微电子技术专业英语

A

abruptly立刻

abundance分布量

accelerated加速

accommodat接纳，供应

adjacent接近的

affinity倾向

alloying合金

align排列

amorphoustype不定形

amplifier放大器

analog模拟的

anisotropic各向异性的

anncal退火

annihilate消灭

approximate近似；相符性

arbitary任意的

arsenic砷

atrest静止

avalanche雪崩

B

barrier势垒

base基极

bias偏压

bipolarjunctiontransistor双极性晶体管（BJT）

biasing偏置

boron硼

boundary边界

bulk体积

buriedlayer埋层

C

capacitance电容

channel沟道

coefficient系数

collision碰撞

collector集电极

compensate补偿

composite复合的

concentration浓度

conductor导体

conductionband导带

conductivity磁场

configuration结构

constant常数

constitute构成

constituent要素

consumption功耗

constant恒定

core核心

corresponding对应的

correspond相一致

covalentband价带

critical临界

crystal晶体

crystallattice晶格

crystalorientation晶向

cube立方

cubic立方的

current电流

cutoff节制

D

Danglingbond悬挂键

dashedline虚线

decay衰减

deficiency缺乏

degenerate简并

density浓度

deplete耗尽

depletionregion耗尽层

device器件

dielecticconstant介电常数

dielectic绝缘体，电介质

diffusion扩散

dimension量纲

diode二极管

discontinuity中断

discrete离散的

displacement位移

distribution分布

donor施主

dopinglevel掺杂浓度

dopant掺杂剂

drain漏

drift漂移

duplicate复制

E

effectivepotentialenergy有效势能

electrode电极

electrostatic静电学的

election电子自旋

elementsemiconductor元素半导体

elevate提升

emitter发射极

epitaxy外延

equidistant等距的

equilibrium平衡

excess过盛

excitation激发

external外部的

extracted抽取

extrapotation外推

extrinic非本征

F

Fabrication制作

finite限定的

figureofmerit品质因子

flatbandvoltage平带电压

flexibility适应性

flux流动

fraction比例

forbiddenregion禁带

forwardbia正向偏压

G

gallium镓

gaseous气态的

gate栅；门

germanium锗

generate生成

graded缓变

gradient梯度

H

homejunction同质节

I

illumination光照

impactionization碰撞电离

implantation注入

impurity杂质

incidention射入离子

incorporate合并

infinite无限的

influx流入

inherently本身

insulator绝缘体

interaligitatedstructure叉指型结构

interatomic原子间的

intercept截距

interest意义

interface界面，接口

integration积分

intrinsic本征

inverted反向

inversionlayer反型层

ionized电离

isolated孤立的

isotropic各向同性

J

Joule焦耳

K

Kinetic运动的

L

Lateral侧面的

leakage漏

load负载

lowercase小写的

M

Macroscopic宏观的

mass质量

magnitude数值上

MBE分子束外延

merit优点

mfinity无穷大

microsopic微观的

migration迁移

modulation调制

momentum要素

multiplication倍增

N

netdoping净掺杂

neutral中性

normalized归一化

nucleus核

O

Ohmis欧姆的

optical光学

orbit轨道，转

orientation倾向性

oscillator振荡器

oscilloscope示波器

overlap重叠

P

parallelresistant并联电阻

parasitic寄生的

parameters参数

peak峰值

permittivity介电常数

perpendicular竖直的

penetrate进入，渗透

photoconductivity光电导性

photon光子

polysilicon多晶硅

practical替代

predominate控制

probability几率

proportional比例的

profile分布

pnjunctionPN结

pulse脉冲

Q

quantummechanics量子力学

qualitative定性

R

range射程

ratio比值

rearranging排列

reclaimable可回收

reciprocal互惠的

recombinationcenter复合中心

resistivity抵抗力

response响应

reversebia正向偏压

S

saturation饱和区

scatter散射

self-aligned自对准的

semilog半对数

short-circuiting短路

simulation仿真

slope斜率

solid-state固体材料

solubility溶度

source源

space-charge空间电荷

spatial空间的

stationary固定的

stepjunction突变节

substrate衬底，基片

subthreshold亚阈值

supersede替代

supply电源

switch开关

T

terminalvoltage端电压

tern项

tetrahedron四分体

thermal热量的

traverse横越

transit运输

transistonregion过渡区

transistor晶体管

transconduction跨导

transconductance互导

transiet瞬时的

trunnel遂穿

U