浙江里阳半导体有限公司年产60万片功率半导体芯片及分立器件制造生产线技改项目环境影响报告

浙江里阳半导体有限公司年产60万片功率半导体芯片及分立器件制造生产线技改项目环境影响报告书(报批稿)二○一八年十一月I 11.1项目背景 11.2评价目的和原则 21.2.1评价目的 21.2.2评价原则 21.3环境影响评价的工作程序 31.4建设项目特点 41.5环评关注的主要环境问题 41.6相关情况判定 41.7环评主要结论 5 62.1编制依据 62.1.1国家有关法律法规及部门规章 62.1.2地方有关法规和环境保护文件 82.1.3有关技术技术规范 92.1.4项目技术文件及其他依据 102.2环境影响因素识别 112.3评价因子与评价标准 112.3.1评价因子 112.3.2环境质量标准 122.3.3污染物排放标准 172.4评价工作等级 202.5评价范围及环境保护目标 212.5.1评价范围 212.5.2环境保护目标 222.6相关规划及环境功能区划 262.6.1《玉环县域总体规划（2006-2020）》 262.6.2环境功能区划 262.7环境基础设施建设情况 282.7.1玉环市污水处理厂 282.7.2浙江省台州市危险废物处置中心 30 323.1建设项目概况 323.2产品方案、产能匹配性分析及平面布置 333.3主要设备与原辅料消耗 353.4生产工艺 403.5设备工艺先进性分析 643.6物料平衡 653.7项目污染因素分析 673.8污染源强估算 683.8.1废水污染源分析 683.8.2废气污染源分析 82II3.8.3固废污染源分析 933.8.4噪声污染源分析 1003.9项目污染源强汇总 1023.10非正常工况污染源强 103 1044.1自然环境概况 1044.1.1地理位置 1044.1.2地质地貌 1044.1.3气象气候 1044.1.4地表水文特征 1054.2环境空气质量现状评价 1074.3水环境质量现状评价 1104.3.1地表水环境质量现状评价 1104.3.2地下水环境质量现状评价 1124.4声环境质量现状评价 1154.5土壤环境质量现状评价 115 1185.1施工期环境影响分析 1185.2营运期环境影响分析 1185.2.1环境空气影响分析 1185.2.2地表水环境影响分析 1345.2.3地下水环境影响分析 1355.2.4固废影响分析 1405.2.5声环境影响分析 1435.3环境风险评价 1465.3.1风险识别 1465.3.2源项及影响分析 1495.3.3风险防范措施 1545.4退役期环境影响分析 159 1616.1废水防治对策 1616.2地下水污染防治措施 1706.3废气防治措施 1716.4固废防治对策 1736.5噪声防治对策 1756.6污染防治措施清单 1756.7行业相关规范符合性分析 1776.7.1与《浙江省电镀产业环境准入指导意见（修订）》符合性分析 1776.7.2与《电镀行业规范条件》相符性分析 179 1827.1项目投资估算和分析 1827.2环保投资及运行费用 1827.3环境经济损益分析 1827.3.1环境经济损益分析的目的和方法 182III7.3.2基础数据 1837.3.3环境经济指标确定 1837.4环保经济损益分析 1847.4.1环保经济效益指标计算 1847.4.2环境经济的静态分析 1857.5小结 185 1868.1环境管理 1868.1.1管理机构 1868.1.2管理职责 1868.1.3管理制度 1878.2环境监测计划 1888.2.1监测机构 1888.2.2监测职责 1888.2.3监测计划 1888.2.4竣工验收监测 1898.3污染物排放清单 1928.3.1总量控制 1928.3.2污染物排放清单 194 1979.1结论 1979.1.1环境质量现状结论 1979.1.2工程分析结论 1989.1.3环境影响结论 1999.1.4污染防治结论 2009.2建设项目环评审批符合性分析 2029.2.1环评审批原则符合性分析 2029.2.2“三线一单”控制要求符合性 2039.2.3其他要求符合性分析 2049.3总结论 2051.1项目背景电力电子器件是采用半导体材料制造、用于实现电能高效转换的开关控制电子器浙江里阳半导体有限公司是一家专业从事功率半导体芯片及分立器件生产的电子激光划片机、氧化清洗机等设备，采用清洗、热氧光刻、刻蚀、金属沉积、封装、电镀锡等，项目达产后可形成年产60万片功率半导体芯片及分立器件的生产能力，实现销售24000万元，利税3120万电力电子元器件制造）和C397电子器件制造（C3972半导体分立器件制造、C3973集根据《中华人民共和国环境影响评价法》和《浙江省分类管理名录》（原国家环保部令第44号）和《关于修改《建设项目环境影响评价分类管理名录》部分内容的决定》（生态环境部令部令第1号），本报告书，其他（仅组装的除外）做报告表，仅组装的做登记表”，也涉及《名录》项目做登记表。”），），1.2评价目的和原则（1）通过对项目所在地周围社会、经济和环境现状的调查与有关资料收集，掌握（2）通过对本项目的分析，分析项目污染源强、污染因子，弄清项目的“三废”排（3）通过对整个项目环境制约因素分析，结合经济发展与环境保护相互协调、相律和法规，形成环境影响分析结论，为项目主管部门提1.3环境影响评价的工作程序1.4建设项目特点1.5环评关注的主要环境问题1.6相关情况判定地性质为工业用地，企业选址符合《玉环县域总体规划（2006-2020）》。年本2016年修正）》，本项目属于鼓励类中的“二十八、信息产业第21小点新型敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）制造”，不备案（项目代码2018-331021-39-03-061563-000）。