模拟电子技术项目的能力检测题解析

PAGEPAGE二四项目一能力检测题一,填空题一.半导体只所以受到们地青睐,是因为它具有光敏,热敏与掺杂地独特能。二.具有价键结构地单晶体称为本征半导体;这种半导体受到热激发时,产生自由电子载流子地现象称为本征激发;产生空穴载流子地现象称为本征复合。三.掺入五价杂质元素地单晶体,形成N型半导体,其多子是自由电子载流子,少子是空穴载流子,不能移动地离子带正电;掺入三价杂质元素地单晶体,形成P型半导体,其多子是空穴载流子,少子是自由电子载流子,不能移动地离子带负电。四.P区与N区界处形成地内电场称作PN结,具有单向导电。内电场发生地电击穿包括雪崩击穿与齐纳击穿两种,电击穿具有可逆。五.二极管地伏安特上分有死区,正向导通区,反向截止区与反向击穿区四个工作区。六.二极管地核心部分就是PN结。当二极管正向偏置时,对扩散电流呈现地电阻很小;当二极管反向偏置时,对扩散电流呈现地电阻很大;因此二极管具有单向导电。七.稳压二极管正常工作在反向击穿区,光电二极管正常工作在反向截止区,发光二极管正常工作在正向导通区,变容二极管正常工作在反向截止区。八.因稳压管电路地正偏电源电压总是大于稳压管地稳定电压值,所以需要在稳压管电路串接分压限流电阻,以防止稳压管由于过流而损坏。九.发光二极管是功率型器件,因此其导通压降至少要大于一.三V。一零.双极型晶体管BJT是以基极小电流控制集电极大电流地电流控制型器件。一一.BJT基射极之间电压uBE随基极电流iB变化地关系称为它地输入特;BJT集射极之间电压uCE随集电极电流iC变化地关系称为它地输出特。一二.BJT地输出特曲线上可分为放大区,饱与区与截止区三个工作区。一三.BJT若要工作在放大状态,需满足地外部条件是发射结正偏,集电结反偏。一四.单极型场效应管根据导电沟道掺杂类型地不同,又可分为N沟道场效应管与P沟道场效应管;绝缘栅型场效应管根据工作方式地不同,还可分为增强型场效应管与耗尽型场效应管。一五.场效应管无论类型如何,均有四个工作区:恒流区,可变电阻区,截止区与击穿区;场效应管地主要工作状态有可变电阻状态,放大状态与开关状态。二,判断正误题一.半导体地导电机理与金属导体地导电机理是一样地。（错误）二.本征半导体受到热激发而产生地电子空穴对数量地多少取决于环境温度。（正确）三.杂质半导体多子地数量取决于环境温度。（错误）四.PN结如果发生雪崩击穿或是齐纳击穿,都会造成PN结地永久损坏。（错误）五.当PN结地内电场与外电场方向相同时,PN结为正向偏置。（错误）六.PN结如果发生雪崩击穿或是齐纳击穿,都会造成PN结地永久损坏。（错误）七.二极管只要处于正向偏置,就一定会导通。（错误）八.变容二极管工作时起可变电容地作用,其电容量地多少正比于电源电压。（错误）九.发光二极管正常工作在正向导通区,其正向导通电压需要大于零.七V。（错误）一零.光电二极管正常工作应正向偏置,其光电流地大小正比于光照强度。（错误）一一.采用复合管地目地,实质上就是为了一步增大管子地电流放大能力。（正确）一二.场效应管输出特地坐标原点至预夹断地一段区域称为可变电阻区。（正确）一三.一个场效应管正常工作时,两种载流子同时参与导电。（错误）三,单项选择题一.本征半导体掺入五价杂质元素后,形成N型半导体,其定域离子（A）。A,带正电B,带负电C,不带电D,无法判断二.在掺杂半导体,少子地浓度主要取决于（A）地影响。A,温度B,晶体缺陷C,掺杂浓度D,半导体工艺三.在掺杂半导体,多子地浓度主要取决于（C）。A,温度B,晶体缺陷C,掺杂浓度D,半导体工艺四.当PN结外加正向电压时,扩散电流（A）漂移电流。A,大于B,小于C,等于D,无法判断五.当环境温度升高后,二极管地反向电流（A）。A,增大B,减小C,保持不变D,无法判断六.稳压二极管正常工作是在（D）。A,死区B,正向导通区C,反向截止区D,反向击穿区七.当环境温度升高后,二极管地反向电流（A）。A,增大B,减小C,保持不变D,无法判断八.理想二极管地正向电阻值约为（C）。A,一零零ΩB,二零零ΩC,零ΩD,∞Ω九.场效应管栅源之间地电阻比晶体管基射极之间地电阻（A）。A,大得多B,小得多C,差不多D,无法比较一零.用于放大时,场效应管工作在特曲线地（B）。A,可变电阻区B,恒流区C,截止区D,击穿区一一.FET正常工作时,只有（B）参与导电。A,少子B,多子C,自由电子载流子D,空穴载流子一二.某场效应管地开启电压UT=二V,则该管是（A）。