2021年传感器原理及应用试题库

一：填空题（每空1分）根据传感器工作原理，传感器分敏感元件，转换元件，测量电路三个某些构成。半导体应变计应用较普遍有体型、薄膜型、扩散型、外延型等。光电式传感器是将光信号转换为电信号光敏元件，依照光电效应可以分为外光电效应，内光电效应，热释电效应三种。光电流与暗电流之差称为光电流。光电管工作点应选在光电流与阳极电压无关饱和区域内。金属丝应变传感器设计过程中为了减少横向效应，可采用直线栅式应变计和箔式应变计构造。反射式光纤位移传感器在位移-输出曲线前坡区呈线性关系，在后坡区与距离平方成反比关系。依照热敏电阻三种类型，其中临界温度系数型最适合开关型温度传感器。画出达林顿光电三极管内部接线方式：敏捷度是描述传感器输出量对输入量敏感限度特性参数。其定义为：传感器输出量变化值与相应被测量变化值之比，用公式表达k（x）=Δy/Δx。线性度是指传感器输出量与输入量之间与否保持抱负线性特性一种度量。按照所根据基准之线不同，线性度分为理论线性度、端基线性度、独立线性度、最小二乘法线性度等。最惯用是最小二乘法线性度。依照敏感元件材料不同，将应变计分为金属式和半导体式两大类。运用热效应光电传感器包括光---热、热---电两个阶段信息变换过程。应变传感器设计过程中，普通需要考虑温度补偿，温度补偿办法电桥补偿法、计算机补偿法、应变计补偿法、热敏电阻补偿法。应变式传感器普通是由电阻应变片和测量电路两某些构成。传感器静态特性有敏捷度、线性度、敏捷度界限、迟滞差和稳定性。在光照射下，电子逸出物体表面向外发射现象称为外光电效应，入射光强变化物质导电率物理现象称为内光电效应。光电管是一种装有光电阴极和阳极真空玻璃管。光电管频率响应是指一定频率调制光照射时光电输出电流随频率变化关系，与其物理构造、工作状态、负载以及入射光波长等因素关于。多数光电器件敏捷度与调制频率关系为Sr（f）=Sr。/(1+4π²f²τ²)内光电效应可分为光电导效应和光生伏特效应。国标GB7665--87对传感器下定义是：可以感受规定被测量并按照一定规律转换成可用输出信号器件或装置，普通由敏感元件和转换元件构成。传感器按输出量是模仿量还是数字量，可分为模仿量传感器和数字量传感器传感器静态特性敏捷度用公式表达为：k(x)=输出量变化值/输入量变化值=△y/△x应变计粘贴对粘贴剂规定重要有：有一定粘贴强度；能精确传递应变；蠕变小；机械滞后小；耐疲劳性好；具备足够稳定性能；对弹性元件和应变计不产生化学腐蚀作用；有恰当储存期；应有较大温度合用范畴。依照传感器感知外界信息所根据基本校园，可以将传感器提成三大类：物理传感器，化学传感器，生物传感器。P3应变式测力与称重传感器依照弹性体构造形式不同可分为柱式传感器、轮辐式传感器、悬梁式传感器和环式传感器大多数接受器对所感受波长是有选取性，接受器对不同波长光反映限度称为光谱敏捷度，其表达式为：应变式传感器普通是由电阻应变片和测量电阻两某些构成。应变式传感器基本构成普通可分为两某些：弹性敏感元件、应变计传感器种类繁多，依照传感器感知外界信息基本效应，可将传感器分为基于物理效应，基于化学效应，分子辨认三大类。长为l、截面积为A、电阻率为ρ金属或半导体丝，其电阻为：。传感器是静态特性有敏捷度、线性度、敏捷度阈值、迟滞差、稳定性（5）温度补偿办法电桥补偿法、计算机补偿法、应变计补偿法、热敏电阻补偿法（4）在应变计设计过程中，为了减少横向效应，可采用直角线栅式应变计或箔式应变计。光电式传感器是将光信号转换为电信号光敏元件，其中内光电效应可以分为光电导效应、光生伏特效应。应变计容许最高工作频率f是应变计重要参数，若应变波幅测量相对误差为e，在该材料中传播速度为v，则对于L应变计，其f=。应变计依照敏感元件材料不同，可分为金属式和半导体式。应变计依照敏感元件不同可以分为金属式和半导体式两大类。应变测力传感器由弹性体、应变计和外壳构成。内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应。光敏电阻温度特性公式是α=（R1为在一定光照下，温度为T1时阻值；R2为在一定光照下，温度为T2时阻值）电阻应变计，也称应变计或应变力，是一种能将机械构件上应变变化转换成电阻变化传感元件。一种高阶系统传感器总可以当作是由若干个零阶系统、一阶和二阶系统组合而成。敏感光栅越窄，基长越长应变计，其横向效应引起误差越小(大/小)。应变式传感器基本构造普通可以分为两某些，弹性敏感元件和应变计。应变计自补偿办法涉及：选取式自补偿应变计和双金属敏感栅自补偿应变计。入射光强变化物质导电率物理现象叫做光电导效应。光电倍增管是运用二次电子释放效应，将光电流在管内部进行放大。根据传感器输出信号形式，传感器可分为模仿式传感器，数字式传感器。传感器线性度公式，其中，YFS表达是传感器满量程输出平均值。两个各有G1(s)和G2(s)传递函数系统串联后，如果其阻抗匹配适当，互相之间不影响彼此工作状态，那么其传递函数为G(s)=G1(s)•G2(s)。实验表白，金属线材应变计实际敏捷度k恒（＞、＜或＝）理论敏捷度系数k0，其因素除了粘合剂、基片传递变形失真外，重要因素是存在横向效应。光电倍增管是运用二次电子释放效应，将光电流在管内部进行放大。它由光电阴极、若干倍增极和阳极三某些构成。依照传感器感知外界信息所根据基本效应，可将传感器分为三大类，分别是：物理传感器、化学传感器、生物传感器输入逐渐增长到某一值，与输入逐渐减小到同一入值时输出值不相等，叫做迟滞现象。迟滞差表达这种不相等限度。其值以满量程输出ＹFS百分数表达。由于环境变化而带来温度误差，称为应变计温度误差，又称热输出悬臂梁作为弹性敏感原件，依照其界面形状不同，普通可分为等截面梁和等强度梁。线性度和敏捷度是传感器静态指标，而频率响应特性是传感器动态指标。金属电阻应变效应是金属电阻应变片工作物理基本。光纤类型按折射率变化类型分类有跃阶折射率光纤，渐变折射率光纤，按传播模式多少分类有单模光纤，多模光纤。相位型光纤传感器普通使用相位检测办法，该办法重要涉及：零差检测、外差检测、合成外差检测等三种办法。厚度剪切模石英振子固有共振频率为法布里-珀罗干涉仪，它是由两块平行某些透射平面镜构成。这两块平面镜反射率普通是非常大，普通不不大于或等于95%。。能保证一种湿敏器件正常工作环境最大变化范畴称为湿度量程。光纤传播过程中由于材料吸取，散射和弯曲处辐射损耗等影响，不可避免要有损耗。测量加速度传感器种类诸多，当前使用最广泛、最普遍是压电加速度传感器光线构造由纤芯，包层，护套三个某些构成。根据干涉型光纤传感器基本原理，当前光纤传感器中采用四种不同干涉测量构造。它们分别是迈克尔孙、马赫-泽德、萨格奈克和法布里-珀罗等四种构造。热敏电阻有三种类型，即正温度系数型、负温度系数型、临界温度系数型光纤按折射率变化类型可分为阶跃折射率光纤和渐变折射率光纤；按传播模式多少可分为单模光纤和多模光纤。光纤导光能力取决于纤芯和包层光学性能，数值孔径作为光纤几种重要参数，依照光纤纤心折射率和包层折射率，数值孔径可以定义为：，单模传播条件是V<2.404红外热辐射传感器，从原理上可以分为热电型和光量子型。光量子型传感器可以分为光导型、光电型、光电磁型、肖特基型传感器按工作原理分为：应变式，电容式，电感式等。传感器敏捷度定义为：内光电效应分为：光电导效应和光生伏特效应。光电二极管是运用PN结单向导电性构造光电器件根据光纤传感器原理，可以分为强度型(振幅型)光纤传感器与干涉型光纤传感器。光纤构造：纤芯，包层，护套从传感器机理上来说，光纤传感器可分为振幅型和相位型两种。当某些晶体沿一定方向伸长或者压缩是，在其表面上会产生电荷，这种效应称为压电效应＿＿。温度传感器从使用上分大体可以分为接触型和非接触型两大类辐射能量最大值所相应波长随温度升高想短波方向移动，用公式表达为＿＿。光纤数值孔径是表征光钎集光本领重要参数光纤传播损耗重要来源于材料吸取损耗、散射损耗、光波导弯曲损耗亮场微弯传感器检测纤芯中光强度变化，暗场微弯传感器检测包层中光强度变化。两者相比较暗场微弯传感器检测敏捷度高。光强调制型光纤传感器运用（1）光纤微弯效应（2）被测信号变化光纤对光波吸取特性（3）被测信号变化光纤折射率（4）两相位光纤间通过有倏逝波耦合（5）发送光纤与接受光纤之间相对横向或纵向位移以变化接受光强五种方式来实现光强调制普通在光纤探头端部， 发射光纤与接受光纤有如下四种分布：随机分布·半球形对开·共轴内发射分布·共轴外发射分布半导体应变片工作原理是基于压阻 效应，它敏捷系数比金属应变片敏捷系数大十倍 。半导体色敏传感器是在同一硅基片上具备两个深浅不同PN结，其中浅结对短波长光响应好，深结对长波长光响应好传感器敏捷度定义为：光电二极管是运用PN结单向导电性构造光电器件根据光纤传感器原理，可以分为强度型(振幅型)光纤传感器与干涉型光纤传感器。光纤构造：纤芯，包层，护套光纤几种重要参数可分为数值孔径、传播模式、传播损耗三某些构成。普通在光纤探头端部，发射光纤与接受光纤有随机分布、半球形对开分布、共轴内发射分布、共轴外发射分布四种分布。半导体湿度传感器可以分为元素半导体湿敏器件、金属氧化物半导体湿敏器件、多功能半导体陶瓷湿度传感器、MOSFET湿敏器件、结型湿敏器件五类。厚度剪切模石英振子固有频率为暗视场传感器与亮视场传感器不同之处在于？（暗视场它使用纤芯进入包层光产生输出信号）干涉型光纤传感器在相位检测中会遇到几种问题，有相位检测和强度检测，共模抑制，相位跟踪系统。那么在相位检测中运用哪几种办法？（零差检测、外差检测、合成外差检测）合成外差检测在条件下才合用？（）光纤相位调制器可以通过对光纤某一某些（长度）或（波导模）折射率进行外部调制来实现。光纤中包层折射率与纤芯折射率大小关系（），圆柱波导单模条件是（），光纤在传播中传播损耗用衰减率表达（）暗视场传感器与亮视场传感器不同之处在于？（暗视场它使用纤芯进入包层光产生输出信号）干涉型光纤传感器在相位检测中会遇到几种问题，有相位检测和强度检测，共模抑制，相位跟踪系统。那么在相位检测中运用哪几种办法？（零差检测、外差检测、合成外差检测）合成外差检测在条件下才合用？（）光纤相位调制器可以通过对光纤某一某些（长度）或（波导模）折射率进行外部调制来实现。SAW传感器中，最核心敏感元件是（SAW叉指换能器）干涉型光纤传感器基本换能机理是在一段(单模光纤)中传播相干光,因待测能量场作用,而产生相位调制。相位跟踪系统由电路系统和光纤相位调制器构成。在阶跃型折射光纤中常采用“V值”表述光在阶跃型折射光纤中传播特性，V值可用数学式表达为QUOTE,当V值低于2.404时，只容许一种波或模式在光纤中传播。干涉型光纤传感器基本换能机理是：在一段单模光纤中传播相干光，因待测能量场作用，而产生相位调制。光纤传感器可分为振幅型（也叫强度型）和相位型（也叫干涉仪型）两种。前者原理是：待测物理扰动与光纤敏感元件互相作用，直接调制光强。后者原理是：在一段单模光纤中传播相干光，因待测物理场作用，产生相位调制。列出光纤几种重要参数（至少三个）（1）数值孔径(NA)（2）传播模式（3）传播损耗光纤有各种分类办法，按折射率变化类型光纤可分为阶跃折射率光纤和渐变折射率光纤。按传播模式多少光纤可分为:单模光纤和多模光纤。按用途分类光纤可分为:普通光纤和非通信光纤。干涉型光纤传感器基本换能机理是:在一段单模光纤中传播相干光,因待测能量场作用,而产生相位调制。相位检测办法:(1)零差检测(2)外差检测(3)合成外差检测变磁阻式传器是运用被测量调制磁路磁阻,导致线圈电感量变化,实现对被测量测量。半导体传感器大体可分为接触型和非接触型，前者是让温度传感器直接与待测对象接触，后者是使温度传感器与待测对象离开一定距离，检测从待测对象放射出红外线，从而达到测温目。红外热辐射传感器，从原理上又可分为热电型和光量子型。湿度传感器重要参数有（至少写出5个）、、、、、(1)湿度量程(2)感湿特性量—相对湿度特性曲线(3)感湿敏捷度(4)温度系数(5)响应时间(6)湿滞回线(7)电压特性(8)频率特性已知光纤长度为L，输入光强为I0，输出光强为I1，传播损耗为(-10lgI1/I0)/L。光纤按传播模式可分为单模光纤和多模光纤。压电谐振式传感器有应变敏感型、热敏感型、声敏感型、质量敏感型和回转敏感型等五种。SAW振荡器由一组SAW发射、接受IDT、反馈放大器构成。半导体湿度传感器响应时间分为吸湿响应时间和脱湿响应时间。普通在光纤探头端部， 发射光纤与接受光纤有如下四种分布：随机分布·半球形对开·共轴内发射分布·共轴外发射分布所谓相对湿度是指气体绝度湿度与同一温度下达到饱和状态绝对湿度Ps比例红外热辐射传感器，从原理上又可分为热电型和光量子型。根据干涉型光纤传感器基本原理，当前光纤传感器中采用四种不同干涉测量构造。它们分别是迈克尔孙、马赫-泽德、萨格奈克和法布里-珀罗等四种构造。热敏电阻重要有哪三种类型：正温度系数型（PTC）、临界温度系数型（CTR）、负温度系数型（NTC）。黑体辐射规律之中，维恩位移定律，即辐射能量最大值所相应波长λm随温度升高向短波方向移动，公式表达为_____λm=2898/T_光在光纤中传播基本原理可以用（光线）或（光波）概念来描述。温度传感器从使用上大体可分为（接触类）和（非接触类）两大类。在规定测量范畴内，传感器能检测到最小输入增量，当用与满量程百分数表达时称为。在玻璃（或金属）上进行刻划，可得到一系列密集刻线，这种具备周期性刻线分布光学元件称为。光纤几种重要参数可分为数值孔径、传播模式、传播损耗三某些构成。振幅传感器长处是（构造简朴）、（具备与光纤技术相容性）和（信号检测也较容易），但是它缺陷是（敏捷度较低）。光在光纤中传播基本原理可以用（光线）或（光波）概念来描述。依照菲涅尔定律，光线在折射率分别为n1和n2不同介质分界面上会产生折射现象，折射定律为（n1sinθ1=n2sinθ2）。普通在光纤探头端部，发射光纤与接受光纤有随机分布、半球形对开分布、共轴内发射分布、共轴外发射分布四种分布。半导体湿度传感器可以分为元素半导体湿敏器件、金属氧化物半导体湿敏器件、多功能半导体陶瓷湿度传感器、MOSFET湿敏器件、结型湿敏器件五类。

