、AlC、uD、Ag答案：D66.GJB548B-2005为以下哪份规范的标准号()A、微电子器件试验方法和程序B、半导体集成电路总规范C、混合集成电路通用规范D、半导体分立器件试验方法答案：A67.下列几种键合系统中()键合质量可靠性最好。A、u-Al系统B、Al-Al系统C、Au-Ni系统D、Al-Cr系统答案：B68.用粘结剂装配的元件,对于H1级其接触面积要求是()。A、大于75%B、小于50%C、大于40%D、小于40%答案：A69.混合电路内部多余物的最主要来源于()。A、管壳B、元件C、装架工艺D、传递答案：C70.厚膜电阻膜越厚,则其阻值相对()A、越大B、越小C、不变D、与厚度无关答案：B71.薄膜微晶玻璃片可使用()进行划片工艺。A、激光B、金刚刀C、砂轮D、钢刀答案：B72.集成电路按其功能可以分成两类,即()。A、数字集成电路和功率集成电路B、模拟集成电路和功率集成电路C、线性集成电路和模拟集成电路D、数字集成电路和模拟集成电路答案：D73.在半导体器件制造工艺中,芯片的合金烧结法是采用()做焊料的一种钎焊方法。A、银浆B、导电胶C、共晶合金D、聚合物答案：C74.绝缘胶膜为了有更长的保存期,一般在()温度下保存。A、25℃B、50℃C、5℃D、-40℃答案：D75.双列封装结构的引线间距通常用的是()mm。A、27B、54C、3D、08答案：B76.关键过程是()。A、形成关键特性的主要过程B、指对形成产品质量起决定性作用的过程C、指关键工序的所有过程D、指生产过程中的衔接环节答案：B77.采取()的方法可以最有效的去除灌封胶料里混入的气泡A、离心脱泡B、加热后离心脱泡C、抽真空D、真空下注胶答案：B78.防止批次性不合格,应进行()。A、首件鉴定B、工艺评审C、工序评审D、设备评审答案：A79.对金属化划伤,哪种情况的划伤可以接收().金属化层中的划伤未被划伤的部分大于原有金属化层宽度的75%)。A、金属化层中的划伤未被划伤的部分大于原有金属化层宽度的75%B、多层金属化层中的划伤沿长度方向的任何位置上暴露出下层金属,并使未受破坏的顶层金属的条宽,小于原有宽度50%C、在金属化层中的划伤,它暴露出淀积薄膜电容器或交迭的介质材料D、键合区域或嵌条区中的划伤,它暴露了下层介质或衬底,使进入的互连金属化层与键合区的金属通路宽度小于最窄进入互连金属条宽的50%答案：A80.软封装用的树脂俗称()。A、黑胶B、乳胶C、明胶D、白胶答案：B81.厚膜浆料主要有()和保护介质浆料A、导体浆料B、电阻浆料C、隔离介质浆料D、AB和C答案：D82.环焊电极发生打火应()。A、提高电压B、降低电压C、改进电极形状D、调整放电时间答案：D83.共晶粘片时,通常采用()气体保护。A、N2B、氩气C、HeD、在空气中答案：A84.首件鉴定是鉴定()。A、过程能力B、批生产能力C、产品质量D、生产效率答案：A85.平行缝焊属于()。A、电阻焊B、钎焊C、贮能焊D、冷压焊答案：A86.显微镜调焦时,应()。A、从上往下调B、从下往上调C、随意D、先高倍后低倍答案：A87.混合电路允许实施有限条件的返工,所返工必须()。A、执行规范,经主任批准B、经班长批准C、自行处理D、经线长批准答案：A88.为了保证灌封质量,必须要特别注意()中混入的空气。A、胶膜B、灌封胶料C、灌封操作过程D、固化过程答案：B89.下列合金焊料熔点最高的是()。A、金-硅B、金-锑C、金-锗D、银-铜-锡答案：A90.为了取得细线条的印刷效果,应采用哪种丝网()。A、100目B、200目C、300目D、400目答案：D91.现场质量管理是()。A、车间管理人员的任务B、技术人员的任务C、生产工人的任务D、A、B和C答案：D92.芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金,共熔点是为()。A、320℃B、356℃C、380℃D、280℃答案：B93.密封工艺中静电防护主要控制环节是()。A、管壳清洗B、工艺操作C、清点电路D、填写数据答案：B94.下列几种合金焊料,熔点从高到低,正确排列顺序是()。金-硅合金金-锑合金金-铝合金银-铜-锡合金A、2>3>1>4B、3>2>1>4C、1>2>3>4D、1>3>2>4答案：C95.电阻串联的特点之一是()。A、电流相等B、串联可以分压,每个电阻分得的电压与其阻值成反比C、总电压等于各分电压D、总电阻等于各分电阻答案：A96.用粘合剂粘结的基片可以接收的是()。A、在基片安装柱上有粘合剂残余物B、器件装置图定位和定向不符C、在外引线键合区上有粘合剂残余物D、基片周界75%以上连续三侧周边能见到粘合剂材料答案：C97.金铝键合系统之间会生成多种金属间化合物,造成键合失效,其“紫斑”的形成是()化合物引起。A、uAl2B、AuAlC、Au2AlD、Au5Al2答案：B98.当|VG|≥|VT|时,增强型MOS管沟道中载流子的运动主要是()。A、扩散运动B、漂移运动C、热运动D、扩散运动和热运动答案：B99.模块在三防涂覆时优先涂覆面为()。A、顶面B、功能面C、非功能面D、底板答案：B100.可以再次返工封装的是()。A、平行封焊B、环焊C、焊料焊D、塑封答案：A101.列说法正确的是()A、浆料的组成一般由功能相、有机载体、绝缘材料三个重要部分组成B、浆料的组成一般由功能相、有机载体、玻璃黏结剂三个重要部分组成C、浆料的组成一般由功能相、玻璃黏结剂、绝缘材料三个重要分组成D、浆料的组成一般由有机载体、玻璃黏结剂、绝缘材料三个重要部分组成答案：B102.半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、N型半导体C、本征半导体D、P型和N型掺杂浓度相等的半导体答案：C103.打印油墨至少应具有()的存放期。A、六个月B、1年C、2年D、3年答案：C104.常用的电容容值单位有F、µF、nF、pF,其中1nF=()pF。A、10B、100C、1000D、10000答案：C105.在机械图样中的直线尺寸规定的单位是()。A、毫米B、厘米C、分米D、米答案：A106.共晶粘片的主要缺点是()。A、不可返工B、传热快C、可以导通D、可靠性好答案：A107.粘合剂流向任何分离元件的距离,可以接收的是()。A、其间距不到25μmB、大于25μmC、不到10μmD、大于20μm答案：B108.关键工序三定表指的是()A、定设备B、定人员C、定工艺D、定流程答案：A109.