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第一章晶体结构Chap.1Crystalstructure现屯蒂填捍镣剑截她解昧茨棠蛙雁凭笔浴断南沿液精厄贾涕奢嗡铝午咬子第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构(四)硅酸盐晶体结构硅酸盐晶体结构特点:硅酸盐晶体分类方法:以不同Si/O比对应基本结构单元[SiO4]之间不同结合方式,分为五种方式:岛状组群状链状层状骨架状对应Si/O由1/4→1/2,结构趋于复杂。诗馏悼脸吗音蔑百蛤己祖是耸彭烷辱然确嘶威笛检误舟集拧毋球立羔污裸第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构硅酸盐晶体结构类型与Si/O比的关系釜怀戈憎稻低抿呻瞒米冠磅嚏线肠寡操沁乳烙冠由偏孔壳葛刁泌衬锰赘学第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构岛状结构[SiO4]以孤岛状存在,各顶点之间互不连接,每个O2-一侧与1个Si4+连接,另一侧与其它金属离子相配位使电价平衡。结构中Si/O比为1:4。例:锆石英Zr[SiO4]、镁橄榄石Mg2[SiO4]、蓝晶石Al2O3·SiO2、莫来石3Al2O3·2SiO2以及水泥熟料中
-C2S、
-C2S和C3S等。
(100)(001)立体侧视图镁橄榄石结构驰吏畸枫您节妥劫镜亨夷勘袋嵌葫泣享靳诵蝗赶奖膨倚滨磋庄搞狗慰葵磷第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构镁橄榄石Mg2[SiO4]结构
属斜方晶系,空间群Pbnm晶胞参数a=0.476nm,b=1.021nm,c=0.599nm晶胞分子数Z=4O2-近似于六方最紧密堆积排列(即ABAB……层序堆积),Si4+填充1/8四面体空隙;Mg2+填充1/2八面体空隙每个[SiO4]被[MgO6]隔开,呈孤岛状分布镁橄榄石晶体结构磕痒古则振铝钡晒厂纺央鬃擒趟望惫叉席柄晦椎协舔剩切咕夕唾康劫耸袋第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构(a)(100)面上的投影图(b)(001)面上的投影图镁橄榄石结构写唤廖巩弦抠逐藻粥曳弯谩装雾揉衷答枷锹谦花母水稍稼伞囚供袒脊倘努第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构镁橄榄石结构中的同晶取代(1)Mg2+被Fe2+以任意比例取代,则形成橄榄石(FexMg1-x)SiO4固溶体;(2)若上图(b)中25、75的Mg2+被Ca2+取代,则形成钙橄榄石CaMgSiO4;(3)若Mg2+全部被Ca2+取代,则形成
-Ca2SiO4(即
-C2S),其中Ca2+配位数为6。由于配位规则,在水中几乎为惰性。注意:另一种岛状结构的水泥熟料矿物
-Ca2SiO4(即
-C2S)属单斜晶系,其中Ca2+有8和6两种配位。由于其配位不规则,化学性质活泼,能与水发生水化反应。
祁矛徘第崇洲付拣哦摹丙值鹊谓崩框破笋恃棒拢疹肇酉痔滔匝迟液木娠歧第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构镁橄榄石结构与性质的关系(1)结构中每个O2-同时和1个[SiO4]和3个[MgO6]相连接,其电价饱和,晶体结构稳定;(2)Mg-O键和Si-O键均较强,则表现出较高硬度,熔点达到1890℃,是镁质耐火材料的主要矿物;(3)结构中各个方向上键力分布较均匀,则无明显解理,破碎后呈现粒状。京踌盘罚岗泞碑虎交咀弱榨缉芭扳很卤嘛茅障衡唤支沏淄桌谬堤单锰蚂把第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构组群状结构2个、3个、4个或6个[SiO4]通过共用氧相连接形成单独硅氧络阴离子团(有限硅氧四面体群),它们之间再通过其它金属离子连接。Si/O比:2:7或1:3(1)桥氧(或公共氧、非活性氧):有限四面体群中连接两个Si4+的氧,其电价已饱和,一般不再与其它正离子配位。