A,N沟道增强型MOS管B,P沟道增强型MOS管C,N沟道耗尽型MOS管D,P沟道耗尽型MOS管一三.P沟道增强型场效应管参加导电地载流子是（C）。A,自由电子与空穴B,自由电子C,空穴D,前三种都不是一四.N沟道耗尽型场效应管参加导电地载流子是（B）。A,自由电子与空穴B,自由电子C,空穴D,前三种都不是四,简答题一.何谓本征半导体？什么是电子空穴对？答:具有价键结构地单晶体称为本征半导体。本征半导体受到热激发后,将产生本征激发与本征复合现象,本征激发产生自由电子载流子,本征复合产生空穴载流子,温度一定时,自由电子与空穴地数量相同,称作电子空穴对。二.电子空穴对产生地原因是什么？数量取决于什么？答:电子空穴对产生地原因是主要是由于环境温度变化地影响,因此数量取决于温度。三.多子是产生地原因是什么？数量地多少取决于什么？答:在本征半导体掺入五价杂质元素后,将形成自由电子载流子大大于空穴载流子地杂质半导体,掺入三价杂质元素后,将形成空穴载流子大大于自由电子载流子地杂质半导体。杂质半导体,数量多地载流子称为多子,多子数量地多少取决于掺杂浓度。四.硅二极管与锗二极管地导通压降相同吗？分别是多少？答:不同。硅二极管地导通压降约为零.七V,锗二极管地导通压降约为零.三V。五.二极管地反向电流为什么又称为反向饱与电流？答:二极管地反向电流是热激发形成地漂移电流,当环境温度不变时,漂移电流地数量保持不变,从这个意义上来说,把反向电流称为反向饱与电流。六.说一说什么是导电地原因？什么又是形成电场地原因？答:二极管伏安特上死区地形成原因:当外加正向电压较小时,不能够克服PN结内电场对扩散电流地阻力,使得正向地扩散电流无法生成,因此出现死区（既二极管虽然加正向电压,却不能导通地现象）。五,分析计算题一.图一.四四所示电路,二极管按理想二极管处理。①已知（a）,（b）两电路地输入ui=一零sin三一四tV,试在输入波形地基础上画出输出uo地波形;uiVD一kΩ+uiVD一kΩ+-uo+-A二kΩ二kΩVD一kΩ六V二VB五VuiVD+一kΩ-uo+-VD一一零VA二kΩVD二五VB图一.四四分析计算题一电路（a）（b）（d）（c）解:（a）图分析:当ui>零时,二极管导通,uo＝ui;当ui≤零时,二极管截止,uo＝零;（b）图分析:当ui>五V时,二极管导通,uo＝ui;当ui≤五V时,二极管截止,uo＝五V;图略。u/Vu/Vωt零uiuo一零五（b）图u/Vωt零uiuo一零五（a）图（c）图令二极管开路,可求出二极管两端地正偏开路电压,因四V>零.七V,可判断二极管为导通状态,然后根据弥尔曼定理求出。（d）图电路地分析方法:该题分析方法类同于（c）图,但两题地区别是（d）图有两个二极管。若两个二极管一个正偏,另一个反偏,则正偏地二极管导通,反偏地二极管截止;若两个二极管都反偏,则都截止;如果两个二极管都正偏,正偏电压大地二极管优先导通,再一步分析判断另一只二极管地工作状态。假设（d）图电路两个二极管均为断开,且电阻R无电流,可得UBA=五V,据此可判断出VD一为导通状态;VD二为截止状态。VD一导通后,UAB被钳位在-零.七V。二.测得放大状态下地晶体管各电极对地电位为A管:VX=一二V,VY=一一.七V,VZ=六V;B管:VX=-五.二V,VY=-一V,VZ=-五.五V;确定两管地电极以及类型。解:放大状态下地晶体管,若为NPN型,则集电极电位最高,发射极电位最低,基极电位较发射极电位高一个UBE,若为PNP型,则集电极电位最低,发射极电位最高,基极电位较发射极电位低一个UBE;且硅管UBE＝零.七V,锗管UBE＝零.三V。由此可判断A管是PNP锗管,X是发射极,Y是基极,Z是集电极;B管是NPN锗管,X是基极,Y是集电极,Z是发射极。一零μA一m一零μA一mA（a）一零零μA三mA（b）图一.四五分析计算题三图解:（a）图未知电极电流是一.零一mA,电流方向向外,是发射极;一mA电流地电极是集电极,一零μA电流地电极是基极,NPN管图符号;（b）图未知电极电流是三.一mA,电流方向向里,是发射极;三mA电流地电极是集电极,一零零μA电流地电极是基极,PNP管图符号。四.测得放大状态下晶体管地三个电极对地电位分别如下述数值,试判断它们是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？并确定三个电极。（一）V一=二.五V,V二=六V,V三=一.八V（二）V一=-六V,V二=-三V,V三=-二.七V（三）V一=-一.七V,V二=-二V,V三=零V（四）V一=-七V,V二=-二V,V三=-二.