电阻率的国际单位为()。A、ΩB、Ω/㎝C、Ω·mD、Ω·㎝答案：C110.理想电压源的特点之一是()。A、端电压固定不变,与外接电路无关B、通过它的电流与外接电路无关C、端电压与电压源的内阻有关D、可以作为实际的电压源答案：A111.塑封电路在模塑后还要对外引线进行()表面保护。A、光亮镀锡B、镀镍C、镀暗镍D、镀金答案：A112.环氧树脂具有良好的()。A、高频性能B、耐湿性C、电绝缘性D、机械性答案：C113.6S和产品质量的关系是()A、工作方便B、改善品质C、增加产量D、没有关系答案：B114.对于复合键合,()情况可以接收。A、一个键合点上有两根引线B、在原有的键合点上有多余一个键合C、第二次键合和原有键合的接触面积大于75%的键合D、非同一金属的键合答案：C115.用粘合剂装配的元件,粘合剂流向任何分离元件的距离可接收的是()。A、其间距不到25mmB、其间距大于25mmC、其间距不到20mmD、其间距大于20mm答案：B116.下列清洗设备清洗时不需溶剂的是()。A、蒸气去油器B、在线溶剂清洗机C、等离子清洗机D、超声波清洗机答案：C117.Sn基焊料在低温时,Sn发生同素异型变化,产生(),所以Sn机焊料不适用于()。A、韧性高温B、脆性低温C、韧性低温D、脆性高温答案：B118.下面()是可以接收的。A、焊料和金属材料剥落B、基片上有多余物C、在基片周界能见到焊接轮廓D、焊料流到分离元件上答案：C119.焊料焊时施加的温度应使焊料能够有足够的流动性和润湿性,这个温度大约高出焊料熔点()。A、30℃B、60℃C、80℃D、110℃答案：A120.激光加工的优点是()A、速度快、效率高B、加工质量高、可控性好C、在剥除金属材料的同时减少对基底材料的损伤D、A、B和C答案：D121.防静电手镯和地线之间应该()。A、直接导通B、接1MΩ左右电阻C、接10Ω左右电阻答案：B122.激光调值方法一般只能将电阻的阻值。A、调大B、调小C、稳定D、不变答案：A123.低熔玻璃焊属于()。A、冷焊B、有机树脂封装C、熔焊D、焊料焊答案：C124.金属圆形封装结构其引线的分布直径一般为()。A、54B、27C、08和5.84D、0答案：C125.两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后,总电阻值等于各个电阻值的总和,这是()。A、串联B、并联C、混连D、其它答案：A126.产品质量是()。A、设计出来的B、制造出来的C、检验出来的D、多种质量因素的综合反应答案：D127.()结构是目前国内外光电外壳最通用的封装形式。A、陶瓷熔封B、塑封C、陶瓷平封D、陶瓷扁平封答案：D128.双极型集成电路硅单晶衬底一般选取的晶面为()。A、{111}面B、{110}面C、{011)面D、{100}面答案：A129.陶瓷基底的芯片内腔中烘渗有()层,以便芯片粘结。A、金B、镍C、锡D、铝答案：A130.平行缝焊机,滚轮锥顶角的大小与焊接压力的关系是()。A、锥顶角变小,压力增大B、锥顶角变小,压力变小C、锥顶角变小,压力不变D、锥顶角变大,压力不变答案：B131.在检查陶瓷基片电容器中()情况的基片可以接收。A、基片中有裂纹B、电容器板有脱离的痕迹C、金属化层基本完好D、金属化层材料沿边缘裂开答案：C132.硅二极管的正向压降一般为()。A、5VB、7VC、9VD、0V答案：B133.由于封装气密性不好,在芯片键合点或管座压焊点常产生一种白色絮状物质,貌似白色绒毛,这种白色物质的主要成分为()。A、KOHB、NaOHC、Fe(OH)33D、Al(OH)33答案：D134.芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为()。A、280℃B、220℃C、320℃D、350℃答案：A135.环焊电极由()制成。A、钨铜或铬铜合金B、不锈钢C、工具钢D、铜答案：A136.厚膜混合电路中使用的96%氧化铝基片的翘曲度应小于最长基片边缘的()。A、0.03%B、0.3%C、1%D、3%答案：B137.影响贮能焊气密性的主要原因是()。A、封焊电流B、封焊电压C、PINDD、封装条件综合因素调整不合适答案：D138.构成计数器的基本单元是()。A、与非门B、或非门C、与或门D、触发器答案：D139.碳黑是()着色剂。A、绿色B、棕色C、黄色D、黑色答案：D140.用粘合剂装配的元件,在元件周界粘合剂中的裂缝可接收的是()。A、大于接触周长的10%B、小于接触周长的10%C、大于接触周长的15%D、小于接触周长的15%答案：B141.金属与半导体形成欧姆接触的一种方式是使半导体的参杂浓度大于()。A、1015/cm3B、1017/cm3C、1019/cm3D、1021/cm3答案：C142.以下材料中,可用于键合引线材料的是()。A、半导体材料B、绝缘材料C、铁镍合金D、含1%硅的铝答案：D143.堆叠组件烘烤除湿后,烘箱温度降至()方可取出。A、50℃B、60℃C、70℃D、80℃答案：D144.哪项试验可以有效验证金属镀层的附着力?()A、“划格法”B、“折弯法”C、“剪切法”D、外观目检法答案：A145.易于制造高压、大电流和功率电路的是()A、半导体电路B、薄膜电路C、厚膜电路答案：C146.P型封装由俯视图方向观察,引出端识别标志处为()。A、1B、2C、nD、n-1答案：A147.经过室温静置的湿膜,即可进行干燥,干燥的目的是()A、使将料中易挥发的有机溶剂蒸发掉B、使印刷好的浆料膜硬化C、使图形固定D、便于移动答案：A148.粗铝丝键合的主要问题之一是:铝在压焊劈刀上的结垢,通常采用的最好方法是()。A、20%NaOH超声清洗B、水洗C、乙醇洗D、丙酮洗答案：A149.通过专用工装模具对器件的()进行约束定位,可以实现精确堆叠。A、塑封外形B、器件正面标识C、器件引腿D、几何尺寸答案：C150.单相交流电源的安全电压是()。A、小于36VB、120VC、220VD、大于220V答案：A151.共晶粘片采用的98Au·2Sn之熔点应该是()。A、280℃B、356℃C、370℃D、217℃答案：D152.当集成电路温度超过环境温度100℃时,()的作用比较突出。A、热辐射和热对流B、传导和对流C、传导和辐射D、传导答案：A153.材料间一但发生接触,相互间就受到弱的()的吸引。A、原子力B、分子力C、电子力D、中子力答案：B154.