二、判断题一种复杂高阶系统总是可以当作是由若干个零阶、一阶和二阶系统串联而成。（对）应变计非线性度普通规定在0.05％或1％以内。（对）电阻丝式应变传感计横向效应可以用H=ky/kx=(n-1)ls/[2nl1+(n-1)ls]表达，可见ls（r）愈小，l1愈大，H愈小。即敏感栅愈窄，基长愈长应变计，其横向效应引起误差越小。（对）等臂电桥当电源电压及电阻相对变化一定期，电桥输出电压及其电压敏捷度与各桥臂阻值大小无关。（对）应变计粘合剂不但规定粘接力强，并且规定粘合层剪切弹性模量大，能真实地传递试件应变。此外，粘合层应有高绝缘电阻、良好防潮性防油性能以及使用简便等特点。（对）光生伏特效应就是半导体材料吸取光能后,在PN结上产生电动势效应。（对）传感器动态特性可用瞬态响应法和频率相应法分析。（√）APD在使用时，须在元件两端加上近于击穿反偏压。(对)半导体色敏传感器能用来直接测量从可见光到红外波段内单色辐射波长。(对)半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色波长，它有两个深度相似PN构导致。（错）光电二极管光谱特性与PN结结深关于。（对）CCD图像传感器是按一定规律排列MOS电容器构成阵列。（对）光生伏特效应就是半导体材料吸取光能后,在PN结上产生电动势效应。（对）压电谐振式感器可以不运用压电晶体谐振器共振频率随被测物理量变化进行测量。（×）数值孔径是反映纤芯接受光量多少,标志光纤接受性能一种重要参数（对）在阶跃型光纤中，数值孔径越大光纤性能越好。（错）光纤传感器中弯曲损耗是有害，必要消除。（错）光纤纤芯折射率低于包层折射率。（错）感湿特性量随环境温度变化越大,环境温度变化所引起相对湿度误差就越小（错）半导体湿度传感器响应时间分为吸湿响应时间和脱湿响应时间，大多数湿度传感器都是脱湿响应时间不不大于吸湿响应时间。（对）湿度传感器在升湿和降湿来回变化时吸湿特性曲线不重叠，所构成曲线叫湿滞回线。（√）依照全内反射原理，设计光纤纤芯折射率要不大于包层折射率。（错）在光纤纤维传中传播模式诸多对信息传播是不利，由于同一光信号采用诸多模式传播，就会使这一光信号分为不同步间到达接受端各种小信号，从而导致合成信号畸变。（对）暗市场传感器与亮市场传感器不同之处在于:它使用从包层进入纤芯光产生输出信号。（错）压缩式压电加速度传感器中为便于装配和增大电容量惯用两片极化方向相似晶片，电学上串联输出。（错）SAW气敏传感器中，吸附膜吸取了环境中某种特定气体，使基片表面性质发生变化，导致SAW振荡器振荡频率发生变化，通过测量频率变化就可检测特定气体成分含量。（对）热敏电阻温度系数随温度减小而减小，因此低温时热敏电阻温度系数小，敏捷度高，故热敏电阻惯用于低温（-100~300）测量。（错）因环境温度变化而引起附加电阻变化或者导致视应变，除与环境温度变化关于外，还与应变计自身性能参数k、α。βs以及被测构件线膨胀系数βg关于。（对）应变计敏捷度K恒不大于金属材料敏捷度系数K0（对）光电效应能否产生，取决于光子能量与否不不大于该物质表面溢出功（对）一种复杂高阶系统总是可以当作是由若干个零阶、一阶和二阶系统并联而成。（错）电阻应变仪差值法普通用于动态测量，零值法普通用于静态测量（对）为了使电子从价带激发到导带，入射光子能量E0应当不不大于禁带宽度Eg。（对）传感器输出--输入校准曲线与理论拟合直线之间最大偏差与传感器满量程输出之比，称为该传感器“非线性误差”。（√）选取传感器时，相对敏捷度必要不不大于零。（×）用一阶系统描述传感器，其动态响应特性优劣也重要取决于时间常数τ，τ越大越好。（×）应变计敏捷度k横不大于金属线材敏捷度系数k。（√）想要提高电桥电压敏捷度Ku，必要提高电源电压，但不受应变计容许功耗限制。（×）弹性敏感元件弹性储能高，具备较强抗压强度，受温度影响大，具备良好重复性和稳定性等。（×）光谱敏捷度为光电器件对单色辐射通量反映与入射单色辐射通量之比。（√）外光电效应分为光电导效应和光生伏特效应错在热释电效应中，为了使产生束缚电荷不被中和掉，就必要使晶体处在冷热交变工作状态对电阻应变计第一对称形式直流电桥电压敏捷度不但与供电电压U关于并且与电桥电阻关于。（错）入射光强变化物质导电率物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子能量E0应不不大于禁带宽度Eg,即光波长应不大于某一临界波长λ0。（对）一阶装置动态特性重要参数是时间常数，普通但愿它越大越好。（错）LTI系统敏捷度是时间线性函数。（错）光电效应分为外光电效应和内光电效应对敏感元件，是指传感器中能直接感受或响应被测量某些（对）电阻应变计是一种能将机械构件上应变变化转化为电阻变化敏感元件。（错）光敏电阻工作原理是基于光电导效应。（对）电阻应变计第一对称形式直流电桥电压敏捷度不但与供电电压U关于并且与电桥电阻关于。（错）应变计测量范畴很小（错）内光电效应分为两类，光电导效应和光生伏特效应。（对）光在半导体材料传播是不会产生衰减。（错）一种复杂高阶系统总是可以当作是由若干个零阶、一阶和二阶系统并联而成。（错）无论何种传感器，若要提高敏捷度，必然会增长非线性误差。（错）在光照射下，电子逸出物体表面向外发射现象称为外光电效应，入射光强变化物质导电率物理现象称为内光电效应。（对）幅频特性优良传感器，其动态范畴大，故可以用于高精度测量。（错）基于光生伏特效应光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。（对）本征半导体（纯半导体）Eg不大于掺杂质半导体（错）传感器阈值，事实上就是传感器在零点附近辨别力（错）非线性误差大小是以一拟合直线作为基准直线计算出来，基准直线不同，所得出线性度就不同样。（对）半导体应变计具备较小非线性，输出信号较强，故抗干扰能力较好。（错）绝缘电阻是指应变计引线与被测试件之间电阻值，普通以兆欧计。（对）自补偿应变计是一种特殊应变计，当温度变化时产生附加应变为零或抵消。（对）光敏电阻具备敏捷度高，光谱响应范畴宽，体积小，重量轻机械强度高，耐冲击，抗过载能力强，耗散功率小等特点。（错）当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时，光电池性能是相称稳定，寿命也很长。（对）采用硅和锗材料雪崩光电二极管响应波长范畴分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm（错）最适合做开关型温度传感器是负温度传感器（错）在阶跃型光纤中，数值孔径越大“V值”越大。（对）感湿特性量变化越大，环境温度变化所引起相对湿度误差就越小。（错）法布利干涉仪一种极敏捷位置和长度测量装置，它是能用于当代科学最敏捷位移测量装置之一。（对）热敏电阻温度随温度减小而增大，因此低温时热敏电阻温度系数大，敏捷度高，故热敏电阻惯用于高温测量。（错）光生伏特效应就是半导体材料吸取光能后,在PN结上产生电动势效应。（对）外差检测长处是对光强波动和低频噪声不敏感。（对）信息革命两大重要支柱是信息采集和解决（√）传感器在稳态信号作用下，输入和输出相应关系称为静态特性；在动态信号作用下，输入和输出关系称为动态特性（√）传感器动态特性传递函数中，两个各有G1(s）和G2(s)传递函数系统串联后，如果她们阻抗匹配适当，互相之间仍会影响彼此工作状态（×）应变计动态特性测量按正弦规律变化应变波形时，应变计反映波幅将高于真实应变波（×）传感元件把各种被测非电量转换为R,L,C变化后，必要进一步转换为电流或电压变化，才干进行解决，记录和显示。（√）光电器件有一定惰性，在一定幅度正弦调制光照射下，当频率较高时，敏捷度与频率无关；若频率减少，敏捷度就会逐渐减少（×）光敏电阻暗电阻大（对）电阻应变效应涉及横向效应（错）应变计按照半导体式可分为体型和薄膜型（错）入射光强变化物质导电率物理现象叫光生伏特效应（错）当温度升高时，光敏电阻暗电阻和敏捷度都下降，因而光电流随温度升高而减小（对）光电池作为测量元件使用时，应运用短路电流与照度有较好线性关系特点，可当做光电检测使用。（对）光电管属于外光电传感器（对）在阶跃折射率光纤纤芯—包层界面折射率突然从n1减小到n2，而在整个包层中折射率保持恒定。（对）渐变折射率光纤折射率从纤芯中央开始向外随径向距离增长而逐渐增大，而包层中折射率保持不变。（错）压电传感器系统功耗小，抗干扰能力强，稳定性好，是传感技术重点发展方向之一。（对）热敏电阻重要有正温度系数型、负温度系数型、临界温度系数型三种类型。（对）光纤耦合器是使光信号能量实现分路/合路器件。（对）压电谐振式传感器是运用压电晶体谐振器共振频率随被测物理量得变化而变化进行测量。（对）在阶跃型光纤中，数值孔径越大光纤性能越好。（错）热敏电阻重要分三种类型：正温度系数型、负温度系数型和临界温度系数型。（对）光纤纤芯折射率低于包层折射率。（错）湿度传感器感湿特性量之值与外加交流电压关系称为电压特性。（对）某些晶体沿一定方向伸长或压缩时，在其表面会产生电荷（束缚电荷），这种效应称为压电效应。（对）依照敏感元件材料不同，应变计可分为金属式和半导体式两大类（对）外光电效应分为光电导效应和光生伏特效应错在热释电效应中，为了使产生束缚电荷不被中和掉，就必要使晶体处在冷热交变工作状态对热敏电阻电阻温度系数大，电阻与温度关系近似于线性或为平滑曲线。对热电偶产生热电动势是由两种导体接触电动势和单一导体温差电动势构成。对实验表白，应变计敏捷度K恒不大于金属线材敏捷度系数ko对敏感栅愈窄，基长愈长应变计，其横向效应引起误差越小。（对）电阻应变计第一对称形式直流电桥电压敏捷度不但与供电电压U关于并且与电桥电阻关于。（错）位移光纤传感器中两个光栅，恰当减小其中一种光栅栅元宽度可使敏捷度提高，动态范畴也将大大提高。（错）半导体温度传感器中热敏电阻均有色环，负温度系数型热敏电阻其标记为红色。（错）热敏电阻温度系数随温度减小而增大，低温时热敏电阻温度系数大，敏捷度高，高温时温度系数小，敏捷度低。（对）在阶跃型光纤中，数值孔径越大“V值”越大。（对）半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色波长，它有两个深度相似PN构导致。（错）普通压电材料均有一定温度系数，温度变化引起频偏往往超过压力变化引起频偏，不必对温度变化引起频偏进行补偿。（错）对比波长大得多长度变化，物理扰动P随时间变化速率与振荡频率f成正比。（对）SAW压力传感器可用以监视心脏病人心跳，用射频振荡器把信息发射出去实现遥测。（对）热敏电阻温度系数随温度增大而增大，因此高温时热敏电阻温度系数大，敏捷度高。（错）在环境湿度保持恒定状况下，湿度传感器特性量相对变化量与相应温度变化量之比，称为特性量温度系数。（对）光电池研制最重要问题是提高光电池光电转换效率。（对）硅光电池光谱响应波长范畴比锗光光谱响应波长范畴广。（错）敏捷度是描述传感器输出量（普通为非电学量）对输入量（普通为电学量）敏感限度特性参数。（错）应变式测力传感器中应变计是传感器基本，弹力体是传感器核心。（错）光电器件敏捷度、暗电流或光电流与温度关系称为温度特性，普通由曲线表达或温度特性给出。（对）当光通量一定期，阳极电流与阳（阴）电压关系，叫光电管伏安特性曲线。（错）硒光电池比硅光电池更稳定。