因此本项目符合国家和省有关产业1.7环评主要结论本项目符合环境功能区划要求；排放污染物符合国家、省规定的污染物排放标准，2.1编制依据19、《国务院关于印发“十三五”生态环境保护规划的通知》，国发[2016]65号，），23、国土资源部、国家发改委《关于发布实施<限制用地项目目录（2012年本）>24、原环境保护部、卫生部《关于进一步加强危险废物和医疗废物监管工作的意27、原环境保护部办公厅《关于印发<建设项目主要污染物排放总量指标审核及管），32、原环境保护部《关于发布<一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准>），），），），6、浙江省人民政府办公厅《关于印发浙江省建设项目环境影响评价文件分级审批），8、《关于印发浙江省大气污染防治“十三五”规划的通知》，浙发改规划〔2017〕9、原浙江省环境保护厅《关于做好挥发性有机物总量控制工作的通知》，浙环发），12、原浙江省环保厅《关于发布<省环境保护主管部门负责审批环境影响的建设项目清单（2015年本）>及<设区市环境保护主管部门负责审批环境影响评价文15、《浙江省环境保护厅关于印发建设项目环境影响评价信息公开相关法律法规21、台州市人民政府办公室《关于印发台州市大气污染防治工作计划（2014-201722、台州市人民政府《关于印发台州市水污染防治行动计划的通知》，台政发23、《关于印发<台州市2018年度土壤污染综合防治先行区建设实施方案>的通），25、《台州市人民政府关于玉环市浙江环力烟机有限公司地块误划为生态功能保），1、原环境保护部《建设项目环境影响评价技术导则－总纲》（HJ2.1-2016），），7、原国家环境保护总局《建设项目环境风险评价技术导则》（HJ/T169-2004），13、生态环境部《建设项目竣工环境保护验收技术指南污染影响类》（生态环境），），16、原浙江省环保局《浙江省建设项目环境影响评价技术要点（修订版）》，2018-331021-39-03-0612.2环境影响因素识别实施阶段环境因素大气环境地表水环境地下水环境声环境土壤环境环境建设阶段设备安装///--DZ//环保设施建设-DZ-DJ-DZ--DZ-DZ/生产运行生产车间--CZ--CJ-CJ-CZ-CJ/固废贮存//-CJ/-CJ/废水处理/++CZ+CJ/+CJ/废气处理++CZ/////++、+”表示“很有利、较有利、略有利”；“Z/J”表示“直接/间接”；“/”表示无相关关系。2.3评价因子与评价标准评价要素影响评价因子地表水pH值、溶解氧、高锰酸盐指数、悬浮物、氟化物氨氮、总磷、石油类总锡、总铜、总镍、总磷、总氮、SS地下水水位、pH值、氨氮、硝酸盐、亚硝氟化物、溶解性总固体、高锰酸盐指数、硫酸盐、氰化物、总大肠菌群、砷、汞、镉、铁、铅、锰、Na+、Mg2+、Ca2+、K+、Cl-、SO42-、CO32-、HCO3-环境空气PM10、PM2.5、CO、O3、二氧化硫、二氧化氮、乙酸丁酯、二甲苯、氟化物、氯化氢、氨、臭气浓度、非甲烷总烃盐酸雾、硫酸雾、醋酸、氮氧化物、甲基磺酸、氨气、氢氟酸、二甲苯、乙酸丁酯、甲醇、异丙醇、非甲烷总烃声环境等效连续A声级等效连续A声级土壤环境①重金属和无机物（7个）：砷、镉、铬（六价）、铜、铅、汞、镍②挥发性有机物（27个）：四氯化碳、氯仿、氯甲烷、1,1-二氯乙烷、1,2-二氯乙烷、1,1-二氯乙烯、顺-1,2-二氯乙烯、反-1,2-二氯乙烯、二氯甲烷、1,2-二氯丙四氯乙烯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、三氯乙烯、1,2,3-三氯丙烷、氯乙烯、苯、氯苯、1,2-二氯苯、1,4-二氯苯、乙苯、苯乙烯、甲苯、间二甲苯+对二甲苯、③半挥发性有机物（11个）：硝基苯、苯胺、2-氯酚、苯并[a]蒽、苯并[a]芘、苯并[b]荧蒽、苯并[k]荧蒽、䓛、二苯并[a,h]蒽、茚并[1,2,3-cd]芘、萘-表2.3-2《地表水环境质量标准》（GB3838-2002）单位：除pH外，mg/L项目Ⅳ类标准pH值(无量纲)溶解氧≥3高锰酸盐指数≤化学需氧量≤30五日生化需氧量≤6氨氮(NH3-N)≤总磷（以P计）≤0.3石油类≤0.5LAS≤0.3..序号指标III类Ⅳ类感官性状及一般化学指标1色（铂钴色度单位）≤5≤5≤15≤25>252pH值6.5≤pH≤8.55.5≤pH≤6.58.5≤pH≤9.0pH<5.5或pH>9.03总硬度（以CaCO3计）/（mg/L）≤150≤300≤450≤650>6504溶解性总固体/（mg/L）≤300≤500≤1000≤2000>20005硫酸盐/（mg/L）≤50≤150≤250≤350>3506氯化物/（mg/L）≤50≤150≤250≤350>3507铁/（mg/L）≤0.1≤0.2≤0.3≤2.0>2.08锰/（mg/L）≤0.05≤0.05≤0.10≤1.50>1.509铜/（mg/L）≤0.01≤0.05≤1.00≤1.50>1.50锌/（mg/L）≤0.05≤0.5≤1.00≤5.00>5.00/（mg/L）≤0.001≤0.001≤0.002≤0.01>0.01耗氧量（CODMn法，以O2计）/（mg/L）≤1.0≤2.0≤3.0≤10.0>10.0/（mg/L）≤0.02≤0.10≤0.50≤1.50>1.50微生物指标总大肠菌群/（MPNb/100mL或CFUc/100mL）≤3.0≤3.0≤3.0≤100>100菌落总数/（CFU/mL）≤100≤100≤100≤1000>1000毒理学指标亚硝酸盐（以N计）/（mg/L）≤0.01≤0.10≤1.00≤4.80>4.80≤2.0≤5.0≤20.0≤30.0>30.0氟化物/（mg/L）≤1.0≤1.0≤1.0≤2.0>2.0氰化物/（mg/L）≤0.001≤0.01≤0.05≤0.1>0.120汞/（mg/L）≤0.0001≤0.0001≤0.001≤0.002>0.00221砷/（mg/L）≤0.001≤0.001≤0.01≤0.05>0.0522镉/（mg/L）≤0.0001≤0.001≤0.005≤0.01>0.0123铬（六价）/（mg/L）≤0.005≤0.01≤0.05≤0.10>0.1024铅/（mg/L）≤0.005≤0.005≤0.01≤0.10>0.10非常规指标及限值25镍/（mg/L）≤0.002≤0.002≤0.02≤0.10>0.10（GB3095-2012）及其修改单（生态环境部价技术导则大气环境》（HJ2.2-2018）附录D中的参考限值；非甲烷总烃参考环保部照“前苏联居民区大气中有害物质的最大允许浓度”（CH-245-71）相关标准，甲基磺酸），评价因子平均时段标准值单位标准来源SO2年平均60μg/m3《环境空气质量标准》（GB3095-2012）二级及其修24小时平均1小时平均500NO2年平均4024小时平均1小时平均200NOx年平均5024小时平均1小时平均250PM10年平均7024小时平均PM2.5年平均3524小时平均75TSP年平均20024小时平均300CO4mg/m31小时平均O3平均μg/m31小时平均200氟化物（F）1小时平均20μg/m324小时平均7氨200μg/m3《环境影响评价技术导则大气环境》（HJ2.2-2018）附录D氯化氢50硫酸3003000二甲苯200总挥发性有机物（TVOC）8h平均600醋酸最大一次0.2mg/m3前苏联CH245-71昼夜平均0.06异丙醇最大一次0.6昼夜平均0.6乙酸丁酯最大一次0.1昼夜平均0.1甲基磺酸①0.021mg/m3AMEG计算值一次值②0.064非甲烷总烃1小时平均2.0mg/m3环保部科技标准司《大气污染物综合排放标准详解》注：①根据经验公式计算其空气质量目标值AMEG，计算公式为：AMEGAH(μg/m3）=0.107×LD50甲基磺酸的LD50=200mg/kg，则甲基磺酸的AMEGAH(μg/m3）=0.107×200=21.4μg/m3②根据《环境影响评价技术导则-大气环境》（HJ2.2-2008居住区一次浓度值取日均值的3倍。