产品质量是()。A、是设计出来的B、是制造出来的C、是检验出来的D、是多种因素的综合反应答案：D155.激光焊属于()焊。A、熔B、焊料C、冷D、纤答案：A156.超声压焊时选择的金属丝是()。A、铝丝B、金丝C、硅铝丝D、铜带答案：C157.属于非气密性封装的是()。A、金属B、玻璃C、陶瓷D、塑料答案：D158.一个阻值为100Ω的电阻,允许加最高电压为10V,则额定功率为()。A、10WB、1WC、1WD、2W答案：B159.薄膜电阻膜层越薄,则()越差。A、阻值B、密度C、阻值均匀性D质量答案：C160.晶体三极管的开关工作状态指的是()。A、要么工作于截止区,要么工作于饱和区,不能工作于放大区B、要么工作于截止区,要么工作于放大区,不能工作于饱和区C、要么工作于饱和区,要么工作于放大区,不能工作于截止区D、主要工作于截止区和饱和区,在这两个区域转换时暂时工作于放大区答案：D161.半导体的电阻率()。A、介于10-1~10-2Ω.cm之间B、介于10-2~10-4Ω.cm之间C、介于10-4~109Ω.cm之间D、大于109Ω.cm答案：C162.ESD识别标志中的符号△表示();A、1级0V~1999VB、2级2000V~3999VC、3级4000V答案：A163.用粘合剂装配的元件,其接触面积要求()。A、大于75%B、小于50%C、大于45%D、小于40%答案：A164.打印油墨要求固化温度在(),以慢干为宜。A、120±10℃B、140±10℃C、180±10℃D、200±10℃答案：D165.国内外大功率管芯背面金属化普遍采用()。A、Ni-Cr-SnB、Ni-Ag-AuC、r-Ni-AuD、Cr-Ag-Au答案：C166.MCM采用的新技术是()。A、混合电路B、SMTC、PCBD、超大规范裸芯片、多层板预测试后组装成大于100条引腿的多功能组件答案：D167.基片粘结过程中,()情况可以接收。A、焊料和合金材料剥落B、基片上有残余焊剂C、在基片周界都能见到焊接轮廓D、焊料流向分离元件,使其间的间隔小于25mm答案：C168.材料之间弱的分子吸引力叫做()。A、作用力B、万有引力C、范德瓦斯力D、粘接力答案：C169.柔软键合法的柔软材料通常是()。A、金B、铜C、硅D、铝答案：A170.制作刻线数据时,导电路径可能会拐弯,下列哪一项导线拐弯的方式不建议采用?()A、B、C、D、答案：C171.一般的厚膜浆料高温烧结温度为()。A、500℃B、850℃C、900℃答案：B172.金-锡共晶焊工艺的最大缺点是()。A、耗金量太大B、不可靠C、导热性差D、接触不良答案：A173.链式封装炉在炉端设有几道机械帘和氮气帘装置,是为了防止()。A、空气进入B、H22溢出C、热散失D、空气进入和H22爆炸答案：D174.气密密封方法常用()和玻璃熔封工艺方法。非气密密封方法通常用胶粘法和塑封法。A、钎焊、熔焊、平行缝焊B、钎焊、激光焊、超声焊C、平行缝焊、点焊、激光焊D、平行缝焊、点焊、超声焊答案：A175.无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化铝D、氧化铍答案：D176.在引线键合中下列()情况可以接收。A、不符合键合图要求的遗漏或多余的引线或条带B、在引线和键合的接合处撕裂C、引线与引线交叉D、共用引线有交叉答案：D177.单晶硅中的硼、磷和金杂质的作用分别为()。A、施主、受主和复合中心B、施主、复合中心和受主C、受主和施主、复合中心D、受主、复合中心和施主答案：C178.质量问题归零五条标准的根本任务是()。A、防止质量问题再发生B、处理应急质量事故C、完成型号生产任务D、为了教育大家答案：A179.厚膜印刷的导体膜厚一般为()。A、5-8µmB、8-15µmC、40µmD、20~30µm答案：B180.可动电荷Na+离子在()介质膜中容易移动。A、二氧化硅B、氮化硅C、磷硅玻璃D、氧化铝答案：A181.楔形键合,()情况可以接收。A、在芯片、基片和外引线键合区上的键合,其宽度大于1.2倍,或小于2.5倍的引线直径B、其键合长度小于1.5倍或大于5.0倍引线直径C、在芯片衬底或外引线键合区上的键合其宽度小于1.5倍或大于3.0倍引线直径D、其键合长度小于1.0倍或大于5.0倍引线直径答案：A182.平行封焊的每个焊点间()重叠。A、不B、有小于1/10C、有1/3~1/4的D、有大于1/2的答案：C183.使用灌封胶进行印制板型组件粘接固化条件为:()。A、125℃1hB、150℃1hC、150℃2hD、125℃2h答案：C184.金锗合金装片时通常采用()。A、360~410℃B、420~460℃C、315~350℃D、310~350℃答案：A185.1英尺等于()。A、30cmB、50cmC、30.48cmD、20cm答案：C186.下列焊合方式属于固相焊合的是()。A、超声焊B、再流焊C、导电胶粘结D、共晶焊答案：A187.处于放大工作状态的晶体三极管,集电结中载流子的运动主要是()。A、扩散运动B、漂移运动C、热运动D、扩散运动和热运动答案：B188.军用混合电路贯彻国军标,通用规范标准号是()。A、GJB548AB、GJB2438AC、GJB597D、QZJ840616答案：B189.H级芯片镜检的显微镜倍数要求为()倍。A、25—50B、50—100C、75—150D、50—75答案：C190.大功率管芯与铜管座烧结时,采用Mo垫片为的是()。A、减小热阻B、减小热膨胀系数失配诱导的热应力C、提高平整度D、散热片答案：B191.不燃烧的化学试剂是()。A、甲苯B、四氯化碳C、丙酮D、乙醇答案：B192.超声键合用硅铝丝材料,为方便拉丝和键合()。A、在Al中掺入1%的SiB、在Si中掺入3%的AlC、在Si中掺入1%的AlD、在Al中掺入3%的Si答案：A193.一般丝网印刷过程可概括为绘图、照相、制版、()、流平五个步骤。A、烘干B、印刷C、烧结D、检验答案：B194.Au-Si共晶焊接时,最大的缺点是()。A、耗金量大B、返修方便C、导热性差D、接触不良答案：A195.芯片共晶焊接工艺中所用的金-硅合金的熔点是()。A、221℃B、323℃C、370℃D、390℃答案：C196.质量管理体系文件包括()。A、质量手册,程序文件B、相关的运行,控制文件C、作业规范,质量记录D、A+B+C答案：D197.8寸晶圆的直径长度约为()mmA、200B、250C、300D、100答案：A198.