模拟电子技术基础

主世此土nr （完整版）模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1填空题半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。当温度升高时，二极管的反向饱和电流将选土,正向压降将减小。整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电.稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加/向偏置电压。测得某二极管的正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于6虬。，交流电阻等于26Q。2单选题杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C）.A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度D.晶格缺陷PN结形成后，空间电荷区由（D）构成。A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B）。A.减小 B.基本不变 C.增大流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C）。A.增大 B.基本不变 C.减小变容二极管在电路中主要用作（D）。 、(完整版)模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案A・整流CA・整流C・发光3是非题在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体.(V)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(X)二极管在工作电流大于最大整流电流If时会损坏。(X)只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(X)4分析计算题图T1.]电路如图T1.1所示，设二极管的导通电压雄(而=0。7V,试写出各电路的输出电压Uo值。图T1.](b)解：⑵二极管正向导通，所以输出电压1=(6—0.7)V=5.3V。0令二极管断开，可得以=6V、Un=10V,Up<UN，所以二极管反向偏压而截止』。=10V。令V、V均断开，U=0V、U=6V、U=10V,U-U〉Up—U，故V优先导通后V1 2 N1 N2 P PN1 N2 1 2截止,所以输出电压U0=0。7V。电路如图T1.2所示，二极管具有理想特性，已知ui=(sin3t)V，试对应画出u.、u。、iD的波形。图TI.2 图T13解：输入电压料为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，鬼=0,而流TOC\o"1-5"\h\z过二极管的电流i=u/R,为半波正弦波其最大值I=10V/1kQ=10mA;当u为负半周Di Dm i时，二极管反偏截止，i=0,u=u为半波正弦波。因此可画出电国电流i的波形如图6)D 0i 0 D所示。Wj/V(a) (b)T1一2及其「一作波形稳压二极管电路如图T1.3所示，已知Uz=5V,Iz=5mA,电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关S断开和闭合时，电压表O，▼和电流表错误!、错误!读数分别为多大？解:当开关S断开，R支路不通，I=0，此时R与稳压二极管V相串联，因此由图可得2 A2 1I=U^2=^18^=6.5湖>1ai R1 2KQ z可见稳定二极管处于稳压状态所以电压表的读数为5V。当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得i2两端压降为U=R2U=0.5X18=3.6<UR2R1+R21 2+0.5 Z故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同即I=I= —=——18^ =7.2mAai a2 R1+R2 (2+0.5)KQ而电压表的读数，即^两端压降为3.6V。第2章半导体三极管及其基本应用1填空题晶体管从结构上可以分成 PNP和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。当温度升高时，晶体管的参数B』^,Icbo增大，导通电压Ube减小。某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10|iA变化到20uA时，集电极电流从1mA变为1。99mA,则交流电流放大系数B约为—99 。某晶体管的极限参数ICM=20mA、PcM=100mW、U（br）ceo=3OV，因此，当工作电压U/10V时,工作电流Ic不得超过里七^^；当工作电压U/1V时，Ic不得超过20mA;当工作电流IC=2mA时,Uce不得超过30V。场效应管从结构上可分为两大类： 结型、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。Ugs（off:表示夹断电压,1照表示饱和漏极电流,它们是耗尽型场效应管的参数.2单选题某NPN型管电路中，测得Ube=0V，UBC=—5V，则可知管子工作于（C）状态.A.放大B.饱和。・截止D.不能确定根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（B）。A.NPN型低频小功率硅晶体管 B.NPN型高频小功率硅晶体管C.PNP型低频小功率锗晶体管 D・NPN型低频大功率硅晶体管输入（C）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析.A.正弦小信号 B.低频大信号^低频小信号。・高频小信号（D）具有不同的低频小信号电路模型.A.NPN型管和PNP型管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C.N沟道场效应管和P沟道场效应管D.晶体管和场效应管当UGS=0时，（B）管不可能工作在恒流区。A.JFETB.增强型MOS管C.耗尽型MOS管D.NMOS管下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B）。A.N沟道JFETB.增强~AIPMOS管C.耗尽型NMOS管D.耗尽型PMOS管3是非题可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。（X）MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。（V）EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。（X）结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。（V）场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。（V）4分析计算题图T2.1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。图T2.1解：(a)U=U-U=0。7—0=0.7V，发射结正偏BEBEU=U-U=0.7—3=—2.3V,集电结反偏BCBC因此晶体管工作在放大状态。U=U-U=2—3=—1V,发射结反偏；BEBEU=U—U=2—5=-3V,集电结反偏BCBC因此晶体管工作在截止状态。U=U—U=3—2。3=0。7V,发射结正偏BEBEU=U—U=3—2。6=0.4V,集电结正偏BCBC因此晶体管工作在饱和状态。该管为PNP型晶体管Ueb=Ue—Ub=(-2)—(-2。7)=0。7V,发射结正偏；U=U—U=(-5)-(—2。7)=—2・3V,集电结反偏CBCB因此晶体管工作在放大状态。图T2.2所示电路中，晶体管均为硅管，8=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的L、ic、uce。