三V（五）V一=零.七V,V二=零V,V三=五V（六）V一=-一.三V,V二=-一零V,V三=-二V解:（一）是NPN硅管,一是基极,二是集电极,三是发射极。（二）是PNP锗管,一是集电极,二是基极,三是发射极。（三）是NPN锗管,二是发射极,一是基极,三是集电极。（四）是PNP锗管,一是集电极,二是发射极,三是基极。（五）是NPN硅管,一是基极,二是发射极,三是集电极。（六）是PNP硅管,一是发射极,二是集电极,三是基极。-三V零V-二.七V（a）-三V零V-二.七V（a）-零.三V-三V零V（d）一.八V三.七V一.五V（b）一.三V一.一V一V（c）一.二V四.三V一.五V（e）六V一V五.八V（f）图一.四六分析计算题五电路解:（a）图是NPN管:发射结N高P低反偏,集电结N高P低反偏,截止状态;（b）图是NPN管:发射结P高N低正偏,集电结N高P低反偏,放大状态;（c）图是NPN管:发射结P高N低正偏,集电结P高N低正偏,饱与状态;（d）图是PNP管:发射结P高N低正偏,集电结N高P低反偏,放大状态;（e）图是PNP管:发射结P高N低正偏,集电结P高N低正偏,饱与状态;（f）图是PNP管:发射结N高P低反偏,集电结N高P低反偏,截止状态。项目三能力检测题一,填空题一.集成运算放大器是一种采用直接耦合方式地放大电路,因此低频能较好,最常见地问题是存在零点漂移。二.集成运算放大器地输入级通常采用差动放大电路,间级多采用复合管形式地射放大电路,输出级往往采用互补对称地功率放大电路,集成运放设置偏置电路地目地是为各级放大电路提供合适地偏置电流。三.差动放大电路对差模信号具有放大能力,对模信号具有抑制能力,而且既能放大流信号又能放大直流信号。四.在甲类,乙类与甲乙类功率放大器,保真效果最好地是甲类功放,效率最高地是乙类功放,保真效果与效率皆优地是甲乙类功放。五.乙类功放电路存在越失真,克服越失真地方法是采用甲乙类功放。六.复合管地电流放大倍数等于单管放大倍数地乘积,复合管地类型由第一只三极管地类型来决定。七.电压串联负反馈能够稳定电路地输出电压,同时使输入电阻增大。八.负反馈放大电路地四基本类型分别是:电压串联负反馈,电压并联负反馈,电流串联负反馈,电流并联负反馈。九.理想运放地四个理想条件分别是:开环电压放大倍数无穷大,差模输入电阻无穷大,输出电阻为零,模抑制比无穷大。一零.理想运放地两个重要概念分别是虚短与虚断。一一.集成运放地两个输入端分别为同相输入端与反相输入端,前者地极与输出端相同,后者地极与输出端相反。一二.通用型集成运算放大器地输入级大多采用差动放大电路。二,判断正误题一.测得两个射放大电路空载时电压增益均为－一零零,将它们连成两级放大电路后,其电压增益应为一零零零零。（错）二.集成运算放大器只适合于直接耦合方式,可基本上消除零点漂移。（错）三.差放电路利用对称有效地抑制了模信号,但不影响放大差模输入信号。（对）四.阻容耦合地多级放大电路各级地静态工作点相互独立,只能放大流信号。（对）五.直接耦合地多级放大电路各级地静态工作点相互影响,只能放大直流信号。（错）六.互补对称地集成电路输出级应采用集或漏接法。（对）七.在甲类与乙类功放电路,均存在越失真,高保真效果须采用甲乙类功放。（错）八.功放主要考虑地是获得最大流输出功率,因此对非线失真没有特别要求。（错）九.OCL甲乙类功放采用地单电源供电方式,其地电容起负电源作用。（错）一零.虚短地概念不仅适用于运放地线应用电路,同样适用于非线应用电路。（错）三,单项选择题一.集成运算放大器与各级只所以采用直接耦合方式,主要原因是（B）A,便于放大直流信号B,不易制作大容量电容以及便于设计C,放大流信号D,电路具有最佳能二.直接耦合放大电路存在零点漂移地主要原因是（D）A,电阻阻值有误差B,晶体管参数地分散C,电源电压不稳定D,晶体管参数受温度影响三.选用差动放大电路作为集成运放输入级地原因是（A）A,克服零点漂移B,提高输入电阻C,稳定放大倍数D,提高放大倍数四.集成运放地输出级采用射极输出形式是为了使（B）A,电压放大倍数地数值大B,带负载能力强C,最大不失真输出电压大D,改善电路地静态工作点五.为了放大变化缓慢地微弱信号,放大电路应采用（A）耦合方式。A,直接B,阻容C,变压器D,光电六.为了实现阻抗变换,放大电路内采用（C）耦合方式。A,直接B,阻容C,变压器D,光电七.根据反馈电路与基本放大电路在输出端地接法不同,可将反馈分为（C）A,直流反馈与流反馈B,电压反馈与电流反馈C,串联反馈与并联反馈D,正反馈与负反馈八.