（错）有机粘合剂通惯用于低温、常温和中温，无机粘合剂用于高温（对）半导体色敏传感器可用来直接测量从可见光到红外波段内单设辐射波长。（对）传递函数表达系统自身传播、转换特性，与勉励及系统初始状态无关。（）应变计敏捷度k恒大金属线材敏捷度系数ko。（）相应变式传感器来说，敏感栅愈窄，基长愈长应变计，其横向效应引起误差越大。（）零值法长处是，测量精度重要取决于读数桥精度，而不受电桥供电电压波动以及放大器放大系数波动等影响，因而测量精度较高。但由于需要进行手调平衡，故普通用于静态测量。（）光电倍增管具备敏捷度高，谱响应范畴宽，体积小，重量轻，机械强度高，耗散功率大，以及寿命长等特点。（）按传播模式多少可以将光纤分为单模和多模。（）光纤耦合器是使光信号能量实现分路/合路器件。（）传感器敏捷度是指输出量与相应被测量（输入量）之比。（错）金属材料敏捷度比半导体大50～100倍。（错）当电源电压及电阻相对变化一定期，等臂电桥输出电压及其电压敏捷度与各桥臂阻值大小无关。（对）一种复杂高阶系统可以当作是由若干个一阶和二阶系统串联而成。（错）只有当入射光频率高于红限频率时，光电效应才可以产生。（对）光敏电阻亮电阻和暗电阻之差越大，阐明性能越好，敏捷度越高。（对）在阶跃型光纤中，数值孔径越大“V值”越大。（对）半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色波长，它有两个深度相似PN构导致。（错）（×）光纤纤芯强度取决于纤芯和包层光学性能。√）在压（电式传感器测量线路中，电荷放大器低频特性要比电压放大器好多。（×）普通压电材料均有一定温度系数，但不必对温度变化引起(√)晶体压电效应是一种机电耦合效应。(√)压电谐振式传感器是运用压电晶体谐振器共振频率随被测物理量变化而变化进行测量。（×）普通外光电效应有红限频率，而内光电效应无红限频率。（√）金膜能吸取汞生成汞齐,是良好检测汞涂层材料。入射光强变化物质导电率物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子能量E0应不不大于禁带宽度Eg,即光波长应不大于某一临界波长λ0。（对）若光电倍增管用来监控持续光源,电容可以省去。使用中往往将电源负极接地,正极直接接到放大器输入端。若将稳定光源加以调制,则需要电容器耦合。在脉冲应用时,最佳把电源正极接地利于减少噪声，输出可通过电容和下一级放大器耦合。（错）传感器是与人感觉器官相相应原件。（对）传感器敏捷度定义为传感器输入量变化值与相相应输出量变化值之比。（错）应变器核心元件是电阻应变计。（对）弹性敏感元件在传感器技术中有极重要地位。（对）敏感元件加工新技术有薄膜技术和真空镀膜技术。（错）扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻P型硅基片上,形成一层极薄敏感层制成（错）存在敏捷度界限因素有两个，分别是输入变化量通过传感内部被吸取，因而反映不到输出端上去，传感器输出存在噪音。（对）在冲激信号浮现瞬间（即t=0）响应函数也突然跃升，其幅度与k成正比，而与时间函数成反比；在t＞0时，作指数衰减，t越小衰减越快，响应波形也越接近脉冲信号。（对）应变计粘贴工艺对于传感器精度起着核心作用。（对）零值法长处是，测量精度重要取决于读书电桥精度，而不受电桥供电电压波动以及放大器放大系数波动等影响，因而测量精度较高。（对）应变式压力传感器由电阻应变计、弹性元件、外壳及补偿电阻构成。（对）入射光强变化物质导电率物理现象，叫光电导效应。（对）在光照射下，电子逸出物体表面向外发射现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。（对）压电效应是不可逆，即晶体在外加电场作用下不能发生形变。（错）在阶跃型光纤中，数值孔径越大光纤性能越好。（错）现今压电传感器材料大多用压电陶瓷。（对）SnO2传感器在低温条件下不但对乙醇很敏感，对CO和H2也很敏感，因而，仅通过变化传感器工作温度所能达到气敏选取性是有限。（对）在一定温度和压力条件下，单位体积混合气体中所含水蒸气质量为相对湿度。所谓绝对湿度是指气体相对湿度与同一温度下达到饱和状态相对湿度Ps比例。（错）压电汞蒸气探测器是在石英晶片电极上沉积金膜。金膜能吸取汞生成汞齐，是良好检测汞图层材料。（对）在纤芯内折射率不随半径变化而变化，有一恒定值n1.在纤芯-包层界面折射率突然从n1减小到n2，而在整个包层中折射率保持恒定是渐变折射率光纤。（错）热释电材料有晶体、陶瓷和塑料等。（对）对可见光惯用有流明敏捷度和勒克斯敏捷度。（对）光电管工作点应悬在光电流与阳极电压无关饱和区域。（对）抱负传感器输出与输入呈线性关系。T依照敏感元件材料不同，可以将应变器分为金属式和半导体式。T敏捷度计算有被测量与相应输出变化量之比F半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色波长，它有两个深度相似PN构导致。F在光线传播模式中，光纤V值越大，则光纤所能拥有，即容许传播模式（不同离散波）数越少。（错）渐变折射率光纤折射率从纤芯中央开始向外随径向距离增长而逐渐增大，而包层中折射率保持不变。（错）热敏电阻重要有正温度系数型、负温度系数型、临界温度系数型三种类型。（对）正温度系数型半导体热敏电阻研究最早，生产最成熟，是应用最广泛热敏电阻之一。（错）电阻应变计第一对称形式直流电桥电压敏捷度不但与供电电压U关于并且与电桥电阻关于。（错）光纤导电能力取决于纤芯和包层光学性能。（对）多模光纤惯用于强度性传感器。（对）单模光纤制造、连接和耦合比多模光纤都较容易些。（错）光纤数值孔径大,耦合效率高，且光信号将产生较小“模色散”（错）热敏电阻温度每变化1℃时，阻值相对变化率，单位为％/℃，如不作特殊阐明，是指25℃时温度系数。（错）SAW加速度传感器可以实现固态化,直接输出频率信号,精度高、敏捷度高,采用半导体工艺制作,便于批量生产,可靠性、但其一致性较差。（错）正温度系数型半导体热敏电阻色标为绿色，负温度系数型半导体热敏电阻色标为红色，临界型半导体热敏电阻色标为白色。（错）压电效应是可逆。（对）干涉型光纤传感器基本换能机理是：在一段单模光纤中传播相干光，因待测能量场作用，而产生相位调制。（对）光纤声传感器核心是检测臂传感某些要设计对待测声场不敏感，而检测臂别的某些和参照臂要对声场敏感。（错）光生伏特效应就是半导体材料吸取光能后,在PN结上产生电动势效应。（对）半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色波长，它有两个深度相似PN构导致。（错）在光纤纤维传中传播模式诸多对信息传播是不利，由于同一光信号采用诸多模式传播，就会使这一光信号分为不同步间到达接受端各种小信号，从而导致合成信号畸变。（对）暗市场传感器与亮市场传感器不同之处在于:它使用从包层进入纤芯光产生输出信号。（错）压缩式压电加速度传感器中为便于装配和增大电容量惯用两片极化方向相似晶片，电学上串联输出。（错）压电汞蒸气探测器石英晶片电极上金膜能吸取汞生成汞齐，是良好检测汞图层材料。（对）SAW气敏传感器中，吸附膜吸取了环境中某种特定气体，使基片表面性质发生变化，导致SAW振荡器振荡频率发生变化，通过测量频率变化就可检测特定气体成分含量。（对）热敏电阻温度系数随温度减小而减小，因此低温时热敏电阻温度系数小，敏捷度高，故热敏电阻惯用于低温（-100~300）测量。（错）位移光纤传感器中两个光栅，恰当减小其中一种光栅栅元宽度可使敏捷度提高，动态范畴也将大大提高。（错）反射式光纤位移传感器位移—输出曲线中有前坡区、后坡区、光峰区，其中光峰区信号到达最大值，这个区域可用于对表面状态进行光学测量。（对）半导体温度传感器中热敏电阻均有色环，负温度系数型热敏电阻其标记为红色。（错）热敏电阻温度系数随温度减小而增大，低温时热敏电阻温度系数大，敏捷度高，高温时温度系数小，敏捷度低。（对）一种高阶系统可以当作是由若干个一阶和二阶系统串联而成。（×）对于金属，其敏捷度为50~100，比半导体敏捷度大得多。（×）当电源电压及电阻相对变化一致时，电桥输出电压及其电压敏捷度将与各桥臂阻值大小无关。（√）与轮辐式传感器相比，柱式传感器长处是其横截面积不会随载荷变化而导致非线性。（×）光电器件输出电压达到最大值0.63倍时所相应时间称为光电器件响应时间它会影响调制频率上限。（√）半导体材料吸取光能后,在PN结上产生电动势效应称为光电导效应。（×）光电池工作原理是基于光生伏特效应，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一种大面积PN结。（√）横向粘贴应变计既可以作为温度补偿，也可以起到提高敏捷度作用。（√）零值法普通用于动态测量（×）在应变计设计过程中，为了减少横向效应，可采用直角线栅式应变计或箔式应变计。（√）温度传感器从使用上大体分文接触型和非接触型两大类。（对）在阶跃型光纤中，数值孔径越大光纤性能越好。（错）正温度系数（PTC）型热敏电阻，特性曲线随温度升高也增大，其色标记为白色，负温度系数（NTC）型半导体热敏电阻是应用最广泛热敏电阻之一，其色标记为绿色。（错）微弯光纤传感器就是依照光纤弯曲时光注入纤芯原理研制而成。（错）模式去除器（最简朴是在包层外表面涂上几厘米长黑漆）能吸取几乎所有也许在光纤包层中传播光。（对）电压式传感器可以等效成一种电荷源与一种电容并联电荷发生器。（对）温度系数分为特性温度系数和感湿温度系数（对）光电二极管响应速度比光电三级管约高一种数量级，比锗管约高一种数量级。（×）压电式传感器具备体积小、构造简朴等长处，适合于频率较低被测量测量，甚至是静态量测量。（）光敏电阻暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大。这样光敏电阻敏捷度就高。（）真值是指一定期间及空间条件下，某物理量体现真实数值。真值是客观存在，并且是可以测量。（）置信系数取不同典型值时，具备不同置信概率。置信系数越高，置信水平则越低，表白对测量精度规定越低。（）热释电元件多用于红外波段辐射测温————（对）压电谐振式传感器是运用压电晶体谐振器共振频率随被测物理量变化而变化进行测量。———————————————（对）光纤位移传感器是运用光导纤维传播光信号功能，依照探测到光信号强弱来测量被测物体距离——————（对）普通压电材料均有一定温度系数，温度变化引起频偏往往超过压力变化引起频偏，不必对温度变化引起频偏进行补偿。（错）对比波长大得多长度变化，物理扰动P随时间变化速率与振荡频率f成正比。（对）SAW压力传感器可用以监视心脏病人心跳，用射频振荡器把信息发射出去实现遥测。（对）在环境湿度保持恒定状况下，湿度传感器特性量相对变化量与相应温度变化量之比，称为特性量温度系数。（对）热面电阻温度系数随温度减小而增大，因此低温时热敏电阻温度系数大，因此敏捷度高。对半导体透射光强随温度增长而增长。错辐射能量最大值所相应波长随温度升高向长波方向移动。错在阶跃型光纤中，数值孔径越大“V值”越大，传播模式越少。错温度系数是反映湿度传感器感湿特性量--相对湿度特性曲线随环境温度而变化特性。对半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色波长，它有两个深度相似PN构导致。错