环境质量执行《声环境质量标准》（GB3096-2008）2类标准，其中靠226省道一侧执表2.3-5《声环境质量标准》（GB3096-2008）单位：dB昼间夜间260504a7055土壤环境质量执行《土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）第二类用地相关标准，详见表2.3-6。.表建设用地土壤污染风险筛选值和管制值.序号污染物项目CAS编号筛选值管制值基本项目重金属和无机物1砷7440-38-2602镉7440-43-9653铬（六价）18540-29-95.7784铜7440-50-818000360005铅7439-92-180025006汞7439-97-6387镍7440-02-09002000挥发性有机物8四氯化碳56-23-52.8369氯仿67-66-30.9氯甲烷74-87-3371,1-二氯乙烷75-34-391,2-二氯乙烷107-06-25211,1-二氯乙烯75-35-466200顺-1,2-二氯乙烯156-59-25962000反-1,2-二氯乙烯156-60-554二氯甲烷75-09-261620001,2-二氯丙烷78-87-55471,1,1,2-四氯乙烷630-20-61,1,2,2-四氯乙烷79-34-56.85020四氯乙烯127-18-4532171-55-6840840221,1,2-三氯乙烷79-00-52.823三氯乙烯79-01-62.820241,2,3-三氯丙烷96-18-40.5525氯乙烯75-01-40.434.326苯71-43-244027氯苯108-90-72701000281,2-二氯苯95-50-1560560291,4-二氯苯106-46-72020030100-41-42828031苯乙烯100-42-51290129032108-88-31200120033间二甲苯+对二甲苯108-38-3,106-42-357057034邻二甲苯95-47-6640640半挥发性有机物35硝基苯98-95-37676036苯胺62-53-3260663372-氯酚95-57-82256450038苯并[a]蒽56-55-339苯并[a]芘50-32-840苯并(b)荧蒽205-99-241苯并(k)荧蒽207-08-9150042䓛218-01-912931290043二苯并[a,h]蒽53-70-344茚并(1,2,3-cd)芘193-39-545萘91-20-370700入玉环市污水处理厂处理。废水排放执行《电镀污染物排放标准》（GB219），行污水厂进管标准（其中氨氮执行《工业企业废水氮、磷污染物间接排放限值》目前玉环市污水处理厂出水执行《台州市城镇污水处理厂出水指标及标准限值表表2.3-7《电镀污染物排放标准》（GB序号污染物项目排放限值污染物排放监控位置1总镍（mg/L）0.1车间或生产设施废水排放口2总铜（mg/L）0.3企业废水总排放口3总铝（mg/L）2.0企业废水总排放口4氟化物（mg/L）企业废水总排放口5总锡*（mg/L）5.0车间（或车间处理设施）排口和总排口6单位产品基准排层）单层镀排水量计量位置与污染物排放监控位置一致注*：参考上海市《污水综合排放标准》（DB31-199-2009）。..污染因子pHCODCrBOD5NH3-N（以P计）进管标准40035300870出水标准3061.5（2.5）50.315（12）注：每年12月1日到次年3月31日执行括号内的排放限值。害因素职业接触限值化学有害因素》（GBZ2.1-2007）的污染物最高允许排放浓度(mg/m3)最高允许排放速率(kg/h)无组织排放监控浓度备注排气筒(m)二级监控点(mg/m3)颗粒物3.5周界外浓度最高点（GB16297-1996）二级205.93023氮氧化物2400.77周界外浓度最高点20304.4氯化氢0.26周界外浓度最高点0.2200.4330硫酸雾45周界外浓度最高点202.6308.8氟化物9.00.10周界外浓度最高点20μg/m3200.17300.59二甲苯70周界外浓度最高点20305.9周界外浓度最高点208.63029非甲烷总烃周界外浓度最高点4.0203053乙酸丁酯2000.6②//GBZ2.1-200720异丙醇3503.6②//207.2②醋酸//202.4②甲基磺酸①90.384②//DMEG计算值200.768②注：①DMEGAH(μg/m3）=45×LD50，甲基磺酸的LD50=200mg/kg，则甲基磺酸的DMEGAH(μg/m3）=45×200=9000μg/m3。②根据《制定地方大气污染物排放标准的技术方法》（GB/T3840-91）计算最高允许排放速率，具体公示如下：Q=CmRKe式中，Q——排气筒允许排放速率，kg/h；Cm——标准浓度限值，mg/m3；R——排放系数，浙江省二类功能区15m高排气筒R取6，20m高排气筒R取12；Ke——地区性经济技术系数，取值为0.5-1.5，本环评取1.0。根据表2.3-4，乙酸丁酯、异丙醇、醋0.6mg/m3、0.2mg/m3、0.064mg/m3，则15m高排气筒各因子最高允许排放速率分别为0.6kg/h、3.6kg/h、1.2kg/h、0.384kg/h；20m高排气筒各因子最高允许排放速率分别为1.2kg/h、7.2kg/h、2.4kg/h、0.768kg/h。控制项目单位二级臭气浓度无量纲20氨mg/m3控制项目排气筒高度（m）排放强度（kg/h）臭气浓度2000（无量纲）256000（无量纲）3515000（无量纲）氨4.9208.725昼间dB夜间dB2605047055险废物收集贮存运输技术规范》(HJ2025-2012)。