图T2.2解：（a）方法一:I=图T2.2解：（a）方法一:I=(6—0.7W=0.053mAb 100KQ.设晶体管工作在放大状态则有Ic=BIb=100X0o053=5.3mAU=12—5.3X3=—3O9V<0CE说明上述假设不成立晶体管已工作在饱和区。令晶体管的饱和压降UcE（sat）=0.3V,则集电极电流为I=L—°C（皿）=12~0.3=3.9mACS R 1C因此可得晶体管的I=0.053mA^I=1=3。9mA、U=U=0。3VB CCS CECE（Sat）方法二：(6-°.7W=0.053mA100KQICSI=!~c^= =0.039mABSP100因为ib〉ibs，所以晶体管处于饱和状态，因而有I=0o053mA.I=1=3。9mA、U=U=0。3VB CCS CECE(Sat)(b)I=(6—0.7W=0.0084mA=8.4rAb 510KQ设晶体管工作在放大状态,则有

Ic=100X0o0084mA=0.84mA%=5V—0。84X3=2.48V>%（海）说明晶体管工作在放大状态故上述假设成立，计算结果正确。（c）基极偏压为负电用发射结和集电结均反偏所以晶体管截止，则Ib=0,Ic=0,Uce=5放大电路如图T2.3所示,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。解：（a）将C、C断开，即得直流通路如下图a）所示；将C、C短路、直流电源对地短接，1 2 1 2即得交流通路如下图（b）所示;将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图（c）所示。（b）按上述相同方法可得放大电路的直流通路交流通路、小信号等效电路如下图（a）、（b）、（c）所示。

我》的直流通路与交流等效电路场效应管的符号如图T2.4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。图T2.4图T2.4解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图［a)所示，其特点是^=0时，七=—IDSS为N沟道增强型MOS管,它的转移特性曲线如下图3所示，其特点是ugs=0时，iD=0为N沟道结型场效应管它的转移特性曲线如下图:①所示，其特点是ugs=0时，iD=I，且uW0DSS GS(h) (c)场效应管的转移特性曲线第3章放大电路基础1填空题放大电路的输入电压^=10mV,输出电压U°=1V,该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小 ，放大电路的负载能力就越 强。共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 才相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。差分放大电路的输入电压七=1V,Ui2=0。98V，则它的差模输入电压Uid=0・02V，共模输入电压UC=0・99V。差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小.乙类互补对称功放由NPN和PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高.两级放大电路，第一级电压增益为40dB,第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为 1000倍，总电压增益为60dB。集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小零点漂移。理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短*输入电流近似为0，称为虚断。集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。2单选题测量某放大电路负载开路时输出电压为3V，接入2kQ的负载后，测得输出电压为1V，则该放大电路的输出电阻为（D）kQ。