单项选取题（每题2分）下面哪些传感器不属于内光电传感器（A）A:光电管;B:光电池C:光敏电阻D:光电二/三极管下列哪一项是金属式应变计重要缺陷（A）A：非线性明显B：敏捷度低C：精确度低D：响应时间慢若L为光纤长度，I0为输入光强，I1为输出光强，则其衰减率A可表达为：（B）A：B：C：D：对光纤传感器特点论述错误是：（C）A：与其她传感器相比,它具备很高敏捷度。B：可以用很相近技术基本构成传感不同物理量传感器。C：频带宽动态范畴小。D：可用于高温、高压、强电磁干扰、腐蚀等各种恶劣环境。下列选取性吸附膜所相应敏感气体对的是（D）A：三乙醇胺薄膜（敏感CO2）B：Pd膜（敏感H2S）C：WO3（敏感H2）D：酞箐膜（敏感NO2）薄膜湿度传感器响应时间为：（A）A：1～3sB：2～5sC：6～8sD：约10s螺管型差动变压器衔铁和铁芯用同种材料制成，普通选（A）A：电阻率大，导磁率高，饱和磁感应大材料B：电阻率大，导磁率高，饱和磁感应小材料C：电阻率大，导磁率底，饱和磁感应大材料D：电阻率小，导磁率高，饱和磁感应大材料下列对于压缩式电加速度传感器描述对的是：（D）A：剪切式压电加速度传感器敏捷度高，横向敏捷度大。B：弯曲式压电加速度传感器固有共振频率高，敏捷度高。C：压电传感器内阻抗底、输出电信号弱。D：按照压电式传感器工作原理及其等效电路，传感器可当作电压发生器，也可当作电荷发生器。反射式光纤位移传感器属于振幅型光纤传感器一种，其测量位移与输出有如下关系（B）A：位移与输出信号成线性关系。B：在一定范畴内位移与输出信号成线性关系。C：位移与输出信号成反比关系。D：在一定范畴内位移与输出信号成反比关系属于传感器动态特性指标是（D）A、重复性B、线性度C、敏捷度D、固有频率下面哪项不是SAW传感器长处：（A）A：辨别率低;B：敏捷度高C：制造简朴D：可靠下列哪一项是非电阻型半导体气敏器件（A）A：Ag2OB：SnO2C：ZnOD：TiO2表白声波传感器可以通过测量频率变化就可检测特定气体成分含量，其选取性吸附膜选取非常重要，惯用三乙醇胺薄膜选取性测量(D)、Pd膜选取性测量(B)、WO3选取性测量(A)、酞箐膜选取性测量(C)等。（注意：每选对一种1分）A：H2SB：H2C：NO2D：SO2应变式传感器温度误差产生重要因素：（E）A：应变式温度传感器件温度系数变化。B：应变式温度传感器件测量某些引起。D：应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起。E：试件材料与应变丝材料线膨胀系数不一，使应变丝产生附加变形而导致电阻变化。构件作纯弯曲形变时，构件面上部应变为拉应变，下部为压应变，且两者是什么关系？（C）绝对值相似且符号相反绝对值相似且符号相似绝对值相似符号相反绝对值相似符号相似下面哪个温度补偿办法是不存在（C）A:电桥补偿法B:辅助测温元件微型计算机补偿法C:电阻补偿法D:热敏电阻补偿法下列哪一项不是半导体应变计重要长处（C）A：耗电省B：敏捷度高C：精确度高D：体积小下列哪一项不是热释电材料来源：（B）A：晶体B：金属C：陶瓷D：塑料下列关于光电管哪一项是对的（B）A：光电管工作点不应当在光电流与阳极电压无关饱和区域内。B：当光通量一定期，阳极电压与阳极电流关系，叫光电管伏安特性曲线。C:充气光电管缺陷是敏捷度低。D:光电管是近年来才浮现光传感器。下面哪些传感器属于外光电传感器（A）A:光电管;B:光电池C:光敏电阻D:光电二/三极管下列哪一项是半导体式应变计重要长处（B）A：非线性明显B：敏捷度高C：精确度高D：横向效应小电桥测量电路作用是把传感器参数转换为（B）输出A：电阻B：电压C：电容D：电荷2传感器能感知输入变化量越小，表达传感器（D）A：线性度越好。B：迟滞越小。C:重复性越好。D:辨别力越高。从原理上讲，当前许多惯性导航系统所用环形激光陀螺和光纤陀螺是基于哪种干涉仪？AMichelson干涉仪BMach-Zehnder干涉仪CSagnac干涉仪DFabry-Perol干涉仪传感器输出量普通为（B