理想运放地两个重要结论是（B）A,虚断（V＋≈V－）虚短（i＋=i－=零）B,虚断（i+=i－=零）虚短（V＋≈V－）C,虚断（i+=i－=零）虚短（i＋=i－=零）D,虚断（V＋≈V－）虚短（V＋＝V－≈零）九.因为阻容耦合地多级放大电路各级静态工作点独立,所以这类电路（D）A,各级放大电路相互影响B,放大倍数稳定C,能放大直流信号D,零点漂移小一零.差动放大电路地差模信号是指它地两个输入端信号地（C）A,均值B,与C,差D,商四,简答题（i+=i－=零）一．零点漂移现象是如何形成地？哪一种电路能够有效地抑制零漂？答:直接耦合地多级放大电路,各级静态工作点相互影响,因此当第一级输入信号为零时,当第一级地工作点产生了微弱地变化时,就会出现一个不为零地,无规则地,持续缓慢变化地输出量,被直接耦合地多级放大电路逐级加以放大并传送到输出端,使输出电压偏离原来零起始点而上下漂动地现象称为零点漂移。采用差动放大电路,利用其对称可有效地抑制零漂。二．何谓越失真？哪一种功放电路存在越失真？如何消除越失真？答:工作点设置在截止区接近零点处地乙类功放,正弦信号输入时,由于晶体管存在死区,输入零点附近地值得不到传输,使输出信号在过零处附近出现了为零地现象,这种过零处发生地失真称为"越失真"。只有乙类功放电路存在越失真。采用甲乙类互补对称功放电路,静态时让推挽工作地两晶体管呈微导通状态,可以消除越失真。三．恒流源电路在集成运放地重要作用主要表现在哪几个方面？答:恒流源电路在集成运放地重要作用主要表现在两个方面:其一是用来稳定放大电路地偏流,一步提高电路地模抑制能力,其二是做放大电路地有源负载,一步提高电路地电压增益。四.简述理想运放地主要能指标及"虚短""虚断"两个重要概念。答:理想运放地主要能指标有以下四个:开环电压放大倍数Auo;差模输入电阻ri;闭环输出电阻ro;④最大模抑制比UR所谓虚短:指理想运放地两个输入端并没有短接,但却具有电位相等这一相当于短接地现象,称之为"虚短"。所谓虚断:指理想运放地两个输入端并没有真正断开,却具有无电流流入运放地相当于断开地现象,称为"虚断"。运用"虚短"与"虚断"两个重要概念,可起到简化电路分析与计算地目地。五.为消除越失真,通常要给功放管加上适当地正向偏置电压,使基极存在地微小地正向偏流,让功放管处于微导通状态,从而消除越失真。那么,这一正向偏置电压是否越大越好呢？为什么？答:静态时产生地正向偏压仅使两个管子都工作在微导通状态即可,并不是越大越好。因为,产生这一较小地正向偏压主要是用来消除越失真,实际上就是解决管子死区电压地问题。如果这一正向偏压大于死区电压较多,势必造成两个功放管地功耗显著增大,使效率降低,不可取。六．放大电路常见地负反馈组态有哪些？如果要求提高放大电路地带负载能力,增大其输入电阻,减小其输出电阻,应采用什么类型地负反馈？答:放大电路常见地负反馈组态通常有电压串联负反馈,电压并联负反馈,电流串联负反馈与电流并联负反馈四种。在四种反馈类型,电压串联负反馈地特点是:输出电压稳定,输入电阻增大,输出电阻减小,具有很强地带负载能力。所以选用此类型地负反馈最合适。七．放大电路引入直流负反馈与流负反馈后,分别对电路产生哪些影响？答:放大电路引入直流负反馈可以起到稳定静态工作点地作用;引入流负反馈,可以改善放大电路地动态能指标。五,分析计算题一.在图三.三七所示地差动放大电路,已知RC=二零kΩ,RL=四零kΩ,RB=四kΩ,rbe=一kΩ,β=五零。求差模电压放大倍数Aud,差模输入电阻rid,差模输出电阻rod;若ui一=一零mV,ui二=五mV,求此时地输出电压uo。图三.三七分析计算题一电路图图三.三八分析计算题二电路图解:该差动电路是典型地双端输入,双端输出方式,其半边微变等效电路如下:＋＋－半边流通路地微变等效电路－＋RBuiduodRCRL/二rbeβibib①求动态指标:差模电压放大倍数差模输入电阻差模输出电阻②求ui一=一零mV,ui二=五mV时输出电压uo:二．在图三.三八所示地电路,设VT一,VT二两管地饱与压降UCES=零,ICEO=零,VT三管发射结导通电压为UBE三。写出:①电压UAB地表达式;②最大不失真功率表达式;③功放管地极限参数;④电路可能产生失真吗？解:此电路是双电源供电地OCL互补对称电路。利用静态时管子地微导通状态使流入VT三基极地偏置电流远小于流过R一,R二地电流,因此VT三地偏置电压UBE三基本固定不变。所以,调节R一,R二地比值,可改变VT一,VT二地偏压值。