一般工业固体废弃物的贮存应符合2.4评价工作等级根据《环境影响评价技术导则－大气环境》（HJ2.2-2008）规定，按下表进行评价污染源污染因子最大落地浓度(μg/m3)最大浓度落地点(m)评价标准(μg/m3)(%)D10%(m)推荐评价等级推荐评价范围(km2)酸性废气排气筒盐酸雾0.03458.050.000.050.00三5.00×5.00硫酸雾0.04458.0300.000.010.00三5.00×5.00醋酸0.25458.0200.000.00三5.00×5.00氮氧化物0.01458.0250.000.000.00三5.00×5.000.06458.064.000.090.00三5.00×5.00氢氟酸0.00458.020.000.010.00三5.00×5.00碱性废气排气筒373.0200.000.060.00三5.00×5.00有机废气排气筒二甲苯0.40500.0200.000.200.00三5.00×5.00非甲烷总烃0.10500.02000.000.010.00三5.00×5.00乙酸丁酯0.07505.0100.000.070.00三5.00×5.00500.03000.000.060.00三5.00×5.00异丙醇0.00500.0600.000.000.00三5.00×5.00生产车间盐酸雾0.4350.000.860.00三5.00×5.00面源硫酸雾0.57300.000.190.00三5.00×5.00醋酸2.86200.000.00三5.00×5.00氮氧化物250.000.060.00三5.00×5.000.7164.000.00三5.00×5.00氢氟酸0.0420.000.210.00三5.00×5.000.43200.000.210.00三5.00×5.00二甲苯5.72200.002.860.00三5.00×5.00非甲烷总烃2000.000.070.00三5.00×5.00乙酸丁酯100.000.00三5.00×5.0027.453000.000.920.00三5.00×5.00异丙醇600.000.020.00三5.00×5.00所有污染源所有污染物27.45--2.860.00三5.00×5.00本项目实施后企业废水排放量为80779t/a（269t/d），企业产生的废水经预处理达标后纳管进入玉环市污水处理厂处理，根据《环境影响评价技术导则－地面水环境》），3、声环境：本项目位于玉环市芦浦镇漩门工业区，项目所在地东侧为漩门村居民），），5、风险评价：根据《建设项目环境风险评价技术导则境风险评价实用技术和方法》，未构成重大危险源，环境风险评价等2.5评价范围及环境保护目标（1）水环境：其保护目标为项目附近地表（2）空气环境：保证项目所在区域及附近区域的空气质量达到《环境空气质量标（3）声环境：使项目所在区域的声环境在《声环境质量标准》（GB3096-2008）2（4）固体废弃物：分类集中后进行减量化、资源化和（5）周围环境现状及环境敏感点：浙江里阳半导体有限公司位于玉环市芦浦镇漩门工业区，租用浙江环力烟机有限公司部分厂房。企业东侧为漩门村居民区，南侧为S226省道，隔路为漩门工业城企业集聚区主要环境敏感点为：企业东北面35m（距离生产车间131m）处的漩门村居环境要素地名方位与本项目厂界（车间）距离备注功能要求保护级别环境漩门村东/东北35m（131m）人口814人环境空气质量二类区GB3095-2012二级道头村北452m（454m）凤凰村原壳业村东北556户，165人原渡头村东北364户，1067人海边村280m（295m）来人口420人下段村总人数672人华盛村外来人口800多人民人口1167人，外来人口11643人北侧公益林北侧毗邻常绿阔叶林(木麻黄林)水环境人民塘河全长24.03公里景观娱乐用水区GB3838-2002Ⅳ类声厂界边界---GB12348-20082类、4a类地下水厂址区域--非饮用水源非饮用水源-注：括号内为敏感点距车间距离。 第24页山体(公益林)省道2010南机高度5公生图2.5-1项目所在地周围环境概况夏图2.5-2项目所在地周边2.5km范围敏感点示意图2.6相关规划及环境功能区划根据《玉环县城市总体规划》及玉政函[2004]138号批复，玉环县城城市总体规划建设用地与自然生态的融合，将漩门三期以及城区周围的山体完美的组织到城市空间环海洋经济转型示范升级区毗邻，主要道路为S226；北面仓储区块和海洋渔业产业园主导功能：保障玉城街道、坎门街道原有工业企业的正常生产和乡镇建设，并逐）；）；本化学原料制造；肥料制造；农药制造；涂料、染料、颜料、油墨及其）；）；2.7环境基础设施建设情况），[2001]87号文件批准立项，属省重点工程。玉环市污水处理厂工程于2001年3月正式物处理），二级处理至《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918-2002）一级B时间水温(℃)pH值(无量纲)量表面活性剂2018-08//244.30.340.030.04<0.05<0.0042018-09//240.320.050.270.09<0.05<0.0042018-10//302<0.01<0.040.09<0.05<0.004/6-9≤30≤6≤1.5≤12（15）≤0.3≤0.5≤0.5≤0.3≤0.05是否达标//达标达标达标达标达标达标达标达标达标时间化物氯化物(ug/L)(ug/L)粪大肠菌群（个/L）2018-08<0.004<0.02<0.006<0.02403<0.004<0.005<0.07<0.04<0.3<202018-09<0.004<0.02<0.006<0.02399<0.004<0.005<0.07<0.04<0.3<202018-10<0.004<0.02<0.006<0.02346<0.004<0.005<0.07<0.04<0.3<20≤0.5/≤0.5≤0.05/≤0.1≤0.01≤0.1≤1≤100≤1000是否达标达标/达标达标/达标达标达标达标达标达标备注：每年12月1日到次年3月31日执行括号内的排放限值。《台州市城镇污水处理厂出水指标及标准限值表（试行）》（准地表水Ⅳ类）中没有的指标按《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918-2002）中的表2、表3执行。），第三章建设项目概况与工程分析3.1建设项目概况3、项目性质：新建（项目租用浙江环力烟机有限公司厂房，故经信部门备案通知6、主要建设内容：租用浙江环力烟机有限公司部分厂房，购置硅片磨蚀机、激光划片机、氧化清洗机等国产设备，项目建成后可形成年产60万片功率半导体芯片及分总建筑面积共8800m2。主体工程生产车间车间面积为80×25m2，设置原材料仓库、产品仓库、塑封车间。生产车间均为洁净车间。2F车间面积为80×25m2，设置光刻车间、显影车间、湿法车间、扩散车间、蒸发车间、中测车间、划片车间、芯片仓库、办公室等。生产车间均为洁净车间。3F车间面积为80×25m2，设置大芯片封装车间、电镀车间、焊接车间、键合车间、测试车间、办公室。生产车间均为洁净车间。办公楼位于厂区东北侧。辅助工程化学品仓库化学品仓库1位于厂区东南侧，面积约13×8m2，共2F，为丙类仓库，主要存放酸等化学品；化学品仓库2位于生产车间北侧，面积为12×3m2，共1F，为甲类仓库，主要存放显影液等化学品。特种气体位于2F扩散车间内，不单独设置。液氮站位于生产车间西侧，设氮气汽化系统一套。液氧储罐区位于生产车间西侧。氢气储罐区位于生产车间西侧。冷却水塔共3台，位于生产车间楼顶。空调机房位于生产车间1F，面积为30×12.5m2。变电室位于生产车间1F，面积为7.5×12.5m2。纯水站区位于生产车间1F，面积为28×10m2，产能为25m3/h。压缩空气真空泵房位于生产车间1F，面积为6×10m2。