薄膜导体应具备的性质()。A、电阻率低B、与基片、介质附着力强C、电性能稳定D、AB和C答案：D199.得细线条的印刷效果,应采用哪种丝网()。A、100目B、200目C、300目D、400目答案：D200.单位面积的电阻上能承受的功率称为()。A、功率密度B、额定功率C、最大功率D、最小功率答案：A201.型号为LSFN16G08VS4S1的三维存储器中16G代表存储器的()A、速度B、存储容量C、位宽D、类型答案：B202.焊料焊时施加的压力应根据()而定。A、焊接面积B、焊料熔化温度C、金属厚度D、管壳种类答案：A203.一般丝网印刷过程可概括为绘图、照相、制版、印刷、()五个步骤。A、烘干B、流平C、烧结D、检验答案：B204.厚膜印刷的导体膜厚一般为()。A、5~8µmB、8~15µmC、40µmD、20~30µm答案：B205.超声键合对键合表面要求清洁度为()。A、较高B、较低C、不要求D、无限制答案：A206.非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间的间隙通常为()A、小于0.1mmB、0.5-2.0mmC、大于2.0mmD、大于2.54mm答案：B207.产品质量的好坏包含()。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标D、AB和C答案：D208.用万用表的电阻档测出二极管D1的正向电阻为2KΩ,反向电阻为1MΩ;D2的正向电阻为2KΩ,反向电阻为500KΩ,比较两只二极管的特性为()。A、D1比D2好B、D2比D1好C、D1、D2均好D、1、D2均不好答案：A209.超声键合用的铝丝,含1%Si的冷拉铝丝,加硅的目的是()。A、提高抗拉强度B、提高抗氧化能力C、提高导电能力D、提高抗腐蚀能力答案：A210.电路板焊接完,通电调试前应做哪些工作()。A、检查是否有断、短路现象B、检查是否有错焊现象C、检查是否有漏装现象D、以上都是答案：D211.为了调整玻璃的()加入锆英石、锂霞石。A、线膨胀系数B、机械强度C、耐磨性D、尺寸稳定性答案：A212.用金锑合金共晶粘片时,采用的温度为()。A、350℃~360℃B、380℃~410℃C、410℃~440℃D、420℃~450℃答案：B213.几个电容并联,总电容与其中每一个电容比较,()。A、总电容最大B、总电容最小C、总电容等于其中最大的电容D、总电容等于其中最小的电容答案：A214.厚膜导体的烧结气氛是()A、空气B、氢气C、氮气D、氮氢混合气体答案：A215.超声键合必须()。A、塑性流动B、磨擦C、超声功率D、超声功率、压力和时间的相匹配答案：D216.存储器模块的工序检验点有()个。A、4B、5C、6D、7答案：C217.焊料金属表面的润湿难易用()来描述。A、可焊性B、润湿角C、接触角D、表面张力答案：B218.电阻膜越厚,则其阻值相对()。A、越大B、越小C、不变D、与厚度无关答案：B219.塑封中常用的脱膜剂是()。A、氧化铝粉B、有机合成纤维C、硬脂酸钙D、磷系化合物答案：C220.检验批识别代码9812表示()。A、98年1月2日B、98年12月C、98年第12周D、98年1月12日答案：C221.平行封焊的管壳盖板厚度应选择在()范围。A、1±05mmB、2±02mmC、3±05mmD、4±04mm答案：A222.下列粘结材料绝缘性最好,导热最差的是()。A、金锡合金B、金硅合金C、银浆D、树脂答案：D223.功率电路散热底座上的螺孔是为了()。A、以便外接散热器B、节省材料C、美观D、加强机械强度答案：A224.浆料是一种()A、糊状液体B、粘稠的液体C、悬浮体D、胶状固体答案：C225.在烧结工艺中,保护气体最好采用()。A、H2B、N2C、HeD、H2和N2混合气体答案：D226.允许将基片取出,更换或再装进新封装壳内()。A、一次B、二次C、三次D、四次答案：B227.导线间呈“T”形交叉时,下列哪一项交叉方式是正确的?()A、B、C、答案：A228.器件引线逆成形模具、外引线成形模具等模具材料应选用()制造A、碳素钢B、高速钢C、合金钢D、不锈钢答案：A229.共晶粘片时,焊料片的尺寸最好采用芯片尺寸的()。A、100%B、80%C、50%D、60%答案：B230.大功率管芯与铜底座烧结时,采用MO片的理由是()。A、减小热阻B、减小热膨胀系数失配诱导的热应力C、提高平整度D、加强热传导答案：B231.贮能焊过程中起主导作用的条件是()。A、电压B、电流C、压力D、时间答案：A232.工作人员接触CMOS器件时,必须避免的是()。A、手镯接地B、设备接地C、把它放在塑料板桌面上D、工作台要接地答案：C233.用有机聚合物粘片的优点是()。A、工艺简单易操作B、导热好C、不易碳化D、耐高温300℃以上答案：A234.要构成容量为4K×8的RAM,需要()片容量为256×4的RAM。A、2B、4C、8D、32答案：D235.铝丝超声焊的尾丝不能超过铝丝直径的()。A、一倍B、两倍C、三倍D、四倍答案：B236.助焊剂的作用是()。A、除去被焊表面的锈膜B、防止焊接表面氧化C、降低表面张力,减小接触角,促进焊料漫流,使焊点表面美观D、ABC全是答案：D237.多谐振荡器可产生的波形是()。A、正弦波B、矩形脉冲C、三角波D、锯齿波答案：B238.热压键合法的机理是(),使原子发生接触,导致固体扩散键合。A、机械压合B、低温扩散C、低温扩散和塑性流动的结合D、塑性流动答案：C239.无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化铝D、氧化铍答案：D240.某个与非门的两个输入端信号是低电平,其输出信号是()A、低电平B、高电平C、高低电平不定答案：B241.单组分的环氧树脂一般要求在()下保存。A、常温B、低温C、高温D、无要求答案：B242.热压焊键合的温度要求一般高于()。A、300℃B、200℃C、150~180℃D、室温答案：A243.大多数焊膏都采用()焊料粉末。A、球形B、鳞形C、棒状D、针状答案：A244.氦质谱检漏工艺注意事项其中之一:检漏前应对器件进行清洁处理,然后用真空烘箱烘烤,以去除污垢和恢复可能被堵塞的漏孔。烘烤温度一般为()以上,时间大于()。A、150℃72hB、100℃24hC、125℃4hD、150℃24h答案：A245.