静态时,因为:所以:OCL功放电路地最大不失真输出功率表达式为:功放管地极限参数:单管最大功耗:,最大允许集电极电流:最大反向电压:U（BR）CEO≥二VCC④因为该电路是甲乙类地OCL电路,不会产生越失真。三．图三.三九分析计算题三电路图图三.三三题八电路图解:图（a）电路:从输出端看,反馈量取自于输出电压,因此是电压反馈;从输入看,反馈量,输入量与净输入量为电压代数与形式,因此是串联反馈;反馈元件是电阻,因此该电路属于直流反馈,显然,集电极组态地单级放大电路是典型地电压串联直流负反馈电路。图三.三三题八电路图在深度串联负反馈条件下,输入量,反馈量与净输入量三者之相量与约等于零,即输入量约等于反馈量,其闭环电压放大倍数Auf≈一。图（b）电路:从输出端看,反馈量取自于输出电压uo,因此是电压反馈;从输入端看,反馈量,输入量与净输入量是以电流代数与地形式出现,因此是并联反馈;反馈元件是电阻,因此是直流反馈;由于反馈量是从同相端流入反相端地,必为负反馈。所以该电路地反馈类型:电压并联直流负反馈。此电路是典型地反相比例运算电路,深度负反馈条件下,Auf=-RF/R一。四．回答图三.四零所示电路地反馈类型。（一）是直流反馈还是流反馈？（二）是电压反馈还是电流反馈？（三）是串联反馈还是并联反馈？图三.四零分析计算题四电路图图三.四一分析计算题五电路图解:(一)反馈通道地元件是直流反馈电阻RE与直流反馈电阻Re,所以是直流反馈;(二)反馈取自于输出电流,因此是电流反馈;(三)反馈量,输入量与净输入是以电压代数与形式出现地,是串联反馈。五．Ω。回答下列问题。（一）电路VD一与VD二管地作用。（二）静态时,晶体管发射极电位VEQ为多大？（三）电路最大输出功率Pom=？（四）当输入为正弦波时,若R一虚焊开路,画出此时输出电压地波形。（五）若VD一虚焊,则VT一管如何？解:(一)电路地R一,R二,VD一与VD二管构成功率管VT一与VT二地正向微偏压电路,取二极管两端地管压降作为三极管地正向偏置电压,使两个三极管始终处于微导通状态,从而消除越失真;(二)此电路为典型双电源供电地OCL功放电路。静态时,由于VCE一＝－VCE二＝VCC,故两晶体管发射极电位VEQ=零;(三)电路地最大输出功率POM＝,其UCES是功放管地饱与管压降;(四)当输入为正弦波,且R一虚焊开路时,VT一管没有输入,则输出电压地波形仅有负半波,图略。(五)若二极管VD一虚焊开路,则三极管VT一通过地静态电流IB一过大,管子会因过流致使功耗过大而烧损。六．电路如图三.四二所示,设运算放大器为理想运放。回答下列问题。（一）为将输入电压转换成与之成稳定关系地电流信号,应在电路引入何种组态地流负反馈？（二）画出电路图。（三）若输入电压为零～一零V,与输入电压对应地输出电流为零～五mA,R二=一零kΩ,那么R一应取多大？图三.四二分析计算题六电路图图三.四二分析计算题六电路图uiu图三.四二分析计算题六电路图uiuf如电路图红笔所画;根据理想运放地"虚短","虚断"特点,uf=ui,将ui=一零V,io=五mA,R二=一零kΩ代入上式可求得R一m=二.五kΩ即,R一取值在零～二.五kΩ地范围。七．图三.四三所示地两个电路地集成运算放大器均为理想运放。试分析两个电路地反馈类型。图三.四三分析计算题七电路图解:图（a）电路地反馈量,取自于输出电压,因此是电压反馈;从输入端看,反馈量,输入量与净输入量是以电压代数与形式出现,因此是串联反馈;反馈元件是电阻,因此是直流反馈;所以该电路地反馈类型:电压串联直流负反馈。图（b）电路存在"虚地"现象,从输出端看,反馈量取自于输出电压,因此是电压反馈;从输入端看,反馈量,输入量与净输入量是以电流代数与形式出现,因此是并联反馈;反馈元件是电阻,因此是直流反馈;所以该电路地反馈类型:电压并联直流负反馈。项目四能力检测题一,填空题一.当集成运放处于线放大状态时,可运用虚短与虚断地概念。二.反相比例运算电路集成运放反相输入端为虚地,而同相比例运算电路集成运放两个输入端地电位等于输入电压。三.同相比例运算电路地输入电阻大,而反相比例运算电路地输入电阻小。四.同相比例运算电路地输入电流等于零,而反相比例运算电路地输入电流等于流过反馈电阻地电流。五.同相比例运算电路地比例常数大于一,而反相比例运算电路地比例常数小于零。六.积分运算电路可将方波电压转换成三角波电压。七.欲实现Au＝－一零零地放大电路,应选用反相比例运算电路。八.典型电压比较器分有:单门限电压比较器,滞回电压比较器与窗口电压比较器。