）A

非电量信号

B

电量信号

C

位移信号

D

光信号按照根据基准线不同，下面那种线性度是最惯用（D）A：理论线性度B：端基线性度C：独立线性度D：最小二乘法线性度下面那一项不是半导体应变计长处（C）A：灵明度高B：体积小，耗电省C：横向效应小D：机械滞后小右图属于那种温度补偿办法（C）A：电桥补偿法B：辅助测温元件微型计算机补偿法C:热敏电阻补偿法C：双金属敏感栅自补偿输入逐渐增长到某一值，与输入逐渐减小刀同一输入值时输出值不相等是属于传感器静态特性哪一种（D）A:敏捷度B:线性度C:敏捷度界限D:迟滞性如下属于应变计温度误差产生因素是：（D）A：应变式温度传感器件温度系数变化。B：应变式温度传感器件测量某些引起。C：应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起。D：敏感栅金属丝电阻自身随温度发生变化。符合对粘合剂规定是：AA机械滞后小B蠕变大C温度使用范畴小D存储期大组合式压力传感器用于测量BA大压力B小压力C高速D低速下列哪种温度补偿办法是惯用和效果较好补偿办法：（A）A：电桥补偿法B：辅助测温元件微型计算机补偿法C：应变计自补偿法D：热敏电阻补偿法下面哪些传感器不属于内光电传感器（A）A:光电管;B:光电池C:光敏电阻D:光电二/三极管下列哪个是APD长处：（B）A：线型好B：敏捷度高C：工作环境不限D：工作电压低下面哪个不是光敏电阻长处（D）A.体积小B.重量轻C.机械强度高D.耗散功率小采用硅材料雪崩式光电二极管响应波长范畴(B)A.0.4-0.5μmB.0.4-1.0μmC.0.5-1.0μmD.0.5-1.5μm下列哪一项不是金属式应变计重要缺陷（D）A：非线性明显B：输出信号薄弱C：抗干扰能力差D：响应时间慢如下那个质量是直接影响传感器性能和精度（B）A：应变计。B：弹性敏感元件。C：敏感栅。D：电路电阻。下面哪项不是SAW传感器长处：AA辨别率低B敏捷度高C制造简朴D可靠下面哪个不是反射式光纤位移传感器特点：DA构造简朴B设计灵活C性能稳定D精度高下面哪个不是压电加速度传感器： BA压缩式压电加速度传感器B压电谐振式传感器C剪切式雅典加速度传感器D弯曲式压电加速度传感器下列哪一项金属是最良好检测汞涂层材料（D）A：金 B：银C：铜D：铁对于咱们寻常生活中，所谓湿度定义说法对的是（D）A：气体相对湿度与同一温度下达到饱和状态相对温度Ps比例。B：气体绝对湿度与同一温度下达到饱和状态相对温度Ps比例。C：气体相对湿度与同一温度下达到饱和状态绝对温度Ps比例。D气体绝对湿度与同一温度下达到饱和状态绝对温度Ps比例。下面哪个属于强度型光纤传感器CA迈克尔逊干涉仪B马赫—泽德干涉仪C光纤测压传感器D法布里干涉仪下列哪一项属于相位型传感器缺陷（C）A：敏捷度低B：精确度低C：构造较复杂，检测也需要复杂手段D：响应时间慢当前光纤传感器普通采用四种不同干涉测量构造，如下哪一种不属于上述四种构造是（D）A：迈克尔逊B：马赫—泽德C：萨格奈克D：伽利略应变式传感器温度误差产生重要因素：（D）A：应变式温度传感器件温度系数变化。B：应变式温度传感器件测量某些引起。C：应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起。D：试件材料与应变丝材料线膨胀系数不一，使应变丝产生附加变形而导致电阻变化。下面哪一种不是相位检测办法（B）A:零差检测B:内差检测C:外差检测D:合成外差检测响应时间是湿度传感器重要指标，普通是指从湿度H1环境中进入湿度H2环境中，当湿度从H1上升或下降到（）所需要时间称为响应时间。A：0.63H2B：0.63(H2-H1)C：0.63(H2-H1)+H1D：0.63H2+H1光电池种类诸多，其中（D）光电转换效率高，寿命长，价格便宜（B）浮现最早，工艺及较成熟，（C）光谱响应与太阳光谱吻合，此外尚有（A）（注意：每选对一种1分）A：铜光电池B：硒光电池C：砷化镓光电池D：硅光电池光纤按传播模式分类可以分为（BC）普通光纤单模光纤多模光纤渐变折射率光纤设计光纤微弯传感器时，下面说法对的是（AD）A：在光纤微变传感器中变形器先后一定要有模式除去器。B：暗视场光纤传感器比明视场敏捷度高。C：暗视场光纤微弯传感器背景光噪声大。D：暗视场信号放大倍数比亮视场放大倍数大。E：暗视场光纤微变传感器信号不易受到温度影响。数值孔径NA是光纤一种重要参数，如下说法不对的是（B）A．数值孔径反映了光纤集光能力B．光纤数值孔径与其几何尺寸关于C．数值孔径越大，光纤与光源耦合越容易D．数值孔径越大，光信号畸变也越大为了减小热电偶测温时测量误差，需要进行温度补偿办法不涉及（D）。A.补偿导线法B.电桥补偿法C.冷端恒温法D.差动放大法光纤传感器具备长处（ACDE）A高敏捷度B频带宽动态范畴小C构造简朴，体积小D可用于恶劣环境E可依照需要做成各种形状半导体陶瓷湿敏器件所具备长处（BD）A：响应慢B：精度高C：使用温度范畴窄3D：湿滞现象小。E：不可以加热清洗.电阻应变片线路温度补偿办法有(A.B.D).

A.差动电桥补偿法

B.补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法

C.补偿线圈补偿法

D.恒流源温度补偿电路法通惯用应变式传感器测量(BCD).