监控室位于生产车间1F，面积为6×10m2。公用工程供水系统由市政供水管网供水。排水系统实行雨污分流，雨水、清下水接入雨水管网；废水经预处理后进入玉环市污水处理厂处理达标后排放。供电系统由工业区电网供电。环保工程废气处理系统企业拟设置5套废气收集处理系统，其中酸性废气处理系统（二级碱液喷淋，添加硫代硫酸钠）一套（28000m3/h碱性废气处理系统（水喷淋）一套（8000m3/h），有机废气处理系统（活性炭吸附浓缩-催化燃烧装置）一套（15000m3/h），以及塑封废气、焊接废气收集系统各一套。污水处理系统企业拟建设一套处理能力为300t/d的废水处理系统，位于生产车间北侧，工艺废水经厂内污水处理设施处理后进入玉环市污水处理厂处理。固废暂存及处置企业拟建设一座危废堆场，面积约80m2，位于生产车间1F。序号位置车间名称洁净度要求1生产车间3F大芯片封装车间2焊接车间34键合车间5测试车间6生产车间2F扩散车间7湿法车间8光刻车间9显影车间蒸发车间划片车间芯片仓库-塑封车间3.2产品方案、产能匹配性分析及平面布置 浙江里阳半导体有限公司年产60万片功率半导体芯片及分立器件制造生产线技改项目表3.2-1产品方案一览表序号月生产规模备注功率晶闸管芯片3.5万片42万片5寸晶圆2其中晶闸管芯片2万片)24000万只(用功率晶闸管芯片24万片)封装后产品3晶闸管电极芯片芯片0.5万片)240万只(用晶闸管芯片6万片)封装后产品4晶闸管模块3万套(用晶闸管芯片1万片+整流二极管芯片1万片)36万套(用晶闸管芯片12万片+整流二极管芯片12万片)封装后产品5整流二极管芯片1.5万片18万片5寸晶圆6其中芯片万片)240万只(用整流二封装后产品本项目芯片生产规模为60万片，其中功率晶闸管芯片42万片，用于制造TO系列塑封管24万片，用于制造晶闸管电极芯片6万片，用于制造晶闸管模块12万片；整流二极管芯片18万片，用于整流二极管电极芯片6万片，用于制造晶闸管模块12万片。最终产品为TO系列塑封管24000万只、晶闸管电极芯片240万只、晶闸管模块36万套、整流二极管电极芯片240万只。24万片24万片TO系列塑封管24000万只晶闸管电极芯片240万只12万片晶闸管模块36万套6万片整流二极管电极芯片240万只功率晶闸管芯片整流二极管芯片60万片图3.2-1产品方案图其中电镀锡生产线产品方案如下：μm58根据企业工艺流程和表3.4-1工艺参数情况，计算得序号设备名称设备数量（台）有效生产时间车间生产时间是否匹配1氧化清洗机16785h/a7200h/a是2二氧化硅刻蚀机（双工位）15000h/a是3硫酸去胶机15225h/a是4硼扩清洗机16815h/a是5磷扩清洗机13405h/a是6沟槽腐蚀机（双工位）11000h/a是7金属化清洗机2575h/a是8金属刻蚀机11025h/a是9有机去胶机1是炉管清洗机275h/a是储罐区、液氧储罐区和液氮汽化站，车间顶楼设置冷却水塔。具体平面3.3主要设备与原辅料消耗序号设备名称数量制造商型号功能1硅片腐蚀机2台定制硅片减薄湿法车间2F2广州半导体研定制方块电阻测试扩散车间2F3氧化炉管定制扩散车间2F4穿通扩散炉管定制扩散车间2F5硼扩炉管定制2管预扩2管再扩扩散车间2F6磷扩炉管定制2管预扩2管再扩扩散车间2F7镓扩炉管（淡硼）定制2管预扩2管再扩扩散车间2F8LPCVD炉管定制台面长膜扩散车间2F9玻璃钝化定制台面钝化扩散车间2F合金炉管定制铝硅合金扩散车间2F滚磨机定制玻璃粉配置滚磨，密闭操作扩散车间2F刮粉台4台定制硅片沟槽上玻璃粉扩散车间2F分析天平定制材料称重扩散车间2F打标机定制产品打标识扩散车间2F自动涂胶机定制光刻胶涂覆光刻车间2F双面光刻2台45所SB-602对位曝光光刻车间2F单面光刻45所BG406对位曝光光刻车间2F显微镜4台上海精仪定制曝光检查光刻车间2F显影台2台定制显影车间2F20烘箱定制前烘与坚膜光刻车间2F21氧化清洗机定制氧化/CVD钝化湿法车间2F22硼扩清洗机定制硼扩工序用湿法车间2F23磷扩清洗机定制磷扩工序用湿法车间2F24硫酸去胶机定制穿通、磷光刻去胶湿法车间2F25金属刻蚀机定制铝金属刻蚀湿法车间2F26沟槽腐蚀机定制沟槽混酸刻蚀湿法车间2F27有机去胶机定制铝光刻去胶湿法车间2F28二氧化硅刻蚀机定制二氧化硅刻蚀湿法车间2F29炉管清洗机2台定制磷扩炉管、硼扩炉管湿法车间2F30甩干机定制清洗后甩干湿法车间2F31干法去胶机进口二手去除光刻后的浮渣湿法车间2F32膜厚测试仪美国二氧化硅膜厚测试扩散车间2F33上海-芯片抽检扩散车间2F34铝蒸发台2台定制铝金属蒸发蒸发车间2F35银蒸发台4台定制银金属蒸发蒸发车间2F36金属化清洗机2台定制铝蒸发前清洗蒸发车间2F37金属化甩干机定制铝蒸发清洗后甩干蒸发车间2F38烘箱定制烘干蒸发车间2F39探针台定制芯片测试中测车间2F40测试系统定制参数测试中测车间2F41烘箱定制墨点烘干中测车间2F42定制耐压检测中测车间2F43贴膜机2台定制蓝膜贴敷中测车间2F44烘箱定制贴膜烘烤中测车间2F45激光划片机2台定制芯片切割划片车间2F46砂轮划片机4台定制芯片切割划片车间2F47划片清洗机2台定制划切后清洗划片车间2F48合计98台序号设备名称数量制造商型号功能1真空烧结炉上海雷努每台3腔芯片焊接1大芯片封装3F2点胶机二次保护大芯片封装3F3镀锡电镀车间3F4烘箱白胶固化大芯片封装3F5测试台芯片测试大芯片封装3F6自动粘片机芯片焊接2焊接车间3F7自动压焊机键合压焊键合车间3F8塑封压机塑封车间1F9轨道测试机测试测试车间3F切筋分离机切筋塑封车间1F烘箱后固化塑封车间1F打标机测试车间3F合计序号设备名称数量规格所在位置1冷水机组2台300RT2冷却水泵250m3/h3冷冻水泵270m3/h4冷冻水二次泵2台300m3/h5空压机组2台360m3/h6冷却水塔300RT楼顶7压缩空气吸附设备2套360m3/h8工艺冷却循环水泵2台30m3/h9工艺真空泵2台28.8m3/h纯水制备系统（70%制备率）10.0m3/hRO水+20.0m3/h超纯水组合风柜2套30000m3/h排风系统2套2000m3/h楼顶液氮储罐+汽化器30m3厂房西侧废水处理站300t/d厂房北侧合计序号贮存位置原料种类年消耗量一次最大贮存量包装方式1化学品库光刻胶2430kg270kg玻璃瓶装500ml/瓶2铝腐蚀液16800kg1874kg塑料桶装3.76L/桶3混合酸12400kg1420kg塑料桶装3.76L/桶4硫酸（98%）3294kg366kg塑料桶装3.76L/桶5盐酸（37%）2124kg236kg塑料桶装3.76L/桶6氨水（29%）5328kg273kg塑料桶装3.76L/桶7氢氟酸（49%）1279kg345kg塑料桶装3.76L/桶8BOE腐蚀液8400kg575kg塑料桶装3.76L/桶9双氧水（31%）7119kg791