薄膜激光调值切缝不得小于()。A、13μmB、3μmC、40μmD、不要求答案：B246.佩戴防静电手环的目的是()。A、防止污染器件B、防止划伤器件C、防止器件静电损伤D、防止人员触电答案：C247.电阻膜层过厚,可能使膜层()增加。A、内应力B、TCRC、硬度D、均匀性答案：A248.厚膜电阻膜越薄,则其阻值相对()A、越大B、越小C、不变D、与厚度无关答案：A249.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锑合金熔点是()。A、280℃B、370℃C、360℃D、320℃答案：C250.链带式封装炉封焊时多采用()气氛保护。A、纯H2B、纯N2C、H2、N2混合D、纯He答案：B251.集成电路的组装顺序是()。A、中测→划片→粘片→键合→封装B、划片→中测→键合→封装→检漏C、划片→键合→中测→粘片→封装D、中测→划片→组装→封装→键合答案：A252.佩戴防静电手环的目的是()。A、防止污染器件B、防止划伤器件C、防止器件静电损伤D、防止人员触电答案：C253.无尾键()情况可以接收。A、在芯片、基片元件或外引线键合区上的无尾键合其宽度小于1.2倍或大于5.0倍的引线直径B、键合长度大于0.5倍或小于3.0倍引线直径C、键合压痕没覆盖整个引线宽度的无尾键合D、键合点周界与引出的金属化条的两边之间均存在交迭或重合现象答案：B254.高方数的薄膜电阻设计成帽状结构,是为了的需要。A、精度B、调值C、稳定性D、可靠性答案：B255.某三极管处于放大状态时,其发射结、集电结所处偏置状态是:()A、正向、正向;B、反向、正向;C、正向、反向;D、正向、正向。答案：C256.薄膜电阻方阻越大,热处理后阻值变化率()。A、越大B、越小C、不变D、与方阻无关答案：A257.超声键合所用的硅铝丝是含1%硅的冷拉铝丝,加硅的目的是()。A、提高铝丝的抗拉强度B、提高铝丝的抗氧化能力C、提高铝丝的导通能力D、提高铝丝机械强度答案：A258.下列再流焊技术属于局部再流焊的是()。（无答案）A、热板再流焊B、红外再流焊C、汽相再流焊D、激光智能再流焊答案：A259.塑封中加入卤化物是做为()剂。A、着色B、脱膜C、固化D、阻燃答案：D260.激光调值机使用()对电阻进行切割以改变电阻阻值。A、电子束B、粒子束C、激光束D、金刚刀答案：C261.下列清洗剂哪种可以直接用电炉加热()。A、乙醇B、丙酮C、四氯化碳D、丙醇答案：C262.环氧树脂类和聚酰胺类粘合剂都属于()粘合剂。A、热塑性B、热固性C、结构性D、光敏性答案：B263.无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。、A、硅片B、微晶玻璃C、氧化铝D、氧化铍答案：D264.用低温焊料合金装配的基片,()情况可以接收。A、围绕基片周界50%或连续两侧上见到焊料B、围绕基片周界75%或连续有三侧能见到焊料C、围绕基片周界75%或连续有三侧见不到焊料D、出现任何剩余的焊料或焊剂答案：B265.在塑封器件存储中,保护气体最好采用()。A、H22B、N22C、HeD、H22和N22混合气体答案：B266.对称三相负载Y形连接的特点之一是()。A、线电压=相电压B、相电压=3线电压C、相电流=线电流D、相电流=3线电流答案：C267.两个完全相同的电阻,它们串联的总电阻是并联的总电阻的()。A、1/2倍B、2倍C、1/4倍D、4倍答案：D268.平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、()和焊轮锥顶角。A、焊轮压力B、焊接时间C、焊接模具D、环境温度答案：A269.环氧树脂的()较差。A、粘接性B、耐温性C、耐热性D、电绝缘答案：B270.一个矩形厚膜电阻长为2000um,宽为500um,则该电阻的方数为()A、2B、5C、4D、10答案：C271.激光焊影响焊接时间的主要原因是()。A、光点大小B、光强C、功率D、电压答案：C272.超声键合法的机理是()。即利用机械的高频振动(超声能量),使焊丝在焊点上摩擦;通过自上而下的压力发生塑性变形,破坏表面氧化层并暴露新鲜表面达到迅速冷焊。A、塑性流动B、摩擦C、塑性流动和摩擦的结合D、低温扩散答案：C273.一般MOS型集成电路的隔离是()。A、与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B、介质隔离C、介质隔离和PN结隔离D、自隔离答案：D274.共晶粘片时,焊料尺寸应该在芯片尺寸的()。A、60%B、80%C、90%D、50%答案：B275.单组份导电胶的保存温度应该在()温度下保存。A、25℃B、50℃C、5℃~10℃D、-40℃答案：D276.在密封工艺中,防静电工作台面要铺设金属板和防静电台布,并将台面铺设物良好接地,通常接地电阻小于10Ω.你认为()。A、对B、不对C、不用D、无所谓答案：A277.目前有机硅树脂类三防漆可以耐受的温度范围为()。A、-45℃~80℃B、-55℃~125℃C、-65℃~200℃D、-65℃~300℃答案：C278.用粘合剂装配的元件,()情况可以接收。A、粘合剂流列元件顶部B、键合区上有粘合剂C、在衬底键合区上有变色的粘合剂材料D、在粘附处,粘合带的宽度,大于粘合带最大宽度50%没有粘合剂答案：D279.膜浆料的高温烧结峰值温度保持时间一般为()。A、10minB、30minC、50minD、60min答案：A280.无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。、A、硅片B、微晶玻璃C、氧化铝D、氧化铍答案：D281.外引线强度指,任一限外引线能承受()的静负荷,能承受不小于2次的小弯曲。A、巨大的B、与引线截面积相适应的C、2KgD、3Kg答案：B282.互补型MOS(CMOS)电路中互补的意思是指()。A、P沟道MOS管和N沟道MOS管配合工作B、P型衬底和N型扩散区配合工作C、N型衬底和P型扩散区配合工作D、多数载流子和少数载流子配合工作答案：A283.在机械图样中的直线尺寸规定的单位是()。A、毫米B、厘米C、分米D、米答案：A284.金丝球焊键合,()情况可以接收。A、在芯片、基片、外引线键合上,金丝球直径小于两倍或大于5倍引线直径B、其引出端完全落在键合球周界内的金丝球键合C、其引线中心引出端,不完全落在键合区边界内的金丝球键合D、键合伸入到从键合区引出的金属条上,而且键合点周界与该金属条的两边交迭重合答案：B285.