A.温度B.速度C.加速度D.压力压电式加速度传感器是（D）传感器。A、构造性B、适于测量直流信号C、适于测量缓变信号D、适于测量动态信号石英晶体测量加速度基于哪个物理效应（B）A、热电效应B、压电效应C、横向效应D、霍尔效应属于传感器动态特性指标是（D）A、重复性B、线性度C、敏捷度D、固有频率传感器普通涉及敏感元件，还涉及（A）A、转换元件B、敏感头C、压敏器件D、温敏器件半导体色敏传感器又称为（A）双结光电二极管B.雪崩式光电二极管C.PIN型硅光电式二极管D.光电池光敏电阻工作原理基于（B）光生伏特效应B.光电导效应C.二次电子释放效应D.外光电效应电阻应变计电阻相对变化ΔR/R与应变ΔL/L=ε之间在很大范畴内是线性则k=（A）A.ΔR/R/εB.ΔR/R/LC.ΔR/R/ΔLD.ΔL/L/R应变式传感器温度误差产生重要因素DA.应变式温度传感器件温度系数变化。B.应变式温度传感器件测量某些引起。C.应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起。D.试件材料与应变丝材料线膨胀系数不一，使应变丝产生附加变形而导致电阻变化。下列传感器不属于按基本效应分类是D半导体传感器磁传感器物理传感器真空传感器

