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[笔记]TETE摘要:本文提供了一种普遍的办法即用一系列的电和磁的表面磁化率去精确的描述超屏/超表面特性。通过新颖的构想，正常入射表面的S方面的优点。核心词:超屏超表面斜入射微粒极化率表面磁化率I[4]面更适宜的采用引入一系列的有关在界面上的电磁场薄片转换条件(GSTCs)o因此，它们的明确的建模就能够通过计算特定的表面磁化率来完毕[7],此后，我们获取了交叉极化效果。II理论构思让我们假设一种分别沿着X方向和Y方向有分立晶格系数a和b极化波和超材料单元状况下，只有X方向电和Y,Z方向磁偶极子考虑在内在这篇文章，我们首先通过正常入射平面波的S参数提取出微粒极化度。图1在超表面材料z=0平面斜入射TE磁场(yy)各自的互相作用系数。散射体分布紧密模式体现式在[9]中已证明。注这里，c，这指定了在一种特定散射体中心，全部的偶极子阵列产生的作用。由于本问题对称性和互易性方程组(6)-(8)+-方程边界条件[6]分别为X方向电场和Y都在Z=0将体现式(18)-(20)带前面求磁化率的运用有限集成技术(FIT)[11]，我们仿真了许多单元构造(作为基准调试工具)来提取(4)和(5)中的微粒极化率和斜入射波的S参数来证明方案的精确性。在我们的仿真中，微粒考虑为无损，厚度为17的金属层，印制在1mm的FR4于,,平面上，周期沿着,轴和Y轴分别为a=b=7mm，运用Floquet排列该单元。首先，图2中的电-LC图2(a)OE6电-LC谐振构造(规模:r=2.5mm.w=0.5mm,g=0.3mm)(b)OE4电-LC谐振构造(规模:图3(a)OE6电-LC谐振器在频率为f=11.22GHZ(b)o图445入射角平面波下，仿真成果和多个方案的反射(a)和透射(b)的比较至于图2(b)中的OE4电-LC构造，在频率为f=9.77GHZ处微粒极化和表面电O流分布在图5(a)和图5(b)图5(a)在频率f=9.77GHZ处OE4电-LCo(b)微粒电和磁极化(c)在60入射角平面波下，仿真成果和多个方案的反射和透射(b)图6(a)NB,SRR几何构造(规模:,,,.,,,，,,,(,,,，,,,(,,,o,,微粒电和磁极化(;)在,0入射角平面波下，仿真成果和多个方案的反射(a)和透射)的比较。在最后，我们测试了图7(a)中的边沿耦合开路谐振环(EC-下，仿真成果和多个方案的反射(a)和透射(b)本文提出了一种

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