kg塑料桶装3.76L/桶B2O3硼乳胶源1800kg225kg塑料桶装3.76L/桶显影液14040kg1560kg塑料桶装3.76L/桶6号清洗剂3222kg730kg塑料桶装3.76L/桶三氯氧磷74kg5kg玻璃瓶装500ml/瓶5258kg395kg塑料桶装3.76L/桶异丙醇（99%）280kg79kg塑料桶装3.76L/桶氢氧化钾27540kg3060kg塑料桶装3.76L/桶剥离液5084kg565kg塑料桶装3.76L/桶去毛刺溶液6000kg800kg塑料桶装3.76L/桶去氧化粉剂1000kg100kg塑料桶装3.76L/桶20纯锡电镀络合剂（甲基磺酸70%）2130kg200kg塑料桶装3.76L/桶21纯锡电镀锡盐1600kg150kg塑料桶装3.76L/桶22无铅（纯锡）电镀添加剂500kg50kg塑料桶装3.76L/桶23锡保护剂（异丙醇）500kg50kg塑料桶装3.76L/桶24电解退镀液（甲基磺酸20-75%）3000kg300kg塑料桶装3.76L/桶25丁基卡必醇60Kg5Kg玻璃瓶装500ml/瓶26特气间硅烷270kg30kg钢瓶装27225kg25kg钢瓶装2890kgg钢瓶装29氯化氢244kg27kg钢瓶装30SiH2Cl2g钢瓶装31四氟化碳243kg27kg钢瓶装32仓库硅片纸盒装33测试片0.2万片纸盒装34光刻板0.05万块0.05万块塑料盒装35石英管20只纸箱装36石英舟50只纸箱装37玻璃粉270kg30kg塑料桶装38乙基纤维素5Kg0.5kg塑料袋装39塑封料9000kg1000kg纸箱装40铜框架18000kg2000kg纸箱装41焊片120kg20kg真空包装42焊膏600kg80kg塑料桶装43铝丝（键合用）500kg50卷塑料盒装44铝（蒸发用）200kg50kg真空包装45钛180kg20kg真空包装46镍450kg50kg真空包装47银450kg50kg真空包装48钼片1800kg200kg木箱装49硅橡胶360kg50Kg纸箱装50锡球2795kg150kg木箱装51储罐区液氮600000kg20m3罐装52液氧24000kg3m3杜瓦罐装53氢气站600瓶60瓶钢瓶装序号原料种类成分说明1光刻胶二甲苯75-95%（取85%计）、环化橡胶5-25%（取14.7%）、2,6-二（4-叠氮苯亚甲基）-4甲基环己酮0.2-0.5%（取0.3%）2铝腐蚀液磷酸76.8%、冰乙酸15.2%、硝酸3%、水5%3混合酸硝酸:氢氟酸:冰乙酸=20:60:34BOE腐蚀液氢氟酸：氟化铵=1:55显影液乙酸丁酯40-60%（取50%计）、正庚烷40-60%（取50%计，按非甲烷总烃计）6有机剥离液苯酚70%、表面活性剂30%7塑封料环氧树脂塑封料，由环氧树脂、固化剂、填料、促进剂、脱模剂、偶联剂等组成。8去毛刺溶液杂环酮类衍生物10-30%、醚类衍生物5-30%、聚乙二醇2-10%、氢氧化钾0.2-5.0%9去氧化粉剂过硫酸钠40-70%（取55%）纯锡电镀锡盐甲基磺酸锡51-53%（取52%计）、甲基磺酸3-5%（取4%计）6号清洗剂正庚烷83.2%、OP-10乳化剂12.3%、二丙二醇丁醚4.5%3.4生产工艺 废碱液去胶清洗1硼预扩散前清洗淡硼再扩淡硼再扩散前清淡硼再扩洗穿通区光刻有机废气有机废气CF₄光刻匀胶1光刻对位]光刻显影1干法刻蚀1含氟、氨废水硼预扩散硼穿通扩散前清洗硼穿通扩散淡硼扩散前清洗淡硼预扩散磷光刻光刻匀胶2光刻对位2光刻显影2干法刻蚀2湿法刻蚀2 第42页磷预扩散磷再扩前清洗磷再扩散光刻匀胶3高温洗酸性废水含氨废水酸性废水含氨废水含氟废水含氟、氨废水硼再扩前清洗去胶清洗3干法刻蚀3湿法刻蚀3硼再扩散酸性废水 沟槽光刻沟槽光刻有机废气玻璃粉滚磨钝化水CVD前清洗干法刻蚀5光刻匀胶5光刻匀胶4光刻显影4去胶清洗4沟槽腐蚀有机废气 第44页水含氟废水总烃光刻显影6干法刻蚀6洗5有机废气酸性废水有机废气废显影液含磷废水切割废水循环过滤使用背面金属化清洗废水清洗废水合金 第45页焊片(点胶)领料(芯片)3、分立器件TO系列封装制造工艺环氧树脂有机废气有机废气环氧树脂有机废气有机废气领料(芯片)领料(芯片)测试4、电镀锡生产工艺V√工段/设备槽体名称尺寸（m）单台数溶液主要成分工艺温度操作时长废水排放规律排放去向长宽高磨片化腐（硅片磨蚀机2台）碱洗140%氢氧化钾溶液80℃1天更换一次废水处理站氧化清洗（氧化清洗机1台）碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221HF（49%）:纯水=1:1024h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站纯水洗0.360.20.222纯水5min回用，不排放纯水制备设备再生湿法刻蚀蚀刻0.360.20.222氢氟酸：氟化铵=1:540℃一天更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.222纯水5min废水处理站去胶清洗（硫酸去胶机1台）酸洗0.360.20.221浓硫酸（98%）：双氧水（31%）=95:55min1天更换一次废水处理站酸洗0.360.20.221浓硫酸（98%）：双氧水（31%）=95:53min回用至上一槽-热水洗0.360.20.221纯水60℃每50片产品换一次废水处理站纯水洗0.360.20.223纯水5min逆流清洗，0.13t/（次·50片产品）废水处理站硼预扩散前清洗（共用氧化清洗机）碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站硼穿通扩散前清洗（硼扩清洗机1酸洗0.360.20.221HF（49%）:纯水=1:1024h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站纯水洗0.360.20.222纯水5min回用，不排放纯水制备设备再生淡硼扩散前清洗（共用氧化清洗机）酸洗0.360.20.221HF（49%）:纯水=1:1024h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站淡硼再扩散酸洗0.360.20.221HF（49%）:纯水=1:1024h更换一次废水处理站前清洗（共用硼扩清洗机）纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站磷预扩散前清洗（共用磷扩清洗机）碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站磷再扩前清洗（磷扩清酸洗0.360.20.221HF（49%）:纯水=1:1024h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