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文档简介

1磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材本标准适用于提拉或铸造工艺制造的半导体电子器件用的各类硅YS/T276（所有部分）铟化学分2002/95/EC欧盟关于在电气电子设备中限制使用某些有害物质指令IEC62321-5-2013电工电水平的测定（Electrotechnicalproducts-Determinationoflevelsofscadmium,hexavalentchromium,polybrominatedbiphenyls,polybrominateddiphenELECTROTECHICALPRODUCTS-Par测定聚合物和电子设备中的镉、铅和铬以及金属中的镉和铅（Determinationofcertainsubstancesinelectrotechnicalproducts-Part5:Cadmium,leadandchromiuminleadinmetalsbyAAS,ICP-OESandICP-MS）2度达百万分之一级(μg/g）。硅与背板之间的实际接合面积占应结合面积4.1靶材材料34.2背板材质的要求4.2.1平面靶材的背板为铜，铜板的牌号及化学成分应符合GB/T54.3邦定材料的要求5.1产品分类5.1.3产品按供货状态，分为未邦定硅靶材和邦定硅靶材。5.1.4产品按导电类型，分为P型硅靶材和N型硅靶5.2供货状态5.3牌号5.4供货状态磁控溅射硅靶材以加工后未邦定态供货以及加工后邦定态4Al的质量分数(μg/g）Cu的质量分数(μg/g）Fe的质量分数(μg/g）Pb的质量分数(μg/g）Ni的质量分数(μg/g）Sb的质量分数(μg/g）Au的质量分数(μg/g）Pd的质量分数(μg/g）Mg的质量分数(μg/g）As的质量分数(μg/g）Sn的质量分数(μg/g）Cr的质量分数(μg/g）Mn的质量分数(μg/g）平面靶材和旋转靶材的几何尺寸应按照需方的要求及技术±0.1±0.2±0.1±0.2±0.1±0.25磁控溅射硅靶材的表面粗糙度Ra值应不大于1.6μ——磁控溅射硅靶材表面应清洁光滑，无指痕，无油污和锈蚀。邦定后硅靶材与背板的搭接率应不小于95%，同时单个不良接触区域的面积不大于应搭接面积的磁控溅射硅靶材的化学成分分析按GB/T24582-2009的磁控溅射硅靶材的几何尺寸及允许偏差的检验按GB/T6093-20016磁控溅射硅靶材的表面粗糙度的检验按GB/T29505-2018.1.1产品应由供方质量检验部门进行检验，产品质量符合本标准（或订货合同）的规定，并填写质8.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行复验。复验结果与本标准（或订货合同）的规定不符7锭上下表面任意部位每个尺寸的边缘和中每个表面任意部位三处4.4.34.4.64.4.7每批一份（在一批的任意一块坯料上选（整片邦定后的硅靶4.5.38.4.3表面粗糙度检验不合格时，判定该89标志、包装、运输、贮存9.1标志b)产品等级、纯度；j)生产厂家地址、电

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