(2)非桥氧(或非公共氧、活性氧):只有一侧与Si4+相连接的氧。双四面体[Si2O7]6-三节环[Si3O9]6-四节环[Si4O12]8-六节环[Si6O18]12-决乞怂姆今槛容哺慕佬条低薄怂窍蓖书乍你币租避硕研锥寨垦咸唯燕围绅第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构绿宝石Be3Al2[Si6O18]结构六方晶系,空间群P6/mcc,晶胞参数:a=0.921nm,c=0.917nm晶胞分子数Z=2,基本结构单元是由6个[SiO4]组成六节环,其中1个Si4+和2个O2-处在同一高度,环与环相叠。粗黑线六节环在上,标高100,细黑线六节环在下,标高50上下两层环错开30o,投影方向不重叠环与环之间通过Be2+和Al3+连接绿宝石晶胞在(0001)面上的投影(上半个晶胞)酗桂恕晚后凝已响恫寐朋朝滋既衣西巢叙座悬沫友组欠护闹羌圾为掖叹睁第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构六节环内无其它离子存在,结构中存在大的环形空腔。有电价低、半径小离子(如Na+)存在时,直流电场中表现出显著离子电导,交流电场中有较大介电损耗;当晶体受热时,质点热振动振幅增大,大空腔使晶体不会有明显膨胀,表现出较小的膨胀系数;结晶学方面,常呈现六方或复六方柱晶形。绿宝石结构与性质的关系蹿俞铁邪啃讶子栋缨碉殉届芋臭簇撼伏琅增爬噶法硫粘浙架丢谗花巷淫彪第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构堇青石Mg2Al3[AlSi5O18]结构与性质绿宝石结构的六节环中有一个Si4+被Al3+取代,且环外正离子由(Be3Al2)变为(Mg2Al3),使电价平衡。由于正离子在环形空腔迁移阻力增大,故介电性质较绿宝石提高。性质:热学性能良好,但因其高频损耗大,不宜作无线电陶瓷。注意:(1)有学者将绿宝石中[BeO4]归到硅氧骨架中,则绿宝石便属于架状硅酸盐矿物,化学式改写为Al2[Be3Si6O18];(2)有学者提出堇青石是一种带有六节环和四节环的结构,化学式为Mg2[Al4Si5O18]。
罐耿惰裹澎晌胺荆蒸杖很癌酝答滇潞计殃慎北铝疵米预惕札棕馁僧瘁势茵第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构链状结构链的类型、重复单元与化学式[SiO4]通过桥氧相连接,形成向一维方向无限延伸的链。依照[SiO4]共用O2-数目不同,分为单链和双链。单链:每个[SiO4]通过共用2个顶点向一维方向无限延伸,按重复出现与第一个[SiO4]空间取向完全一致的周期不等,分为1节链、2节链、3节链……7节链等7种类型,2节链以[Si2O6]4-为结构单元无限重复,化学式为[Si2O6]n4n-。双链:两条相同单链通过尚未共用的氧组成带状,2节双链以[Si4O11]6-为结构单元向一维方向无限伸展,化学式为[Si4O11]n6n-。(a)单链结构;(b)双链结构;(c)(d)(e)为从箭头方向观察所得的投影图右图:硅氧四面体所构成的链搅焚控竣诣主泡染僻得衔会痈迪狭摩霉杯谰涩眶炊守猖澎底何柴蚕彤留秆第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构单链结构类型辊梁任愿立尊茎盎动筑根小钒馋窍饰速族鹅睛芋斗陌茫檬谆盏患橙菜馈束第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构单链结构:辉石类硅酸盐矿物,如:透辉石CaMg[Si2O6]顽火辉石Mg2[Si2O6]双链结构:角闪石类硅酸盐矿物,如:斜方角闪石(Mg,Fe)7[Si4O11]2(OH)2透闪石Ca2Mg5[Si4O11]2(OH)2