简答题光生伏特效应如何产生？答：当光照射到距表面很近PN节时，如果光能足够大，光子能量不不大于半导体材料禁带宽度，电子就能从价带跃迁到导带，成为自由电子。由于光生电子、空穴在扩散过程中会分别于半导体中空穴、电子复合，因而载流子寿命与扩散长度关于。只有PN结距表面厚度不大于扩散长度，才干形成光电流产生光生电动势。什么是压电效应？压电传感器有哪些？答：当某些晶体沿一定方向伸长或压缩时，在其表面上会产生电荷，这种效应成为压电效应。压电传感器有压电加速度传感器、压电谐振式传感器、声表面波传感器。当吸附膜是绝缘材料、导电体或金属氧化物半导体时，SAW气敏传感器敏感机理？答：当薄膜是绝缘材料时,它吸附气体引起密度变化,进而引起SAW延迟线振荡器频率偏移;当薄膜是导电体或金属氧化物半导体膜时,重要是由于导电率变化引起SAW延迟线振荡器频率偏移。简说马赫―泽德(Mach―Zehnder)干涉仪工作原理。简述光纤传感器长处？具备很高敏捷度频带宽动态范畴大可依照实际状况做成各种形状可以用很相近技术基本构成传感不同物理量传感器，这些物理量涉及声场、磁场、压力、温度、加速度、转动、位移、液位、流量、电流、辐射等等。便于与计算机和光纤传播系统相连，易于实现系统遥测和控制。可用于高温、高压、强磁干扰、腐蚀等各种恶劣环境。构造简朴、体积小、重量轻、耗能少。相位跟踪系统是由什么构成并简述它功能？相位跟踪系统是由电路系统和光纤相位调制器构成。抵消任何不必要大低频相位漂移，使干涉仪保持平衡，提供保证干涉仪在正交状态下工作相移。什么叫安时特性流过热敏电阻电流与时间关系，称为安时特性数值孔径定义光从空气入射到光纤输入端面时，处在某一角锥内光线一旦进入光纤，就将被截留在纤芯中，此光锥半角正弦称为数值孔径什么叫绝对湿度在一定温度和压力条件下，单位体积混合气体中所含水蒸气质量为绝对湿度光纤长处：1抗电磁干扰能力强2柔软性好3光纤集传感与信号传播与一体，运用它很容易构成分布式传感测量光纤分类：一功能型①光强度调制型②光相位调制型③光偏振态调制型二非功能型①光线位移传感器②光纤温度传感器光导纤维为什么可以导光？光导纤维有哪些长处？光纤式传感器中光纤重要长处有哪些？答：光导纤维工作基本是光全内反射，当射入光线入射角不不大于纤维包层间临界角时，就会在光纤接口上产生全内反射，并在光纤内部后来角度重复逐次反射，直至传递到另一端面。长处：a具备优良传旋光性能，传导损耗小b频带宽，可进行超高速测量，敏捷度和线性度好c能在恶劣环境下工作，能进行远距离信号传送功能型光纤传感器其光纤不但作为光传播波导，并且具备测量功能。它可以运用外界物理因素变化光纤中光强度、相位、偏振态或波长，从而对外界因素进行测量和数据传播。长处：抗电磁干扰能力强；敏捷度高；几何形状具备多方面适应性，可以制成任意形状光纤传感器，可以制造传感各种不同物理信息器件；光纤传感器可用于高压，电气噪声，高温，腐蚀或其她恶劣环境；并且具备与光纤遥测技术内在相容性。简述振幅型和相位型光纤传感器原理。振幅型传感器原理：待测物理扰动与光纤连接光纤敏感元件互相作用，直接调制光强。相位型传感器原理：在一段单模光纤中传播相干光，因待测物理场作用，产生相位调制。简述半导体气敏器件分类和它们代表性被测气体分别是什么？分为电阻型和非电阻型两大类。电阻型可分为1）表面电阻控制型，其代表性被测气体为可燃性气体；2）体电阻控制型，其代表性被测气体为乙醇、可燃性气体和氧气；非电阻型又可分为1）表面电位，其其代表性被测气体为硫醇；2）二级管整流特性，其代表性被测气体为氢气、一氧化碳、乙醇3）晶体管特性，其代表性被测气体为氢气和硫化氢。简述光纤传感器长处。1）与其她传感器相比，它具备很高敏捷度2）频带宽动态范畴大3）可依照实际需要做成各种形状4）可以用很相近技术基本构成传感不同物理量传感器，这些物理量涉及声场、磁场、压力、温度、加速度、转动（陀螺）、位移、液位、流量、电流、辐射等等5）便于与计算机和光纤传播系统相连，易于实现系统遥测和控制6）可用于高温、高压、强电磁干扰、腐蚀等各种恶劣环境7）构造简朴、体积小、重量轻、耗能少什么是红限频率？答：光电效应能否产生，取决于光子能量与否不不大于该物质表面电子逸出功。这意味着每一种物质均有一种相应光频阈值。电阻应变计产生温度误差因素是？答：（1）敏感栅金属丝电阻自身随温度发生变化。（2）试件材料与应变丝材料线膨胀系数不一，使应变丝产生附加变形而导致电阻变化。什么叫线性度？其定义为：传感器输出—输入校准曲线与理论拟合直线之间最大偏差与传感器满量程输出之比，称为该传感器“非线性误差”或称“线性度”，也称“非线性度”。通惯用相对误差表达其大小：简说光电倍增管工作原理。答;运用二次电子释放效应，将光电流在管内部进行放大。所谓二次电子释放效应是指高速电子撞击固体表面，再发射出二次电子现象。简述温度补偿办法有哪些？：(1)电桥补偿法。(2)辅助测温元件微型计算机补偿法。(3)应变计自补偿法。(4)热敏电阻补偿法。电阻应变计产生温度误差因素是？答：（1）敏感栅金属丝电阻自身随温度发生变化。（2）试件材料与应变丝材料线膨胀系数不一，使应变丝产生附加变形而导致电阻变化。简说光电倍增管工作原理。答：运用二次电子释放效应，将光电流在管内部进行放大。所谓二次电子释放效应是指高速电子撞击固体表面，再发射出二次电子现象。光纤传感器所具备特点？与其他传感器相比，它具备很高敏捷度。频带宽动态范畴大。可依照实际需要做成各种形状。可以用很相近技术基本构成传感不同物理量传感器。便于与计算机和光纤传播系统相连，易于实现系统遥测和控制可用于高温、高压、强电磁波干扰、腐蚀等各种恶劣环境。构造简朴、体积小、重量轻、耗能少。温度传感器从使用上分为什么？各自有何不同。温度传感器从使用上大体分文接触型和非接触型两大类，前者是让温度传感器直接与待测对象接触，后者是使温度传感器与待测对象离开一定距离，检测从待测对象放射出红外线，从而达到测温目。简朴简述下声波传感器简写SAW，是一种能量集中于媒质表面、沿表面传播、其振幅随深度呈指数衰减弹性波。普通在压电晶体表面设立叉指换能器（IDT）来勉励和检测声波表面。SAW传感器重要机理来达到检测物理量、化学量、和生物量目应变式传感器与其她类型传感器相比具备如下特点：(1)测量范畴广、精度高。(2)性能稳定可靠,使用寿命长。(3)频率响应特性较好。(4)能在恶劣环境条件下工作。(5)易于实现小型化、整体化数值孔径（NA）定义及其公式。答：光从空气入射到光纤输入端面时，处在某一角锥内光线一旦进入光纤，就将被截留在纤芯中，此光锥半角（θ）正弦称为数值孔径。可导出式中n1为铅芯折射率，n2为包层折射率。晶体压电效应和反向压电效应定义。答：当某些晶体沿一定方向伸长或压缩时,在其表面上会产生电荷(束缚电荷),这种效应称为压电效应。压电效应是可逆,即晶体在外电场作用下要发生形变,这种效应称为反向压电效应。SAW气敏传感器选取性吸附膜规定是什么？答：一方面,它需要对特定气体有敏捷选取性和辨别率;另一方面,性能应稳定可靠;第三,要有较快响应时间并易于解吸恢复。简述半导体热敏电阻工作原理和重要特点。答：（1）工作原理：由于热运动(如温度升高)，载流子克服禁带宽度(或电离能)引起导电,这种热跃迁使半导体载流子浓度和迁移率发生变化,引起电阻率值发生变化。