超声压焊的机理是()。A、塑性流动B、磨擦C、塑性流动和磨擦的结合D、机械压合答案：C286.塑封中不能做为填充剂的有()。A、石英粉B、云母粉C、玻璃纤维D、洛巴蜡答案：D287.在喷砂过程中,除了要关注模块表面粗糙度,还需要关注()。A、表面平整度B、模块尺寸C、金属凸点高度D、A、B和C答案：D288.首批粘结剂必须记录红外光谱曲线,超过一个贮存期,必须再次记录,其主要峰值超过()偏差就不得使用。A、1%B、5%C、10%D、20%答案：C判断题1.密封的目的是确定具有内空腔的微电子器件和半导体器件封装的气密性。（）A、正确B、错误答案：A2.由于空洞或对准不良，使玻璃钝化层覆盖电阻的面积应大于90%电阻面积，为不合格。()A、正确B、错误答案：B3.要保证键合丝质量。一般铝和金键合丝保存时间必须在6～8个月之间。()A、正确B、错误答案：A4.低熔玻璃熔融过程中，固体物质消失所用时间不长。（）A、正确B、错误答案：A5.混合电路装配所使用的半导体器件表面的钝化层可以保护芯片有源表面免受颗粒、潮气、残余离子和一般操作的损坏，但是它很薄，且有时有针孔，所以不能认为是防潮密封的。（）A、正确B、错误答案：A6.超声键合最佳状态主要是压力、功率、劈刀形状三种工艺参数是否匹配来决定。()A、正确B、错误答案：B7.四探针法是用来测量高精度的大阻值电阻的。（）A、正确B、错误答案：B8.接收H级元器件粘接粘附元件与基片边缘之间的间距小于76μm（）A、正确B、错误答案：B9.金丝与蒸发铝膜之间的键合的缺点，主要是由于两种不同金属之间的键合引起的。()A、正确B、错误答案：A10.由于硅铝丝和芯片金属化层的压点是实行铝－铝键合，所以获得不理想的键合强度。(超声键合时由于超声功率太小，则在键合点上不能形成功率圈，这种键合只能是一种压接触。()A、正确B、错误答案：A11.粘接剂的电导率和电参数的稳定性如何。（）A、正确B、错误答案：A12.薄膜电阻激光调值切缝内不允许有碎屑颗粒。（）A、正确B、错误答案：A13.在键合过程中，不利用超声键合，很难除去铝膜上坚硬的氧化膜。()A、正确B、错误答案：A14.器件从一个受控的环境传送到另一个受控环境时，应放在容器中。（）A、正确B、错误答案：B15.激光加工机可以不采用任何防护，直视激光。（）A、正确B、错误答案：B16.高温介质印刷位置准确，印刷套偏不得大于50μm。()A、正确B、错误答案：A17.设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。()A、正确B、错误答案：B18.芯片、基片、元件、电路的传递必须使用带盖的器皿，不准暴露在周围环境中。（）A、正确B、错误答案：A19.键合引线所用的硅铝丝中加入硅的目的是为了增加丝的抗氧化能力。()A、正确B、错误答案：B20.电阻率位于绝缘体和导体之间的材料叫做半导体。（）A、正确B、错误答案：A21.混合集成电路薄膜和厚膜电阻器的主要优点在于它们能被微调到精确值。（）A、正确B、错误答案：A22.三不放过原则是：原因找不出不放过，责任查不清不出不放过，纠正措施不落实不放过。（）A、正确B、错误答案：A23.质量问题归零五条内容是：“定位准确，机理清楚、问题复现、措施有效、举一反三”。()A、正确B、错误答案：A24.立式平面研磨机的研磨盘应在每班生产前进行修整。（）A、正确B、错误答案：B25.玻璃结晶的速度与粒度无关。（）A、正确B、错误答案：B26.填银的粘接剂过多的流出能立刻短路或随着时间的推移因银迁移造成短路。（）A、正确B、错误答案：A27.在芯片基片外引线键合区上的金丝球焊键合，其直径小于两倍或大于5倍的引线直径可以通过。()A、正确B、错误答案：B28.S中素养的目的要：培养好习惯、遵守规则、营造团队精神。（）A、正确B、错误答案：A29.激光加工基片第一次后，取出基片，第二次放入仍可加工。()A、正确B、错误答案：A30.银浆烧结是一种流传较广的方法，它适用于大功率晶体管。（）A、正确B、错误答案：B31.键合引线所用的铝丝越纯越好。()A、正确B、错误答案：B32.在将丝网组件从印刷台上取下之前，必须先拆卸刮板以及返料刀。（）A、正确B、错误答案：A33.实验室稀释流酸时，是将水慢慢地倾倒于硫酸中，并用玻璃棒不停地搅拌。（）A、正确B、错误答案：A34.电阻率位于绝缘体和导体之间的材料叫做半导体。（）A、正确B、错误答案：A35.由于硅铝丝和芯片金属化层的压点是实行铝－铝键合，所以获得不理想的键合强度。(超声键合时由于超声功率太小，则在键合点上不能形成功率圈，这种键合只能是一种压接触。（）A、正确B、错误答案：A36.经过高精密的氦质谱仪检漏，合格的产品即可判为最后合格产品。（）A、正确B、错误答案：B37.一个键合点上有两根引线，不影响质量与性能，可以通过。()A、正确B、错误答案：B38.通常认为1mm以下厚度的膜为薄膜，以上者为厚膜。()A、正确B、错误答案：A39.超期焊膏经过验证可延期使用1年。（）A、正确B、错误答案：B40.用乙醇或丙酮清洗用具时，可以在电炉上直接加热。()A、正确B、错误答案：B41.绝缘材料扩展超出上层和下层金属化的宽度应大于76μm。()A、正确B、错误答案：A42.所有方阻的电阻在印刷完毕后才能进行烧结操作。（）A、正确B、错误答案：A43.导体膜层上不得有纤维毛、气泡、明显凹凸不平（丝网痕迹除外）。()A、正确B、错误答案：A44.SMT流程是送板系统-锡膏印刷机-高速贴片机-再流焊-收板机。（）A、正确B、错误答案：A45.调值时激光机尾气排风管道口与基片表面的距离应小于15cm。（）A、正确B、错误答案：B46.等离子清洗能清除表面所有沾污。（）A、正确B、错误答案：B47.人体的安全电压应低于或等于36V。()A、正确B、错误答案：A48.键合引线所用的铝丝纯度不做要求。()A、正确B、错误答案：B49.超过适用期的焊膏可以重复使用。（）A、正确B、错误答案：B50.刻线文件制作过程中，不允许对图形进行删减、增加以及图形边缘相对距离变化。（）A、正确B、错误答案：A51.内部水汽含量试验目的是测定金属或陶瓷器件内部气体中的水汽含量。（）A、正确B、错误答案：A52.