站纯水洗0.360.20.222纯水5min回用，不排放纯水制备设备再生浓硼预扩散前清洗（共用硼扩清洗机）碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站浓硼再扩散前清洗（共用硼扩清洗机）酸洗0.360.20.221HF（49%）:纯水=1:1024h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站沟槽腐蚀（沟槽腐蚀机1台）酸洗0.460.370.272硝酸:氢氟酸:冰乙酸=20:60:348h更换一次废水处理站纯水洗0.460.400.252纯水5min0.37t/（次·50片产品）废水处理站CVD前清洗（与氧化清洗工序共用设备）碱洗0.360.20.221氨水（29%）:双氧水（31%）:纯水=1:4:2065℃5min12h更换一次，每2h水1600ml废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221盐酸（37%）:双氧水（31%）:纯水=1:2:860-80℃8min12h更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站金属化前清洗（金属化0.360.20.2216号清洗剂5min36h更换一次危废纯水洗0.360.20.221纯水洗5min废水处理站酸洗0.360.20.221氢氟酸:纯水=1:205min三天更换一次废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min片产品）废水处理站铝刻蚀（金属刻蚀机1台双工位）酸洗0.360.20.221铝腐蚀液60℃12h更换一次危废纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站酸洗0.360.20.221铝腐蚀液60℃12h更换一次危废纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站铝去胶清洗（有机去胶机1台）有机清洗0.360.20.221有机剥离液5min1天更换一次危废有机清洗0.360.20.221有机剥离液5min回用至上一槽/0.360.20.2215min1天更换一次危废0.360.20.2215min回用至上一槽/纯水洗0.360.20.221纯水5min废水处理站纯水洗0.360.20.221纯水5min回用至上一槽/炉管清洗（炉管清洗机2台）酸洗1HF:HCl:H2O=1:1:1030min10根管换一次（单台设备每个月洗5根）废水处理站纯水洗1纯水60min废水处理站去毛刺清洗（塑封料软软化0.360.360.221毛刺液5min12小时更换一次废水处理站水洗0.360.360.221水洗5min每台设备0.07t/（次·4000只分立器件）废水处理站注：①纯水洗槽采用鼓泡清洗，清洗槽内安装氮气鼓泡装置，鼓泡的作用是使槽内的水活动起来，加速工件表面附作物的剥离。每批芯片（约50片）浸泡在水槽中，每清洗一遍排放一次废水，共清洗八遍。水洗槽为溢流清洗，有效容积按1计。②药液槽槽液初始有效容积按0.9计。③企业需定期对炉管进行清洗，采用2台炉管清洗机，单台设备每个月洗5根，酸洗槽每洗10根管子需更换一次。④由于去毛刺清洗工序，芯片已进行塑封等，每批次清洗4000只分立器件，产品占槽体容积的绝大部分，因此软化后水洗槽有效容积按0.3计算。槽体名称尺寸数量（个）溶液主要成分工艺温度工艺时间废水排放规律排放去向去氧化0.330.90.8120-50g/L过硫酸钠25-35℃90s一个月定期更换一次废水处理站1-60-90s二级逆流漂洗，0.15t/h废水处理站纯水洗0.330.90.81-60-90s-110%甲基磺酸25-35℃60s一个月定期更换一次废水处理站45150g/L甲基磺酸、20g/L甲基磺酸锡、20mL/L添加剂38-42℃750s处理后回用不更换-1-60-90s二级逆流漂洗，0.15t/h废水处理站纯水洗0.330.90.81-60-90s-0.330.90.8110%异丙醇25-35℃90s一个月定期更换一次废水处理站1-60-90s漂洗，0.15t/h废水处理站纯水洗1-60-90s二级逆流漂洗，0.15t/h废水处理站纯水洗0.330.90.81-60-90s-退挂具退挂槽43电解退镀液（甲基磺酸20-75%）5min处理后回用不更换-水洗槽0.330.90.824min二级逆流漂洗，0.2t/h废水处理站注：项目电极芯片封装和分立器件封装制造均涉及电镀锡工序。分立器件设计产能为每挂120条，2.5min一个节拍，则每小时电镀2880条（每条20只分立器），项目年产分立器24000万只，则分立器件电镀锡年运行4167h。电极芯片涉及产能为每挂936只，2.5min一个节拍，则每小时电镀22464只，项目年产电极芯片516万只，则电极芯片电镀锡年运行230h。退挂工艺说明：每天需退挂具18个，每次工作时长1h。本项目设3个退挂槽，同时退3个挂具，退镀时间为5分钟。企业委托深圳市纯水一号水处理科技有限公司设计了一套产水能力为20.0m3/h的序号系统构成设计能力(m3/h)备注1系统进水43.0最大进水量：51.0m3/h2预处理系统产水43.0全量过滤3预处理系统反洗用水采用一级RO系统浓缩水4一级RO系统进水51.0包含二级RO及EDI系统浓缩水5一级RO系统产水38.0回收率：73-75%6一级RO系统浓缩水回收至浓缩水箱用于预处理反洗用水7二级RO系统进水38.0一级RO产水8二级RO系统产水32.2回收率：85-90%9二级RO系统浓缩水5.8回流至预处理水箱RO纯水用水量直接送至纯水用水点EDI系统进水22.2二级RO产水EDI系统产水20.0回收率：90-95%EDI系统浓缩水2.2回流至预处理水箱Polisher26.0循环量：30%超纯水循环量6.0保证供水管道冲刷量芯片清洗用水量20.0直接送至超纯水用水点序号项目纯水指标检查方法1一级RO产水电导率≤20μs/cm在线电导率仪检测2二级RO产水电导率≤10μs/cm在线电导率仪检测3EDI系统产水电阻率≥15.0MΩcm在线电阻率仪检测4抛光混床电阻率≥18.0MΩcm在线电阻率仪检测水量=2.2t/h水量=2.2t/h5TOC总有机碳≦≤50PPB通过总有机碳分析仪检测6颗粒数0.1m≦≤10pcs./ml通过颗粒计数器测定7≤20PPB通过硅表分析仪检测8细菌37℃下48小时培养9PH值通过PH仪监测超纯水供水压力≥0.3Mpa在线压力表检测在线温控仪检测本系统按水质要求被分为几种水质类型，分别是：RO纯水、EDI高纯水以及终循环水量=6.0t/h 系统原水进多介质过滤器原水增压泵保安过滤器原水箱一级高压泵一级RO水二级RO装二级高压泵EDI给水紫外杀菌器二级RO水EDI装置 系统原水进多介质过滤器原水增压泵保安过滤器原水箱一级高压泵一级RO水二级RO装二级高压泵EDI给水紫外杀菌器二级RO水EDI装置 二级抛光混床0.1μ膜滤器循环水量=6.0t/h絮凝剂活性炭过滤器pH调节剂一级RO系统0.22μ膜滤器一级抛光混床TOC脱除器MDG膜脱超纯水输送泵氮封水箱用水点20T/H18.0M.CM硅片清洗是按照各工序的要求放入药液槽进行表面化学处理，利用化学药液的溶槽，将表面粘附的药液清洗干净，后进入下一道工序。