（2）重要特点：①敏捷度高②体型小③使用以便半导体应变计有什么长处？敏捷度高。比金属应变计敏捷度约大50-100倍。体积小，耗电省由于具备正、负两种符号应力效应，则可以用有正、负两种符号应力效应半导体应变计构成同一应力方向电桥两臂，提高敏捷度。机械滞后小，可测量静态应变、低频应变等。简述谐振式传感器长处答：以数字输出，不必通过A/D转换就可以以便与计算机相连，构成 高精度测量和控制系统，功耗少、稳定性高。简述半导体热敏电阻工作原理答：由于热运动（譬如温度升高），越来越多载流子客服禁带宽度（或电离能）引起导电。光电倍增管工作原理答：是运用二次电子释放效应，将光电流在管内部进行放大。所谓二次电子释放效应是指高速电子桩基固体表面，再发射出二次电子现象。热电型辐射传感器答：热电型辐射传感器是指由于辐射热引起无件温度微小变化，导致电阻一类物理量度变化，而达到测温目。此类传感器普通与波长无关。热电型红外传感器长处是使用以便，缺陷是响应速度慢，敏捷度低。绝对湿度和相对湿度答：两者定义分别为：(1)绝对湿度:在一定温度和压力条件下，单们体积混合气体中所含水蒸气质量为绝对湿度。(2)相对湿度:相对湿度是指气体绝对湿度与同一温度下达到饱和状态绝对湿度比例。半导体磁敏传感器答：半导体磁敏传感器是指电参数按一定规律随磁性量变化传感器，惯用有霍尔传感器和磁敏电阻传感器。运用磁场作为媒介来检测位移、振动、力、转速、加速度、流量、电流、电功率等。可实现非接触测量，并且不从磁场中获取能量。湿滞回线答：湿度传感器在升湿和降湿来回变化时吸湿和脱湿特性曲线不重叠，所构成曲线叫湿滞回线。温度系数答：温度系数是反映湿度传感器感湿特性量—相对湿度特性曲线随环境温度而变化特性光生伏特效应如何产生？答：当光照射到距表面很近PN节时，如果光能足够大，光子能量不不大于半导体材料禁带宽度，电子就能从价带跃迁到导带，成为自由电子。由于光生电子、空穴在扩散过程中会分别于半导体中空穴、电子复合，因而载流子寿命与扩散长度关于。只有PN结距表面厚度不大于扩散长度，才干形成光电流产生光生电动势。模式去除器作用？答：吸取几乎所有也许在光纤包层中传播光。一方面保证只有纤芯光才干到达变形器中光纤段，另一方面是保证吸取掉因采用变形器而进去包层中任何纤芯光。简说萨格奈克(Sagnac)干涉仪工作原理。见课本P108图4.21光电效应可分为哪三种类型，简朴阐明传感器原理并分别列出以之为基本光电传感器。答：光电效应可分为：外光电效应：指在光照射下，材料中电子逸出表面现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们光电发射极，即光明极就是用品有这种特性材料制造。内光电效应：指在光照射下，材料电阻率发生变化现象。光敏电阻即属此类。光生伏特效应：运用光势垒效应，光势垒效应指在光照射下，物体内部产生一定方向电动势。光电池是基于光生伏特效应制成，是自发电式有源器件。简述光敏电阻特点：灵明度高光谱响应范畴宽体积小重量轻机械强度高耐冲击抗过载能力强耗散功率大寿命长箔式应变计与丝式应变计相比有什么长处？答：（1）工艺上能保证线栅尺寸对的、线条均匀，大批量生产时，阻值离散限度小。（2）可依照需要制成任意形状箔式应变计和微型小基长应变计。（3）敏感栅截面积为矩形，表面积大，散热好，在相似截面状况下能通过较大电流。（4）厚度薄，因而具备良好可挠性，它扁平状箔栅有助于形变传递。（5）蠕变小，疲劳寿命高。（6）横向效营小。（7）便于批量生产，生产效率高。应变计零漂定义以及产生零漂因素？答：恒定温度下，粘贴在试件上应变计，在不承受载荷条件下，电阻随时间变化特性称为应变计零漂。零漂重要因素是，敏感栅通过工作电流后温度效应，应变计内应力逐渐变化，粘接剂固化不充分等。应变计温度误差产生因素？答：产生温度误差因素有两点：（1）敏感栅金属丝电阻自身随温度发生变化。（2）试件材料与应变丝材料线膨胀系数不一，是应变丝产生附加变形而导致电阻变化。对光电器件敏捷度理解？答：光电器件对辐射通量反映成为敏捷度，也成为响应。反映用电压或电流表达，对可将光惯用有流明敏捷度和勒克斯敏捷度。流明敏捷度Slm=光电流（A）/光通量（lm）勒克斯敏捷度Slx=光电流（A)/受光面照度（lx）什么是传感器敏捷度敏捷度是描述传感器输入量（普通为电学量）对输入量（普通为非电学量）敏感限度特性参数。其定义为：传感器变化值和相应被测量（输入量）变化值之比，用公式表达为：K（x）=输出量变化值/输入量变化值=△y/△x光电效应可分为哪三种类型，简朴阐明传感器原理并分别列出以之为基本光电传感器。答：光电效应可分为：外光电效应：指在光照射下，材料中电子逸出表面现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们光电发射极，即光明极就是用品有这种特性材料制造。内光电效应：指在光照射下，材料电阻率发生变化现象。光敏电阻即属此类。光生伏特效应：运用光势垒效应，光势垒效应指在光照射下，物体内部产生一定方向电动势。光电池是基于光生伏特效应制成，是自发电式有源器件。应变式传感器与其她类型传感器相比具备如下特点：(1)测量范畴广、精度高。(2)性能稳定可靠,使用寿命长。(3)频率响应特性较好。(4)能在恶劣环境条件下工作。(5)易于实现小型化、整体化简说热释电效应答：当某些晶体受热时，在晶体两端将会产生数量相等而符号相反电荷。这种由于热变化而产生电极化现象称为热释电效应。普通，晶体自发极化所产生束缚电荷被空气中附集在晶体外表面自由电子所中和，其自发极化电矩不能显示出来。当温度变化时，晶体构造中正、负电荷重心产生相对位移，晶体自发极化值就会发生变化，在晶体表面就会产生电荷耗尽。什么是弹性敏感元件。答：传感器中由弹性材料制成敏感元件。在传感器工作过程中常采用弹性敏感元件把力、压力、力矩、振动等被测参量转换成应变量或位移量，然后再通过各种转换元件把应变量或位移量转换成电量。什么是热释电效应？答：由于温度变化，热释电晶体和压电陶瓷等会浮现构造上电荷中心相对位移，使她们自发极化强度发生变化，从而在它们两端产生异号束缚电荷，这种现象称为热释电效应。金属式应变片和半导体式应变片在工作原理上有什么不同？答：金属应变片是通过变形变化丝栅几何尺寸，而它电阻率普通不变，半导体应变片是基于压阻效应而工作，就是说沿半导体晶轴应变，使它电阻率有很大变化，从而产生电阻变化。什么是电桥补偿法？在被测试件上安装一工作应变计，在此外一种于被测试件材料相似，但不受力补偿件上安装一补偿应变计。补偿件于被测试件处在完全相似温度场内。测量时，使两者接入电桥相邻臂上，由于补偿片RB是与工作片R1完全相似，且都贴在相似试件上，并处在相似温度下，这样，由于温度变化使工作片产生电阻变化ΔR1t与补偿片电阻变化RBt相等，因而，电桥输出Usc与温度无关，从而补偿了应变计温度误差。简要阐明光电倍增管工作原理。光阴极在光子作用下发射电子，这些电子被外电场(或磁场)加速，聚焦于第一次极。这些冲击次极电子能使次极释放更多电子，它们再被聚焦在第二次极。这样，普通经十次以上倍增，放大倍数可达到108～1010。最后，在高电位阳极收集到放大了光电流。输出电流和入射光子数成正比。简要阐明光电式传感器应用和特点：光电传感器是将光信号转化为电信号光敏器件，可