TSV三维系统级封装中的RDL工艺及设计基础研究的开题报告_第1页
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文档简介

TSV三维系统级封装中的RDL工艺及设计基础研究的开题报告一、研究背景随着无线通信技术的迅猛发展,系统级集成芯片的需求日益增加。而在系统级集成芯片设计中,RDL(RedistributionLayer)工艺是关键性步骤之一。RDL工艺是将原始芯片上的信号进行扩展、重新分配并连接到BGA封装上的一种技术。由于RDL工艺存在设计复杂度高、制造工序多、加工难度大等困难,在集成芯片的生产中极具挑战性。因此,对于RDL工艺及其设计基础的研究具有重要的实际意义。二、研究目的本项目拟开展TSV三维系统级封装中RDL工艺及设计基础的研究,旨在探索RDL工艺在集成芯片设计中的应用及其设计基础,提高RDL工艺的制造难度和工程上的可行性,从而为无线通信等领域的集成芯片设计提供理论和技术支撑。三、研究内容(1)RDL工艺的制造工序及其制造技术通过研究RDL工艺的制造工序和制造技术,了解RDL工艺的制造难度和制造过程中的困难,从而为后续的研究提供必要的技术支撑。(2)RDL工艺的设计基础探究RDL工艺的设计基础,包括传输线的走线、电容的布局设计、基板类型的选择等。通过系统性的分析和设计,提高RDL工艺的设计效率和可行性。(3)TSV三维系统级封装中RDL工艺的应用实践将RDL工艺应用于TSV三维系统级封装中,通过实践验证RDL工艺的可行性。四、研究方法(1)文献调研法通过文献调研法,收集和分析RDL工艺及其相关技术、集成芯片的制造工序和技术等方面的文献,掌握最新的研究进展和技术要求。(2)仿真设计法通过仿真设计法,对RDL工艺进行系统的理论分析和设计,在不同的应用场景下,对RDL工艺进行验证和改进。(3)实际制造法通过实际制造法,对TSV三维系统级封装中的RDL工艺进行制造和实际应用,从而验证RDL工艺的可行性。五、预期成果通过对TSV三维系统级封装中RDL工艺及其设计基础的研究,预期达到以下成果:(1)掌握RDL工艺的制造工序和技术,了解制造过程中的难点。(2)分析RDL工艺的设计基础,提高RDL工艺的设计效率和可行性。(3)应用RDL工艺于TSV三维系统级封装中进行实践验证,提高RDL工艺在集成芯片设计中的应用水平。六、研究进度安排第一年:文献调研、RDL制造工序分析、RDL设计基础研究。第二年:RDL仿真设计、验证及改进、实际制造及应用。第三年:总结归纳研究成果,撰写论文,完成论文答辩。七、参考文献[1]HuangC,TuY,ChenJ.AComparisonofCopperandAluminumRedistributionLayerAppliedtoaTSV-Less3DPackage[J].IEEETransactionsonComponents,PackagingandManufacturingTechnology,2020,10(12):2067-2075.[2]LiM,HongY,ZhouX,etal.AReviewoftheRedistributedLayerDesignBasedonSiliconWaferstoOptimizetheThree-DimensionalIntegrationofMEMSDevices[J].Sensors,2021,21(4):1376.[3]WangC,HsuC,LinC,etal.Micro-Channel-BasedThrough-Silicon-Via(TSV)DesignwithMultilayeredRedistributedLayer(RDL)forThree-DimensionalIntegratedCircuit(3D-IC)[J].Crystals,2018,8(5):216.[4]ChiangH,WangY,ChenW.DesignandAnalysisofR

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