清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内，同时为得到更好的清洗效果，使用超声波。清洗工序主要使用氧化清洗机，清硅片表面由于H2O2氧化作用生成SiO2氧化膜（约6nm呈亲水性该氧化膜又被颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此HPM清洗（SC-2试剂）：用一定浓度的盐酸和双氧水溶液去除硅片表面的钠、产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化匀胶：涂胶前需要通过对硅片进行电加热，去除表面吸附的微量水份，温度 浙江里阳半导体有限公司年产60万片功率半导体芯片及分立器件制造生产线技改项目第57页高速旋转的硅片表面均匀涂上光刻胶的过程，匀胶后需要通过前烘坚膜烘箱进行电加热，使其固化，温度在80-150℃,自然冷却，废气接有机废气排风系统。对位(曝光):是使用光刻机，并透过掩膜版对涂胶后的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质。显影：是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶溶于显影液，未被光照的光刻胶不溶于显影液(对正胶而言),这样使光刻胶上形成了图形(图示见图3-1)。5)干法浮渣刻蚀干法刻蚀是在等离子气氛中选择性腐蚀基材的过程，刻蚀气氛通常含有F等离子或碳等离子体，因此刻蚀气体通常使用CF₄气体。6)湿法刻蚀通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除。湿法腐蚀是通过化学反应对基材进行腐蚀的过程，对不同的去除物质使用不同的的材料。对不同的对象，典腐蚀二氧化硅(SiO₂)——使用氢氟酸与氟化氨的混合液；7)去胶清洗湿法腐蚀后，要去除上面的光刻胶。8)硼预扩散前清洗硼预扩清洗目的去除芯片表面沾污、金属离子、颗粒以及有机沾污等。硼预扩散是在硅表面掺入杂质硼原子的过程，通常是使用B₂O₃作为硼源，B₂O₃直接附着在硅片的表面，在1100℃的温度下，B₂O₃与硅反应产生硼原子，形成硅片掺2B2O3+3Si=3SiO2+4B硼预扩B原子一部分被推进硅片内部，另一部分与硅、氧原子在硅片表面形成，化学性质不稳定的含硼二氧化硅（硼硅玻璃），需要使用稀氢氟酸将其去除。硼预扩是将预扩到硅片内部的硼，通过高温推进的方式，达到设计要求的硼原子扩散结深。推进过程硼在硅片体内以热运动的方式进行扩散。在扩散程序结束过程通常需要通过高速旋转将表面的硼源进行均匀涂覆，然后进入高温扩散炉在氮气保护的环淡硼再扩是将预扩到硅片内部的硼，通过高温推进的方式，达到设计要求的硼原子扩散结深。推进过程硼在硅片体内以热运动的方式进行扩散。在扩散程序结束过程清洗使用碱液与酸液的RCA清洗组合，利用碱液剥离以及络合作用去除芯片表 浙江里阳半导体有限公司年产60万片功率半导体芯片及分立器件制造生产线技改项目第59页磷预扩是在硅表面掺入杂质磷原子的过程，通常是使用POCl₃液体作为源，POCl₃通过N₂携带进入扩散炉，在高温氧气的作用下反应生产P₂Os,直接附着在硅片的表面，在高温下P₂Os与硅反应产生磷原子，形成硅片掺磷的预扩散。典型的化学反应为：该工序使用扩散炉，需要多种掺杂气体，掺杂气体98~99%参与反应，该工序主要产生反应后的废气(氯气)。22)磷再扩前清洗磷预扩P原子一部分被推进硅片内部，另一部分与硅、氧原子在硅片表面形成，化学性质不稳定的含磷二氧化硅(磷硅玻璃),需要使用稀氢氟酸将其去除。片片图3.4-2扩散工艺示意图23)磷再扩磷再扩是将磷预扩进入硅片表层的磷原子，通过高温推进的方式，达到设计要求的磷原子扩散结深。推进过程磷原子在硅片体内是以热运动的方式进行扩散。在扩散程序结束过程通常需要通入氧气在硅片表面再生长一定厚度氧化层，以便进行下一步光刻。24)浓硼光刻(原理同4)25)干法刻蚀(原理同5)26)湿法刻蚀(原理同6)27)去胶清洗(原理同7)28)浓硼预扩散前清洗去除芯片表面沾污、金属离子、颗粒以及有机沾污等。29)浓硼预扩散30)硼再扩散前清洗去除芯片表面沾污、金属离子、颗粒以及有机沾污等。3SiH2Cl2+4NH3650-750℃Si3N4+6H2+6HClCVD方法制备的Si3N4膜层，一般玻璃粉配置：粘连剂：玻璃粉=1:（2-4重量通入氧气使其玻璃表面更加致密化，在器件终端CVD上形成一层厚厚的SiO2玻璃钝在硅基片上沉积金属以作为电路的内引线方法有属沉积采用蒸发方法，材料为铝，作为器件的正面阴极与门极的在真空镀膜室中，抽到要求的真空度后，开启电源将金属铝源加利用热磷酸将芯片表面不需要的铝腐蚀去除，使器件不同区域金属膜层与器件本身的硅之间相互扩散互熔，以便使金利用各种检验仪器对芯片在制造过程中的电学特性、几何尺寸个个具有相同功能的独立器件的过程，切割过程一般采等物理方式进行切割，划片过程主要产生切割废水。后切割好的器件作为芯片加工的成品，按产品功能分类将钼片+焊片+硅片（芯片）+焊片+钼片的顺序共五焊接好的的电极芯片装配在专用电镀夹具上进入高镀锡烘干的电极芯片用自动点胶机进行406硅将划切完成的芯片整版面安装在贴片设备的承片将焊接了芯片的框架通过自动压焊机进行阴极和将压焊完成的框架放在塑封模具内并加入加热的对塑封框架进行电镀夹具的装配，在自动高速电镀设备内进行自动镀锡工艺，对3.5设备工艺先进性分析1、本项目为功率半导体芯片及分立器件制造，项目生产车间均为洁净车间。湿法清洗车间各清洗机设置槽边吸风系统和顶部正压送风系统，设备配备可开闭的玻璃2、光刻机、氧化炉、扩散炉等设备运行时基本密闭，设备设置尾气收集系统，3、本项目产品为分立器件等，属于半导体特殊器件，本项目焊接工序采用真空气、焊接废气收集系统各一套。废气经有效收集处理后达标排放，有效地减轻了废气5、企业拟建设一套处理能力为300t/d的6、项目电镀生产线整体密闭，设置槽边吸风及顶部吸风，废气收集率较高；采3.6物料平衡入方含F元素（kg/a）含F元素（kg/a）混合酸12400kg/a4173氢氟酸废气7.4BOE腐蚀液8400kg/a4450含F清洗废水2706.6氢氟酸1329kg/a619含F废酸液20000kg/a3349四氟化碳243kg/a210BOE腐蚀