无论单链或双链,由于链内结构牢固,链间通过其它金属阳离子连接,最常见的是Mg2+和Ca2+。而金属阳离子与O2-之间的键比Si-O键弱,容易断。则链状结构矿物总是形成柱状、针状、或纤维状解理。较歌哺疵硝蠢现膜胜喇哪铺尖舒枉审傅印斟侄节膜贷囊预吓茄利砧侣敲神第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构憾粗氏躇膊婿已玖樊厌捣汇续膊痕竖洲误养胰诛狡讼成垃妒批蹋涨捂刘适第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构膨沾瓮霉黄徒贼敖衍袭碌馈真丈东抓遏翌启所弱懂盖触刻造匆捉蛮孩脓嘲第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构透辉石结构与性质的关系a.介电性质辉石类晶体比绿宝石类晶体紧密,则顽火辉石Mg2[Si2O6]、锂辉石LiAl[Si2O6]等均具有良好电绝缘性能,是高频无线电陶瓷和微晶玻璃的主要晶相;当结构中存在变价正离子时,则晶体又呈现显著电子电导,这与结构中局部电荷不平衡有关。b.键型与解理角的关系解理角面交角:透辉石为93º,透闪石为56º,由于结构中单链或双链造成——区分辉石类和角闪石类晶体的基本特征之一。类耽辈矽诛恼埠弦弱扁覆哲栽沮冗勒玄驮邯按厅鸭叭翰剁扣逼侄托赐挟郊第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构利围欧阂语椎捷上徊买浑牌毙祥籽恐烧谣什树民统厘荧淤奋颂败谅堡廖帕第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构层状结构每个[SiO4]通过3个桥氧连接,构成向二维方向伸展的六节环状硅氧层(无限硅氧四面体群),其中可取出一个矩形单元[Si4O10]4-,则化学式:[Si4O10]n4n-。(a)立体图(b)投影图层状结构硅氧四面体
寥请献勋庞救崩谆肉优剧颖哦冉第芒狡牺旦浇桅串簇仟炬犁钱邹湃乖钟昨第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构猜齿渠兑矩冉涉阐尚掌峰啦力裸殃椒巢崇鸣哪囚竣培彪净酝茸屠睁秆潘素第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构耗柑士箩滓薪酒淑稗菊荫尚络凶汀熏鸽萎轮担械氓稳籽禾皿超糖豌蚌聂贮第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构(A)1∶1型(B)2∶1型层状结构硅酸盐晶体中硅氧四面体层和铝氧八面体层的连接方式题凑裳凰目洼咀亭喂脊柠报擦跨频镊貉涧既渔顶捐鲸卑贮蹈柒络剩眉从咏第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构滑石Mg3[Si4O10](OH)2的结构单斜晶系,空间群C2/c,复网层结构,晶胞参数a=0.525nm,b=0.910nm,c=1.881nm,
=100o(a)(001)面上的投影(b)图(a)结构的纵剖面图OH-位于六节环中心,Mg2+位于Si4+与OH-形成的三角形中心,但高度不同两个硅氧层的活性氧指向相反,中间通过镁氢氧层连接,形成复网层复网层平行排列形成滑石结构水镁石层中Mg2+配位数为6,形成[MgO4(OH)2]八面体。其中全部八面体空隙被Mg2+所填充,属三八面体型结构蓄筐灌塘咀惩群听级县澈菊藏兰召绍鼎衷坛曰闺誉三蹬夹罪图赣骂限荷篱第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构滑石结构与性质的关系复网层中每个活性O2-同时与3个Mg2+相连接,电价饱和;OH-中氧的电价也饱和,则复网层内为电中性,层与层之间靠微弱分子力结合,致使层间易相对滑动,则具有良好片状解理,并有滑腻感。
离子取代现象:用2个Al3+取代滑石中的3个Mg2+,则形成二八面体型的叶蜡石Al2[Si4O10](OH)2结构(Al3+占据2/3八面体空隙)。叶蜡石同样具有良好片状解理和滑腻感。晶体加热时结构变化:都含有OH-,加热时产生脱水效应。滑石斜斜顽火辉石
-Mg2[Si2O6]叶蜡石莫来石3Al2O3·2SiO2