A.0o5B.1o0C.2.0D.4为了获得反相电压放大，则应选用（A）放大电路。A.共发射极 B,共集电极 C.共基极 D.共栅极为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（B）放大电路。A.共发射极 B,共集电极 C.共基极D.共源极放大电路如图T3.1所示，已知Rs=Rd，且电容器容量足够大，则该放大电路两输出电压u0|与u02之间的大小关系为（B）。A. u0|=U02A. u0|=U02B.u0|=—U02D.u0|Vu02C.u0|>u02图T3+I选用差分电路的原因是（A）。A.减小温漂 B.提高输入电阻C.减小失真 D.稳定放大倍数差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的（D）增大.A.差模电压增益D.共模电压增益C.差模输入电阻D.共模抑制比功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高（B）.A.输出功率B.放大器效率 C.放大倍数D.负载能力由两管组成的复合管电路如图T3.2所示，其中等效为PNP型的复合管是（A）。9.OTL电路负载电阻Rl=10Q,电源电压Vcc=10V,略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为（B）W.A.10 B,5C.2。5D.1。2510.集成运算放大器构成的放大电路如图T3.3所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uom=±10V,ui=5V,则该放大电路的输出电压为（C）V。A.—5 B.0C.5 D.103.3是非题放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关・（X）共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大，故很少应用。，（X）单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。（/）乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也越大，所以放大器效率也越小.（X）OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。（X）直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。（V）

4分析计算题放大电路如图T3.4所示，已知晶体管的Ubeq=0。7V,B=99,匕=200。，各电容在工作频率上的容抗可略去。试：(1)求静态工作点icq、uceq；(2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路，求出rbe；(3)求电压放大倍数Au=u/u.及输入电阻R、输出电阻R。。图T3.4解:⑴求icq、uceq、ibq电路构成分压式电流负反馈偏置电路所以U R—%—V=10X12V=2.79VBQR+RCC10+332.79-0.72IMI2.79-0.72CQFQ RFUCEQ-VC-Icq(Rc+Rf)=12-1X(1.7+2)=5.3VI=CQ=]""~0.01mA=10pABQP99⑵画出放大电路的交流通路和微变等效电龄别如图(a)、(b)所示.

丈流通路和微变等效电路，-、26mV 26r=r+丈流通路和微变等效电路，-、26mV 26r=r+(1+p) =200+(1+99) =2.8KQEQ(3)求％,%、R0由图（b）可得u=〜=-p

uiRi^L=-99X =-87七 2.8//R"i"b1B2be//r=33//10//2.8=2KQR°^A。=4.7KQ差分放大电路如图T3.5所示，已知\=2mA。试：（1）求放大电路的静态工作点icq2、ucq2；⑵当u=10mV时，i=1。2mA,求V管集电极电位u、输出电压u以及电压放

i C1 2 c2 0大倍数Au=u/u.。解:（1）求icq2和ucq2由图3.42可知：I =Lo=2=1mAUQ2=VCC-IQ2RC=6-1X3=3V（2）求uc2、u^^Au根据差分放大电路的传输特性可知当i=1。2mA时，i=1一i=2—1。2=0.8mAC1 C20C1所以V2管集电极电位为%2=Vcc—七Rc=6V—0。8X3=3.6V

放大电路的输出电压uo为u=u一U=3.6~3=0。6V0C2CQ2所以，电压放大倍数为A=幻=挡匕=60uu 10mV放大电路如图T3.6所示.试：(1)说明二极管V3、V4的作用;(2)说明晶体管V1、匕工作在什么状态?当Uim=4V时，求出输出功率Po的大小。图TJ6图TJ6解：⑴V、V正向导通其压降提供给功率管V、V作为发射结小正向偏置电压,用以克服交3 4 1 2越失真.因V1、V2管发射结加有小正向偏置电压，所以它们工作在甲乙类状态⑶因UomQUim=4V,所以输出功率为PL(气改2=希=gwL集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T3.7所示，试分别求出它们的电压放大倍数Au=u/u.及输入电阻R。

