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磁控溅射制备氮化硅薄膜特性研究的开题报告【摘要】氮化硅薄膜因其优异的机械、光学和电学性能，在微电子、光电子、光纤通信等领域得到了广泛应用。本文基于磁控溅射技术制备氮化硅薄膜，并从薄膜的微观结构、光学性能、电学性能等方面对其进行研究和分析。【关键词】氮化硅薄膜；磁控溅射；微观结构；光学性能；电学性能【第一章绪论】1.1研究背景氮化硅薄膜是一种具有广泛应用前景的新型材料，因其在微电子、光电子、光纤通信等领域具有重要应用价值。近年来，随着科技的发展，氮化硅薄膜在半导体工业中使用越来越广泛，已经成为半导体电子器件中重要的材料之一。氮化硅薄膜具有很好的光学、机械和电学性质，在微电子和光电子工艺中具有重要的应用价值。因此，对氮化硅薄膜的研究和制备具有很大的现实意义。1.2研究目的本文的研究目的是基于磁控溅射技术制备氮化硅薄膜，并对其进行结构、光学性能、电学性能的研究和分析。通过研究薄膜的物理性质，探索薄膜的制备机制，为氮化硅薄膜在微电子、光电子和光纤通信等领域的应用提供一定的理论和实验基础。1.3研究方法和步骤本文采用磁控溅射技术制备氮化硅薄膜，并对制备的氮化硅薄膜进行表征和分析，包括了薄膜的物理性质、微观结构、光学性能和电学性能等。具体实验步骤如下：1）准备基片和靶材。2）进行真空处理，将压力降低到所需范围。3）对靶材进行磁控溅射，制备氮化硅薄膜。4）进行薄膜性质的测试和分析。1.4研究内容和结构本文主要研究磁控溅射技术制备氮化硅薄膜的特性，包括薄膜的微观结构、光学性能、电学性能等方面的研究与分析。全文主要包括以下章节：第一章：绪论。介绍了本论文研究的背景、意义、目的、研究方法和步骤。第二章：氮化硅薄膜的制备技术。详细介绍了磁控溅射技术的原理和操作过程，并分析了氮化硅薄膜的制备机制。第三章：氮化硅薄膜的微观结构研究。通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等手段，对制备的氮化硅薄膜的微观结构进行研究和分析。第四章：氮化硅薄膜的光学性能研究。通过紫外可见吸收光谱仪（UV-vis）和椭偏仪等手段，对制备的氮化硅薄膜的光学性能进行测试和分析。第五章：氮化硅薄膜的电学性能研究。通过电学测试仪等手段，对制备的氮化硅薄膜的电学性能进行测试和分析。第六章：总结与展望。对本文的研究工作进行总结，并展望未来研究方向。【参考文献】[1]N.S.Bao,J.M.Yang,andQ.Y.Wen,“Microstructureandpropertiesofsiliconnitridethinfilmsdepositedbyreactivemagnetronsputtering,”Appl.Surf.Sci.,vol.258,no.5,pp.1887–1891,2012.[2]J.F.ZieglerandD.W.J.Brink,“Stoppingpowersandrangesforprotonsandalphaparticles,”Nucl.Instrum.MethodsPhys.Res.Sect.B:B

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