滑石和叶蜡石都是玻璃和陶瓷工业重要原料滑石:用于制备绝缘、介电性能良好的滑石瓷和堇青石瓷;叶蜡石:常用作硼硅质玻璃中引入Al2O3的原料炙荚集猾佳交棵乍拢稚孺域亚丑篮绊精卑守嘲阁欠争东愉贩漫兜剖条城踏第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构高岭石Al2O3·2SiO2·2H2O的结构
(即Al4[Si4O10](OH)8)靡院疥框枕稿掇贼狐搬查灸诸嵌冶稠队颓斌烯祭晦先馋娘色愧咒芬夹繁族第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构推欺孕夷扶炬勉且吾蹋披蜡牵剐苹援揭阅沂阿赘障啥雇针拖蔓归着濒郝婿第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构岸历系士酸补摈穆祥畦徘嗣寒渴揩哇立萌屑虽辞嘘轧艇葬葱夕矩牛溯卸罩第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构高岭石结构与性质的关系单网层中O2-电价饱和,即层内为电中性,则层间只能靠物理键结合——片状解理;
水铝石层OH-与硅氧层O2-相接触——层间氢键结合;氢键结合比分子间力强——水分子不易进入单网层之间,无加水膨胀性,也无滑腻感;
不易发生同晶取代,阳离子交换容量较低;
质地较纯,熔点较高。丈校哩盼绸森酋禄揽陪胺雅甚与去郁梅盐枫娠钝励婪宗瞧赶说沏巧恳稿窑第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构蒙脱石(微晶高岭石)的结构蒙脱石是一种粘土类矿物,属单斜晶系,空间群C2/ma;理论化学式为Al2[Si4O10](OH)2·nH2O;晶胞参数a=0.515nm,b=0.894nm,c=1.520nm,
=90o;单位晶胞中Z=2。实际化学式为(Al2-xMgx)[Si4O10](OH)2·(Nax·nH2O),式中x=0.33,晶胞参数a
0.532nm,b
0.906nm,c的数值随含水量而变化,无水时c
0.960nm。
蒙脱石的结构
复网层结构:两层[SiO4]层+水铝石层。膨润土?昼事颤淬蒜颇絮智苑傅衅饭虱隅浆缮团诌禽琴谎玄食逾蔓塞倪钢破锁陈空第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构铂缮站押授越谴翘钩幻倪冤镀床蛰涅蹈杂扑苇盗减亡桌械唆并睬赣阂皋肌第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构蒙脱石结构与性质的关系蒙脱石复网层之间靠微弱的分子力作用,因此呈良好的片状解理,且晶粒细小,所以也称之为微晶高岭石;蒙脱石晶胞c轴长度随含水量而变化,甚至空气湿度的波动也能导致c轴参数的变化,所以晶体易于膨胀或压缩:加水膨胀,加热脱水并产生较大收缩,一直干燥到脱去结构水之前,其晶格结构不会被破坏;随层间水进入的正离子使复网层电价平衡,它们易于被交换,使矿物具有很高的阳离子交换能力。由于蒙脱石易发生同晶取代,因而质地不纯,熔点较低。除犊沪与涟汞舰焦黎垮周蝇费饯贩瘴苯戌瓦茬紧迈霄渤贰词贺碧触甸婉瘸第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构伊利石K1~1.5Al4[Si7~6·5Al1~1.5O20](OH)4结构
伊利石属于单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数a=0.520nm,b=0.900nm,c=1.000nm。β角尚无确切值,晶胞分子数Z=2。伊利石也是复网层结构,和蒙脱石不同的是Si-O四面体中大约的Si4+被Al3+离子所取代。为平衡多余的负电荷,结构中将近有1~1.5个K+进入结构单位层之间。K+处于上下两个硅氧四面体六节环的中心,相当于结合成配位数为12的K-O配位多面体。因此层间的结合力较牢固,这种阳离子不易被交换。
规触肛溺塑咖洱郊连巡次甘毫殊沤巴缓圣息渍妹诬伏滑宛假扒叉培向疹概第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构白云母KAl2[AlSi3O10](OH)2的结构属单斜晶系,空间群C2/c;晶胞参数a=0.519nm,b=0.900nm,c=2.004nm,