20kQ所以20kQ解:图20kQ所以20kQ解:图（a）为反相放大电路,R=30KQ图（b）为同相放大电路，所以au u u40 40、A=—o=-p•〜= (1+ )—2Vuu uup 20+40 20R=20+40=60KQ第4章负反馈放大电路1填空题将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负反馈，若使净输入增加，则引入的是正反馈。反馈信号只含有直流量的，称为直流—反馈，反馈信号只含有交流量的，称为交流反馈.反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是电压反馈，若反馈信号取自输出电流，则是电流反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是串联反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是并联反馈.负反馈虽然使放大电路的增益减小 ，但能使增益的稳定提高，通频带展宽，非线性失真减小。（完整版）模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案电压负反馈能稳定输出电压，使输出电阻减小；电流负反馈能稳定输出电流，使输出电阻增大。放大电路中为了提高输入电阻应引入串联反馈，为了降低输入电阻应引入并联反馈。负反馈放大电路中，其开环电压放大倍数Au=90,电压反馈系数Fu=0.1，则反馈深度为10，闭环放大倍数为9。深度负反馈放大电路有：x. xf，即xa0.2单选题放大电路中有反馈的含义是（C）。A.输出与输入之间有信号通路 B.输出与输入信号成非线性关系C.电路中存在反向传输的信号通路D.除放大电路以外还有信号通路直流负反馈在放大电路中的主要作用是（D）。A.提高输入电阻 B.降低输人电阻C.提高增益 D.稳定静态工作点并联负反馈能使放大电路的（B）。A.输人电阻增大 B-输入电阻减小。・输入电阻不变 D.输出电阻减小在放大电路中，如果希望输出电压受负载影响很小，同时对信号源的影响也要小，则需引入负反馈的类型为（A）。A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联负反馈放大电路中，A为开环放大倍数，F为反馈系数，则在深度负反馈条件下，放大电路的闭环放大倍数且，近似为（B）。A.FB.1/FC.AD.1+AF3是非题直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。（X）若放大电路的A>0,则接入的反馈一定是正反馈，若AV0,则接入的反馈一定是负反馈.（X）共集电极放大电路，由于且AuW1,故该电路没有负反馈。（X）当输入信号是一个失真的正弦波，加人负反馈后能使失真减小。（X）负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。（V）在深度负反馈放大电路中，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。（X）4.4分析计算题1.反馈放大电路如图T4.1所示，试指出电路的反馈类型，判断其反馈极性。图’14一1TOC\o"1-5"\h\z解：（a）在图T4.1（a）中标出反馈信号u,如下图（a）所示，可见u=u,反馈信号取样于输f f0出电压u，故输出端为电压反馈由图（a）可见，u、u、u三者串联，形成电压比较关系I=3Q [idf idu—，故输入端为串联反馈令u为 ，则得输出电压u，u为，如图（a）所示，反馈电if i 0 f压uf使净输入*减小，故为负反馈。所以图T4.1（a）所示电路为电压串联负反馈放大电路。（b）由图T4.1（b）可见，负载Rl、反馈网络、基本放大电路即集成运放）三者为串联,故输出端为声流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的反相端加入，故为并联反馈，因此可在图中标出反馈电流if如下图（b）所示。令输入电压为 ，如下图（b）所示此时集成运放输出端对地电位为，因此电压ur3为 ，if由输入端流向输出端，如下g|b）所示，可见札iid=i「if,反馈使净输入iid减小，故为负反馈因此，图T4.1（b）所示电路为电流并联负反馈放大电路。由图T4.1(c)可见，放大电路的输出端Rl、基本放大器、反馈网络三者并联故为电压反馈。输入端信号源+反馈网络、基本放大器三者并联，故⑥并联反馈令输入信号ui为，根据共发射极放大电路特性可知u0为，反馈信号if由输入端流向输出端，由下图(c)可得七=—七，反馈使净输入iid减小，故为负反馈。因此，图T4.1(c)所示电路为电压并联负反馈放大电路。W (b) (c)电蹈位馈骨析深度负反馈放大电路如图T4.2所示,在图中标出反馈信号％,指出反馈类型，求出闭环电压放大倍数Af=u/u.。图E解：(a)为电压并联负反馈，反馈信号为卡，标于下图(a)中。在深度电压并联负反馈电路中有iQi，而i=(u—^)/R^u/R，i=(u-u)/RQ—u/R，因此可得if iiN1i1fN0 1 0 2A=K='f*2=—R