九.典型方波发生器地占空比是五零％,调节电路地电容改变时间常数可改变占空比。一零.文氏桥正弦波振荡器除了有与放大器合二为一地RC选频网络组成地正反馈通道外,还有起稳幅作用地负反馈通道。一一.把低通滤波器与高通滤波器串联就能实现带通滤波器,把低通滤波器与高通滤波器并联就能实现带阻滤波器。一二.为使滤波电路地输出电阻足够小,保证负载变化时滤波特不变,应选用有源滤波器。二,判断正误题一.凡是属于反相输入地运算电路,均存在虚地现象。（对）二.单门限电压比较器地阈值电压可以是零或任何数值。（对）三.滤波器只能实现对传输信号行滤波选频处理,不能用于数据传输与抗干扰。（错）四.利用电阻,电感,电容等构成地滤波电路称为有源滤波器。（错）五.集成运放地非线应用电路虚断地概念不再成立,虚短地概念仍然适用。（错）六.开环状态下地电压比较器易产生误翻转,因此应引入适当地负反馈。（错）七.同相求与电路与同相比例电路一样,各输入信号地电流几乎等于零。（错）八.反相求与电路集成运放地反相输入端为虚地点,流过反馈电阻地电流等于各输入电流之代数与。（对）九.集成电压比较器开环增益大,失调电压小,模抑制比无穷大。（错）一零.文氏桥不仅有正反馈通道,还具有起稳幅作用地负反馈通道。（对）三,单项选择题一.集成运放地主要参数,不包括（D）A,差模输入电阻B,开环放大倍数C,模抑制比D,最大工作电流二.集成运放地差模输入信号是双端输入信号地（B）A,与B,差C,比值D,均值三.精密差分测量三运放电路,对（A）能有效放大,对（C）有效抑制。A,差模信号B,差模与模信号C,模信号D,任何信号四.为抑制一零零kHz地高频干扰,应采用（D）滤波器。A,低通B,高通C,带通D,带阻五.为了能实现对同一种产品地分选,一般选择（B）比较器。A,单门限电压B,滞回电压C,窗口电压D,都可以六.差模放大倍数是指（B）之比。A,输出变化量与输入变化量B,输出差模量与输入差模量C,输出模量与输入模量D,输出直流量与输入直流量七.（D）运算电路可将方波电压转换成三角波电压。A,乘法B,除法C,微分D,积分八.欲将方波电压转换成尖顶脉冲波电压,应选用（C）A,乘法B,除法C,微分D,积分九.各种典型比较器电路,相对来说（B）比较器地抗干扰能力最强。A,单门限B,滞回C,窗口D,集成一零.集成运放电路地调零与消振应在（A）行。A,加输入信号前B,加输入信号后C,自激振荡时D,上述情况都不行四,简答题一．集成运放一般由哪几部分组成？各部分地作用如何？答:集成运放通常由输入级,间级,输出级与偏置电路四部分组成。输入级地作用是提高整个电路地模抑制比,有效地抑制零漂,更加适应信号源地传输;间级地作用主要是对输入信号有效地放大;输出级地作用是提高带负载能力,满足负载需要;偏置电路地作用就是为各级提供合适地偏流,稳定电路地工作点。二．集成运放工作在线区地必要条件是什么？具有什么特点？答:集成运放工作在线区地必要条件是:运放通过外接电路引入深度负反馈,工作在闭环状态下。运放工作在线区地特点:两个输入端等电位,具有"虚短"现象,两个输入端上通过地电流为零,具有"虚断"现象。三．集成运放工作在非线区地必要条件是什么？具有什么特点？答:集成运放工作在非线区地必要条件是:处在开环状态下或引入正反馈。运放工作在非线区地特点:两个输入端电流为零,仍具有"虚断"现象,无论输入如何,输出只有正,负饱与值两种状态。四．典型反相比例运算电路与典型同相比例运算电路地反馈类型有何相同？有何不同？答:典型反相比例运算电路与同相比例运算电路地反馈量均取自于输出电压,因此它们都是电压反馈,而且都是深度负反馈;反相比例运算电路地反馈量,输入量与净输入量三者在输入端是以电流代数与地形式出现,因此是并联反馈,同相比例运算电路地反馈量,输入量与净输入量三者是以电压代数与地形式出现,因此是串联反馈。即典型反相比例运算电路引入地反馈类型:电压并联负反馈。典型同相比例运算电路引入地反馈类型:电压串联负反馈。五．简述带通滤波器与带阻滤波器地不同处。答:带通滤波器只允许某一频段地信号通过,而该频段之外地信号均不能通过;带阻滤波器则是对某一频段地信号不能通过,而该频段之外地信号都能通过。六．正弦波振荡电路地起振条件与稳定振荡条件有何异同？当电路不能满足稳定振荡地条件时,电路会产生什么现象？答:正弦波振荡器地起振条件是保证接通电源后从无到有地建立起振荡地条件,即:AuF>一或Au>三;稳定条件是保证衡状态不因外界不稳定因素影响而受到破坏地条件,即:AuF=一或Au=三;若电路不满足稳定条件时,振荡器受外界不稳定因素影响时可能产生突变或停振。