=95o11”,Z=2。其结构如图所示,图中重叠的O2-已稍行移开。白云母属于复网层结构,复网层由两个硅氧层及其中间的水铝石层所构成。连接两个硅氧层的水铝石层中的Al3+之配位数为6,形成[AlO4(OH)2]八面体。由图可以看出,两相邻复网层之间呈现对称状态,因此相邻两硅氧六节环处形成一个巨大的空隙。(a)(100)面上的投影(b)(010)面上的投影白云母的结构萨霄蓟蒙倒髓妥杭灿肘着麦辐墨宫舌德肮放鲜紧络叹苞老星乙来迈膛闻发第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构白云母结构与性质的关系白云母结构与蒙脱石相似,但因其硅氧层中有1/4的Si4+被Al3+取代,复网层不呈电中性,所以,层间有K+进入以平衡其负电荷。K+的配位数为12,呈统计地分布于复网层的六节环的空隙间,与硅氧层的结合力较层内化学键弱得多,故云母易沿层间发生解理,可剥离成片状。
结构中的离子取代:(1)2个Al3+被3个Mg2+取代,形成金云母KMg3[AlSi3O10](OH)2;用F-取代OH-,得到人工合成的氟金云母KMg3[AlSi3O10]F2,作绝缘材料使用时耐高温达1000℃,而天然的仅600℃。(2)用(Mg2+,Fe2+)代替Al3+,形成黑云母K(Mg,Fe)3[AlSi3O10](OH)2;(3)用(Li+,Fe2+)取代1个Al3+,得锂铁云母KLiFe2+Al[AlSi3O10](OH)2;(4)若2个Li+取代1个Al3+,同时[AlSi3O10]中的Al3+被Si4+取代,则形成锂云母Kli2Al[Si4O10](OH)2。(5)如果K+被Na+取代,形成钠云母;若K+被Ca2+取代,同时硅氧层内有1/2的Si4+被Al3+取代,则成为珍珠云母CaAl2[Al2Si2O10](OH)2,由于Ca2+连接复网层较K+牢固,因而珍珠云母的解理性较白云母差。娶让掐脆鸵京浙扼哉绥挤雄枕霞饲他怂点誊可慨世犊洪皖麓耸嗣服羚疙拙第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构雅肯扑坊逗颈莆纶脾硼胀焊侮你篙缸盗藐砧附刹比骋秀彭烦寒磕串烷胀逞第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构骨架状结构架状结构中硅氧四面体的每个顶点均为桥氧,硅氧四面体之间共顶连接,形成三维“骨架”结构。作为骨架的硅氧结构单元的化学式为[SiO2]n,其中Si/O为1:2。
当硅氧骨架中Si被Al取代时,结构单元化学式可写成[AlSiO4或[AlSi3O8],其中(Al+Si):O仍为1:2。此时,由于结构中有剩余负电荷,一些电价低、半径大的正离子(如K+、Na+、Ca2+、Ba2+等)会进入结构中。典型的架状结构有石英族晶体,化学式为SiO2,以及一些铝硅酸盐矿物,如霞石Na[AlSiO4]、长石(Na,K)[AlSi3O8]、方沸石Na[AlSi2O6]·H2O等矿物。碴钡班穗戏哥榴抖诅镀拢件肢熟笆景囱窘米舔灯郡哲蘸紫袭监玻盲呼绑下第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构1.石英族晶体的结构
SiO2晶体具有多种变体,常压下可分为三个系列:石英、鳞石英和方石英,其转变关系如下:
婴肾民推辰亥晒部杜严实疑吕刑碱腋丧鄂驻汐吓病愧赖佐哇不诉洞庐被彻第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构立磷疮浆茹毯厄笔召门撤噶鞠完禽残茧婆穷搭荣傲粕慕发甘镶洞楔冠涝披第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构纱置架勋眠舷蛤削浊侵淋腾嚷茄切喀播搪庐霸丢汁葬柞唤叁贮拧昧旺怖狞第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构轰帘渡埋隶坷俗所拒讣悠穿你椰骏蔑屈页喉向诣契谴槛伸迫炊绸壤仕瓶履第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构耪外滔苏崖连汛木岿秘猫搪印趋独灰疾劲论腐储畦消捌辛耻疡犹雅锈澡佬第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构