uu iR R(b)为电流串联负反馈，反馈信号沏，标于下图b)中。在深度电流串联负反馈电路中有:uQu。又由图下(b)可得：u=iR，u=iR.所以可得if 0 0Lf02TOC\o"1-5"\h\zau u RA=—oq—0———l

uuu R(c)为电压串联负反馈，反馈信号为uf,标于下图(c)中。在深度电压串联负反馈放大电路中有：uQu・现由下图(C)可知uQu，所以可得if f0A-%qK—1uuu反愤信弓第5章集成运算放大器的应用电路1填空题运算电路中的集成运算放大器应工作在线性 区，为此运算电路中必须引入 深度负反馈。反相比例运算电路的主要特点是输入电阻 较小 ，运算放大器共模输入信号为零；同相比例运算电路的主要特点是输入电阻很大，运算放大器共模输入信号较大。简单RC低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的0^0^倍，即衰减3dB,才相移为-45°o晶体管有三个频率参数f称为共射截止频率，fa称为共基截止频率，弓称为特征频率。集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降3dB所对应的信号频率称为开环带宽，开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称为单位增益带宽.集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时，运算放大器两个输入端的静态电位不能为零，运算放大器输出端必须接有输出电容。（完整版）模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案图T5.1所示比例运算电路中，设A为理想运算放大器，已知运算放大器最大输出电压U°m=±12V,当u|=1V时，则输出电压％为（C）V。A.24B.21C.12 D、-12国T5.1若实现函数uo=u|1+4u|2-4u|3,应选用（B）运算电路。A.比例B.加减C・积分D.微分欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（B）运算电路.A.微分B.积分。・乘法D.除法4・集成运算放大器开环电压增益为106，开环带宽BW=5Hz,若用它构成闭环增益为50倍的同相放大电路，则其闭环带宽BWf%（B）Hz。A.5X105 B.105 C.250D.53是非题凡是集成运算放大器构成的电路，都可用“虚短”和“虚断"概念加以分析・（X）放大电路低频段没有转折频率，则说明该电路采用了直接耦合方式。（/）某集成运算放大器开环带宽为5Hz,由于其非常低，所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。 （X）与无源滤波器相比较，有源滤波器具有可提供通带内增益，负载对滤波特性影响小等优点。（V）4分析计算题电路如图T5.2所示，试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式并指出电路名称。解：(a)uNRwu= F——up R1+解：(a)uNRwu= F——up R1+Rfi1u-uu-uR] ~ Rf经整理可徐0=匕(u〃-u22)1为减法运算电路（b）u=-—jtudt，为积分运算电路0 RCf0I（c）u0=Kuu，为乘法运算电路（d）U0U i ①1+J——①H，为一阶有源低通滤波器运算电路如图T5.3所示，试求各电路输出电压的大小.解：(a)采用叠加定理则得u=—[^0^X0.6V+2°^X(―2V)]=0.8Vo10K 20K（b）采用叠加定理，则得(15K//15K)u=—: :—x6V+—(15K//15K)—x(―3V(15K//15K)P15K+(15K//15K) 15K+(15K//15K)10K

u=(1+10k)u—2V电路如图T5.4所示，试用比例运算关系求出输出电压.图时4图时4解：（a）采用叠加定理，将u〔分别从反相端和同相端输入，使之构成反相比例运算电路和同相比例运算电路，则得=0VR-R、R=0V。—RIR//RR+R2I（b）采用叠加定理将u（分别从反相端和同相端输入，则得第6章信号产生电路1填空题正弦波振荡电路主要由放大电路、正反馈网络、选频网络、—稳幅环节 四部分组成。AuFuT设放大电路的放大倍数为A*反馈网络的反馈系数为尸则正弦波振荡电路的振幅平衡条件u AuFuT，相位平衡条件是气+*=2机（nM，1，2,3…）