在P型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子；而在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子。（）A、正确B、错误答案：B53.混合集成电路设计时选用元器件重点考虑的是是否能满足电路功能和性能指标，而与混合电路的生产成本和进度无关。（）A、正确B、错误答案：B54.氦质谱检漏仪由真空系统、真空测量、质谱室、离子流放大器和控制部分组成。（）A、正确B、错误答案：A55.焊膏从冰箱中取出后可立即使用。（）A、正确B、错误答案：B56.软刀是不需要进行磨刀操作的。（）A、正确B、错误答案：B57.用乙醇清洗用具时可以在电炉直接加热。（）A、正确B、错误答案：B58.环氧树脂粘片材料的粘接强度随着温度的升高而降低。（）A、正确B、错误答案：A59.磨切后模块尺寸满足外形加工图纸就应判定为合格。（）A、正确B、错误答案：B60.K级混合集成电路的高放大倍数检验应在75～150倍条件下进行。（）A、正确B、错误答案：B61.混合集成电路或基片在各工序完成后应及时传入下道工序，暂不传入下道工序或暂不执行操作的电路或基片，应保存在干燥塔或干燥柜内。（）A、正确B、错误答案：A62.一个键合点焊头，塔放在另一个键合点焊头顶部的键合称为二次键合。()A、正确B、错误答案：B63.停炉过程中，应先关闭再流焊炉电源，再关排风电源，最后关UPS后备电源（）A、正确B、错误答案：B64.因为氢气有毒，所以使用时要严格遵守气体操作规程。（）A、正确B、错误答案：B65.6S中素养目的要：培养好习惯、遵守规则、营造团队精神。（）A、正确B、错误答案：A66.磨切后顶面漏胶膜是因为磨切过量。（）A、正确B、错误答案：B67.混合集成电路薄膜和厚膜电阻器的主要优点在于它们能被微调到精确值。（）A、正确B、错误答案：A68.要保证键合丝的质量，一般铝合金丝要保存1～2年。()A、正确B、错误答案：B69.检验分为自检、互检和专检，操作者对于所做工步必须100%自检。（）A、正确B、错误答案：A70.金属Au的电阻率比金属Ag的电阻率低。（）A、正确B、错误答案：B71.封装外壳的金属引线、管帽、底座多采用化学镀镍。（）A、正确B、错误答案：B72.焊膏属触变流体，基本上与塑性材料相同。（）A、正确B、错误答案：B73.工艺图纸没有签署完毕，口头通知即可加工产品。()A、正确B、错误答案：A74.低熔玻璃熔融过程的三个阶段可以在同一时间开始，而在不同时间结束。（）A、正确B、错误答案：A75.塑封的长期失效模式是金属化系统发生腐蚀断条。（）A、正确B、错误答案：A76.玻璃的粘度随转化温度升高而呈线性降低。（）A、正确B、错误答案：B77.厚膜电路可以不用测量低温温度系数。（）A、正确B、错误答案：B78.操作人员每调值60片基片应独立完成一次自检。（）A、正确B、错误答案：B79.平行封焊中加在圆锥电极度上的脉冲是一个100-200s的长触发。（）A、正确B、错误答案：B80.当没有压缩空气时，可以在激光加工机上加工产品。（）A、正确B、错误答案：B81.混合电路中不允用导电胶连接两根键合引线。()A、正确B、错误答案：A82.镍铬电阻器的面电阻率与膜厚成正比。（）A、正确B、错误答案：B83.半导体的导电性可以通过掺入微量杂质来控制。()A、正确B、错误答案：A84.MOS集威电路的包装盒应具备良好的静电屏蔽式引线短路。（）A、正确B、错误答案：A85.拒收引线上存在裂口、弯曲、割口、卷曲、切伤、刻痕或颈缩，使引线直径减少了25%以上。()A、正确B、错误答案：A86.超声压焊的可靠性主要是由压力、温度、时间决定的。()A、正确B、错误答案：B87.三维封装叠层存储器通过对单片存储器的垂直叠片及立体互联，可以实现存储容量及位宽的扩展。（）A、正确B、错误答案：A88.烧结炉所有温区显示值低于250℃之后方可关机。（）A、正确B、错误答案：A89.一个键在另一个键上面所形成的单一金属键合，叫做复合键合。()A、正确B、错误答案：A90.陶瓷外壳封装只能采用熔封、平行封焊。（）A、正确B、错误答案：B91.对于高方阻的厚膜电阻器，玻璃占主导地位，因此TCR为正。（）A、正确B、错误答案：B92.一个生产批应由在同一生产线上、采用相同的原材料、相同型号设备、相同制造技术和控制下生产的同一型号的电路组成。（）A、正确B、错误答案：A93.混合集成电路按膜厚及制造技术，通常分为薄膜混合集成电路和厚膜混合集成电路。（）A、正确B、错误答案：A94.封装模块生产线上使用的灌封胶、胶膜等都在电子防潮柜中保存。（）A、正确B、错误答案：B95.导体材料的电阻率越高，则导体的导电性能越好。（）A、正确B、错误答案：B96.模块研磨功能面研磨要求和非功能研磨要求一样。（）A、正确B、错误答案：B97.混合集成电路薄膜和厚膜电阻器的主要优点在于它们能被微调到精确值。（）A、正确B、错误答案：A98.在半导体中存在价带、禁带和导带，价带中的电子可以跃迁到导带中去。()A、正确B、错误答案：A99.晶圆绷到绷片环上后，可以随意放置，不怕划伤。（）A、正确B、错误答案：B100.固化过程中断电，来电后将烘箱直接运行之前程序即可。（）A、正确B、错误答案：B101.键合引线所用的硅铝丝中加入硅的目的是为了降低铝丝的密度。()A、正确B、错误答案：B102.键合引线所用的金丝化学稳定性好，延展性好。()A、正确B、错误答案：A103.国家标准的代号为GB或GB/T。（）A、正确B、错误答案：A104.三维封装叠层存储器生产过程中使用的模具也必须有相应的质量控制措施，同时必须规定模具的使用寿命。()A、正确B、错误答案：A105.未能一次使用完毕的焊料，下次可继续使用。()A、正确B、错误答案：B106.人体的安全电压应低于或等于220V。()A、正确B、错误答案：B107.在芯片、基片、外引线键合区上的金丝球焊键合，其直径小于或大于五倍的引线直径不能通过。()A、正确B、错误答案：A108.键合引线所用的硅铝丝中加入硅的目的是为了降低铝丝的密度。()A、正确B、错误答案：B109.固化性能，即获得固化所需温度和时间，还包括固化后需有一定粘接强度和尽可能小的收缩率，以减少应力产生。另外固化时不应有气体放出，避免产生针孔。（）A、正确B、错误答案：A110.电阻率介于10－4～106Ω·cm之间的材料为半导体。（）A、正确B、错误答案：B111.