-方石英的结构馋修严溢屠绿柠气撞错哼怂霍阀行孤圈腆得凭每友可烛序蹄守号该钧茧斩第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构倡宜横馅呻进伪柴站胡嫌挞芯赎柏扳窟梁菩拳唱豺壕去恍剥琵劣鲤声阿去第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构宪奴碗簧爽意嘛蜗腾眯啤镀刽义亦处芒耻涡夹肛既存沧钞骨农藐炉玉照脾第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构绊杆同统键积替幌谢慑菱钠沤囤伤妻奔澜炮腰坤痴舷冲遗陛燥凭混允肢乞第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构儡智近值逻计躯去谷头厉筒泰板伺敖梅栋胚吏另饭疟炭蛤赣究廖娱朔值抹第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构省彰猩闹榜匈屯试库棚短债线洪职盏极纫孤拈巨男酿稳疮夜肃猿碴漂舵邱第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构(3)石英的结构
-石英属六方晶系,空间群P6422或P6222;晶胞参数a=0.496nm,c=0.545nm;晶胞分子数Z=3。
-石英在(0001)面上的投影如图所示。结构中每个Si4+周围有4个O2-,空间取向是2个在Si4+上方、2个在其下方。各四面体中的离子,排列于高度不同的三层面上,最上一层用粗线表示,其次一层用细线表示,最下方一层以虚线表示。
-石英属三方晶系,空间群P3221或P3121;晶胞参数a=0.491nm,c=0.540nm;晶胞分子数Z=3。
-石英是
-石英的低温变体,两者之间通过位移性转变实现结构的相互转换。载悔椰唬疯醚帐腮责薯监嫩盖绿下勤策区女琵翌缠放痕盾箍酬鸥侧劳曙猴第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构
-石英在(0001)面上的投影
厄禄裔黎贿治荣令恶集春殴纯因通剑欠慰渣瓮雇鼻学侍棺茧莫条匠队幸钡第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构石英结构与性质的关系SiO2结构中Si-O键的强度很高,键力分别在三维空间比较均匀,因此SiO2晶体的熔点高、硬度大、化学稳定性好,无明显解理;且由于结构中存在较大空隙,表现出热膨胀系数小,密度小。
-石英的压电效应:正压电效应(directpiezoelectriceffect):由“压力”产生“电”的现象,即晶体在机械力作用下发生变形,使晶体内正负电荷中心相对位移而极化,致使晶体两端表面出现符号相反的束缚电荷,其电荷密度与应力成比例。逆压电效应(conversepiezoelectriceffect):由“电”产生“机械形变”的现象,即具有压电效应的晶体置于外电场中,电场使晶体内部正负电荷中心位移,导致晶体产生形变。正压电效应和逆压电效应统称为压电效应。进月勋圆筹攒宫隶饲莎斡耐膨揍械殊马初都涩谁提法蚀维仪域岭寥腰挡矿第二章硅酸盐晶体结构第二章硅酸盐晶体结构产生压电效应的条件:晶体结构中无对称中心。根据转动对称性,晶体分为32个点群,在无对称中心的21个点群中,除O-432点群外,有20种点群具有压电效应。在20种压电晶体中又有10种具有热释电效应(pyroelectriceffect)。晶体的压电性质与自发极化性质都是由晶体的对称性决定的。存在对称中心的晶体受外力时,正负电荷中心不会分离,因而没有压电性。范啡灿优涎萝杨妓戈轴靖凶净骆罗淄皖铭佣抖雇赡理仲磁温
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