RC桥式振荡电路输出电压为正弦波时，其反馈系数F=1/3，放大电路的电压放大倍数A=;若日。串并联网络中的电阻均为日,电容均为C,则振荡频率f0=1/（2nRC） .RC桥式正弦波振荡电路中，负反馈电路必须采用非线性元件构成，其主要目的是为了稳幅_.用晶体管构成的三点式LC振荡电路中，谐振回路必须由三个个电抗元件组成，在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须—同性质，不与发射极相接的电抗元件必须与之异性质，方能满足振荡的相位条件.石英晶体在并联型晶体振荡电路中起电感元件作用，在串联型晶体振荡器中起短路元件作用，石英晶体振荡器的优点是频率稳定度高。电压比较器输出只有高电平和低电平 两种状态，由集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在—非线性状态。迟滞比较器中引人中引入了正反馈，它有两个门限电压。三角波产生电路由迟滞比较器和线性RC积分电路组成.2单选题信号产生电路的作用是在（B）情况下，产生一定频率和幅度的正弦或非正弦信号。A.外加输入信号 B.没有输入信号C.没有直流电源电压 D.没有反馈信号正弦波振荡电路的振幅起振条件是（D）.B.AF=0C.AF=1D.AF>1UUuuuu正弦波振荡电路中振荡频率主要由（D）决定。A.放大倍数 B.反馈网络参数C.稳幅电路参数 D.选频网络参数常用正弦波振荡电路中，频率稳定度最高的是（D）振荡电路。A.RC桥式A.RC桥式B.电感三点式C・改进型电容三点式 D.石英晶体电路如图T6.1所示，它是（C）正弦波振荡电路.人・电容三点式 B.电感三点式C.并联型晶体 D・串联型晶体图T6,1 图俨2电路如图T6,2所示，它称为（C）.A.«振荡电路 B.单限电压比较器^迟滞比较器 D.方波产生电路3是非题信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号，所以信号产生电路工作时不需要接入直流电源。（X）电路存在反馈，且满足AF>1,就会产生正弦波振荡.（X）RC桥式振荡电路中，RC串并联网络既是选频网络又是正反馈网络。（V）选频网络采用LC回路的振荡电路，称为LC振荡电路。（V）电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态，输入高电平时，输出为高电平；输入低电平时输出为低电平。（X）非正弦波产生电路中没有选频网络，其状态的翻转依靠电路中定时电容的能量变化来实现.（V）

l.振荡电路如图T6.3所示，试回答下列问题:（1）指出电路名称；（2）反馈信号七取自哪个元件的电压？⑶画出电路的交流通路，判断电路是否构成正反馈。若电路满足振荡条件，求出振荡频率。解：（1）画出交流通路如图（力所示，由图可见，反馈信号uf取自反馈电容C2两端电压设Q基极输入电压•瞬时极性为 （对参考点地电伺，在回路谐振频率上放大电路输出电唐的瞬时极性为，所以，反馈电压/f的瞬章极性为，可见当与U同相，电路构成正反馈忑（2）为电容三点式3振荡电路，其振荡频率f°等于200Px300200Px300Px 200P+300P1.85MHz02E2丸:乙三』2叽：62皿丫C1+C20>>图T6.32.方波产生电路如图T6.0>>图T6.32.方波产生电路如图T6.4所示，试指出图中三个错误并改正。解：图（a）中的错误有如下三处（1）集成运放输出端缺稳压管的限流电阻;⑵积分电路中R和C的位置接反（3）集成运放同相与反相输入端接反。改正电路如图（b）所示。图T6.43.电路如图T6.5所示，试回答下列问题:改正电路如图（b）所示。图T6.43.电路如图T6.5所示，试回答下列问题:（1）集成运算放大器A1、A2各构成什么电路?（2）设U01的幅值为2V对应画出u01U02的波形;（3）求出U01的频率.解：（1）A1构成RC桥式振荡电路，A2构成过零电压比较器。⑵u为幅度为2V