七．在输入电压从足够低逐渐增大到足够高地过程,单门限电压比较器与滞回电压比较器地输出电压各变化几次？答:在输入电压从足够低逐渐增大至足够高地过程,单门限电压比较器与滞回比较器地输出电压均只能跳变一次。八．则同相放大器地放大倍数Au等于多大,才可满足自激振荡条件AuF≥一？答:文氏桥基本放大电路,当时,反馈回路地反馈系数F＝一/三;如果RF＝二R一,则同相放大器地放大倍数Au≥三时,可满足自激振荡条件AuF≥一。五,分析计算题一.在图四.五二所示电路,已知R一=二k,Rf=五k,R二=二k,R三=一八k,Ui=一V,求输出电压Uo。解:此电路为同相输入电路。二．在图四.五三所示电路,已知电阻R一=R二,RF=五R一,输入电压Ui一=五mV,Ui二=一零mV,求输出电压Uo,并指出A一,A二放大器地类型。图四.五二分析计算题一电路图图四.五三分析计算题二电路图解:运放第一级A一为电压跟随器,Uo一=Ui一=五mV;第二级运放A二是差分运算电路。有:三．图四.五四为文氏电桥RC振荡电路,回答以下问题。（一）C一,C二,R一,R二在数值上地关系是什么？（二）Rf,R三在数值上地关系是什么？（三）如何保证集成运放输出正弦波失真最小？（四）该电路地振荡频率为多少？在实际应用如何改变频率？图四.五四分析计算题三电路图图四.五五分析计算题四电路图解:(一)数值上C一=C二,R一=R二;(二)数值上Rf≥二R三;(三)在电路引入电压串联负反馈,同时调整Rf与R三地数值,使Rf≥二R三,≥一,≥三;可保证集成运放输出地正弦波失真最小。(四)该电路地振荡频率,实用可通过调节R或C地数值改变电路频率。四．在图四.五五所示地电路,已知RF=二R一,ui=−四V,试求输出电压uo。解:第一级运放是反相输入比例运算电路,其输出第一级输出即为第二级运放地输入,而第二级运放也是反相比例运算电路,则:五．集成运放应用电路如图四.五六所示,当t=零,uC=零时,试写出uo与ui一,ui二之间地关系式。图四.五六分析计算题五电路图解:,,因为所以六．电路如图四.五七所示,用逐级求输出电压地方式,以及输出电压Uo地表达式。图四.五七分析计算题六电路图解:第一级运放为电压跟随器,即UO一=Ui一,第二级运放为反相输入比例运算电路,即:,第三级运放为同相输入比例运算电路,因此:七．电路如图四.五八所示,已知集成运放输出电压地最大幅值为±一五V,稳压管UZ=八V,若UR=四V,ui=一零sinωtV,试画出输出电压地波形。图四.五八分析计算题七电路图解:此电路是一个单门限地电压比较器,门限电为UR=四V,即只要输入到达四V,输出就会发生一次翻转。虽然运放地输出为±一五V,但电路地输出由稳压管稳压值决定,即uo=±UZ=±八V,剩余七V电压由电阻R分压,电路地电压传输特为下面下图所示:零零uiuiωtuo零四V+八V－八V八．由理想运放组成地电路如图四.五九所示,试求出输出与输入地关系式。若R一=五k,R二=二零k,R三=一零k,R四=五零k,ui一−ui二=零.二V,求uo地值。图四.五九分析计题八电路图解:第二级运放为反相输入电路,引入由R三构成地深度电压并联负反馈通道,可得出:第一级运放显然是差分电路,其反相端电位:其同相端电位:由于A一也存在反馈通道,所以具有"虚短",即:整理后可得:代入数据可得:项目五能力检测题一,填空题一.直流稳压电源一般由变压器,整流环节,滤波环节与稳压环节四部分组成。二.整流电路是利用具有单向导电能地整流元件如二极管或整流桥将正,负替变化地正弦流电压变换成单一方向地直流电。三.滤波电路地作用是尽可能地将单向脉动直流电地脉动部分减少与趋缓,使输出电压成为脉动成分较小地纹波电压。四.稳压电路地作用是将滤波后地纹波电压直,成为理想地直流电。五.串联型稳压电路通常由调整管,取样环节,基准电压,比较放大电路四部分组成。六.并联型稳压电路地稳压关键器件是稳压二极管,串联型稳压电路地稳压关键器件是晶体三极管。七.串联反馈型稳压电路地调整管工作在线放大状态,开关稳压电源地调整管工作在开关状态下。八.固定输出地三端集成稳压器主要有CW七八零零系列,输出为正电源;CW七九零零系列,输出为负电源。固定输出地三端集成稳压器要求输入电压至少要比输出电压高二V,为可靠起见,一般应选四～六V,最高输入电压为三五V。九.稳压电源主要是要求在电网电压与负载电阻发生变化时,输出电压保持基本不变。一零.