导体修补处表面应光滑平整，边沿整齐，修补处厚度可以超过原导体厚度的2倍；键合区及粘接区部位可以进行手工修复。()A、正确B、错误答案：B112.键合引线不允许交叉，引线不允许跨键。()A、正确B、错误答案：A113.烘箱运行过程中可开启烘箱门取放电路模块。（）A、正确B、错误答案：B114.焊料金属表面的润湿难易用润湿角来描述。（）A、正确B、错误答案：A115.厚膜工艺优于薄膜工艺的优点之一是能制造多层（可达到7层）互连电路。（）A、正确B、错误答案：A116.再流焊焊料边界不在焊盘之内，或焊料在焊盘之内但其边界距焊盘边界小于50μm。(仅适用金焊盘)（）A、正确B、错误答案：A117.二次击穿”是指二极管的雪崩击穿。（）A、正确B、错误答案：B118.在半导体中存在价带、禁带和导带，价带中的电子可以跃迁到导带中去。()A、正确B、错误答案：A119.堆叠前不需要对器件、铜箔等组件进行清洗。（）A、正确B、错误答案：B120.拒收基片安装偏斜后，使基片金属化层与管座引线柱之间的间距，对于薄膜小于3μm，对于厚膜小于25μm。（）A、正确B、错误答案：A121.图形边缘线条距模块边缘距离一般应大于100μm，若凸点离边缘过近，优先保证凸点网络的正确性。（）A、正确B、错误答案：A122.铜线可在固定线圈时抽头之间互相缠绕，但不可扭转，可以弯曲。（）A、正确B、错误答案：A123.键合引线不允许交叉，也不允许跨键。()A、正确B、错误答案：A124.复合镀层出现剥落、脱皮、起泡、有腐蚀斑、局部露底等现象是不可接受的。()A、正确B、错误答案：A125.过程记录的填写必须具有可追溯性。（）A、正确B、错误答案：A126.混合电路在封装目检前，所有工序(光刻除外)应在100000级粒子数的环境中进行。()A、正确B、错误答案：A127.切割过程中时只需要注意模块尺寸即可。（）A、正确B、错误答案：B128.T08A表示金属圆8线外壳，底座带有陶瓷支柱。（）A、正确B、错误答案：B129.金硅烧结粘贴法是贴装芯片到互连基片上或贴装基片到外壳底座上的常用方法。（）A、正确B、错误答案：A130.激光加工机开启时不需要观察冷水机温度是否在标准范围内。（）A、正确B、错误答案：B131.辐射、对流两种散热方式在集成电路的散热过程中不会发生。（）A、正确B、错误答案：B132.标识应具有唯一性，全过程应一致。（）A、正确B、错误答案：A133.氰酸盐酯粘接剂具有比环氧树脂更高的热稳定性。（）A、正确B、错误答案：A134.半导体中载流子的不均匀分布是由掺杂分布不均匀和光、电、热等的注入两种因素产生的。()A、正确B、错误答案：A135.温度循环的目的是测定器件承受极端高温和极端低温的能力，以及极端高温和极端低温交替变化对器件的影响。（）A、正确B、错误答案：A136.产品的可靠性与设计密切相关，而与生产状态和工艺控制无关。（）A、正确B、错误答案：B137.选择贴装芯片粘接剂的基本考虑是：在高温下、高温老练后和加功率时，具有良好的稳定性。（）A、正确B、错误答案：A138.划片应无毛剌，无裂片，无划伤。()A、正确B、错误答案：A139.化学试剂用做清洗时，对纯度没有什么要求。（）A、正确B、错误答案：B140.激光加工陶瓷片时，必须做到任务、图纸、程序、参数四对照。()A、正确B、错误答案：A141.导电胶ME8512用前应在15℃～30℃下放置0.5h，搅拌2min，可适用时间为5h。()A、正确B、错误答案：B142.人体的安全电压应低于或等于36V。()A、正确B、错误答案：A143.只有关键工序有首件管理要求。（）A、正确B、错误答案：B144.触电分为电伤和电击两大类。（）A、正确B、错误答案：A145.金导带和基片边缘之间间隔应大于25um。（）A、正确B、错误答案：A146.塑封中的铝腐蚀通常首先发生在芯片表面没有钝化层保护的压焊区部位。（）A、正确B、错误答案：A147.经筛选而返工的电路，不需要100%重新筛选。()A、正确B、错误答案：B148.低熔玻璃熔融过程中，气林夹杂物的排出所需时间仅由封接体高度决定。（）A、正确B、错误答案：B149.烘箱内放置层架不应过密，最多放置3层。（）A、正确B、错误答案：A150.喷砂处理时为了增加模块表面粗糙度，提高镀层结合力，所以表面粗糙度越大越好。（）A、正确B、错误答案：B151.返工返修后的产品可作为合格品进行交付。（）A、正确B、错误答案：A152.导电胶ME8512用前应在15℃～30℃下放置10min，搅拌2min，可适用时间为3h。()A、正确B、错误答案：B153.防静电手镯和地线之间应有一个10MΩ左右的电阻。（）A、正确B、错误答案：B154.堆叠后固化时，顶面压力越大越好。（）A、正确B、错误答案：B155.混合电路装配所使用的半导体器件表面的钝化层可以保护芯片有源表面免受颗粒、潮气、残余离子和一般操作的损坏，但是它很薄，且有时有针孔，所以不能认为是防潮密封的。（）A、正确B、错误答案：A156.在组装压焊过程中，防静电措施有设备接地，操作人员要穿防静电工作服，要戴防静电手镯。（）A、正确B、错误答案：A157.对灌封胶进行离心脱泡时必须要将针筒顶端的胶塞拔出。（）A、正确B、错误答案：A158.氢气烧结工序属于Ⅲ级危险点，禁止放置易燃物品。（）A、正确B、错误答案：A159.在对复合镀后的模块进行外观检时，对侧面露出的金属凸点形状可以不做要求。（）A、正确B、错误答案：B160.混合电路中不允用导电胶连接两根键合引线。()A、正确B、错误答案：A161.检漏技术分为粗检和细检两种。（）A、正确B、错误答案：A162.超声压焊的可靠性主要是由压力、超声功率、时间决定的。()A、正确B、错误答案：A163.陶瓷外壳是在氢气保护下，经高温焙烧而成的。（）A、正确B、错误答案：A164.常用的导电胶是填充了金颗粒的环氧树脂。()A、正确B、错误答案：B165.工作环境不符合环境净化要求时应停止工作。（）A、正确B、错误答案：A166.焊膏的流变性是制约其特性的主要特性。（）A、正确B、错误答案：A167.键合引线不允许交叉，但引线可以跨键。()A、正确B、错误答案：B168.四探针法是用来测量高精度的大阻值电阻的。（）A、正确B、错误答案：B169.熔点在400℃以下的为软焊料。（）A、正确B、错误答案：A170.影响产品质量的一般因素是人、材料、设备、方法、环境。()A、正确B、错误答案：A171.产品的可靠性与设计密切相关，而与生产状态和工艺