模拟电路与数字电路习题题库期末考试试卷及答案半导体器件习题题库期末考试试卷及答案

PAGE二模拟电路与数字电路（第二版）PAGE二PAGE一第章半导体器件PAGE一题一.一在括号内填入合适地答案。在本征半导体加入（）元素可形成N型半导体,加入（）元素可形成P型半导体,PN结加正向电压时,空间电荷区将（）。解正五价正三价变窄一.二温度升高对二极管地导电能力有何影响？这种影响使二极管地特曲线发生什么变化？锗管与硅管地开启电压哪一个大？反向电流哪一个大？用万用表测量二极管地反向特时,是否可用两手将管脚与表笔紧紧地捏住,为什么？是否可以将二极管以正向偏置地形式直接接在一.五V地电池两端,为什么？一.三稳压管只有在反向击穿时才有稳压地作用,试说明处在正向偏置下地稳压管是否也有稳压地作用。一.四设二极管导通地压降为零.七V,写出图一-四一所示各电路地输出电压值。解(a)四.三V(b)零V(c)四.三V(d)零V(e)二V(f)二.三v一.五设二极管导通地压降为零.七V,求图一-四二所示电路地输出电压值。解求Uo地关键点是判断二极管VD一与VD二地通,断状态。二极管VD一与VD二地通,断状态可根据它们地偏置来判断,判断地方法是:先找出电路地最高与最低电位点,观察这些点与二极管正,负极地连接情况,即可确定二极管地偏置状态。在图所示地电路,电源地负极接地,所以,接地点是电路地最低电位点。因二极管VD一地正极与电路地最高电位点+六V相接,所以,二极管VD一因正向偏置而导通,二极管VD二因反向偏置而截止,在二极管导通地电压为零.七V地前提下一.六设二极管导通地压降零.七V可以忽略,输入信号vi=六sinωtV,画出如图一-四三所示电路地输出波形,若将二极管VD换成稳压值为四V地稳压管,画出电路地输出波形。解当输入信号为正半周时,二极管VD因反向偏置而截止,输出信号等于输入信号,当输入信号为正半周时,二极管VD因正向偏置而导通,输出信号地波形约等于零。当二极管VD换成稳压管后,当输入信号为正半周且小于Uz值时,稳压管Vz因反向偏置而截止,输出信号等于输入信号;当输入信号为正半周且大于Uz值时,稳压管Vz反向击穿,输出信号地值稳定在Uz;当输入信号为负半周时,稳压管Vz因正向偏置而导通,输出信号波形约等于零。图一-四一题一.四图图一-四二题一.五图图一-四三题一.六图一.七将两只稳压值分别为五V与八V,正向导通压降为零.七V地稳压管串联使用,并联使用,有几种稳压值？解将两只稳压值分别为五V与八V,正向导通压降为零.七V地稳压管串联使用,有地稳压值分别有一三V,八.七V,五.七V,一.四V四种,并联使用,有零.七V与五V两种。一.八如图一-四四所示地稳压电路,已知输入电压Vi=（一二±一零%）V,稳压管地稳压值VZ=六V,最小稳定电流IZmin=五mA,最大稳定电流IZmax=二零零mA,负载电流地最大值ILmax=五零mA,求限流电阻R地取值范围。解根据输入电压地表达式可得输入电压地最大值为一三.二V,最小值为一零.八V,电路极限工作地情况是,输入电压为最大值时,电路带最轻地负载,RL=∞,流过负载地电流为零,此时流过稳压管地电流需要小于IZmax=二零零mA;当输入电压为最小值时,电路带最重地负载,此时要保证稳压管还要处于击穿地状态,流过负载电阻R地电流为IZmin=五mA与ILmax=五零mA地与,根据KCL可得带入可得R一=三六;R二=八七.二七。根据限流电阻选择地条件得R取值范围三六Ω~一.四四KΩ一.九如图一-四五所示电路地输入信号是正弦波,标出输出电压地方向。图一-四四题一.八图图一-四五题一.九图一.一零在括号内填入合适地答案。（一）工作在放大区地三极管发射结处在（）偏置,集电结处在（）偏置;工作在饱与区地三极管发射结与集电结均处在（）偏置,工作在截止区地三极管发射结与集电结均处在（）偏置。（二）工作在放大区地某三极管,当IB从一零A变化到二零A时,集电极电流IC从一mA变化到二mA,则该三极管地电流放大倍数为（）。解正向反向正向一零零一.一一实验测得电流放大系数分别为五零与一零零地两只三极管两个电极地电流如图一-四六所示,分别求出另一电极地电流,标出其实际方向,并在圆圈画出管子。图一-四六题一.一一图解(a)九九零uA(b)五.二mA一.一二用万用表测得放大电路地四只三极管地直流电位如图一-四七所示,在圆圈画出管子地类型,并分别说明它们是硅管或是锗管。图一-四七题一.一二图解(a)NPN硅管(b)PNP锗管(c)NPN锗管(d)PNP硅管一.一三已知放大电路一只N沟道场效应管三个极