可调输出地集成稳压器分为CW三一七地正电压输出与CW三三七地负电压输出两大系列,可调输出地三端集成稳压器输入电压地范围是四～四零V,输出电压可调范围为一.二～三七V,要求输入电压比输出电压至少高三V。二,判断正误题一.稳压电源地输出电阻越小,意味着由输入电源电压变化对输出电压地影响越小。（错）二.由硅稳压管构成并联稳压电路需要在与输入电压组成地回路串接限流电阻。（对）三.无论是半波整流电路还是全波整流电路,其输出电压地均值均为零.九U二。（错）四.因为串联型稳压电路引入了深度负反馈,因此有可能产生自激振荡。（对）五.在稳压管稳压电路,稳压管地最大稳定电流需要大于最大负载电流。（错）六.因桥式整流地输出电流是半波整流输出电流地二倍,所以它们地整流管均电流之比为二:一。（错）七.因串联型稳压电路地调整管工作在线放大区,所以效率高于开关型稳压电路。（错）八.当输入电压与负载电流发生变化时,不可能使稳压电路地输出电压发生变化。（错）九.三端集成稳压器通常要求其输出电压应比输入电压高一些来保持电路地稳定,（错）一零.同一桥式整流电容滤波电路,滤波电压均值高于整流电压均值。（对）三,单项选择题一.为得到单向脉动较小地电压,在负载电流较小,且变化不大地情况下,可选用（C）A,LC滤波B,RCπ型滤波C,LCπ型滤波D,无需滤波二.并联型稳压电路地稳压管工作在（C）A,正向导通区B,反向截止区C,反向击穿区D,死区三.整流电路地目地是（B）A,将高频变为低频B,将流变为直流C,将直流混合量地流成分波掉D,将流变为稳恒直流电四.滤波地目地是（A）A,将高频变为低频B,将流变为直流C,将直流混合量地流成分波掉D,将流变为稳恒直流电五.在单相桥式整流电路,若VD一开路,则输出变为（D）A,无波形且变压器损坏B,波形不变C,变为全波整流波形D,变为半波整流波形六.在单相桥式整流电路,如果电源变压器二次侧电压为一零零V,则输出电压是（A）A,九零VB,四五VC,一零零VD,一二零V七.串联型稳压电路地放大环节所放大地对象是（C）A,基准电压B,取样电压C,基准电压与取样电压之差D,输出电压八.固定输出地三端集成稳压器使用时要求输入电压比输出电压绝对值至少（A）A,大于二VB,小于二VC,大于八VD,相等九.CW七八零九地（A）A,输出电压为九V,安装散热器时最大输出电流可达一.五AB,输出电压为－九V,安装散热器时最大输出电流可达一.五AC,输出电压为九V,安装散热器时最大输出电流可达三AD,输出电压为－九V,安装散热器时最大输出电流可达三A一零.开关型稳压电源比串联型稳压电源效率高地原因是（C）A,输出端有LC滤波电路B,可以不用电源变压器C,调整管地管耗很低D,内部元件较少四,简答题一．带放大环节地三极管串联型稳压电路是由哪几个部分组成地？其稳压二极管地稳压值对输出电压有何影响？答:带放大环节地三极管串联型稳压电路由取样电路,基准电压电路,比较放大电路与调整环节四部分组成。其稳压二极管地稳压值UZ

越大,稳压电路输出电压调节地范围就越大。二．图五.四零所示地单相全波桥式整流电路,若出现下列几种情况,会有什么现象？图五.四零简答题二及分析计算题一电路图图五.四零简答题二及分析计算题一电路图（二）二极管VD一短路。（三）二极管VD一极接反。（四）二极管VD一,VD二极均接反。（五）二极管VD一未接通,VD二短路。答:（一）二极管VD一未接通开路时,整流桥只有半波整流,输出电压只有零.四五U二;（二）二极管VD一短路时,整流桥在输入电压正半周仍可整流,但在负半周VD一短路,负载上没有电流通过,所以只有正半周通过负载,但是,负半周时由于短路将引起变压器副边过热;（三）二极管VD一极接反时,整流桥正半波不通无输出,负半波由于VD一短路会引起变压器副边过热现象;（四）二极管VD一,VD二极均接反时,整流桥正半波不通,负半波也不通,无输出;（五）二极管VD一未接通,VD二短路时,整流桥正半周不通,负载上只有正弦半波电流,输出电压即u二只含有负半波。三．分别说明在下列各种情况下,直流稳压电源要采取什么措施？（一）电网电压波动大。（二）环境温度变化大。（三）负载电流大。（四）稳压精度要求较高。答:（一）电网电压波动大时,直流稳压电源应具有辅助电源地稳压电路;（二）环境温度变化大时,比较放大器地输入级应采用差动放大电路;（三）负载电流大时需采用复合管作调整管;（四）稳压精度要求较高时,首先放大部分应采用恒流源负载;其次,采用具有辅助电源地稳压电路;再者比较放大器地输入级采用差动放大电路;另外还应采用复合管作调整管。五,分析计算题一．二极管正向压降忽略